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Ejemplos de Transistores BJT y Fet
Ejemplos de Transistores BJT y Fet
Facultad de Ingeniería en
Electrónica y
Comunicaciones
Experiencia Educativa:
Presenta:
Azuara Vargas Julio Cesar
Roberto Eleasid Meneses Miranda
Hernán Aldair Bartolo Almora
Omar Zaleta Hernández
Maestro:
Luis Javier Morales Mendoza
Poza Rica de Hgo, ver. 22/02/2023
Diseñe un amplificador como el de la figura correspondiente para que tenga una ganancia de 10.
Polarizar el JFET para que el voltaje Vgsq es un tercio de Vp
Simulación
Para la NMOS la fuente buscada de la figura P4.15. Los parámetros del transistor son Vrx= 5V, Kn=
1 mA/V², y alfa= 0. Los parámetros del circuito son VDD=5V, Rs= 1Kohms, Rd= 4Kohms, R1=
225kohms, y R2=175kohms. (a) Calcula la Valencia del ldd y Vpsq. (b) Determine la señal más baja
R2= infinito. Determine el valor de R2 que es reducida la señal a un 75% de valor
MOFET tipo decremental
a) IDQ y VGSQ
b) VD
Datos
IDSS = 8 mA
VP = - 8 V
Solución
IDQ = 8 mA / 4 = 2 mA VGSQ = -8 v / 2 = - 4 v
b) VD = VDD – IDRD
= 20 V - (2 mA)(6.2 kΩ)
= 20 V - 12.4 V
VD = 7.6 V
EJERCICIOS DE POLARIZACIÓN:
1.-Polarización fija. Calcular lo siguiente para la red de la fig. siguiente.
a)VGS
b)ID
c)VDS
d)VD
e)VG
f)VS
SOLLUCIÓN:
a) VGS = - VGG = -2 V
b) ID = IDSS(1- VGS/VP) 2 = 12 mA(1 - (-2V/-8V)2 )=
= 10.08 mA
c) VDS = VDD -IDRD = 16 V-(10.08mA)(2kΩ) = 16 V - 20.16 V = -4.16 V
d) VD = VDS = -4.16 V
e) VG = VGS = -2 V
f) VS = 0 V