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[1] Cada celda elemental de un MOSFET de potencia varia de unos pocos micrmetros a varias decenas de micrmetros de ancho

[2] La regin N- es la que habilita al dispositivo para soportar altos voltajes



APUNTES DE INVESTIGACIONES DE
TEORIA DE DISPOSITIVOS

Fsica de Operacin de los MOSFET de Potencia de Doble
Difusin (DMOS)
JORGE HERNANDEZ
INGENIERO ELECTRONICO
UNIVERSIDAD DISTRITAL FJC
BOGOTA (COLOMBIA) 2014


INTRODUCCION. QUE ES UN MOSFET DE POTENCIA
Un MOSFET de potencia, como su nombre lo indica, es un tipo de transistor de efecto de campo MOS (Metal
Oxide Semiconductor) diseado especficamente para manejar niveles de potencia significativos. Al contrario
de un BJT (transistor bipolar), que es un dispositivo bipolar controlado por corriente, el MOSFET es un
dispositivo unipolar controlado por voltaje. Esto ltimo significa que en un MOSFET la conduccin de
corriente se debe a un solo tipo de portadores mayoritarios (electrones o huecos) y que se requiere una muy
baja corriente de entrada para controlar una gran potencia de salida.
El MOSFET de potencia es un producto de la evolucin de la tecnologa CMOS, originalmente desarrollada
para la fabricacin de circuitos integrados. Desde su introduccin al mercado a comienzos de la dcada de
1980, los MOSFET de potencia han ido evolucionando en su estructura funcional hasta alcanzar su madurez
definitiva con el proceso de doble difusin (DMOS), tambin llamado difusin vertical (VDMOS). En la
actualidad, prcticamente todos los MOSFET de potencia estn basados en tecnologa DMOS o alguna de sus
variantes, como la TMOS de Motorola. En este artculo nos referiremos exclusivamente a esta tecnologa.

Figura 00
Comparado con otros dispositivos semiconductores de potencia, como los BJTs, los IGBTs y los tiristores, los
MOSFETs de potencia modernos ofrecen varias ventajas, siendo las ms notables su alta velocidad de
conmutacin, su buena eficiencia a bajos voltajes, su alta impedancia de entrada, su coeficiente de temperatura
positivo, su trasconductancia constante, su alta inmunidad a las variaciones de voltaje ( ) dt dv y su bajo costo.
Su principal desventaja es la relativa sensibilidad a las descargas electrostticas.
El MOSFET de potencia es el interruptor de bajo voltaje (por debajo de 200V) ms utilizado en el mundo. Se
utiliza extensivamente en fuentes de alimentacin, convertidores DC-DC y controladores de motores.
.
ESTRUCTURA DE UN MOSFET DE POTENCIA
En la figura 00a se muestra la estructura bsica de la seccin transversal de un MOSFET de potencia de doble
difusin (DMOS), ms exactamente de una de las miles de celdas elementales que lo constituyen. Al contrario
de un MOSFET de baja seal, donde la compuerta (G), el surtidor (S) y el drenador (D) estn localizados en la
[1] Cada celda elemental de un MOSFET de potencia varia de unos pocos micrmetros a varias decenas de micrmetros de ancho
[2] La regin N- es la que habilita al dispositivo para soportar altos voltajes

misma superficie de la pastilla y el canal tiene una disposicin lateral, en un MOSFET de potencia el surtidor
(S) y el drenador (D) estn en lados opuestos y el canal tiene una disposicin vertical. La idea bsica de esta
estructura es controlar eficientemente el flujo de portadores mayoritarios de corriente entre el surtidor (S) y el
drenador (D) mediante la formacin de una capa de inversin virtual (el canal) que conecta ambos contactos.
El canal es controlado o modulado por una seal de voltaje apropiada aplicada entre la compuerta (G) y el
surtidor (S).

Figura 00
Un MOSFET de potencia consta bsicamente de un sustrato de silicio N+ (fuertemente dopado) sobre el cual
crece una capa epitaxial de deriva N- (levemente dopada) y se hacen dos difusiones sucesivas para crear una
zona de base P+ y una zona de deriva N+. A continuacin se hace crecer una delgada capa de xido metlico
(SiO2) que encierra una formacin de silicio policristalino (polisilicio) fuertemente dopada con fsforo. Desde
esta ltima so obtiene el contacto de la compuerta (G). Los contactos del drenador (D) y el surtidor o fuente (S)
se obtienen de metalizaciones que conectan, respectivamente, con la regin N+ del sustrato) y la regin P+ de
la zona doblemente difundida. Esta ltima, denominada tambin region de cuerpo o masa, forma con la regin
N+ de la misma un diodo o unin P-N. La capa de polisilicio emparedada entre las capas de xido metlico
constituye lo que se denomina una estructura MOS (Metal-Oxido-Semiconductor), la cual acta esencialmente
como un condensador.
Desde el punto de vista elctrico, las caractersticas de la unin P-N entre la regin de base P+ y la regin de
deriva N+ asociada al surtidor determina las capacidades de bloqueo de voltaje directo del dispositivo, mientras
que las caractersticas de la regin de deriva N- asociada al drenador determinan las capacidades de bloqueo de
voltaje inverso del mismo. Como resultado se obtiene un dispositivo con una muy baja
) ( on DS
R (resistencia de
conduccin entre drenador y surtidor) y un muy alto
DSS BR
V
) (
( voltaje de ruptura o de bloqueo inverso entre
drenador y surtidor)
..
OPERACIN BASICA (I). CORRIENTE DE DRENADOR (
D
I )
En condiciones de reposo, cuando la compuerta (G) y el surtidor (S) estn al mismo potencial ( 0
GS
V ), no se
establece canal alguno en la regin de base P+ y por tanto no circula una
D
I (corriente de drenador a fuente).
Para que esto ltimo suceda, debe establecerse un camino conductor entre las regiones N+ y N- a travs de la
regin de difusin de base P+
Cuando se aplica al terminal de compuerta un
GS
V de magnitud y polaridad apropiada, la compuerta de
polisilicio induce una capa de inversin en la parte superior de la regin P+, como se muestra en la figura 00.
Esta capa de inversin (canal) conecta la regin N+ del surtidor a la regin N- del drenador y posibilita que
comience a fluir una corriente
D
I a partir de un cierto valor de
GS
V llamado voltaje de umbral (
) ( th GS
V ). La
corriente
D
I est dada aproximadamente por :
o
DS FS DS th GS GS o D
V g V V V C
L
Z
I ] [
) (
[1] (para valores peqieos de
DS
V ) y
o ] [
2
1
] [
2
) (
2
) ( th GS GS FS th GS GS o D
V V g V V C
L
Z
I [2] (para valores grandes de
DS
V )
siendo:
o
DS
V = Voltaje aplicado entre drenador y fuente
[1] Cada celda elemental de un MOSFET de potencia varia de unos pocos micrmetros a varias decenas de micrmetros de ancho
[2] La regin N- es la que habilita al dispositivo para soportar altos voltajes

o
GS
V = Volta aplicado entre compuerta y fuente
o
) ( th GS
V = Voltaje de umbral entre compuerta y fuente
o
FS
g = Transconductancia o ganancia del dispositivo (
GS D
V I )
o = Movilidad de los portadores mayoritarios
o
o
C = Capacitancia por unidad de area del xido de la compuerta
o Z = Ancho del canal
o L = Longitud del canal
Tpicamente, el voltaje de umbralo de la compuerta (
) ( th GS
V ) se especifica para una
D
I de 1.0 mA.
..
OPERACIN BASICA (II). RESISTENCIA DE CONDUCCION (
) ( on DS
R )
A medida que se incrementa el
GS
V por encima de
) ( th GS
V , la resistencia del canal disminuye y la corriente
D
I
aumenta. En su flujo desde el terminal del drenador hasta el terminal de fuente, la corriente
D
I encuentra una
resistencia de conduccin (
) ( on DS
R ) dada por
o
D JFET ACC CH on DS
r r r r R
) (

Siendo:
o
CH
r = Resistencia del canal de inversin
o
ACC
r = Resistencia de la regin de acumulacin entre compuerta y drenador
o
JFET
r = Resistencia de pinch del FET de unin
o
D
r = Resistencia de la regin N- (levemente dopada) de drenador
Estas resistencias se muestran en la figura 00. La resistencia
CH
r se incrementa con la longitud del canal, la
resistencia
ACC
r con el ancho de la regin de polisilicio (poly) y la resistencia
JFET
r con la resistividad de la
regin epitaxial (epi). Estas tres resistencias son inversamente proporcionales al ancho del canal y al voltaje
GS
V . La resistencia
D
r , por su parte, es proporcional a la resistividad epitaxial y al ancho del polisilicio, e
inversamente proporcional al ancho del canal.
En el caso de dispositivos de alto voltaje, donde la capa epitaxial es gruesa y tiene una alta resistividad, la
) ( on DS
R es dominada principalmente por
D
r . En el caso de dispositivos de bajo voltaje, donde la capa la capa
epitaxial es delgada y tiene una baja resistividad, la
) ( on DS
R es dominada principalmente por
CH
r . Lo anterior
explica por qu los dispositivos de alto voltaje conducen plenamente con voltajes de compuerta moderados,
mientras que en los dispositivos de bajo voltaje la
) ( on DS
R disminuye a medida que
GS
V se incrementa.
La resistencia
) ( on DS
R es inversamente proporcional a la movilidad de los portadores. Puesto que la movilidad
de los electrones (que son los portadores mayoritarios en dispositivos de canal N) es, en promedio, 2.8 veces
mayor que la movilidad de los huecos (que lo son en dispositivos de canal P), esto significa que la
) ( on DS
R de
un MOSFET de canal P es 2.8 veces mayor que la un MOSFET de canal N equivalente. Por tanto, para que
estos dos dispositivos sean realmente complementarios en sus caractersticas, la relacin L Z entre la anchura
y la longitud del canal del MOSFET de canal P debe ser 2.8 veces mayor que la del MOSFET de canal N.
Como resultado, un dispositivo de canal P requiere un area de pastillla mayor que la del dispositivo de canal N
complementario, lo cual aumenta las capacitancias parsitas y los costos de fabricacin.

FIN