INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

CENTRO DE ESTUDIOS CIENTÍFICOS Y TECNOLÓGICOS

“JUAN DE DIOS BÁTIZ”

MANUAL DE PRACTICAS DE LA
CARRERA DE TÉCNICO EN SISTEMAS DIGITALES
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

EDGAR M. RAMIREZ RODRIGUEZ

1
2
CONTENIDO
NORMAS DE LAS PRACTICAS 4
PRACTICA 1: IDENTIFICACION Y APLICACIÓN DEL UJT 5
PRACTICA 2: CARACTERISTICAS DEL JFET Y DEL MOSFET 8
PRACTICA 3: IDENTIFICACION Y CIRCUITO DE DISPARO DEL SCR 13
PRACTICA 4: APLICACIONES DEL DIAC Y TRIAC 17
PRACTICA 5: PRINCIPIOS DE OPTOELECTRONICA 20
PRACTICA 6: IDENTIFICACIÓN Y APLICACIÓN DE SENSORES 25

3
Normas de prácticas

1. La realización de la práctica es obligatoria para todos los alumnos que cursen la

asignatura.
2. Las prácticas consistirán en sesiones de laboratorio y la entrega de una evidencia
escrita.
3. Los alumnos serán divididos en equipos de trabajo de máximo 4 integrantes cada
equipo.
4. El cambio de equipo NO está permitido.
5. La composición de los integrantes de equipo quedara establecida en la primera
práctica de laboratorio y quedara inalterable para el resto del semestre.
6. Los conceptos que se evaluaran en el laboratorio son: memorias de la práctica y
trabajos voluntarios en el curso.
7. La nota obtenida en la práctica supondrá el 20% de la evaluación final de la
asignatura.
8. Será obligatoria la presentación de una memoria de la practica por cada equipo
en el laboratorio, la cual debe de contener: introducción, descripción del trabajo
realizado en la práctica, los resultados obtenidos, su justificación y las
conclusiones individuales, así como las incidencias que estime oportuno indicar.
9. La entrega se realizará a los 8 días de efectuada la practica o cuando el profesor
titular lo crea conveniente.
10. Las prácticas solo se recibirán en el día y horario indicados a más tardar.
11. La presentación fuera del plazo de la memoria de prácticas se valorará como no
presentada.
12. Cualquier duda que no resuelva esta normativa queda a criterio del profesor
titular y sus auxiliares.

4
No DE PRÁCTICA: 1 IDENTIFICACION Y APLICACIÓN
DEL UJT
Tiempo estimado de realización: 2hr
OBJETIVO

Identificar las características técnicas de funcionamiento de un transistor de unijuntura

para aplicarlos en circuitos de control de potencia de cargas.

MARCO TEÓRICO

La electrónica de potencia (o electrónica de las corrientes fuertes) es una técnica

relativamente nueva que se ha desarrollado gracias al avance tecnológico que se ha alcanzado en
la producción de dispositivos semiconductores, y se define como "la técnica de las
modificaciones de la presentación de la energía eléctrica" o bien como "la aplicación de la
electrónica de estado sólido para el control y la conversión de la energía eléctrica".

La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control. El control se

encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los sistemas de lazo
cerrado. La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática, rotatoria o giratoria, para la
generación, transmisión, distribución y utilización de la energía eléctrica. La electrónica se
ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido requeridos en el procesamiento de señales
para cumplir con los objetivos del control deseados. En la figura 1 se puede apreciar un
esquema básico de bloques de un sistema electrónico de potencia.

Figura 1: Diagrama a bloques del convertidor de potencia operando en lazo cerrado.

Los dispositivos semiconductores se pueden operar como interruptores mediante la

aplicación de señales de control a la terminal de compuerta de los tiristores y a la base de los
transistores. La salida requerida e obtiene mediante la variación del tiempo de conducción de
estos dispositivos de conmutación.

El transistor de unijuntura es un dispositivo electrónico utilizado con los tiristores para

producir pulsos de disparo, los cuales controlan en forma exacta circuitos de control de potencia
como pueden ser: controles de velocidad de motores, controles de temperatura, controles de
luminosidad, etc.
En este caso vamos a utilizar un transistor de unijuntura para producir una forma de
onda tipo diente de sierra, la cual puede ser capaz de producir el disparo de un triac en
aplicaciones de potencia.
El circuito propuesto en esta práctica de laboratorio funciona de la siguiente manera: El
condensador se carga hasta que se carga el voltaje de disparo del UJT, cuando esto sucede este
se descarga a través de la unión E-B1. El condensador se descarga hasta que llega a un voltaje

5
que se llama de valle (Vv), aproximadamente de 2.5 volts de corriente continua, con este voltaje
el UJT se apaga, es decir, deja de conducir entre E-B1 y el condensador vuelve nuevamente a
iniciar su carga como se muestra en la figura 2.
Ahora bien, si deseamos variar la frecuencia de oscilación del UJT podemos modificar
tanto el condensador C como la resistencia R1. Es importante reconocer que el valor de R1 debe
estar entre ciertos límites para que el circuito pueda oscilar, estos valores se obtienen a través de
las siguientes fórmulas:

R1 máximo=(Vs-Vp)/Ip ---------------------------------------------Ec (1)

R1 mínimo=(Vs-Vv)/Iv ----------------------------------------------Ec (2)

MATERIAL Y HERRAMIENTAS PARA UTILIZAR

1 PUT 2N6027G o equivalente. 1 R=510 KΩ a ½ watt
1 multímetro Digital con puntas de prueba 1 R=16 KΩ a ½ watt
1 osciloscopio de doble trazo con puntas de 1 R=27K Ω a ½ watt
prueba 1 C= 15 μF a 400 volts
1 R=27 Ω a 2 watt

DESARROLLO
1. Buscar la disposición de terminales del PUT.
2. Mediante el uso del Multímetro Digital medir el voltaje de la fuente de alimentación para
comprobar que está proporcionando los 12 volts de corriente continua necesarios (VB).

6
3. Armar en el protoboard el circuito de la figura 4, teniendo cuidado con el desarrollo de las
conexiones.

Figura 4: Circuito prueba de UJT.

4. Para diferentes valores de VB escriba en una tabla los valores de Vo

Valor de la fuente VB Valores de Vo

5. Para garantizar que efectivamente se trabaje en la región adecuada, debe escogerse al igual
que en el caso del UJT, el valor de resistencia comprendido entre unos valores límites dados por
Rmáx y Rmín.
Ejemplo
Se tiene un oscilador de relajación que trabaja con un PUT, el cual presenta las siguientes
características:
Ip = 100 µA, Iv = 5.5 mA y Vv = 1 v.
Si el voltaje de polarización es de 12 v y la red externa es la siguiente: Rb1 = 10 kΩ, Rb2 = 5
kΩ, R = 20 kΩ, C = 1 µF y Rk = 100 kΩ, calcular Vp, Rmáx, Rmín y el período de oscilación.
-Cálculo de Vp
Vp = Vd + ᶯVbb
ᶯ= Rb1/(Rb1 + Rb2) = 10/15 = .66
Vp = .7 + .66 12 = 8.7 v
-Cálculo de Rmáx y Rmín
Rmáx = (Vbb - Vp)/Ip = 3.3/100 = 33 kΩ
Rmín = (Vbb - Vv)/Iv = 11/5.5 = 2 kΩ
Ahora, debe cumplirse con la condición:
Rmín < R <Rmáx , 2 kΩ < R < 33 kΩcomo puede observarse el valor tomado para R está entre
los límites establecidos ya que tiene un valor de 20 k.

-Cálculo de T
T = RC ln(1 + Rb1/Rb2)
T = 20 kΩ 1 µF ln(1 + 2) = 24 ms

6. Conectar a la salida del circuito Vo3 un osciloscopio de doble trazo para poder visualizar la
forma de onda característica del PUT.
7. Graficar la señal obtenida en el punto 6.

CONCLUSIONES

7
No DE PRÁCTICA: 2 CARACTERISTICAS DEL JFET Y
DEL MOSFET
Tiempo estimado de realización: 2hr
OBJETIVO
El alumno comprenderá y aprenderá a determinar dos de los parámetros eléctricos más
importantes de los transistores denominados JFETs y MOSFET, y una vez obtenidos
experimentalmente los valores de dichos parámetros, mediante la aplicación de la ecuacion De
Shockley, obtendrá la curva de transferencia.

MARCO TEÓRICO
En los transistores bipolares, una pequeña corriente de entrada controla la corriente de
salida; en el caso de los FET, es un pequeño voltaje de entrada el que controla la corriente de
salida. La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable. Esto es una gran
ventaja, cuando la señal proviene de un dispositivo tal como un micrófono de condensador o un
transductor piezo eléctrico, los cuales proporciona corrientes insignificantes.

Los FET’S son básicamente de dos tipos: los JFET y los IGFET, también conocidos
como MOSFET.

El JFET está constituido por una barra de silicio tipo N, introducido en un anillo tipo P.
Los terminales del canal N se denominan SOURCE y DRAIN. El anillo forma el tercer terminal
del JFET llamado GATE. Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero
posteriormente la corriente circula únicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la
juntura PN. El voltaje aplicado entre el DRAIN y SOURCE (VDS), no debe sobrepasar el
voltaje de ruptura (típicamente 50 V) por que destruirá el dispositivo. Si se aplica polarización
directa de la compuerta, circula una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET
si no esta limitada por una resistencia en serie con la compuerta.

La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5. Observe que la

mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas
en material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos
uniones p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en
cada unión. Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región carente de
portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conducción a través de la región.

8
MOSFET
Este FET se construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el dieléctrico
dióxido de silicio (SiO2), y ya sea en modo de empobrecimiento o bien de enriquecimiento. A
continuación, se definen estos dos tipos.

MOSFET de empobrecimiento
Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p se
muestran en la figura 7 y 8 respectivamente. Se muestran la construcción, el símbolo, la
característica de transferencia y las características iD-VGS. El MOSFET de empobrecimiento se
construye un canal entre el drenaje y la fuente cuando se aplica una tensión, VDS.

Figura 7. MOSFET de empobrecimiento de canal n.

Figura 8. MOSFET de empobrecimiento de canal p.

Nótese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos
como negativos de VGS. Se puede utilizar la misma ecuación de Shockley (ec.1) a fin de
aproximar las curvas para valores negativos de VGS. Obsérvese, sin embargo, que la
característica de transferencia continua para valores positivos de VGS. Como la compuerta está
aislada del canal, la corriente de compuerta es sumamente pequeña (10-12 A) y VGS puede ser
de cualquier polaridad.
ID= IDSS(1-(VGS/VP)) ^2……..ec.(3)

MOSFET de Enriquecimiento
El MOSFET de enriquecimiento se muestra en la figura 9. Este difiere del MOSFET de
empobrecimiento en que no tiene la capa delgada del material n sino que requiere de una tensión
positiva entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la
acción de una tensión positiva compuerta a fuente, VGS, que atrae electrones de la región del
sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una VGS positiva
provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de óxido. Cuando la

9
tensión alcanza el valor de umbral, VT, han sido atraídos a esta región los electrones suficientes
para que se comporte como canal n conductor. No habrá una corriente apreciable ID hasta que
VGS excede VT.
No existe un valor IDSS para el MOSFET E, ya que la corriente de drenaje es cero hasta
que el canal se ha formado. IDSS es cero para VGS=0. Para valores de VGS > VT, la corriente de
drenaje en saturación se puede calcular de la ecuación:

i D = k (VGS − VT ) 2 …………………ec(4)

El valor de k depende de la construcción del MOSFET y, en principio, es función del

largo y ancho del canal. Un valor típico para k es 0.3 mA / V2 ; la tensión de umbral, VT, es
especificada por el fabricante.

Figura 9. MOSFET de enriquecimiento de canal n.

Aunque se halla más restringido en su intervalo de operación que el MOSFET de

empobrecimiento, el MOSFET de enriquecimiento es útil en aplicaciones de circuitos
integrados debido a su tamaño pequeño y su construcción simple. La compuerta para el
MOSFET de canal n y de canal p es un depósito de metal en una capa de óxido de silicio.

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

1 2N0609 o equivalente 1 Potenciometro 100 KΩ
1 2N3819 o equivalente 1 C= 0.1 µF cerâmico
1 TIP 41 o equivalente 1 Diodo 1N4004
1 R= 1KΩ a 1watt 1 Motorreductor 1 eje
1 R= 1 M Ω a 1watt 1 Multimetro
1 R= 1.2 k Ω a 1watt 1 Osciloscopio
1 R= 220 Ω a 1watt 1 Fuente Variable

DESARROLLO
Comparación MOSFET contra BJT:
Arme el circuito de la figura 10, conecte el multímetro para medir el voltaje del motor.
Varie el valor del potenciómetro del máximo (100K Ω) al mínimo (0 Ω). Registre los valores
obtenidos

Prueba del J FET:

Se comprueba con un ohmímetro en la escala de Rx1 ó Rx10.
Entre compuerta y Fuente o compuerta y Drenador debe marcar como si fuera un diodo de
silicio; es decir alta resistencia en un sentido y baja en el inverso.
Entre Drenador y Fuente, el valor óhmico exclusivamente del material del canal. Su valor varía
entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos.

10
Registra Los valores obtenidos: _____________________________
Comparación del J FET y el BJT:

AUTOPOLARIZACION
Arme el circuito mostrado en la figura 10 y haga las medidas de ID así como las
tensiones en los diferentes nudos y puntos del circuito.
Con los resultados se llena la siguiente
tabla:
MAGNITUD VALOR MEDIDO CALCULADO
VG
VS
VD
VDS
IS
ID
Figura 10. Auto polarización con JFET IG

Sustituya el JFET por el BJT (como se ve en la figura 11) y llene los valores de la tabla.

MAGNITUD VALOR MEDIDO CALCULADO

VB
VE
VC
VCE
IC
IE
IB

Figura 11. Auto polarización con BJT

Comparación del JFET y el BJT: Arme el circuito de la figura 12, conecte el

multímetro para medir el voltaje del motor y varielo de su valor máximo (100 KΩ) a su valor
mínimo (0 Ω) Registre estos valores.

11
 Figura 12. Control de Motor con MOSFET.
Valor potenciómetro Voltaje Motor
100K Ω

0Ω

Sustituya el 2N0609 por el TIP 41(como se ve en la figura 13) y repita las mediciones

Figura 13. Control de Motor con BJT.

Valor potenciómetro Voltaje Motor

100K Ω

0Ω

CONCLUSIONES

12
No DE PRÁCTICA: 3 IDENTIFICACION Y CIRCUITO DE
DISPARO DEL SCR
Tiempo estimado de realización: 2hr
OBJETIVO
El alumno mediante la elaboración de circuitos básicos que emplean tiristores SCR
comprenderá la operación y funcionamiento de estos dispositivos.

MARCO TEÓRICO

SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro, posee tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta

(gate), presenta dos estados de operación: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Figura 14: Construcción básica y símbolo del SCR

METODOS DE CONMUTACION

Para que el dispositivo interrumpa la conducción de la corriente que circula a través de

este, ésta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos métodos
básicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupción de corriente anódica y
conmutación forzada. Ambos métodos se presentan en las figuras Figura 15.

Figura 15: Apertura del SCR mediante interrupción de la corriente anódica

En la Figura 15 se observa cómo la corriente anódica puede ser cortada mediante un

interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en
serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El interruptor
en paralelo desvía parte de la corriente del SCR, reduciéndola a un valor menor que IH.

En el método de conmutación forzada, que aparece en la Figura 16, se introduce una

corriente opuesta a la conducción en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta
una batería en paralelo al circuito.

13
 Figura 16: Desconexión del SCR mediante conmutación forzada

Una aplicación muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en

reguladores (dimmer) de lámparas, calentadores y motores eléctricos.

En la Figura 17 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia

variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la
carga (por ejemplo, un elemento calefactor o el filamento de una lámpara). R1 es una resistencia
limitadora de la corriente y R2 es un potenciómetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR.
Mediante el ajuste de este, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la
onda en alterna entre 0 y 180º, como se aprecia en la Figura 12.

Figura 17: (a) Conducción durante 180º (b) Conducción durante 90º

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0º), como
en la Figura 17 (a), conduce durante aproximadamente 180º y se transmite máxima potencia a la
carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 17 (b), el SCR
conduce durante aproximadamente 90º y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el
ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo así una cantidad variable de potencia a
la carga.

Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el

siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se
ilustra en la Figura 18. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a
la gate del SCR.

Figura 18: Disparos cíclicos para control de potencia

14
MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR
• 1 circuito practica 1 • 1 push button NC
• 1 MCR100-6 o equivalente • 2 push button NA
• 1 R= 470Ω a ½ watt • Osciloscopio
• 1 R= 1KΩ a ½ watt • Fuente voltaje 9 V
• 1 R= 10KΩ a ½ watt
• 1 LED

DESARROLLO

Circuito de disparo SCR

Utilizando el circuito de la practica 1 (figura 4) probar el encendido del SCR (Figura 19)

Grafique la señal del capacitor, de la resistencia Rk y el Voltaje Ánodo Cátodo.

Formas de apagado del SCR

Arme el circuito de la figura 20, pruebe que ocurre cuando se oprime cada uno de los push
bottom.

15
 Figura 20. Control de apagado del SCR

Realice las mediciones de corriente de ánodo y voltaje A-K y anotarlas con el fin de
explicar el funcionamiento del circuito.

IA VAK
SW1
SW2
SW3

CONCLUSIONES

16
No DE PRÁCTICA: 4 APLICACIONES DEL DIAC Y TRIAC
Tiempo estimado de realización: 2hr
OBJETIVO
El alumno mediante la elaboración de circuitos básicos que emplean tiristores (DIAC y
TRIAC) comprenderá la operación y funcionamiento de estos dispositivos.

MARCO TEÓRICO

EL DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos
terminales que funciona básicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos
opuestos.

Figura 21: Construcción básica y símbolo del diac

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que

funciona como un diodo Shockley tanto en polarización directa como en inversa. Cualquiera
que sea la polarización del dispositivo, para que cese la conducción hay que hacer disminuir la
corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la
curva, a pesar de tener una forma análoga, no tienen por qué ser simétricas.

Figura 22: Característica V-I del diac

EL TRIAC
Este dispositivo es simular al DIAC pero con un único terminal de puerta (gate). Se
puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO
como el diac.

Figura 23: Construcción básica y símbolo del TRIAC.

En la curva característica se indica que, para diferentes disparos, es decir, para distintas
corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de polarización positiva, la
curva de más a la izquierda es la que presenta un valor de VBO más bajo, y es la que mayor

17
corriente de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir, como en el
resto de los casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

Figura 24: Característica V-I del triac

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El
triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante
un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto
en la parte positiva que, en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede
circular en los dos sentidos.

Figura 25: Control básico de potencia con un Triac

MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR:

• 1 diodo 1N4007 •
• 1 Triac 2N 6071AG o equivalente • 1 C= 0.47 µF
• 1 diac DB3 • 1 socket con foco (o un motor CA)
• 1 R= 47 KΩ a ½ W • 1 clavija con cable
• 1 R= 6.8KΩ a 1 W • 1 fusible 1A
• 1 R= 100Ω a ½ W • 1 interruptor deslizable 1 polo un
• 1 potenciómetro 100KΩ tiro
• 1 C= 220 μF 100V • Osciloscopio
• 1 C= 100 μF 100V

DESARROLLO

DESTELLADOR DE LUCES
1.-Montar el circuito de la figura 26
2.-Alimentar el circuito y variar el potenciómetro observando que ocurre para distintos valores
de resistencia de este.
3.-Realizar las mediciones oportunas y anotarlas con el fin de explicar el funcionamiento del
circuito.
4.-Cambiar el condensador de 220 μF por otros condensadores de capacidad fija y ver que
ocurre.

Explicación. _______________________________________________________________-

18
 Figura 26: Destellador con DIAC

Valor potenciómetro Voltaje AK triac Voltaje capacitor 220uF Voltaje capacitor 100 uF

DIMMER
1.-Montar el circuito de la figura 27.
2.-Alimentar el circuito y variar el potenciómetro observando que ocurre para distintos valores
de resistencia de este.
3.-Realizar las mediciones de Corriente y anotarlas.

Figura 27: DIMMER con DIAC y TRIAC

V potenciómetro VC 0.47uF I R1

CONCLUSIONES

19
No DE PRÁCTICA: 5 PRINCIPIOS DE OPTOELECTRONICA
Tiempo estimado de realización: 4hr
OBJETIVO
Muestra reconoce y explica el funcionamiento de varios circuitos optoelectrónicos.

MARCO TEÓRICO
La optoelectrónica es el punto de unión entre los sistemas ópticos y los sistemas
electrónicos.
Una fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento
de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado fotorresistor, fotoconductor, célula
fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas (LDR) se originan de su nombre en
inglés light-dependent resistor. Un fototransistor está hecho de un semiconductor de alta
resistencia. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son
absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para
saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta (y su hueco asociado) conduce
electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Un dispositivo fotoeléctrico puede ser
intrínseco o extrínseco. En dispositivos intrínsecos, los únicos electrones disponibles están en la
banda de la valencia, por lo tanto, el fotón debe tener bastante energía para excitar el electrón a
través de toda la banda prohibida. Los dispositivos extrínsecos tienen impurezas agregadas, que
tienen energía de estado a tierra más cercano a la banda de conducción puesto que los electrones
no tienen que saltar lejos, los fotones más bajos de energía (es decir, de mayor longitud de onda
y frecuencia más baja) son suficientes para accionar el dispositivo. Las células de sulfuro de
cadmio El sulfuro de cadmio o las células de sulfuro del cadmio (CdS) se basan en la capacidad
del cadmio de variar su resistencia según la cantidad de luz que pulsa la célula. Cuanta más luz
pulsa, más baja es la resistencia. Aunque no es exacta, incluso una célula simple de CdS puede
tener una amplia gama de resistencia de cerca de 600 ohmios en luz brillante a 1 o 2 MΩ en
oscuridad. Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias,
incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV).

Principio de operación
Un fotodiodo es una unión P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energía
llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la
absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos
portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una
fotocorriente. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes
inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados el ser multiplicados en
la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta
del dispositivo.

Una célula fotoeléctrica, también llamada célula, fotocélula o celda fotovoltaica, es un

dispositivo electrónico que permite transformar la energía luminosa (fotones) en energía
eléctrica (electrones) mediante el efecto fotoeléctrico Al grupo de células fotoeléctricas se le
conoce como panel fotovoltaico. Los paneles fotovoltaicos consisten en una red de células
conectadas como circuito en serie para aumentar la tensión de salida hasta el valor deseado
(usualmente se utilizan 12V ó 24V) a la vez que se conectan varias redes como circuito paralelo
para aumentar la corriente eléctrica que es capaz de proporcionar el dispositivo. La eficiencia de
conversión media obtenida por las células disponibles comercialmente (producidas a partir de
silicio monocristalino) está alrededor del 12%. La vida útil media a máximo rendimiento se
sitúa en torno a los 25 años, período a partir del cual la potencia entregada disminuye.

Optoacopladores
Son conocidos como optoaisladores o dispositivos de acoplamiento óptico, basan su
funcionamiento en el empleo de un haz de radiación luminosa para pasar señales de un circuito
a otro sin conexión eléctrica. Estos son muy útiles cuando se utilizan, por ejemplo,

20
Microcontroladores PICs y/o PICAXE si queremos proteger nuestro microcontrolador este
dispositivo es una buena opción. En general pueden sustituir los relés ya que tienen una
velocidad de conmutación mayor, así como, la ausencia de rebotes.

Figura 28: Circuito típico con optoacoplador

La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede

establecerse entre los circuitos de entrada y salida. Fundamentalmente este dispositivo está
formado por una fuente emisora de luz, y un fotosensor de silicio, que se adapta a la sensibilidad
espectral del emisor luminoso, todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado
que por lo general es del tipo DIP.

¿Qué tipo de Optoacopladores hay?

Existen varios tipos de optoacopladores cuya diferencia entre sí depende de los
dispositivos de salida que se inserten en el componente. Según esto tenemos los siguientes
tipos:
Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un
transistor BJT. Los más comunes son el 4N25 y 4N35.

Figura 29: foto transistor.

Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac.
Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de
cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmutas al triac sólo en los cruce por cero
de la corriente alterna. Por ejemplo, el MOC3041

Figura 30: foto triac.

Optotiristor: Diseñado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento entre una señal
lógica y la red.

21
MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR
R= 1 LDR 1 Relevador 12V
R = 2.2 KΩ a ½ watt P1= 10 KΩ
1 R = 330 Ω a ½ watt 1 Diodo 1N4007
R= 680 Ω a ½ watt 1 circuito 555
1 R = 1 KΩ a ½ watt 1 circuito 4N25
1 R = 100 KΩ a ½ watt 1circuito MOC3040
2R=10KΩ a ½ watt 1 circuito LM741
1 Transistor NPN BC547 1 interruptor 1 polo 1 tiro
1 Transistor NPN BD137 1 Triac BT 137 o equivalente
1 Transistor BC327 1 socket con foco (o un motor CA)
D1 =1 LED 1 clavija con cable
1 Relevador 5V

DESARROLLO

Encendido por ausencia y presencia de luz

Cuando la LDR recibe luz, disminuye su resistencia (tendrá un valor comprendido entre
varios cientos de ohmios y algún K), por lo que en el divisor de tensión formado por R1 y LDR,
prácticamente toda la tensión de la pila estará en extremos de R1 y casi nada en extremos de la
LDR, en estas condiciones no le llega corriente a la base, el transistor estará en corte y el diodo
no lucirá.
Cuando la luz disminuye, la resistencia de la LDR aumenta (puede llegar a valer varios
cientos de K) por lo que la caída de tensión en la LDR aumenta lo suficiente para que le llegue
corriente a la base del transistor, conduzca y se encienda el diodo LED.

Figura 31: Encendido por ausencia de luz

1. Monta el circuito de la figura 31 con el transistor BC547.

2. Comprueba los valores de la LDR con luz y sin luz.
LDR con Luz:____
LDR sin Luz :____

3. Haga el cambio del circuito de la figura 31 a el circuito de la figura 32

4. Comprueba los valores de la LDR con luz y sin luz.
LDR con Luz:____
LDR sin Luz :____

5. Calcula los valores de tensión que habría en bornes de R1 en las condiciones anteriores.
VR1 con luz: VR1 sin luz:

6. Compara el valor de la resistencia R1 con el valor de R1 en el circuito anterior y justifícalo.

22
 Figura 32: Encendido por presencia de luz

Relé accionado por falta de luz

Cuando la luz incide sobre la resistencia LDR disminuye su resistencia, y por tanto
también disminuye la caída de tensión en la entrada (V+) del A.O. (LM741); la tensión en la
entrada inversora (V-) del amplificador operacional la regulamos por medio VR1 de modo que
sea mayor que la existente en la entrada no inversora (V+), por lo que la tensión de salida de
dicho amplificador operacional en estas condiciones será de 0 V, (ya que no se emplea
polarización negativa). En estas circunstancias el transistor BD137 estará cortado y el relé (5V)
desactivado.
Si, por el contrario, la luz no incide sobre la LDR, su resistencia será elevada y la caída de
tensión en (V+) será mayor que (V-) por lo que la tensión de salida del amplificador operacional
será igual a la de la alimentación (V CC = 9 V). Este hecho provoca la saturación del transistor
y la activación del relé
Por medio de la resistencia variable VR1 podemos regular el nivel de iluminación con el
que deseamos que se active el relé

Figura 33: Rele accionado por falta de luz

1. Monta el circuito de la figura 33.

2. Mide las tensiones V+ y V- del A.O. y saca conclusiones
3. Regula la VR1 para el nivel de iluminación deseado
4. Modifica el valor de R1 y observa lo que sucede
¿En qué voltaje se activa el relevador?

Control de un optoacoplador
1. Armar el circuito 555 en su forma astable en un tiempo que usted desee y conectar su
salida (pin 3) a la entrada de DATOS del siguiente circuito. Nótese que se debe conectar
a la resistencia en serie que está conectado al emisor del 4N25.

23
 Figura 34: Aislador de datos

2.- En el opto transistor de salida del 4N25 conectar el Bc 327 como se ve en la figura, ¿qué
función cumple este transistor?
3. Conecte el relevado de 12 V a una fuente Vcc= a 15V y pruebe el circuito ¿Qué se espera
observar?

Conocer el funcionamiento del Optotriac MOC 3041.

1. Montar el circuito de la figura 35

2. Conectar a 5 Vcc el circuito emisor del opto acoplador y a 127 Vac (corriente alterna), el
triac BT137.
3. Medir las intensidades y voltajes que se indican en la tabla adjunta con el interruptor abierto y
cerrado.
4. Visualizar en el osciloscopio las señales en la puerta, entre A1 y A2 del triac y en la lámpara.

CONCLUSIONES

24
No DE PRÁCTICA: 6 IDENTIFICACIÓN Y APLICACIÓN
DE SENSORES
Tiempo estimado de realización: 2hr
OBJETIVO
Muestra reconoce y explica el funcionamiento de varios Sensores, así como sus aplicaciones.

MARCO TEÓRICO
Un sensor es un dispositivo capaz de detectar magnitudes físicas o químicas. y
transformarlas en variables eléctricas. Las variables de instrumentación pueden ser por ejemplo:
temperatura, intensidad lumínica, distancia, aceleración, inclinación, desplazamiento, presión,
fuerza, torsión, humedad, pH, etc.
Un sensor es un tipo de transductor que transforma la magnitud que se quiere medir o
controlar, en otra, que facilita su medida. Pueden ser de indicación directa (e.g. un termómetro
de mercurio) o pueden estar conectados a un indicador (posiblemente a través de un convertidor
analógico a digital, un computador y un display) de modo que los valores detectados puedan ser
leídos por un humano.
Por lo general, la señal de salida de estos sensores no es apta para su lectura directa y a
veces tampoco para su procesado, por lo que se usa un circuito de acondicionamiento, como por
ejemplo un puente de Wheatstone, amplificadores y filtros electrónicos que adaptan la señal a
los niveles apropiados para el resto de la circuitería.

Tipos de sensores
Sensores reflectivos y por intercepción (de ranura)
Los sensores de objetos por reflexión están basados en el empleo de una fuente de señal
luminosa (lámparas, diodos LED, diodos láser, etc.) y una célula receptora del reflejo de esta
señal, que puede ser un fotodiodo, un fototransistor, LDR, incluso chips especializados, como
los receptores de control remoto. Con elementos ópticos similares, es decir emisor-receptor,
existen los sensores "de ranura" (en algunos lugares lo he visto referenciado como "de barrera"),
donde se establece un haz directo entre el emisor y el receptor, con un espacio entre ellos que
puede ser ocupado por un objeto.

LDR (Light-Dependent Resistor, resistor dependiente de la luz)

Un LDR es un resistor que varía su valor de resistencia eléctrica dependiendo de la
cantidad de luz que incide sobre él. Se le llama, también, fotorresistor o fotorresistencia. El
valor de resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (en algunos
casos puede descender a tan bajo como 50 ohms) y muy alto cuando está a oscuras (puede ser de
varios megaohms).

Microinterruptores
No es necesario extenderse mucho sobre estos componentes (llamados "microswitch" en
inglés), muy comunes en la industria y muy utilizados en equipos electrónicos y en
automatización.

Sensores de presión
En la industria hay un amplísimo rango de sensores de presión, la mayoría orientados a
medir la presión de un fluido sobre una membrana. En robótica puede ser necesario realizar
mediciones sobre fluidos hidráulicos (por dar un ejemplo), aunque es más probable que los
medidores de presión disponibles resulten útiles como sensores de fuerza (el esfuerzo que
realiza una parte mecánica, como por ejemplo un brazo robótico), con la debida adaptación. Se
puede mencionar un sensor integrado de silicio como el MPX2100 de Motorola, de pequeño
tamaño y precio accesible.

25
Sensores de fuerza
Un sensor de fuerza ideal para el uso en robótica es el sensor FlexiForce. Se trata de un
elemento totalmente plano integrado dentro de una membrana de circuito impreso flexible de
escaso espesor. Esta forma plana permite colocar al sensor con facilidad entre dos piezas de la
mecánica de nuestro sistema y medir la fuerza que se aplica sin perturbar la dinámica de las
pruebas. Los sensores FlexiForce utilizan una tecnología basada en la variación de resistencia
eléctrica del área sensora. La aplicación de una fuerza al área activa de detección del sensor se
traduce en un cambio en la resistencia eléctrica del elemento sensor en función inversamente
proporcional a la fuerza aplicada.

Micrófonos y sensores de sonido

El uso de micrófonos en un robot se puede hallar en dos aplicaciones: primero, dentro
de un sistema de medición de distancia, en el que el micrófono recibe sonidos emitidos desde el
mismo robot luego de que éstos rebotan en los obstáculos que tiene enfrente, es decir, un
sistema de sonar; y segundo, un micrófono para captar el sonido ambiente y utilizarlo en algún
sentido, como recibir órdenes a través de palabras o tonos, y, un poco más avanzado, determinar
la dirección de estos sonidos. Como es obvio, ahora que se habla tanto de robots para espionaje,
también se incluyen micrófonos para tomar el sonido ambiente y transmitirlo a un sitio remoto.

Rangers (medidores de distancia) ultrasónicos

Los medidores ultrasónicos de distancia que se utilizan en los robots son, básicamente,
un sistema de sonar. En el módulo de medición, un emisor lanza un tren de pulsos ultrasónicos y
espera el rebote, midiendo el tiempo entre la emisión y el retorno, lo que da como resultado la
distancia entre el emisor y el objeto donde se produjo el rebote. Se pueden señalar dos
estrategias en estos medidores: los que tienen un emisor y un receptor separados y los que
alternan la función (por medio del circuito) sobre un mismo emisor/receptor piezoeléctrico. Este
último es el caso de los medidores de distancia incluidos en las cámaras Polaroid con autorango,
que se obtienen de desarme y se usan en la robótica de experimentación personal.
Hay dos sensores característicos que se utilizan en robots: 1. Los módulos de ultrasonido
contenidos en las viejas cámaras Polaroid con autorango, que se pueden conseguir en el
mercado de usados por relativamente poco dinero. 2. Los módulos SRF de Devantech, que son
capaces de detectar objetos a una distancia de hasta 6 metros, además de conectarse al
microcontrolador mediante un bus I2C.

Acelerómetros, sensores de vibración

Un acelerómetro es un dispositivo que permite medir el movimiento y las vibraciones a
las que está sometido un robot (o una parte de él), en su modo de medición dinámica, y la
inclinación (con respecto a la gravedad), en su modo estático. De los antiguos acelerómetros
mecánicos, de tamaño grande y dificultoso de construir, porque incluían imanes, resortes y
bobinas (en algunos modelos), se ha pasado en esta época a dispositivos integrados, con los
elementos sensibles creados sobre los propios microcircuitos. Estos sensores, disponibles en
forma de circuito integrado, son los que se utilizan normalmente en robótica experimental. Uno
de los acelerómetros integrados más conocidos es el ADXL202, muy pequeño, versátil y de
costo accesible.

Sensores pendulares (Inclinómetros)

La inclinación de un robot se puede medir con facilidad utilizando las características de
medición estática del sensor ADXL202. Las ventajas de este sensor son grandes, debido a su
pequeño tamaño, sólida integración y facilidad de conexión con microcontroladores. De todos
modos, existen otras soluciones para determinar la posición de la vertical (en base a la fuerza de
la gravedad), y las listaremos brevemente. El mercado ofrece dispositivos con diversas
soluciones mecánicas, todas basadas en un peso flotando en un medio viscoso. Los sensores
pueden estar basados en efecto capacitivo, electrolítico, de torsión (piezoeléctrico), magnético
(inducción sobre bobinas) y variación resistiva.

26
Giróscopos
El giróscopo o giroscopio está basado en un fenómeno físico conocido hace mucho,
mucho tiempo: una rueda girando se resiste a que se le cambie el plano de giro (o lo que es lo
mismo, la dirección del eje de rotación). Esto se debe a lo que en física se llama "principio de
conservación del momento angular".
En robots experimentales no se suelen ver volantes giratorios. Lo que es de uso común son unos
sensores de pequeño tamaño, como los que se utilizan en modelos de helicópteros y robots,
basados en integrados cuya "alma" son pequeñísmas lenguetas vibratorias, construidas
directamente sobre el chip de silicio. Su detección se basa en que las piezas cerámicas en
vibración son sujetas a una distorsión que se produce por el efecto Coriolis.

Termistores
Un termistor es un resistor cuyo valor varía en función de la temperatura. Existen dos
clases de termistores: NTC (Negative Temperature Coefficient, Coeficiente de Temperatura
Negativo), que es una resistencia variable cuyo valor se decrementa a medida que aumenta la
temperatura; y PTC (Positive Temperature Coefficient, Coeficiente de Temperatura Positivo),
cuyo valor de resistencia eléctrica aumenta cuando aumenta la temperatura.
La lectura de temperaturas en un robot, tanto en su interior como en el exterior, puede ser algo
extremadamente importante para proteger los circuitos, motores y estructura de la posibilidad de
que, por fricción, esfuerzo, trabas o excesos mecánicos de cualquier tipo se alcancen niveles
peligrosos de calentamiento.

RTD (Termorresistencias)
Los sensores RTD (Resistance Temperature Detector), basados en un conductor de
platino y otros metales, se utilizan para medir temperaturas por contacto o inmersión, y en
especial para un rango de temperaturas elevadas, donde no se pueden utilizar semiconductores u
otros materiales sensibles. Su funcionamiento está basados en el hecho de que en un metal,
cuando sube la temperatura, aumenta la resistencia eléctrica.

Termocuplas
El sensor de una termocupla está formado por la unión de dos piezas de metales
diferentes. La unión de los metales genera un voltaje muy pequeño, que varía con la
temperatura. Su valor está en el orden de los milivolts, y aumenta en proporción con la
temperatura. Este tipo de sensores cubre un amplio rango de temperaturas: -180 a 1370 °C.

Pirosensores (sensores de llama a distancia)

Existen sensores que, basados en la detección de una gama muy angosta de
ultravioletas, permiten determinar la presencia de un fuego a buena distancia. Con los circuitos
que provee el fabricante, un sensor de estos (construido con el bulbo UVTron) puede detectar a
5 metros de distancia un fósforo (cerilla) encendido dentro de una habitación soleada. En el
mercado de sensores industriales se puede encontrar una variedad amplia de sensores de llama a
distancia, algunos que detectan también ultravioleta y otros que se basan en los infrarrojos,
aunque por lo que pude ver, la mayoría son de tamaño bastante grande. Otro sensor que se
utiliza en robótica, en este caso sensible a los infrarrojos, es el módulo TPA81.

Sensores de humedad
La detección de humedad es importante en un sistema si éste debe desenvolverse en
entornos que no se conocen de antemano. Una humedad excesiva puede afectar los circuitos, y
también la mecánica de un robot. Por esta razón se deben tener en cuenta una variedad de
sensores de humedad disponibles, entre ellos los capacitivos y resistivos, más simples, y
algunos integrados con diferentes niveles de complejidad y prestaciones.
Para el uso en robótica, por suerte, se puede contar con módulos pequeños, versátiles y
de costo accesible, como el SHT11 de Sensirion.

27
Sensores magnéticos
En robótica, algunas situaciones de medición del entorno pueden requerir del uso de
elementos de detección sensibles a los campos magnéticos. En principio, si nuestro robot debe
moverse en ambientes externos a un laboratorio, una aplicación importante es una brújula que
forme parte de un sistema de orientación para nuestro robot. Otra aplicación es la medición
directa de campos magnéticos presentes en las inmediaciones, que podrían volverse peligrosos
para el "cerebro" de nuestro robot si su intensidad es importante. Una tercera aplicación es la
medición de sobrecorrientes en la parte motriz (detectando la intensidad del campo magnético
que genera un conductor en la fuente de alimentación). También se podrán encontrar sensores
magnéticos en la medición de movimientos, como el uso de detectores de "cero movimiento" y
tacómetros basados en sensores por efecto Hall o pickups magnéticos.

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

R1: 1 Termistor 15K 2 circuitos integrados LF3531
R2: 1 Resistor 1.5K 1 LM336
R3: 3 Resistor 1K 1 sensor de temperatura LM35
R4: 1 Resistor 47 VQ1: Transistor 2N2712 (NPN) o similar
R5: Resistor 680 Q2: Transistor BD140 (PNP) o similar
R6: 7 Resistores 10K 1 integrado LM 555
R7: 1 Resistor 180K 1 relé 12 V 5 pines
R8: 1 Resistor 47K 1 2N3904
R9: 1 Resistor 5.1K M: Motor DC 12 V.
R10: 1 trimer 10K 1 1N4004
VR1: 1 Trimmer 22K 1 1N4148
C1: 1 capacitor 100uF 2 led; 1verde y 1 rojo
C2: 1 capacitor 10uF/25 R

DESARROLLO

Control de motor por temperatura

Este controlador de velocidad de un ventilador por medio de temperatura establecerá la
velocidad del motor según la temperatura que se esté sensando. A mayor temperatura, a mayor
velocidad girará el motor. Para variar la velocidad del motor DC.
Para medir la temperatura se utiliza un termistor (R1) que debe colocarse lo más
cercano posible del lugar donde se desea sensar le temperatura. Del diagrama, se puede observar
que el termistor (R1) y el resistor (R2) forman un divisor de voltaje. Se recomienda que el valor
de R2 sea más o menos un décimo del valor de R1.

Figura 36: Control de motor con temperatura.

28
 Al subir la temperatura el valor del termistor disminuirá causando que el transistor Q1
se sature cada vez más (conduzca cada vez más corriente).
El voltaje del colector de Q1 está conectado a la base Q2. El voltaje en la base de Q2
disminuirá. Al disminuir el voltaje en la base de Q2, este se saturará cada vez más, haciendo que
el voltaje colector emisor (Vce) sea cada vez menor y por consiguiente se incremente el voltaje
en la termi9nal superior del motor.
El valor máximo aplicable al motor CC es ligeramente menor de 12 V.
Mostrar el circuito funcionando.

Detector de Humedad
El detector de humedad es uno de los circuitos de mayor aplicación en el automatismo
electrónico. Tiene mucha utilidad en el sector agropecuario; además nos sirve en nuestros
experimentos caseros para varias aplicaciones como detector de mentiras y similares.
Creamos un oscilador con el LM555.
Abrimos la línea que conduce entre el pin 7 y 6 que está conectada al pin de disparo.

Figura 37: Control de humedad con 555.

Al quedar en el aire la línea ve un alta resistencia, la cual es la del aire y por tanto
quedará encendido un led al azar. Bajamos esta resistencia con un material húmedo, el cual
tendrá en paralelo la resistencia del aire con la del material húmedo. Al ocurrir esta disminución
en la resistencia se logra poner a oscilar LM555 y se puede visualizar en los diodos verde y rojo.
La velocidad de oscilación será proporcional al grado de humedad del material a medir,
es decir cuánto más húmedo, mas rápido será la oscilación.
Muestre el circuito funcionando.

Control de temperatura
El presente circuito controlara dos salidas con un LM35 y amplificadores operacionales.
1. Se prueba el LM35 al conectarlo directamente a una fuente de 10 volts y a un voltímetro
como se ve en la figura 38

29
 Figura 38: Prueba del LM35.

2. El LM35 cambia el voltaje a una razón muy baja (una función de transferencia de 10
mV *°C.), por lo que es necesario amplificar la señal. Utilizaremos dos circuitos LF353
para este propósito. Note que se necesitan dos fuentes una de +9V y otra de -9V.
3. Al cambiar el valor del potenciómetro veremos en que situación enciende el led rojo y
en cual el led verde.
4. Con este circuito, podemos medir temperaturas comprendidas entre -55 y 150°C con
gran resolución, estabilidad y linealidad.
5. Arme y muestre el circuito de la figura 39.

Figura 39: Control de temperatura.

CONCLUSIONES

30