Mosfet

 Mosfet de Empobrecimiento
 Hoja de Datos
 Mosfet de Enriquecimiento
 Regió n Corte, Saturació n y Ó hmica
 Mosfet como Inversor
 Mosfet de Potencia
 Pará metros, Id má x., Rdon, VGSTH
 Capacidades Parasitas
 Velocidad de Conmutació n
 Complementario MOS, CMOS
 Anexo
MOSFET

El diseño del JFET dio origen a nuevos dispositivos basados en el principio del canal, pero con
algunas variantes. El más popular de todos es el MOSFET el cual es la parte fundamental de la
línea de integrados CMOS, así como dispositivo de gran manejo de corriente; como por
ejemplo: control de motores o conmutador de fuente de alimentación.

El nombre obedece a un aislante que se le agrega a la puerta de óxido metálico.

La familia Mosfet se divide en dos de empobrecimiento y de enriquecimiento.

Mosfet de empobrecimiento construcción

La construcción básica aparece en la figura.

En la mayoría de los casos el Substrato se conecta internamente a la fuente en algunos

dispositivos el Substrato es el cuarto terminal. El Surtidor (Fuente) y el Drenaje están
conectados mediante contactos metálicos a regiones dopadas tipo n vinculadas a un canal del
mismo tipo.

Si miramos la figura veremos que la Puerta G también está conectada con un contacto
metálico pero a diferencia de los otros dos terminales permanece aislada del canal. Quien se
encarga de aislar la puerta del canal n es una capa de bióxido de silicio muy delgada. Debido a
lo anterior no existe conexión eléctrica entre el terminal de Puerta y el canal de un Mosfet.

La capa aislante es la responsable que no pueda haber corriente de puerta sin importar el tipo
de polarización que se realice.

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Estudiaremos el funcionamiento del mismo de una manera similar a como se hizo con el JFET,
partiendo de Vgs= 0 y VDD variable.

Operación y curvas características

Condición primaria de análisis Vgs= 0 y VDS variable comenzando desde cero. Cuando
aplicamos una tensión a los terminales DS obtendremos una circulación de corriente producto
que los electrones del canal n se ven atraídos por el positivo de la batería de VDD.

La corriente crecerá rápidamente hasta llegar un momento en que el canal se estrangula, a

partir de ese momento la corriente toma el nombre de IDSS como en el caso del JFET.

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En la medida en que se aplica una tensión negativa a VGS = -1 volt este potencial negativo
repele parte de los electrones del canal n hacia el substrato p. Dando lugar a una
recombinación entre el electrón del canal repelido por la tensión de puerta y el hueco del
sustrato tipo p.

En la medida que aumentemos la tensión negativa aplicada a VGS mas alta será la tasa de
recombinación y por lo tanto menor será la corriente de drenador ID. Hasta que lleguemos a
una tensión de estrangulamiento en el cual la corriente ID vale cero esta tensión se conoce
como VP (igual que para el JFET). En el MOSFET del ejemplo VP = 6 volts.

Para valores positivos de VGS la Puerta atraerá más electrones del sustrato tipo p debido a la
corriente de fuga inversa. Se establecerán nuevos portadores debido a las colisiones que
ocurren entre partículas de aceleración. Veamos las curvas características y observemos que
sucede cuando establecemos una tensión positiva en VGS. Se produce un incremento en la
corriente de drenador ID superando al valor máximo de un JFET que es IDSS.

Debido a lo anterior a esta nueva área se la reconoce como región de enriquecimiento

mientras que el área comprendida entre el corte y la saturación se la conoce como región de
empobrecimiento.

Para este Mosfet en particular se puede seguir aplicando la ecuación de Shockley, al igual que
en el JFET.

En la curva ID vs VGS se produce un ligero cambio respecto del JFET.

Este Mosfet tiene como parámetros IDSS = 10 mAmp y VGS= -4 volts

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Calculemos que corriente ID tendremos para una tensión VGS = -2 volts.

=2.5mAmp

Veamos que sucede cuando VGS = +1 volt

Mosfet de empobrecimiento canal p

En este caso el canal es tipo P y el substrato es del tipo N, las polaridades de la tensión y las
direcciones de corriente se invierten. En este caso tensiones positivas de VGS o 0 volts hacen
que el Mosfet se encuentren en la región de empobrecimiento, mientras que para valores
negativos de VGS el mosfet se encuentra en la región de enriquecimiento.

La ecuación se Shockley sigue siendo vigente y solo requiere que se conecte el signo correcto
en VGS.

Simbología de los MOSFET de empobrecimiento

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Hoja de datos

Las hojas de datos muestra mayormente en la zona superior derecha el diagrama de pines.
Donde se ilustra el símbolo correspondiente y una reseña de las aplicaciones típicas de este
dispositivo. Otro dato importante es el tipo de encapsulado, puede haber más de uno.

Lo primero que aparece en una hoja de datos son los ¨Máximum Ratings¨. En esta sección se
exponen todos los límites que no debemos superar. Entre los cuales aparece la máxima
tensión que se le puede aplicar a dos terminales, así como la corriente y potencia máxima.

Acto seguido se presentan las Características Eléctricas, en este caso por ser un dispositivo
mayormente utilizado en conmutación estás características se dividen en dos una Off y otra
On.

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Dentro de las características ON disponemos de dos parámetros IDSS e ID (on). El primero está
relacionado con la región de empobrecimiento mientras que el segundo está relacionado con
la región de enriquecimiento. Si se observan los valores de las distintas corrientes queda claro
el incremento de corriente que sucede cuando aplicamos a VGS una tensión positiva.

Luego de las características eléctricas aparecen una serie de parámetros relacionados con
¨Small Signal¨. Esta parte no reviste importancia para el uso del dispositivo como
conmutador.

Por ultimo aparecen una serie de graficas donde las más útiles son las de ID vs
VDS.

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Mosfet tipo enriquecimiento

Las características de los MOSFET de enriquecimiento son muy diferentes a todos los
dispositivos vistos hasta ahora. La ecuación de Shockley para calcular la corriente de drenaje
no se aplica en estos dispositivos.

Ahora con una tensión positiva en Puerta controlamos al dispositivo de canal n en lugar de las
tensiones negativas que se aplican al JFET y el MOSFET de empobrecimiento.

Configuración básica

El terminal de Fuente (Source) así como el terminal Drenaje (Drain) están conectados
mediante contactos metálicos a dos regiones dopadas tipo n. A diferencia de los anteriores
dispositivos aquí no existe un canal construido físicamente.

Existe una capa de SiO2 para aislar la Puerta (Gate) de la sección p del Substrato.

La única diferencia con el Mosfet de empobrecimiento es que en el de enriquecimiento no

existe un canal físico.

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Operación

Si VGS=0 volts y aplicamos una tensión VDS debido a la ausencia de un canal n, dará como
resultado que la corriente ID =0 volts. No alcanza con tener conectados los terminales Drenaje
y Surtidor a regiones dopadas para exista una corriente entre ambos debe existir un conductor.

Observemos que sucede cuando aplicamos una tensión positiva a VGS.

La tensión positiva aplicada a la puerta ejerce presión sobre los huecos del material p. De
forma que abandonan el área y se internan en la región p. El resultado es que se crea una
región libre de huecos. Sin embargo los electrones en el substrato tipo p (portadores
minoritarios) serán atraídos por la Puerta positiva y se acumularan en la zona cercana al
aislante SiO2. Dicho material impide que los portadores negativos sean absorbidos por la
Puerta. En la medida en que la tensión VGS se aumente se incrementa la cantidad de
electrones y con el tiempo se produce la formación de un canal que permite la circulación de
corriente. Existe por lo tanto un valor de tensión VGS por la cual se produce un incremento
significativo de corriente IDS.

El nivel de VGS que produce un incremento de la corriente IDS se conoce como voltaje
umbral
y está representado por el símbolo VT.

En las hojas de datos este parámetro se conoce como VGS (TH).

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En la medida que se incrementa la tensión VGS por encima del nivel de umbral, la densidad de
electrones libres en el canal inducido aumentará, dando por resultado un incremento de IDS.

Si mantenemos constante la tensión VGS e incrementamos la tensión VDS, se producirá un

efecto de estrangulación del canal similar al proceso del JFET.

Si VGS permanece constante mientras se incrementa VDS, el terminal de puerta se volverá

más negativo respecto al drenaje. Esto reduce la atracción que genera la puerta sobre los
electrones provocando una reducción del ancho efectivo del canal. Se establecerá por tanto
una condición de saturación similar a la del JFET y el MOSFET de empobrecimiento.

La tensión VDSSAT se puede calcular de la siguiente manera VDSSAT = VGS -VT

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Resumen

1) VGS= 0 En estas condiciones no existe efecto de campo y no se crea un canal de

electrones. Debido a lo anterior IDS =0.
2) VGS>>0 se genera una población de electrones libres cercano a la puerta. Se forma un
canal n de electrones entre el drenador y el surtidor. Existe un valor mínimo de VGS
para que el número de electrones sea suficiente para alimentar esa corriente, dicho
valor se conoce como tensión de umbral

Regiones de Operación.

Para un transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes tres regiones: región
de corte, región óhmica y región de saturación.

Región de Corte

El transistor estará en esta región cuando VGS< VT. En estas condiciones el MOSFET equivale
a un circuito abierto. El dispositivo se encuentra apagado.

Región óhmica

Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, existe una resistencia efectiva del
canal llamada RDS (ON). En la mayoría de las hojas de datos aparece dicho parámetro en
asociación con una corriente de drenador ID (on) y una tensión VDS (on).

Si tomamos como ejemplo el MOSFET IRF540 este componente tiene una RDS (ON) muy
baja (normal en Mosfet de potencia) RDS (ON) = 0.077 Ω para una corriente ID (on) = 10 mAmp en
este caso se entrega la tensión VGS = 10 volts.

El MOSFET en esta región equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y el
Surtidor varia dependiendo del valor de tensión de puerta VGS.

Región de saturación

El transistor MOSFET ingresa en la zona de saturación cuando la corriente ID comienza a

estabilizarse en un determinado valor. En este caso la tensión VDS debe tensión superar
conocida como VDS (SAT) .

El MOSFET estará en la región de saturación cuando VGS> VT y VDS > (VGS - VT)

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El MOSFET como inversor

El inversor al igual al que vimos diseñado a partir de un BJT posee un terminal Vi al que
pueden aplicarse un rango amplio de tensiones. En especial reconocemos un valor de entrada
alto VIH (que puede ser asociado a VDD o a otro valor de tensión de entrada mayor que

VGS(TH)). En oposición al anterior existe un valor de tensión de entrada VIL (que

puede ser asociada a colocar el terminal a tierra para un Mosfet canal n o una tensión
de entrada por debajo de VT)

Realicemos un inversor básico con un MOSFET de potencia IRF540

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Estos son los datos básicos que debemos conocer antes de realizar un inversor, la fuente no
debe superar los 100 volts es aconsejable trabajar con tensiones 20 % menores o sea no
superar los 80 volts. La corriente máxima continua es de 28 Amp utilizando el criterio anterior
nos fijamos un límite superior de 23.4 Amp. Por último el parámetro que sirve para comparar
los MOSFET de potencia es RDS (on) =0.077 Ω Cuanto menor sea este valor mejor
conductor será el MOSFET, ese valor es la resistencia máxima.

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 Como podemos observar en la medida que disminuimos la resistencia de
carga se incrementa la corriente IDSS, de igual forma se incrementa la tensión VDS como

marca el tester. Aplicando ley de ohm podemos calcular el valor de RDS (on)
en cada caso.

El dispositivo en los tres casos presenta una resistencia RDS (on) menor que la que garantizaba
en manual, lo cual es apropiado.
Observemos ahora como son las formas de ondas cuando aplicamos una
onda cuadrada de 0 a 10volt en VGS.

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En la primera grafica se muestra la tensión a la salida en la del medio aparece la tensión Vi,
debemos asegurarnos que el valor alto de la tensión de entrada Vi supere la tensión de umbral
de VGS que hace conducir al Mosfet. Comparando entre la tensión de entrada y la de salida
veremos claramente el efecto inversor. La última grafica es la de la corriente.

Existe una pequeña distorsión entre la onda de entrada y salida, eso se debe en parte a la
frecuencia de entrada utilizada. Todos los componentes tienen una máxima frecuencia de
trabajo. Discutiremos en otro apartado todo lo referido a los parámetros de conmutación.

MOSFET DE POTENCIA

Es de hacer notar que es el dispositivo más utilizado para controlar cargas de gran potencia,
Son muy versátiles debido a la gran corriente y tensión que puede manejar, así como a la
velocidad de conmutación.

Pongamos atención en algunas características que poseen dichos MOSFET en particular.

Las figuras superiores muestras distintos tipos de encapsulados, y dos parámetros

muy importantes la corriente ID y el valor de la resistencia RDS (on). Es fácil notar que a
mayor corriente menor es el valor de la resistencia, debemos recordar que dicho
valor es medido para un VGS determinado y una ID determinada. Faltaría aclarar si la
corriente es pulsante o media, en estos casos la corriente mostrada es la continua
que soporta el dispositivo.

Otro parámetro importante a la hora de elegir un componente específico es la

máxima tensión que soporta entre Drenador - Surtidor, conocido como V(BR)DSS (break
down, rotura).

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 Existen dispositivos de baja tensión 15v a 80v, tensión media 100v a 400v y alta
tensión 500v a 1000v.

Retomemos un poco el tema de la corriente máxima, el fabricante especifica dos

valores uno medio o continuo y otro pulsante. En la mayoría de las aplicaciones estos
dispositivos trabajan de forma conmutada, así que la corriente pulsante máxima es
muy importante.

Para la corriente continua se expresan dos valores a distintas temperaturas, no debemos

olvidar que estos dispositivos debido a la potencia que manejan deben obligatoriamente ser
utilizados con disipadores.

Retomemos ahora el tema de RDS (on) , podemos aseverar que cuando menor sea este valor
mejor será el dispositivo. Sin embargo no es un valor estable y se ve afectado en primer caso
por el aumento de la temperatura. Cuando se produzca un incremento en la temperatura se
produce un incremento de RDS (on). La tensión VGS afecta dicho parámetro, en la medida
que aumente dicha tensión disminuye RDS (on).

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Comparando dos MOSFET de igual corriente ID pero de diferente VDSS tiene mayor RDS

(on) el que soporta más tensión VDSS.

Capacidades parasitas

La existencia de condensadores parásitos en la estructura origina un retraso en la

respuesta del mismo, cuando es excitado por una señal de onda cuadrada.

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 Existen tres tipos de capacidades referidas a los
distintos terminales. Los fabricantes representan tres valores de capacidad, la primera
referida como capacidad de entrada CISS =
CGS+CGD, la segunda como capacidad de Miller

Crss y la tercera la capacidad de salida Coss = CDS +

CDG

Este es otro de los parámetros que se mejoró con el paso de los años, se requiere tener
menores valores de capacidades parasitas. De forma de hacerlo más eficiente como
conmutador. Estos valores se incrementan cuando seleccionamos MOSFET de más corriente.
Velocidad de conmutación

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Cuando un Mosfet está en la región de corte u óhmica las pérdidas son despreciables. Sin
embargo se produce un consumo de energía cuando pasamos de una región a otra. Si dicha
conmutación no se hace en un tiempo casi cero, el dispositivo estará un tiempo en la región
activa y consumirá energía. Las capacidades parasitas vistas anteriormente afectan la velocidad
a la cual se producen las transiciones. Haciendo que los flancos de subida o bajada no tenga
una pendiente tipo escalón, sino más parecida a una exponencial como la carga de un
condensador. Debido a los problemas de la velocidad de conmutación, podemos establecer
una frecuencia máxima de trabajo para cualquier dispositivo. (BJT, JFET, MOSFET etc.)

En un dispositivo real cuanto más transiciones se requieran, o sea frecuencia de trabajo más
elevada mayor será el consumo del mismo.

Se establecen dos tiempos uno el de encendido o (ton) y otro el tiempo de apagado (tOFF). A
su vez cada uno de estos tiempos se dividen en otros dos.

Tiempo de retardo (Delay Time, td) Es el tiempo en que transcurre desde el instante en que se
aplica una señal a la entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida alcanza
el 10% de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr) Es el tiempo que emplea la señal en la salida para
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.

ton = td + tr

Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts) Es el tiempo que transcurre desde que se quita la
excitación a la entrada y el instante en que la señal de entrada baja al 90 % de su valor final.

Tiempo de bajada (Fall time, tf) Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el
90 % y el 10% de su valor final.

toff = ts+ tf

Observemos como el fabricante del MOSFET IRFS3006-7 entrega los datos.

En el final a la derecha explica en qué condiciones los midió. Existe una pequeño cambio en la
notación td (off) es similar a ts y td (on) es similar a td.

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Acá queda muy en claro como aumenta la potencia en los momentos de transición.

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 Complementario MOS CMOS

Se puede crear un dispositivo muy efectivo integrando en un mismo chip un MOSFET de canal n
y otro de canal p. Este tipo de configuración se conoce como complementario Mos o CMOS.
Tiene gran aplicación en circuitos integrados lógicos. La relativa alta impedancia de entrada, las
velocidades de conmutación y los bajos niveles de potencia requeridos, la han trasformado en
una de las familias lógicas más populares.

Cuando la tensión de entrada Vi supere la tensión de umbral del

MOSFET QN, dicho Mosfet conducirá siempre y cuando se coloque una carga entre VSS y VO.

Debido a que el MOSFET QP no conduce y por lo tanto no hay un camino por donde circule la

corriente de QN.

Cuando la tensión de entrada Vi tenga el valor de 0 volts

tensión VGS es igual –VSS, lo cual hace que conduzca QP siempre que se coloque una carga

entre VO y tierra, debido a que QN no conduce o está abierto.

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Debemos aclarar que en ambos casos, si no hay una carga colocada no tendremos circulación
de corriente. Por lo tanto solo consume energía a partir que se le aplique una carga.

Anexo Dispositivos trabajando como Switch

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