Electrónica Análoga Fase 2 Presentar solución al problema del

circuito con transistores unipolares

Estudiantes:
Hernando Manuel López Padilla
Grupo 243006_9

Tutor:
Juan David Rincón

Universidad Nacional Abierta y a Distancia

Cead Valledupar
Periodo 16-02
28/05/2020
 Introducción
Desde el descubrimiento de los transistores y sus diversas aplicaciones el mundo
de la electrónica ha desarrollado muchos sistemas basados en las cualidades de
estos mismos.
En este trabajo nos enfocaremos en los transistores jfet, el cual nos servirá para
desarrollar un circuito amplificador de baja señal. Estos transistores muestran una
ventaja frente a los transistores BJT ya que estos son controlados con voltaje lo
que se traduce en que los transistores jfet y mosfet sean más eficientes.
El circuito de baja señal es un circuito que tiene muchas aplicaciones y es muy
práctico, por eso en este trabajo analizaremos cada componente y simularemos
en proteus para identificar el comportamiento de la corriente y la efectividad del
diseño implementado.
 Actividades a Desarrollar
1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2,
Cada estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de
funcionamiento del circuito anterior.

El circuito en descripcion es un amplificador de baja señal el cual esta compuesto

de una fuente de bateria la cual se encarga de suministrar el voltaje al drenaje del
transistor JFET. En ese sentido el circuito tiene una resistencia RD la cual limita la
corriente para colocar el transistor en una zona de operación. Tambien se cuenta
con una señal de entrada o señal para amplificar.
Esta señal para amplificar entra atraves del capacitor C1 el cual esta polarizado de
manera que la señal que entra llega por el lado positivo del capacitor y la salida
hacia el transistor es el lado negativo del capacitor, esto con el fin que este
funcionar de manera correcta. En esa misma linea esta conectada una resistencia
RG la cual es de gran valor para evitar que la señal se pierda y que se haga
necesario colocar otro suministro entre la fuente y la compuerta.
El transistor JFET es de canal n(electrones-) y compuerta p(huecos o cargas
positivas), estos transistores no pueden tener un valor positivo entre compuerta y
fuente ya que esto causaria que halla saltos entre huecos y electrones y por ende
la corriente disminuira y no lo hace funcional. En este sentido si es posible que
este voltaje sea negativo por ende se coloca C1 para que quede polarizado en
inversa en dispositivo. Si el transistor fuera de canal P y de compuerta n este si se
polarozaria en forma directa.
El circuito tiene a resistencia denominada Rs la cual permite polarizar la
compuerta la cual esta variables para poder analizar que sucede con el voltaje
compuerta- fuente y analisar las variaciones del trasnsistor y sobre todo con la
señal de salida. El capacitor C3 esta para evitar ruidos en la señal ya que este
busca hacer mas constante la corriente que fluira desde la fuente hacia el drenaje
o viceversa, evitando picos en la señal.
C2 es la salida del amplificador y es aca donde se va a ver reflejado el
funcionamiento del circuito en serie a la salida se coloca la resistencia R4 la cual
es una resistencia de carga que se coloca para poder medir la señal amplificada
de salida y lo que se busca es que no halla un gran consumo en ella. Para poder
observar la señal sin atenuación.
El problema:
Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar, una
solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar
señales débiles en los diferentes circuitos de
transmisión y recepción de información. las especificaciones dadas para el diseño
son las siguientes:
Señal de entrada: 300mV a 1Khz.
Referencia del JFET para simular en Proteus: J201
ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V. De catálogo se tiene que: IDSS
puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se trabajara IDSS=16mA.
Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS
2. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes
cálculos.
Estudiante 1
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
Para encontrar la resistencia de drenaje tenemos lo siguiente:
RD=(VCC – VD)/ ID
De donde conocemos los valores y procedemos a reemplazar
VCC=20V, VD=10V y ID=3mA
RD=(20V – 10V )/3 mA
Manejamos el valor de ID en amperios y tenemos lo siguiente:
( 20V – 10V )
RD=
0.003 A
RD=3333.3 Ω≈ 3 KΩ
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
Para calcular RS partimos de la siguiente formula
RS=VGS(off )/ IDSS
Conocemos estos valores, reemplazamos y nos queda de la siguiente manera:
VGS (off)=-8V, IDSS= 16mA
RS=−8 V /16 mA
Acá También trabajaremos el valor de IDSS en Amperios para obtener el valor RS
en ohmios
−8V
RS=
0.016 A
RS=−500Ω
Por ser un valor absoluto tenemos la resistencia es siempre positiva y RS=500Ω y
para la simulación la manejaremos de 1KΩ
c.) ¿Cuál es el tipo de polarización del JFET? y explique porque el valor de RG
debe ser alto.
El tipo de polarización es en inversa ya la composición del transistor es de canal
N(electrones) y compuerta P (huecos o cargas positivas) y si se polariza en directa
tendremos saltos de electrones y esto hará que la corriente que pase por el canal
N sea poca y a su vez convierte al transistor JFET en poco funcional para este
circuito. Caso contrario cuando el voltaje es negativo o en su defecto es cero, ya
que al ser cero el canal llega a su punto de ruptura y no entregara el valor máximo
de corriente. El valor de RG debe ser alto por dos razones, la primera para evitar
que la señal de entrada se pierda atreves de la resistencia. Y la segunda razón por
la que RG es alta y esta en circuito es por que polariza entre fuente y compuerta y
evita colocar otra fuente de suministro, es decir, es un circuito auto polarizado.
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
1
xc 1=
2 π∗f∗c 1
1
xc 1=
2 π∗1000 hz∗υF
xc 1=15.91 ohms

1
xc 2=
2 π∗f ∗c 2
1
xc 2=
2 π∗1000 hz∗10υF
xc 2=15.91 ohms

1
xc 3=
2 π∗1000 hz∗0.1 υF
1
xc 3=
2 π∗1000 hz∗0.1 υF
xc 3=1.5915 ohms

e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

Partimos de la siguiente formula
Gm=ID /VGS
Reemplazamos los datos que ya conocemos
ID=3mA, VGS=-1V
Gm=3 mA /−8 V
Gm=0.003 A /−1V
Gm=−0.003

Tenemos la siguiente ecuación

AV =−Gm ∙ RD
Reemplazamos los valores y tenemos
AV =−0.003 ∙ 3333.3Ω
AV =−9.99 V
Esta ganancia es positiva independiente del resultado negativo. Por tanto, la
ganancia es de 9.99V
3. Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la
que se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones
- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

Señal amplificada en el canal B

Señal de entrada
- Valor de VGS.

- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.
 Conclusiones
Con el desarrollo del circuito de amplificacion de baja señal, ha sido posible
entender el funcionamiento de cada uno de los componentes y el aporte que este
hace para que tengamos en la salida.
He comprendido en que consiste el circuito autpolarizado y la funcion de la
resistenia RG.
Al comparar los valores calculados con los valores de la simulacion entendemos
que el comportamiento del sistema es totalamente adecuado, adicional voy
mejorando en el manejo de proteus.
La aplicación de este circuito es muy practica ya que al tener señales muy debiles
podemos ampliarlas sin obtener ruido o que la señal sea alterada. En mi campo
laboral se aplica ya que trabajo con sistemas electronicos de maqunaria pesada.
 Bibliografia
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