DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA FISICA: FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

UNIVERSIDAD DE VIGO AUTOEVALUACIÓN

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Cuestión 1) Diseñar un circuito de polarización

automática para un amplificador NMOS. El
circuito ha de tener una fuente de polarización
continua VDD = 15 V e IDQ = 2 mA. La señal de
salida tiene que estar en fase con la señal de
entrada, Avo = 0,86347 y Rin = 100 k.

DATOS: KP = 50 µA/V2 W = 100 µm

L = 2 µm =0 Vto = 1 V
Cuestión 2) Dado el siguiente amplificador basado en un transistor FET calcular su ganancia de tensión a frecuencias
medias, sabiendo que gm= 0.0102 S

RD
2.2 kΩ
Vout

Rin CG VCC
Vin Q1
12 V
600 Ω 2.2 μF

RG
470 kΩ RS
290 Ω CS
2.2 μF

A frecuencias medias se cortocircuitan los condensadores CG y CS. El circuito equivalente de pequeña señal para
frecuencias medias es el siguiente:

Rin
G D Vo
+
+ vgs
vin RG g m  vgs RD
- S

RG
v gs  vg  vin 
RG  Rin
vo   gm  vgs  RD

v o  g m  v gs  R D RG 470 000
Avm     g m  RD   0.010 2  2 200   22.41
vin RG  Rin RG  Rin 470 600
v gs 
RG
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Cuestión 3) Dibujar las curvas características de transferencia ID =

f (VGS) y las curvas características de drenador (ID = f (VDS)) para
los FETs que se indican, todos con |VTO| = 3 V, K = 2 mA/V2 y λ =
0.
a) MOSFET de acumulación de canal N;
b) MOSFET de deplexión de canal N;
c) JFET de canal N.

Límites para VGS y VDS: de 0 a 6 V (o de 0 a -6 V).

En la característica de drenador, dibujar la curva que separa zona

óhmica y saturación.

Marcar la IDSS y la VTO.

En la curva ID = f (VGS) y en la curva límite zona óhmica/saturación deben quedar anotadas las coordenadas que
corresponden a saltos de voltio en voltio en el eje horizontal.

Sugerencia: La figura adjunta sería la solución para un JFET de canal P, usando una escala de 1 V/división en
horizontal y 2 mA/división (el valor numérico de la K) en el eje vertical. Se sugiere usar esas mismas escalas.
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EJERCICIO 1
Calcular las tensiones y corrientes de los dos transistores de la
figura (ID, VGS, VDS). DATOS: (comunes a ambos transistores)
K = 1 mA/V2; |Vto| = 3 V.
Para ello, se sugieren los siguientes pasos, que van guiando
hacia la solución:
1. Identificar los terminales de cada transistor, en función de
los sentidos de las corrientes en este circuito.
2. Valores de las tensiones de puerta VG1 y VG2 (con respecto a
masa).
3. Signos de VGS1 y de VGS2.
4. Comparación de ID1 e ID2 (¿>,=,<?) y de |VGS1| y |VGS2|
(¿>,=,<?).
5. En función del punto anterior, razonar si pueden estar ambos transistores en saturación
simultáneamente. Si está uno de ellos, ¿cuál es? En este punto puede ser muy útil plantearlo sobre las
curvas características de drenador [ID = f(VDS)].
6. Finalmente: cálculo efectivo de corrientes y tensiones.
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EJERCICIO 2
Para el circuito seguidor de fuente
que se muestra en la figura:
(a) Dibujar el circuito
equivalente en pequeña
señal a frecuencias medias.
Suponer que =0.
(b) Obtener expresiones para la
ganancia de tensión, la
resistencia de entrada y la
resistencia de salida.
(c) Suponer que RG=2 MΩ,
RS=1 kΩ, RL= 10 kΩ,
VDD=15 V, R=100 kΩ, y los parámetros del FET son K=0,2 mA/V2, y Vto=2 V. Hallar el punto de
trabajo y el valor de gm.
(d) Usar los valores de la parte (c) para evaluar las expresiones del apartado (b).
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