UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO

FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES ARAGON

[Fecha]

“INGENIERIA EN COMPUTACION “
9. PRÁCTICA IX Aplicaciones con el JFET

Profesor: Ortega Nava Carlos Fernando

INTEGRANTES:
Martínez Ríos Leonardo Daniel.
Ojeda Torres Luis Gerardo.
“LAB Dispositivos Electrónicos”
Grupo “8492”
Fecha de entrega única:
Viernes 29 de abril de 2022.
9. PRÁCTICA IX Aplicaciones con el JFET
Objetivo
Construir circuitos amplificadores y de potencia utilizando el transistor FET.
Equipo

Material

Previo
1. Investigar la ecuación general para encontrar la corriente ID, para las JFET y los MOSFET.
ID es la corriente que circula por el dispositivo para una tensión VD aplicada la ecuación que
se utiliza para calcularlo es la siguiente.

Mediante la gráfica de entrada del transistor también llamada Curva característica de

transferencia universal, a la izquierda de la figura adjunta, se pueden deducir las expresiones
analíticas que permiten analizar matemáticamente el funcionamiento de este. Así, existen
diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento.
En la región activa del JFET, siempre que la tensión entre puerta y fuente VGS sea menor
que el módulo de la tensión de estrangulamiento o estricción, en la cual el JFET cae en la
zona de saturación, Vp también llamada VGS (off) , la curva de valores límite de ID viene
dada por la expresión:

El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura MOS. En los MOSFET
de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato
induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al efecto de
campo. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región
correspondiente al canal, que también es conocida como la zona de inversión.

2. Investigar la configuración que tienen los transistores usados en la práctica.

3. Calcular los voltajes y corrientes que se esperan tener en los circuitos de la práctica con
FET.

4. Complementar el previo con una simulación en Multisim de los circuitos de la práctica.

Desarrollo
1. Alambrar primero la etapa de control del Circuito 9-1.
2. Una vez que esté funcionando la etapa de control. Conecta en serie la lámpara
incandescente con el relay, después con precaución y utilizando la cinta de aislar la línea de
alimentación AC.
3. Repite el switcheo y comprueba si funciona correctamente.

4. Armar el Circuito 9-2.

5. Programar la fuente de poder a 18V, el generador de señales con una señal senoidal de
100mVpp, a una frecuencia de 1KHz.
6. Habilitar la fuente de poder y después el generador de señales.
7. Medir la tensión entre el drenador y el surtidor.
8. Obtener la señales del canal 1, la salida del canal 2 y medir sus características.

Conclusiones.
En esta práctica al ingresar los datos en la fuente de poder y que mostrara la señal en onda al
medir el tránsitor variaba mucho el voltaje en cada parte del circuito, entre sus aplicaciones
del jet os JFET se diseñan como por ejemplo en los circuitos de los temporizaxdores, ya que
ofrecen un alto aislamiento entre sus terminales de compuerta y los hace más eficientes..