UNIVERSIDAD EL BOSQUE

CENTRO DE DESARROLLO TECNOLÓGICO

FACULTAD DE
INGENIERÍA
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
INFORME DE LABORATORIO

Asignatura: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Fecha: 27/03/24

Nombre de la práctica: SIMULACIÓN E IMPLEMENTACIÓN DE CIRCUITOS CON

TRANSISTORES

Nombre estudiantes: ROBERTO SÁNCHEZ, JULIÁN ARBELÁEZ, DUVÁN BAYONA

Abstract:
The laboratory aimed primarily to become familiar with the fundamental
concepts of NMOS transistors, as well as to acquire skills in the design,
simulation, and analysis of electronic circuits that incorporate them. Simulation
tools (LTSpice) were used to model circuits with transistors, and the designs
were implemented in a laboratory environment, followed by measurements and
analysis of the results.

Resumen:
En el siguiente informe se expone el proceso de familiarizarse con los conceptos
fundamentales de los transistores NMOS, así como adquirir habilidades en el
diseño, simulación y análisis de circuitos electrónicos que los incorporan. Se
utilizaron herramientas de simulación (LTSpice) para modelar circuitos con
transistores, y se implementaron los diseños en un entorno de laboratorio,
seguido de mediciones y análisis de los resultados.

Introducción:
Los NMOS (Metal Óxido Semiconductor de Tipo N) son dispositivos
fundamentales en la electrónica de estado sólido, especialmente en la
fabricación de circuitos integrados. Estos transistores se basan en la tecnología
de semiconductores de silicio y son ampliamente utilizados en la construcción
de circuitos digitales y analógicos. Su funcionamiento se fundamenta en la
manipulación de la conductividad de un canal de tipo N mediante la aplicación
de tensiones de control, lo que los convierte en componentes esenciales para la
implementación de lógica y almacenamiento de información en sistemas
electrónicos modernos.

Objetivos:

General: Integrar el análisis de circuitos eléctricos con procesos de

modelamiento matemático, modelamiento gráfico y simulación de circuitos.

Específicos:

1. Analizar e implementar circuitos con transistores BJT y MOSFET en

corriente directa.

2. Diseñar, simular e implementar la polarización en circuitos con

transistores.

Marco Teórico:
Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET).

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET es un

transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más
popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores MOSFET.. [1]
 Figura 1. Esquema de un transistor MOS.

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para
llevar a cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida
es muy pequeña.

Esto hace que sea un componente importante en los modernos ordenadores y

dispositivos electrónicos como los SmartPhone, relojes digitales, pequeños
juguetes de robot y calculadoras.

LTSpice:

LTspice es un software de simulación de circuitos electrónicos analógicos basado

en SPICE, producido por el fabricante de semiconductores Analog Devices
(originalmente por Linear Technology). Es el software SPICE más ampliamente
distribuido y utilizado en la industria. Aunque es gratuito, LTspice no tiene
restricciones artificiales para limitar sus capacidades (sin límites de funciones,
nodos, componentes o subcircuitos). Incluye una biblioteca de modelos SPICE
de Analog Devices, Linear Technology, Maxim Integrated y fuentes de terceros.
[2]

Metodología y equipos:
Cada una de las implementaciones físicas (montajes), mediciones y
configuraciones hechas a los equipos deben ser mostradas al profesor
encargado durante la práctica.

1. Implementar el circuito de la figura 1 a) usando el transistor 2N7000 o

BS170 (transistores NMOS).

a. Variar la fuente VGS entre 0 V y 2.6 V en pasos de 0.2 V y en cada paso

medir la corriente del transistor. Reportar los valores en una tabla y
generar la gráfica para ID(VGS).

b. Conociendo que el voltaje de umbral (VTH) puede considerarse como el

 voltaje puerta-surtidor a partir del cual la corriente deja de ser cero y
comienza a aumentar de forma cuadrática, estimar el valor de VTH para
el transistor usado en el circuito. Verificar si el valor se encuentra dentro
del rango especificado en la hoja de datos del transistor.

c. Si la corriente del MOSFET en saturación puede expresarse como:

I D =K ¿

Determinar en promedio el valor de K para los valores de VGS

comprendidos entre 2 V y 2.6 V.

d. Repetir los procedimientos para el transistor BS250 (transistor PMOS)

considerando el circuito de la figura 1 b) y variando VSG entre 0 V y 4 V
en pasos de 0.2 V. Para estimar el valor de K tomar los valores de VSG
comprendidos entre 3.4 V y 4 V.

2. En el circuito de la figura 2, si VDD=5 V, R1= R2 =50 K, R3 =180 , R4

=100 y
M1 es el transistor 2N7000 o BS170 caracterizado en el numeral anterior:

a. Considerando los valores de VTH y K obtenidos, determinar teóricamente

los valores de las diferentes corrientes, los voltajes en el circuito, y la
región de operación del transistor.

b. Simular el circuito usando el modelo comercial del transistor y reportar

en la tabla 1 los valores de las diferentes corrientes y voltajes en los
nodos del transistor.

c. Implementar físicamente el circuito de la figura y usando dos transistores

de la misma referencia, medir la corriente de drenador y los voltajes en
los terminales del transistor. Reportar las mediciones en la tabla 1. ¿Los
voltajes y corrientes obtenidos variaron? Explique el porqué.

Tabla 1. Reporte de los valores obtenidos en los ítems a., b. y c.

Parámetro Calculado Simulado Experimental Experimental

I D [mA ]

V D [V ]

V G [V ]
 V S [V ]
Tabla 1. Valores Obtenidos Circuito #1.

3. En el circuito de la Figura 3, si VDD=6 V, R3 =100 , y M1 es el transistor

caracterizado en el primer numeral:

a. Implementar físicamente el circuito y aumentar el valor de la fuente VX

desde 1.2 V hasta obtener una corriente de 25mA.

b. Determinar teóricamente, simular, e implementar físicamente el circuito

que mediante divisor resistivo permita polarizar el transistor para obtener
la misma corriente de drenador sin el uso de la fuente VX. Considerar
una corriente de 100 µA a través de la rama del divisor.

c. Determinar teóricamente, simular, e implementar físicamente el circuito

que mediante autopolarización permita polarizar el transistor para
obtener la misma corriente de drenador sin el uso de la fuente VX.

Materiales:

1.Osciloscopio

2.Generador de señales

3.Sondas de osciloscopio

4.Cables de conexión

5.Resistencias de diferentes valores

6.Transistor 2N2222, 2N3904, 2N3906 .

Desarrollo:
Corriente del transistor al variar el voltaje:

A. Los valores recolectados se pueden ver en la figura 1 de resultados, la figura

2 representa la gráfica de Id Vs Vgs.
B. De acuerdo con los resultados, la corriente del surtidor deja de ser cero justo
en el voltaje 0.8. Por lo que se asume el VTH como 0.8. Este es el mismo valor
que aparece en la hoja de datos para nuestro transistor medido.

C. Utilizando el despeje:

ID
¿¿

Se obtuvieron los valores recolectados observados en la figura 2 de resultados.

Calculos teoricos circuito #1:

Figura 2. Circuito #1 con Mosfet.

V th =0.8 V k =6.8 mA /V 2

Hay dos corrientes en el circuito, IR que es la que fluye por R1 y R2. La otra
corriente llamada ID que fluye por R3 Y R4.

V DD−(−V DD ) 10V
I R= = =100 µA
R 1+ R 2 100 K Ω
Voltaje de puerta por divisor de voltaje

V DD∗R 2 5 V∗50 K Ω
V G= = =0 V
R 1+ R 2 100 K Ω

Dado que no se pueden hallar más corrientes o voltajes por ley de ohm, se
hallaran ecuaciones de ID:

2
I D =k (V GS−Vth❑) ECUACIÓN 1

V GS=V G−V S => V S =V G −V GS

V S =R 4∗ID

V G−V GS
I D= ECUACIÓN 2
R4

igualamos ecuación 1 y 2 para hallar VGS

V G−V GS 2 2 ❑ ❑ 2
=k (V GS−Vth❑) => V GS kR 4−2 V GS V th kR 4+V GS +V th kR 4−V G =0
R4

Remplazando valores y simplificando nos queda una ecuación cuadrática:

2 ❑ ❑
0.68 V GS −1.72 V GS +0.4352 =0
Solucionando la cuadrática, VGS tiene dos valores.

Seleccionamos el valor que garantiza que el mosfet este encendido VGS>Vth.

V GS=0.2851V ✘

V GS=2.24 V ✓

Hallamos el calor de VS con VGS

V GS=V G−V S => V S =V G −V GS => V S =0−2.24=−2.24 V

Luego por ley de ohm podemos hallar ID

V S −2.24 V
I D= = =−22.4 mA
R4 100 Ω

Hallamos VD:

V DS=V GS −V th => V D=V G −V th => V D=0−0.8=−0.8 V

Por último determinamos la región de operación.

asumiendo en saturación:

V DS >V GS−V th => −3.04> 2.24−0.8 => −3.04> 2.24−0.8 ☓

asumiendo en triodo:

V DS <V GS−V th => −3.04< 2.24−0.8 => −3.04< 1.44 ✓

Simulaciones #1:

Para la simulación se utilizó el modelo con las mismas características del

2N7000:

Figura 3. Simulación circuito 1.

 Figura 4. Resultados Circuito #1.

Calculos teoricos circuito #2:

b. Para aplicar la polarización se realiza el cambio de circuito.

Figura 5. Polarización con Divisor Resistivo.

 VTH =0.8 K=6.89 mA /V
2
ID=100 μ A

Utilizando los valores hallados en los puntos anteriores, podemos calcular las
resistencias.

ID=K ¿

2
25 mA =6.89 mA /V ¿

VG S 1=2.704 VG S 2=−2.704

Seleccionamos el resultado positivo.

VG−VS=2.704

VG−0=2.704

VG=2.704

VDD−VG
R 1= =32.960 k Ω
ID

VG
R 2= =27.04 k Ω
ID
c. Para aplicar la polarización se realiza el cambio de circuito.

Figura 6. Circuito de Autopolarización .

VTH =0.8 K=6.89 mA /V

2

Utilizando los valores hallados en los puntos anteriores, podemos calcular la

resistencia.

ID=K ¿

2
25 mA =6.89 mA /V ¿

VG S 1=2.704 VG S 2=−2.704

Seleccionamos el resultado positivo.

 VG−VS=2.704

VG−0=2.704

VG=2.704

VG=VD

VDD−VG
R 3= =131.84 Ω
ID

VD=VDD−RD × ID=6−100 × 25 mA=3.5 V

Simulaciones #2:

Simulación al variar el voltaje de 1.2 V hasta obtener una corriente de 25 mA.

Figura 7. Polarización con la fuente Vx.

 Figura 8. Gráfico de la variación de la corriente con respecto al Voltaje de la Fuente
(Vx).

Simulación Divisor resistivo (Corriente igual sin la fuente Vx).

Figura 9. Simulación polarización con Divisor Resistivo.

 Figura 10. Resultados divisor Resistivo.

Simulación Autopolarización(Corriente igual sin la fuente Vx).

Figura 11. Simulación del circuito con autopolarización.

 Figura 12. Resultados de Autopolarización.

Resultados:
1. Corriente del transistor al variar el voltaje:

VGS [V ] ID [mA ]

0 0

0.2 0

0.4 0

0.6 0

0.8 0.0001

1 0.00013

1.2 0.0092

1.4 0.126

1.6 0.584

1.8 2.54

2 6.39
 2.2 10.7

2.4 18.7

2.6 33.7
Tabla 2. Esquema de un transistor NMOS.

Figura 13. Corriente de ID contra VGS.

Valores de K comprendidos entre 2 V y 2.6 V:

V GS (V ) I D (mA ) 2
K ( mA / V )

2 6.39 4.43

2.2 10.7 5.45

2.4 18.7 7.30

 2.6 33.7 10.40

K Promedio 6.8(mA /V 2 ¿
Tabla 4. Esquema de un transistor MOS.

2. Resultados del Circuito #1

Parámetro Calculado Simulado

Id (mA) 25 mA 251 mA
Vd (V) 3.5 V 3.484 V
Vg (V) 2.704 V 2.704 V
Vs (V) 0 0
Tabla 5. Resultados circuito #1.

3. Resultados del Circuito #2

Divisor Resistivo:

Parámetro Calculado Simulado

Id (mA) 25 mA 24.99 mA
Vd (V) 2.704 V 2.704 V
Vg (V) 2.704 V 2.704 V
Vs (V) 0 0

Tabla 6. Resultados circuito #2.

Análisis y discusión de resultados:

Durante la prueba para hallar el voltaje umbral, el transistor 2N7000 mostró
flujo de corriente de 100 μ A por primera vez cuando fue alimentado con 0.8 V .
En los siguientes pasos, la corriente aumentó de forma exponencial por cada
0.2 V. Este valor de V TH , (primer valor puerta surtidor diferente de cero)
también es el mismo que el fabricante reporta como valor de voltaje umbral,
por lo que se comprueba la información de la hoja de datos.

También se comprobó la igualdad I D =K ¿ de forma teórica, mediante

simulaciones y experimentalmente, por lo que se puede concluir que es una
herramienta de suma utilidad para el proceso de diseño de circuitos con
MOSFET.

Respecto a la estimación del valor de K para nuestro transistor, se tomó como

valor general la media los valores tomados desde 2 hasta 2.6 V GS . Sin embargo,
como mencionamos antes, la corriente aumenta de forma exponencial según se
añade un mayor voltaje a los terminales. Esto provoca que el factor de K ❑
también crezca de manera exponencial según aumenta el voltaje, por lo que es
importante tener en cuenta que tomar la media de un grupo de valores
únicamente sería correcto para intervalos pequeños donde se tomen tramos de
la curva cercanos a la recta.

Tanto el circuito de polarización con divisor resistivo como el de

autopolarización presentaron resultados de alta precisión. Incluso mediante
simulación, los circuitos de polarización presentan resultados con muy poco
margen de error. Esto los presenta como una alternativa excelente para
montajes con MOSFET que además ya no requerirían de la fuente Vx para
polarizar el transistor.

Conclusiones:
1. El V TH y K son valores esenciales de los mosfets, uno permitiendo variar
la corriente a través del voltaje, y el otro reuniendo las características
físicas del mosfet en K.

2. Los métodos de polarización permiten mejorar la estabilidad de los

circuitos debido a su compartimiento, además de ahorrar costos con sus
distintas configuraciones al reemplazar la fuente que alimenta el Gate, ya
sea con el método de generación, o el uso en amplificadores con el
método de autopolarización.

3. El correcto uso del mosfet nos permitirá darle una función específica, ya
que si se sabe correctamente que uso se le dará se podrá caracterizar el
mismo para que trabaje en la región de operación deseada y así obtener
 las características deseadas del mosfet.

4. La ausencia de corriente en gate permite un control preciso en el mosfet,

ya que no se generan interferencias. Por ende tiene muchas aplicaciones
donde se necesite una alta conmutación.

Bibliografía:
1. Antonio Hermosa Donate, Principios de Electricidad y Electrónica V (2009)
2. LTspice Genealogy - The Heritage of Simulation Ubiquity.