TRANSISTOR JFET

A. RESPONDA LAS SIGUIENTES PREGUNTAS.

1. ¿Cómo funciona el JFET?
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en
las zonas de deplexión que rodean a cada zona p al ser polarizadas inversamente.

Cuando aumentamos la tensión en el diodo puerta-surtidor, las zonas de deplexión se

hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de surtidor a drenador tenga
más dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión,
cuanto mayor es la tensión inversa en el diodo puerto-surtidor, menor es la corriente
entre surtidor y drenador.

Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi
todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión
van al drenador, por lo que la corriente de drenador es igual a la corriente de surtidor

Id = Is.

2. ¿Cuál es su símbolo eléctrico?

3. ¿Cuáles son los pines de un JFET? Compárelos con los pines

de los transistores BJT.

PINES DE UN JFET
Fuente o surtidor: Es el terminal, S, a través del cual los portadores
mayoritarios entran en la barra.
Drenaje o drenador: Es el terminal, D, a través del cual los portadores
mayoritarios salen de la barra.
Canal: Porción de material semiconductor, en nuestro caso tipo n, a través del
cual los portadores mayoritarios se mueven desde la fuente al drenador siendo
la tensión V , aplicada entre los terminales de puerta y fuente, la que controla la
anchura, la conductancia del canal. Esta tensión V se aplica (debemos
aplicarla) de forma que polarice inversamente la unión puerta - canal, de tal
manera que GS GS 0 GI ≅.

PINES DE UN BJT

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,

comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensión mucho mayor.

4. ¿Qué es corriente de drenador máxima?

Gráfica comportamiento ID

El fabricante suministra dos valores (al menos):

 Corriente continua máxima ID
 Corriente máxima pulsada IDM
La corriente continua máxima ID depende de la temperatura de la cápsula Por ejemplo:
a 100ºC, ID=23·0,7=16,1A

La corriente de drenador máxima que sale de un JFET se produce cuando la

tensión puerta-surtidor es cero.

5. ¿Explique el fenómeno de corte y estrangulamiento de la

puerta?
Para, se volverá a repetir toda la secuencia anterior pero, en este caso, la
condición de estrangulamiento del canal se dará a tensiones 0 VDS > VDS
SAT, inferiores. Se denomina “potencial de estrangulamiento”, “potencial de
contracción” o “potencial de pinch-off” a la tensión del punto de
estrangulamiento (recordar que todas las tensiones se están aplicando
respecto del terminal de fuente, que es el que está colocado al potencial de
referencia, a tensión cero):

La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET
pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la
característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico).
 La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de
un FET de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y
corrientes son de sentido contrario.

6. ¿Qué es la zona óhmica?

En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable

dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores
de VGS.

En un primer momento, la corriente de drenaje aumenta progresivamente

según lo hace la tensión de salida drenaje-fuente (V DS).

Por tanto, en esta zona y a efectos de análisis, el transistor puede ser sustituido
por una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relación entre la I D y
la VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de
funcionamiento se le llame zona óhmica. A partir de una determinada tensión
VDS la corriente ID deja de aumentar, quedándose fija en un valor al que se
denomina ID de saturación o IDSAT.

7. Obtenga la Hoja de características “DATASHEET” del JFET

2N5486 o afín, y téngalo presente en el desarrollo del
laboratorio.

Número de Parte: 2N5486

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92.