ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE GEOLOGA Y PETRLEOS

ELECTRNICA BSICA

Nombre: Marilyn Garzn A.

Fecha de entrega: 31/01/2017

Tema: MOSFET

CONSULTA N6

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL XIDO SEMICONDUCTOR.

Son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear
una canal de conduccin.

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET

de canal P o PMOS.

MOSFET de acumulacin o de
enriquecimiento
MOSFET de deplexin o empobrecimiento

La mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la

tecnologa MOS, debido a que se pueden construir de tamaos ms pequeos que
los bipolares y su velocidad de conmutacin (apertura y cierra) es muy rpida,
unos nanosegundos.

MOSFET de Acumulacin.

Estructura Bsica.

Partimos de una zona de material semiconductor tipo p en la que aparecen dos

zonas tipo n+ con contactos metlicos a los terminales de drenador y fuente. La
zona roja representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso
xido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta. Es
precisamente debido a esta estructura de donde le viene el nombre al dispositivo
de Metal xido Semiconductor (MOS). Adems, este dispositivo tendra un
cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente ste se
encuentra conectado a la fuente.
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No hay conexin elctrica entre la puerta y el

sustrato.

Smbolos

El

terminal de puerta no tiene

conexin con el resto de
terminales, ya que est aislado
elctricamente del resto del dispositivo y los terminales de drenador y fuente
estn unidos a travs de una lnea discontinua, esta lnea hace referencia al
canal que se va a formar con el paso de corriente.

Los transistores MOSFET de acumulacin de canal n se polarizan aplicando una

tensin positiva entre drenador y fuente (V DS) y una tensin positiva entre puerta
y fuente (VGS). De esta
forma, la corriente
circular en el sentido
de drenador a fuente.
En el caso del
MOSFET de
acumulacin de canal
p la tensin VDS a
aplicar debe ser
negativa y la tensin
VGS negativa, de esta
forma la corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el drenador.

Si aplicamos una tensin VGS =0, aunque apliquemos una tensin V DS no

circular corriente alguna por el dispositivo, ya que la unin de drenador est
polarizada en inversa.
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Sin embargo, cuando VGS >0 aparece un campo elctrico que lleva a los electrones
hacia la zona de la puerta y aleja de dicha zona a los huecos, no pudindose
establecer una corriente por estar la puerta aislada. Cuanto mayor sea la tensin
VGS aplicada mayor ser la anchura del canal formado que deber superar un de
terminado nivel de tensin.

VDS = VGS - VGD , al ser VDS > 0 tendremos que VGD < VGS , por lo tanto la
anchura del canal ser menor del lado del drenador.

Curvas caractersiticas

Zona de corte o de no
conduccin.
Zona hmica o de no
saturacin.
Zona de saturacin o de
corriente constante.
Zona de ruptura.

MOSFET de Deplexin.

Canal inicial realizado en el proceso de fabricacin del dispositivo.

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A diferencia del caso anterior, en el MOSFET de acumulacin los terminales de

drenador y fuente estn unidos a travs de una lnea continua, esta lnea hace
referencia al canal que ahora s que existe desde un principio.

Polarizacin

Los transistores MOSFET de deplexin de canal n se polarizan aplicando una

tensin positiva entre drenador y fuente (V DS) y una tensin entre puerta y fuente
(VGS) que puede ser negativa o positiva.
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Principio de funcionamiento

Si aplicamos una tensin VGS > 0, se

atraern ms electrones hacia la zona de la
puerta y se repelern ms huecos de dicha
zona, por lo que el canal se ensanchar. Por
lo tanto, el efecto que tenemos es el mismo
que en el caso del MOSFET de acumulacin,
es decir, para valores VGS > 0

Curvas caractersticas

Ventajas del MOSFET

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para
llevar a cabo su propsito y la disipacin de la energa en trminos de prdida es
muy pequea, lo que hace que sea un componente importante en los modernos
ordenadores y dispositivos electrnicos como los telfonos celulares, relojes
digitales, pequeos juguetes de robot y calculadoras.
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BIBLIOGRAFA

Transistores de efecto de campo. Disponible en

https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen
/teoria/tema-7-teoria.pdf Recuperado 29/11/2017

MOS Transistor. Disponible en https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-

Hu_ch6.pdf Recuperado 29/11/2017

The field effect transistor. Disponible en

http://www.mhhe.com/engcs/electrical/neamen01/etext/ch05.pdf
Recuperado 29/11/2017