Parcial electrónica de potencia

1. En un transistor n-MOSFET,

a) ¿La corriente entre Source y Drain es de huecos o de electrones?

Es de electrones. Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de

puerta de un MOSFET de tipo N, se crea un campo eléctrico bajo la capa
de óxido que incide perpendicularmente sobre la superficie del
semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia la superficie,
bajo la capa de óxido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo
eléctrico es muy intenso se logra crear en dicha superficie una región muy
rica en electrones, denominada canal N, que permite el paso de corriente
de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la tensión de Puerta (Gate)
mayor será el campo eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez
creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensión positiva en el
Drenador (Drain) respecto a la tensión de la Fuente (Source).[1]

Se puede concluir que el si el campo eléctrico que se genero en la capa de

oxido genera una región muy rica en electrones por ende podemos afirmar
que el mosfet trabaja con una cantidad exagerada de electrones que se
repelen de los huecos.

b) ¿El substrato del transistor está dopado con impurezas donoras o

aceptoras? Aceptoras.
Las impurezas donadoras son las que tienen un átomo con electrones
pentavalentes y las aceptoras son las que tienen átomos con enlaces
trivalentes.
c) ¿Qué diferencia al terminal Drain del terminal Source?
Viendo la construcción del transistor no tiene mucha diferencia, ya que el
dispositivo es perfectamente simétrico. Podemos diferenciar entre Drain y
Source una vez asignado un potencial a cada terminal. Un terminal positivo
donde conectamos vss y un terminal a tierra.

d) En un n-MOSFET que forma parte de un circuito electrónico, ¿cómo

se determina cual terminal es el Drain y cuál es el Source?

La terminal source es la que se conecta a tierra y por la terminal drain

se recibe el volteje vdd.

e) ¿Qué sucede en un n-MOSFET si se polariza con VB > VS?

Cuando él transistor es de silicio tipo P y el source es silicio tipo N, por lo
tanto, su juntura forma un diodo parásito. Para que la corriente en nuestro
transistor solamente circule por el canal. Por ende, este transistor puede ser
tan grande que pude perder la corriente de todo un canal Si VB > VS la
corriente Ids es distinta de cero, y se dice que el voltaje es nulo entonces el
transistor está OPERANDO EN INVERSION DE FUENTE.
f) En un MOSFET en estado de saturación, ¿La corriente ID se provoca
debido al arrastre o a la difusión de portadores?

Decimos que el transistor MOSFET entra en esta zona de

funcionamiento cuando la tensión entre el Drenador y el Surtidor (V DS)
supera un valor fijo denominado tensión de saturación (V ds
) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
sat

características proporcionadas por el fabricante LO QUE LLAMAMOS

DATACHEEP En esta zona, el MOSFET mantiene constante su
corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensión
que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID y
se denomina como una corriente de arrastre.

g) En un MOSFET en estado de corte, ¿La corriente ID es exactamente

cero? ¿Qué fenómenos de fuga existen?
Existe una corriente de fuga mayormente del Drain al Bulk, por el diodo
parásito antes mencionado que, al estar en polarización inversa, su
corriente de fuga es muy pequeña, pero no es exactamente cero.
La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al
campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales. I D=k (VGS-VT2 ) El
parámetro de transconductancia del MOSFET N y se mide en mA/V2. [2]
 h) La palabra “tríodo” deriva de “3 nodos”, ¿Por qué se llama tríodo al
estado de polarización VGS > VT , VGS-VDS > VT? ¿Cuántos nodos
intervienen en el control de ID en estado tríodo y cuantos en
saturación?
Se le llama triodo porque los tres terminales del dispositivo intervienen en el
control de la corriente (Gate, Drain y Source). Si el transistor entra en
estado de saturación, la dependencia de la corriente con VDS es
prácticamente despreciable y el control se hace mediante la tensión de
Gate y Source (VGS).[3]

i) La tensión VT de un transistor MOSFET, ¿Es realmente constante o en

rigor tiene una leve dependencia con VDS?
No es constante, pero no depende de VDS sino que depende de VBS.

2. Realizar un video donde explique el funcionamiento del transistor

mosfet en su totalidad e involucre las preguntas anteriores en la explicación
de dicho transistor.

Link del video: https://youtu.be/h3SsQ_757Xk

 Referencias:

[1] https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet

[2] https://es.slideshare.net/HMR2598/ficha-de-semiconductores-45563861

[3] http://www.ie.tec.ac.cr/aniruiz/teachings/activos/1S2020/Apuntes_Diapositivas
%20Parte%20II_Dr%20Juan%20Jos%C3%A9%20Montero.pdf