Momento Intermedio

1Unidad 2: “Transistores unipolares y tiristores”

1Fase 2: “Presentar solución al problema del amplificador de baja señal”
Grupo 243006

Presentado por:
CC.

Presentado a:
Gutiérrez
Tutor

Marzo 2020.
Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD
Bogotá D.C.
Electrónica análoga
 Introducción

El desarrollo de la tarea 2 del curso de electrónica análoga se aplican los principios

del funcionamiento de dispositivos semiconductores como JFET, MOSFET y tiristores
mediante el desarrollo de circuitos electrónicos análogos se apropian los conceptos
teóricos básicos y se desarrollan las competencias para dar solución a un problema
planteado y analizar conceptualmente un circuito, haciendo uso de herramientas de
simulación digitales se realiza la validación de los cálculos matemáticos realizados.
 Actividades a desarrollar

1. Presentar solución al problema del amplificador de baja señal con JFET

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa
instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar trabajando en equipo con
cuatro compañeros, una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual
permite restaurar señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz senoidal

Referencia del JFET: J201
I D =327 uA
V D=4.6 V
VGS(off ) =−1.5V
V CC =20 V

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100 mA, para este diseño se
trabajará:
I DSS =3 mA

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a la empresa, en él

mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación teórica, una argumentación y la
validación de la solución. Además, de ser aprobada la propuesta, se deberá realizar una
implementación real y para ello se contará con acceso a los laboratorios.

2. Fundamentación teorica

Lectura de los recursos educativos propuestos en el entorno de conocimiento.

Figura 1. Diagrama esquematico del sistema

3. Describir con sus palabras la teoria de funcionamiento del circuito anterior.

El diagrama presentado se constituye en un circuito electronico con la capacidad de

incrementar la tensión de la señal de entrada, obteniendo una señal aumentada a la
salida. El transistor JFET es un dispositivo muy eficiente utilizado para amplificar señales
electricas debiles.

El circuito es alimentado por una fuente de 20 Voltios, los capacitores de acople filtran la
señal alterna para eliminar cualquier señal de corriente directa, evitando de esta forma
ella presencia de ruido. El transistor JFET es de autopolarización, este tipo de dispositivo
trabaja en la configuración del circuito como un amplificador inversor lo que hace que
entre la señal de entrada y la señal de salida exista un desfase de 180°.

Los transistores JFET se conforman por tres componentes:

 a. Gate (Puerta) – G
b. Drain (Drenador) – D
c. Source (Surtidor) – S

Canal N Canal P

El transistor JFET se puede entender como un interruptor controlador de tensión donde el

voltaje aplicado a la puerta (G), permite el paso de corriente en menor o mayor cantidad
entre el drenador (D) y la fuente (S).

Con los datos suministrados en el ejercicio es posible determinar la zona de operación del
transistor, así:

Figura 2. Cálculo de la VGS en función de ID

 Figura 3. Región activa del JFET en función de ID y VGS

4. Argumentación

Dadas las formulas:

( V cc −V D ) VGS(off )
R D= RS =
ID I DSS

VGS=I D∗R S A V =−G m∗R D

ID
RG =entre 1 y 2 M ΩG m=
VGS

Para Argumentar matemáticamente el diseño presentado cada participante debe realizar

los siguientes cálculos:

4.1. Calcular la resistencia del drenaje RD

4.1.1.Utilizamos la siguiente ecuación:

( V cc −V D )
R D=
ID

Conociendo que:
V CC =20 V
V D=4.6 V
I D =327 uA

Remplazamos valores

( 20 V −4.6 V )
R D=
327 x 10−6 Amp

R D=47094.8 Ω≈ 50 K Ω

5. Solución

Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la que se
evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.

 Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

 Valor de VGS.
 Valor de VDS.
 Valor de VGD.
 Valor de la corriente ID.
5.1. Elementos a utilizar
Figura 4. Componentes utilizados
5.2. Diagrama
Figura 5. Diagrama general

5.3. Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

Figura 6. Diagrama general
5.4. Valor de VGS.
Figura 7. Voltaje GS del transitor JFET

5.5. Valor de VDS.

Figura 8. Voltaje DS del transitor JFET
5.6. Valor de VGD.
Figura 9. Voltaje GD del transitor JFET

5.7. Valor de ID.

Figura 10. Corriente ID
5.8. Tabla resumen.
Cuadro 1. Resumen de valores simulados
Tensión teórica Tensión Simulada
Medición
(Voltios) (Voltios)
VGS 0.16 0.13
VDS 3.49
VGD 3.62
Corriente teórica Corriente simulada
Medición
(Microamperios) (Microamperios)
ID 327 326

Elemento Resistencia

RS 500 Ω
RD 50 K Ω
RG 2MΩ