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UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA


ESCUELA DE INGENIERIA ELÉCTRICA

TAREA #1
“PROBLEMAS UNIDAD I: AMPLIFICADORES DE UNA ETAPA”

CATEDRÁTICO: Ing. José Ramos López

Presentado por:

Ciudad Universitaria, 19 abril 2017


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RESUMEN

INTRODUCCIÓN

SOLUCIÓN DE PROBLEMAS

CONCLUSIONES

FIA-EIE-ELC215 CATEDRÁTICO: Ing. Ramos López


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PROBLEMA 2:

En cada uno de los literales B,D,F. Calcular la ganancia en la banda


media y FH, Sean hfe = 175, Cµ= 3 pF, FT = 350 Mhz, VA = 125 V. Las
Fuentes de corriente son ideales.

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PROBLEMA 6:

Para el circuito mostrado en la figura P6: VDD = 3.3 V; Iref = 50 uA; VAn
= 30 V; VAp= 15 V; Cload = 0.5pF; Cgs = 0.5 pF; Cgd = 0.5 pF; CS = 1
µF; M =4; M1 = 18; Rsig = 100 kΩ. Calcular AM; fH asumiendo que las
contribuciones significativas son de los nodos IN y OUT; y fL. Para
especificar las dimensiones de los MOSFETs se usará el factor
multiplicativo M (M1).

En el circuito se muestran fuentes de corriente que estableciendo


valores de corriente de polarización, independientemente del voltaje
drenaje-fuente (algunas -fuentes- en principio son innecesarias, a
menos que se trate de una simulación en PSPICE).

Figura P6

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PROBLEMA 17:

Considere el amplificador mostrado en la figura P17. El BJT tiene un hFE


= 200 y |VBE| = 0.7 V, Cµ = 0.8 pF, y fT = 600 MHz. El NMOS tiene Vt
= 1 V, kn ́W/L = 2 mA/V2, y Cgs = Cgd = 1 pF.

a) Encuentre las corrientes de polarización dc en Q1 y Q2.

b) Calcular Av = Vo/Vi despreciando RG, y luego Gv= Vo/Vsig


aplicando Miller para determinar Rin.

c) Determinar fL

d) Calcular fH

Figura P17

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PROBLEMA 18:

Para el seguidor de emisor mostrado en la figura P18, encuentre la


ganancia de baja frecuencia y la frecuencia de 3 dB, fH, para los tres
casos siguientes:

a) Rseñal = 1 kΩ

b) Rseñal = 10 kΩ

c) Rseñal = 100 kΩ

Sea hFE = 100, fT = 400 MHz y Cµ = 2 pF

Figura P18

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PROBLEMA 19:

Los transistores de la figura P19 tienen hFE = 100, VA =100 V, Cµ = .2


pF, y Cje = 0.8 pF. fT = 400 MHz.

a) Encuentre la ganancia en la banda media

b) Encuentre una estimación de fH. ¿Cuál capacitor domina?

c) ¿Cuales son los efectos de aumentar las corrientes de polarización


por un factor de 10?

Figura P19

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PROBLEMA 1:

Los dos MOSFETS en este circuito son idénticos. Sus parámetros relevantes
son k = 3 ma/V2, VT =0.75V, VA = 30V. También se requiere que los MOSFETS
sean polarizados con VOV mayor que 0.1V para que se encuentren en
conducción de manera adecuada. La fuente de corriente es IBIAS = 95uA.

(a) Determinar el valor de RL de manera que VOUT = 3V, cuando VIN=0V.


RL = ___________
(b) Determinar los voltajes compuerta-a-fuente en cada MOSFET, VGS1 y
VGS2, cuando VIN = 0V.
VGS1 = _______; VGS2 = _______
(c) Derivar una expresión para la ganancia de voltaje, AV = vout/vin, cuando
ambos transistores están operando en las regiones activas.
AV (expresión) =____________; AV (valor) =____________
(d) Determinar el rango de valores de VOUT para el cual la expresión de AV
derivada en el literal (c) es válida.
_______ V < VOUT < _______ V

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PROBLEMA 4:

Para el circuito los parámetros son V+ = 10 V; V- = -10 V; RS = 0.1 kohm;


R1 = 43 kohm; R2 =21 kohm; R3 = 28.5 kohm; RE = 1 kohm; RC = 1 kohm;
RL = 10 kohm; y CL = 0. Los parámetros del transistor son β= 225;
VA = 225 V (@ IC = 10 mA); VBE(ON) = 0.7 V; fT = 300 MHz y Cu = 8 pF.
Calcular:
(a) El punto de funcionamiento de Q1 y Q2, y parámetros;
(b) la ganancia en la banda media;
(c) fH;
(d) CC1, CC2, y CE para fL = 100 Hz.

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PROBLEMA 9:
Encontrar la ganancia en la banda media y la frecuencia de corte superior.

Q1 y Q2 son 2N2222 con hFE = 175, Seleccione los valores restantes para
polarizar los transistores en ICQ = 5 mA y VCEQ = 10 V; y cambie RC y RL
de manera que se obtenga ganancia máxima.

Se sugiere usar los parámetros publicados en la guía de laboratorio.

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PROBLEMA 10:
Calcular Ro excluyendo R. Asumir que todos los transistores funcionan en
saturación con corrientes de drenaje de 100 uA. Use los parámetros de
transistores con el proceso de 0.5 um. Ignore el efecto del cuerpo. Asuma
W = 10 um y L = Lmin. El VAn equivalente es de 6 V.

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PROBLEMA 3:

Vtn = 0.9V, kn´= 110 uA/V2; VAn = 80 V.


|Vtp|= 0.9V, kp´= 55 uA/V2; VAp = 80 V.
Los tamaños de los dispositivos son los siguientes:
M1 = M5 = M9 = 8.5/1
M4 = M8 = 8.5/1
M3 = M6 = M7 = 50/1
M2 = M10 = 17/1
M11= M12 = 25/1
M13 = ¿
a) Enumerar los transistores que realizan las funciones siguientes:
Amplificador de señal ________________
Fuente o sumidero de corriente ____________
Referencia de Voltaje (para mantener nodos a tensión DC constante)
________________
b) Determinar VBIAS
c) Si Io = 200 uA, ¿Cual es la relación de geometrías W/L para M13?
d) Estimar la ganancia de voltaje en el punto x (vx/vs)

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PROBLEMA 8:
Encontrar la ganancia en la banda media y la frecuencia de corte superior.

hFE = 175, Rs = 50 Ω, RC = RL = 600 Ω, VCC = 15 V y –VEE = -15 V,


RE1=RE2 = 2 k, RB = 12 k, Q1 = Q2 = 2N2222

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CORTESIA DE SOLUTIONS SEDRA

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