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Nanoscience & Nanotechnology Antonio de la Torre Pérez
Electronic Devices (DE)
Transistor MOS. Estructura de

bandas.
Hoy comenzamos la unidad 4, en la que estudiaremos un nuevo tipo de transistor, el transistor
MOS o MOSFET, que es uno de los dispositivos más famosos en el mundo y ahora
entenderemos el porque. Es un transistor en el que la corriente está controlada por el voltaje,
a diferencia del transistor bipolar en el que la corriente está controlada por la corriente.
Discutiremos la región de trabajo, los MOSFET de tipo p y tipo n y la estructura de bandas de la

capacidad MOS.
“Corriente controlada por la corriente” vs “Corriente controlada por el voltaje”.

Ya hemos discutido el BJT (Bipolar Junction Transistor), en el que la corriente en el colector
está controlada por la corriente en la base. Ahora veremos el transistor FET (Field Effect
Transistor) o MOS (Metal Oxide Semiconductor) en el que la corriente en el drain viene
controlada por el voltaje.
Tipo de transistores:
Evolución FET:
La mayoría de transistor actualmente son MOSFET, aquí vemos la cantidad de transistores que
hay en cada dispositivo. Vemos que actualmente podemos incluir hasta 1010 transistores en un
dispositivo. Somos capaces de construir esta cantidad de dispositivos ya que son muy
pequeños (de unos 10 nm).
Lo de abajo son algunos ejemplos de dispositivos.

Nanoscience & Nanotechnology Antonio de la Torre Pérez;1535826
Transistor Metal-Óxido-Semiconductor de efecto de campo

Fabricación del MOSFET:
En el MOSFET para empezar hablar hablamos de Source, Gate y Drain, aunque tiene el mismo
funcionamiento que en la unión PN. Aquí vemos como tenemos Silicona de tipo-P, de tipo-N y
óxido de silicona, que es un dieléctrico.
Para construir un N-MOSFET crecemos óxido de silicona encima de un sustrato de silicona de

tipo p. Entonces colocamos una fotoresina de la que podemos eliminar una parte con luz,
después de hacer estos agujeros ponemos un disolvente que es capaz de degradar el óxido de
silicio sin dañar la fotoresina y posteriormente ponemos eliminamos la fotoresina.
Posteriormente dopamos con silicona de tipo n, ponemos encima óxido de silicio. Con lo que
generamos un dispositivo con tres zonas (source, gate y drain) y zona en la que tenemos una
unión PN.
Además, podremos tener otra zona que es el cuerpo (body), pero que no es muy importante.
¿Cómo funciona un transistor MOSFET?

Ya hemos visto como tenemos una zona de unión PN, pero además tenemos una zona en la
que tenemos en serie un metal, un óxido (dieléctrico) y un semiconductor, un MOS.
Por la orientación de la unión PN, es como si tuviésemos dos diodos, aunque podemos hacer
estos diodos estén apagados haciendo que el Bulk voltage sea lo más pequeño posible. Con lo
que siempre nos aseguramos de no tener corriente entre el Bulk y el Drain. Por tanto, por
ahora no tendremos corriente en el dispositivo, esta será la situación en el que el transistor
estará apagado. TRANSISTOR OFF.
La parte de en medio que está en rallas es el dieléctrico que no deja pasar la corriente. Un
dieléctrico es un aislante que tiene un gran bandgap. Este dieléctrico está conectado a un
semiconductor, que presenta un bandgap mucho menor con lo que los electrones no podrán
pasar por el aislante. También está conectado a un metal en el que los electrones no podrán
circular. Podrá haber tunneling, pero normalmente el ancho del dieléctrico evita que este
tunneling sea relevante, aunque está siendo un problema importante en la actualidad que se
soluciona cambiando de dieléctrico como veremos en la unidad 6.
Por tanto, ya que tenemos carga en los dos lados y un aislante en medio, esto funciona como
un condensador:
La ecuación del condensador es:
Donde Vg es el voltaje en los extremos del condensador, y a partir de esta ecuación

obtenemos:
Lo que pasa es que podemos controlar el número de electrones (el voltaje) en la gate, con lo
que podemos crear un canal entre la source y el drain. Al dopar de electrones esa zona
creamos una unión N+-N que funciona como una resistencia y no como un diodo.
Por tanto, vemos como el voltaje que aplicamos en la gate es capaz de permitir el transporte
entre source y drain sin que ni siquiera haya voltaje desde la gate a la base. SE CREA UN
CANAL.
Definición de canal:
El canal aparece debido al campo eléctrico, el voltaje en la gate induce una carga que depende
de n (VGS).
MOSFET de tipo-p y de tipo-n
En los MOSFET de tipo n tenemos que el drain y la source son de tipo-n mientras que el bulk
será de tipo-p. En un MOSFET de tipo p tenemos que el drain y la source son de tipo-p
mientras que el bulk será de tipo-n. Esto se debe así ya que se les denomina según si el canal
está hecho con holes o electrones.
El voltaje en el bulk siempre será cero para que el transistor pueda estar apagado salvo cuando
apliquemos corriente en la gate.
El P-MOS funciona igual, querremos que estos diodos estén apagados, esto lo conseguiremos
aplicando en el bulk el voltaje más alto posible. En este caso conseguimos que haya electrones
poniendo un voltaje muy bajo en la gate.
Nosotros trabajaremos con ambos tipos de transistores MOSFET, de hecho, con una
combinación de ambos que se denomina C-MOSFET (Complementary-MOSFET), ya que se
utilizan ambos juntos.
 El contacto bulk tiene el menor voltaje para asegura que la unión PN está OFF. La
corriente llega desde el drain a la source.
 El contacto bulk tiene el mayor voltaje para asegurar que la unión PN está OFF. La
corriente circula desde la source hasta el drain.
La flecha nos trata de indicar que hay un condensador entre la gate y la source, con lo que nos
dice que no habrá corriente entre la base y la gate. La flecha por tanto nos indica la dirección
en la que irán los electrones. Este primer ejemplo es un MOSFET de tipo n:
Los que tienen la flecha para el otro sentido son los transistores de tipo-p. En muchos casos
tendremos un dispositivo de tres terminales en vez de cuatro ya que conectamos el bulk a la
gate o al source, según estemos en un MOSFET de tipo-p o de tipo-n, con lo que en muchos
casos nos olvidaremos del bulk:
Regiones de trabajo de un condensador MOS

Aquí explica lo que ya hemos visto, además vemos como este condensador tiene varias
condiciones, en las que podremos poner más o menos voltaje según la corriente que
tengamos. El voltaje en el cual se crea el túnel es el denominado threshold voltage.
Cuando el voltaje en la gate sea mayor o igual al threshold voltage tendremos un canal, y el
MOSFET estará ON, mientras que cuando el voltaje en la gate sea menor que threshold voltage
no tendremos un canal y el MOSFET estará OFF. (Todo esto para un NMOSFET).
Regiones de trabajo del condensador MOS

Accumulation:
Si en este N-MOSFET en el que el bulk es p, ponemos más holes en el canal jugando con el
voltaje y aplicando un potencial negativo, obviamente aquí no tendremos un canal.
Ya que los holes se acumulan en la superficie del oxido-semiconductor no hay canal y decimos
que el MOSFET está trabajando en acumulación (accumulation).
Depletion region:
Prácticamente no tenemos carga en el canal. Esto se produce cuando aplicamos un potencial

positivo pero pequeño. (Un voltaje inferior al threshold voltage).
La zona eléctricamente cargada (con densidad NA) cerca de la superficie del semiconductor se
llama (al igual que en la unión PN) depletion region.
La superficie del semiconductor no tiene cargas eléctricas libres.
Inversion region:
Implica que este material de tipo p está lleno de electrones, con lo que hemos invertido la
población aplicando un voltaje en el condensador. Esto se produce cuando aplicamos un gran
potencial positivo.
En este caso, la superficie del oxido-semiconductor está llena de electrones en un

semiconductor de tipo-p, así que decimos que la estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor)
está en inversión.
Estructura de bandas en un condensador MOS

Ahora discutiremos el funcionamiento de este MOSFET en una explicación más rigurosa
físicamente, mediante el estudio de su funcionamiento debido a las bandas energéticas de los
materiales que lo componen.
Vacuum level: La mínima energía que un electrón necesita para estar libre del material
Función de trabajo (Workfunction): La diferencia entre el nivel de Fermi y el vaccum level.
Afinidad electrónica (Affinity): La diferencia entre la banda de conducción y el vaccum level.

Conocemos los niveles de Fermi de estos materiales, y la estructura de banda del metal y del
semiconductor. Aquí tenemos el vaccum level, que nos define la energía a partir de la cual
nuestro electrón se comportará como si estuviese libre. También definimos la metal
workfunction, que es la diferencia entre el vaccum level y el nivel de Fermi del metal, y la
Silicon workfunction, que es lo mismo, pero para el nivel de Fermi del semiconductor. Por
último, la distancia entre la banda de conducción o valencia y el nivel de Fermi.
Cuando ΦM =ΦS, el nivel de Fermi está alineando antes que hagamos el dispositivo. Entonces,
cuando hacemos la estructura MOS, la banda permanece plana cuando el voltage aplicado el
cero.
Asunción ΦMS =ΦM- ΦS=0
Condición de banda plana ( Flat band condition)
ΦM depende del metal
Por ejemplo:
ΦM (Al) es aproximadamente 4V, mientras que ΦM(Au) es aproximadamente 5,1 eV.
ΦS depende del doping del semiconductor.
ΦS= + (EC-EF)FB
Así que el alineamiento de bandas actual antes de hacer la estructura MOS-C es como la
mostrada para el Al-Si(p):
En esta estructura vemos como la función de trabajo del metal no es la misma del
semiconductor.
En dispositivos reales, el diagrama de bandas tiene que ΦMS =ΦM- ΦS0.
Darse cuenta de que los campos eléctricos en cada interfase tienen que ser continuos. En el
ejemplo de arriba, son cero en todos los puntos. Ya que las bandas de energía están en
diferentes posiciones este transistor no está en equilibrio, con lo que representaremos la
estructura de esta unión MOS en equilibrio.
Para hacer esto, pondremos los niveles de Fermi en el mismo sitio, aunque tendremos el
problema de que la estructura del material no podrá cambiar. Para solucionar esto:
 Buscamos que los niveles de Fermi del metal del semiconductor estén al mismo nivel,
sabiendo que el nivel del metal no puede cambiar, deberemos tener una banda curva.
En primer lugar, estudiaremos esto en un N-MOSFET, ya que en este tipo de transistor
tendremos un material de tipo P en el metal y en el semiconductor:
A VG=0, hay materiales en los que podremos tener corriente en el canal, lo que en teoría va en
contra del funcionamiento del condensador.
Definición del voltaje de banda plano VFB: El voltage que se necesita aplicar para conseguir
condiciones de banda plana. Solo en la condición de banda plana, el vaccum level se mantiene
igual para todos los materiales:
Tenemos que aplicar un gate voltage igual a ΦMS/q para obtener condiciones de banda plana.
Enhancement and depletion MOSFET

Por último, vemos como podemos tener dispositivos en los no haya canal cuando el voltage en
la gate sea cero, lo que se denomina un Enhancement MOSFET, aunque también podemos
tener dispositivos en el que el haya canal, aunque el voltage en la gate sea igual a cero, lo que
se denomina un depletion MOSFET.
Resumen
Cabe mencionar que estos dispositivos son muy importantes ya que actualmente somos
capaces de fabricar hasta 1010 transistores de este tipo en una zona muy pequeña, que es lo
que nos permite poder tener tanta memoria en nuestros dispositivos y ordenadores tan
rápidos.
Además, todos estos transistores funcionan correctamente y sin fallos, durante 10 años en
teoría. Con lo que todas estas cifras hacen que el MOSFET sea difícilmente superable, ya que
se debe poder fabricar 1010 transistores y que puedan aguantar durante 10 años en
funcionamiento.
Transistor MOS característica I-V

Anteriormente hemos aprendido la estructura del MOSFET y que lo que controla el
funcionamiento del MOSFET es la formación del canal.
Sabemos que poniendo una corriente en la gate somos capaces de controlar la carga entre
drain y source. Hemos aprendido a hacer un interruptor electrónico con el voltaje entre drain y
source.
Vimos que hay dos tipos de MOSFET, el tipo p y el tipo n. Tenemos un diodo entre la región p y
n de los transistores. Estos diodos deben estar siempre OFF para ello, conectamos el bulk o el
gate según estemos en un tipo de MOSFET u otro al suelo para garantizar que estos diodos
estén OFF.
La expresión del condensador parece indicar que cuando la carga es cero la capacidad es cero,
pero esto es solo en modelos ideales. Por tanto, para un condensador real tendremos la
siguiente ecuación:
Donde Vg es el voltage en la gate, y VT el threshold voltage.
Primera definición de un transistor de efecto de campo (FET)

La patente de un amplificador de estado sólido de JELilienfeld en 1930 no funcionó.
Hasta 1945 se utilizaron por tanto tubos de vacío.

La idea del amplificador de estado sólido de JELilienfeld era la combinación de un resistor y

una capacidad en un dispositivo de tres terminales. Su propuesta fue la utilización de un
Metal-Óxido-Metal. En particular trataba de usar Cobre.
El Cobre en equilibrio tiene una densidad de carriers de n=1028 electrones/m3, mientras que el
silicio tiene solo de n=1024 electrones/m3.Por tanto, ya que necesitábamos que el transistor
estuviese OFF y teníamos demasiada corriente, este transistor MOM no funcionaba.
Definición del voltage de saturación VDSAT

En esta imagen que vemos ahí tenemos el condensador y la resistencia. Donde el condensador
presenta la ecuación de arriba y la resistencia la de abajo
¿Cuánta corriente circula por una resistencia? En un resistor ideal no hay límite, pero en un
resistor real hay un límite debido al aumento de la temperatura por el efecto Joule. Esta
corriente es igual a I=q·n·v.
Donde n es el número de electrones, que se ve controlado por las condiciones en las que
estamos, como la distancia del canal, que depende también del gate. Por tanto, tenemos un
resistor que presenta una limitación o saturación debido al número de electrones que pueden
circular.
Hay un límite de electrones que pueden circular por el canal. Este VDSAT,
por tanto, es el voltage de saturación que nos dice hasta qué punto
este transistor funcionará como una resistencia.
VDSAT: Drain Saturation voltage

VDSAT=VGS-VT= Saturation Voltage= Drain voltage a partir del cual no aumenta ninguna dimensión
del canal con VDS, con lo que ID se satura.
Definición de las regiones de un transistor FET

Si aplicamos un voltage del gate hasta la source mayor que el threshold voltage estaremos en
la región de saturación. Para estar en esta región, el voltaje drain-source debe ser mayor que
el voltaje de saturación (voltaje gate-source-threshold voltage)
Por otro lado, si ambas magnitudes son menores, es decir que VGS es menor que VT y el VDS es
menor que el VDSAT estaremos en la región lineal.
También tendremos la región de cut-OFF en la que no hay corriente, al igual que lo que ya
habíamos estudiado en el BJT. En esta región VGS es menor que VT y por tanto no hay canal.
VDSAT: Drain Saturation voltage.
VT: Threshold voltage cuando el canal aparece.
Por tanto, vemos como este tipo de transistor trabaja en tres regiones, la región linear,
saturación y cut-off.
¿Qué pasa si incrementamos el Gate voltage en las regiones de saturación y lineal?

Nos pasará que llegaremos a la región de saturación a un voltaje distinto, por tanto, podemos
dibujar diferentes gráficas de las regiones de un transistor MOSFET según cual sea el voltaje en
la gate, como vemos en el siguiente dibujo:
¿Son las definiciones analíticas de ID entre las tres regiones continuas?

Sí, por supuesto, como veremos en las siguientes ecuaciones:
Tipos de transistores: Enhancement NMOS FET

También tendremos el Enhancement NMOS MOSFET, en el que el treshold voltage es positivo,
con lo que estará OFF cuando VGS=0
En esta gráfica vemos la representación de las regiones de trabajo para distintos VGATE.
Tipos de transistores: Depletion NMOS FET

Es un NMOS FET en el que tenemos corriente, cuando VGS=0. Por tanto, el transistor depletion
NMOS está ON cuando VGS=0
Para un threshold voltage negativo hay corriente.
Ahora haremos una explicación simple de cómo funciona un N-MOSFET para capturar el
significado físico de este:
Estos electrones de la izquierda se ven repelidos por la barrera, sin embargo, si dejamos de
tener la barrera, los electrones viajarán como en un resistor y tendremos algo lineal cómo así:
Hay un importante mensaje y es que la física del transistor es muy simple, lo que significa que
podemos trabajar con ellos y fabricarlos en masa ya que su funcionamiento físico será muy
simple.
Para explicar el funcionamiento del MOSFET, escribimos la ecuación del condensador.
MOS transistor. Historia y

aplicaciones del circuito
Resumen: NFET transistor regions
VDSAT: Drain Saturation Voltage
VT: Threshold voltage where the channel appears.
Solución analítica: NMOS inverter with load resistance

Ejemplo: Calcula la corriente eléctrica y la potencia eléctrica disipada en el transistor NMOS
VT= Threeshold voltage

El voltage de la batería A es de 10 Voltios y el voltage in o voltage de la gate es igual a 10V.

Primero tendremos que ver si estamos en la región lineal o en saturación. No podemos estar
en cut-off ya que no se cumple la condición de que VT sea mayor que VGS.
Si es lineal, tendremos que el transistor obedece la ecuación de ID que hemos visto más arriba.
Por cómo funciona la estructura, no hay corriente de la Gate al semiconductor, por tanto,
como no hay tunneling, no hay corriente desde la Gate hasta la Source. Por lo que la corriente
de la gate será igual a la del drain.
Al resolver la ecuación encontramos dos soluciones matemáticas, pero vemos que el valor de
voltage igual a 16,8 V es imposible, ya que no se comportará como un transistor en estado
lineal y este valor será físicamente erróneo. Esta ecuación por tanto solo es válida para algunos
valores.
Por último, haremos un test:
El test es que el voltage VDS tiene que ser menor que 8V, y como vemos que se cumple.
La potencia disipada por tanto será igual a VDS·ID.
La potencia es el voltage por la intensidad o el P=V2/R.
Con esto hemos descubierto el funcionamiento de un inversor :

Este es el resumen de este circuito, cuando el input es 0, el output es 10V, pero cuando el
input es de 10V, el output es 0 (1,19V).
Hemos resuelto esto con solo dos puntos, pero

generalmente tendremos una curva de este tipo, en
la que los números de la izquierda se entienden como
1, mientras que los de la derecha se entienden como
0. Todo esto es digital, 0 ceros o 1.
Recientemente, hemos pasado de una señal

analógica, a una señal digital, en la que
entenderemos la señal como un 0 o un 1,
independientemente del efecto del ruido
Por tanto, vemos como la electrónica ha pasado a ser digital, ya que de esta forma se verá
menos afectada por el ruido.
Solución gráfica: NMOS inverter with load resistance

Enhancement NMOS transistor: No hay canal (OFF) cuando VGS=0
¿Cuáles son los voltajes y corrientes posibles en este circuito?

Lo veremos en la solución gráfica
Las corrientes del transistor son estas para diferentes Vg
Las corrientes del resistor son I=Vr·R. El VR=VA-VD.

Al resolver esto nos queda:
Con lo que la solución gráfica será así
Donde una solución será para el voltaje 0 y otra para el voltaje 10. Esta será otra manera de
resolver en la que en vez de trabajar con ecuaciones trabajamos con gráficos.
NMOS inverter with load resistance

Sorprendentemente, cuando hacemos
un circuito, es mucho más fácil hacer un
transistor que una resistencia. Pero
podemos hacer que un transistor
funcione como una resistencia.
¿Puede funcionar el circuito inversor

sin la resistencia?
No, pero debido a problemas de diseño
y a que es más fácil fabricar transistores,
utilizaremos resistencias como
transistores.
Ahora estudiaremos la historia de la electrónica:
1897: Descubrimiento del electrón

1897 J.J Thomson: Descubre el electrón
Con los tubos de vacío se descubrió que los rayos catódicos se ven afectados por los campos
eléctricos, permitiendo la verificación de la carga y la masa del electrón.
Ahora veremos el cambio desde la electrónica, a la microelectrónica y hasta la

nanoelectrónica. Para esto veremos como la evolución desde la electrónica a la
microelectrónica es una revolución, mientras que el cambio desde la microelectrónica a la
nanoelectrónica fue solo una evolución.
1906: First vacuum tube triode (“transistor”)

1906 el triodo fue patentado por Lee de Forest
Funcionaba como una lámpara donde en su interior se hacía vacío y se aplicaba un voltage
desde el ánodo al cátodo . El grid permitía, por tanto, fabricar un interruptor electrónico.
El triodo se utilizó durante la mitad del siglo como un amplificador y también como un
interruptor electrónico controlando las corrientes ON y OFF. Era el elemento básico en los
primeros ordenadores electrónicos.
En 1930 un transistor de estado sólido fue patentado por J.E.Lilienfeld en Canada y USA. Sin
éxito.
1945: Ordenadores con tubos de vacío y la revolución del estado sólido

1945 ENIAC (USA). ENIAC fue el primer gran ordenador electrónico. Fue utilizado para
operaciones militares. No tiene memoria y un programa diferente (operaciones diferentes) se
ejecutaba cambiando manualmente los cables (las operaciones podían tardar días). Pesaba 30
toneladas, ocupaba 180m3, tenía 18000 tubos de vacío y hacía 5000 adiciones por segundo.
Ahora, nuestros PCs, son capaces de realizar 109 operaciones por segundo.
En 1947 se produjo la gran revolución de los transistores, desaparecieron todos los tubos de
vacío y aparecieron los transistores bipolares
1947 el transistor bipolar de estado sólido

1947 Transistor Bipolar (germanium) por Bell Labs
William Shockley, Walter Brattain, and John
Bardeen
1954 Silicon Bipolar Transistor
Ahora mismo solo hay una pequeña industria que sigue trabajando con tubos de vacío, que es
la industria de amplificadores para guitarras eléctricas, ya que dicen que el sonido generado
mediante tubos de vacío es mejor.
1958: CMOS y circuitos integrados

Después se reinventó el MOSFET y se inventó el primer CMOS.
1958 first integrated circuit by Jack Kilby in Texas Instruments
1962 First integrated circuit with 16 transistors MOS
1968 First Complementary (CMOS) technology
Actualmente, el MOSFET que utilizamos ha mejorado muchísimo.
Ya que la luz no tiene carga, no hay repulsión con lo que no se pueden hacer tubos de vacío o
transistores con luz. Actualmente, hay muchas personas buscando nuevas revoluciones de la
electrónica, pero hay muchas personas que dicen que no se logrará superar al MOSFET por su
precio y características.
Esto es igual que con los superconductores, que, aunque sean una tecnología revolucionadora,
solo funcionan a temperaturas muy bajas con lo que no se han implementado industrialmente.
En el próximo día veremos como podemos fabricar puertas lógicas y memorias con
transistores.
Transistor MOS. Puertas lógicas y

memorias
Hoy resolveremos problemas del MOSFET con un modelo mucho más sencillo del que hemos
visto. Estudiaremos puertas lógicas con el transistor MOSFET y memorias. Este tipo de puertas
lógicas son las que se utilizan actualmente en los ordenadores y dispositivos que todos
tenemos.
Modelo simple FET

En este modelo, en vez de hablar de los tres modos de funcionamiento (saturación, cut-off y
linear) , simplemente planteamos un modo ON y otro modo OFF.
 Cuando el transistor está OFF no hay corriente (circuito abierto).

 Cuando el transistor está ON hay corriente (funciona como un cable)
Según si tenemos un PMOS o NMOS cambiará la relación entre el threshold voltage y el voltaje
gate-source.
Aquí no haremos un test ya que no lo necesitaremos y, para saber si nuestro transistor está
ON/OFF nos bastará con conocer el voltaje input (gate-source) con lo que estos circuitos serán
más fácilmente resolubles. Como vemos, el voltage en el gate controla que pase o no corriente
por el transistor. Este modelo simple será suficiente para aplicaciones digitales.
NMOS inverter con load resistance

Solución con el modelo ON/OFF:
En este problema no hemos definido VT, pero sabemos que debe tener un valor entre el “0”
lógico y el ”1” lógico. 0<VTT<Vcc
En este circuito tenemos un transistor NMOS, en el cual al aplicar “0” este transistor estará
apagado (OFF) con lo que como no pasará corriente por él y el output será “1”. Para este
modo del circuito no tendremos disipación.
Por otro lado, si aplicamos un voltage “1”, el NMOS estará ON y por tanto el transistor
funcionará como un cable y el output será cero. En este caso hay una potencia disipada igual a
; donde ID= 1 uA
Esta disipación térmica es uno de los problemas de los transistores, la disipación térmica nos
impide fabricar dispositivos más rápidos al trabajar a frecuencias más altas. Nuestro ordenador
trabajaría más rápido si no tuviésemos disipación térmica ya que en total tenemos 1010
transistores.
Inversor C-MOS: Fabricación

Mediante el C-MOS (transistor complementario de un NMOS y PMOS) podremos reducir la
disipación térmica. El circuito de la derecha es el inversor CMOS.
Vemos como el voltaje output se encuentra entre los dos transistores.
Este circuito lo podemos simplificar como:
Ahora veremos como fabricaremos este inversor CMOS, la fabricación de este dispositivo es
muy simple ya que únicamente necesitamos un transistor NMOS, que presenta un sustrato
(bulk) de silicio p y silicio n en la source y el drain. Cercano al NMOS tenemos un PMOS, en el
que tendremos un sustrato n y doparemos el source y el drain con silicio p+. Con lo que vemos
que no es complicado fabricar este transistor.
Para unir este circuito conectamos las gates del NMOS y PMOS juntas y el drain del NMOS con
el source del PMOS.
C-MOS inverter
Ahora estudiaremos qué es un inversor CMOS:
La corriente que fluye por llega hasta tierra es cero y, por tanto, el poder disipado es cero.
Solución con el modelo ON/OFF:

 Cuando tenemos voltaje (un input de “1”), este llega a los dos transistores que
actuarán de forma distinta al ser el de arriba PMOS (circuito abierto) y el otro NMOS
(cable). Con lo que nos queda que el ouput es “0”.
 Si analizamos el otro caso, al no tener voltage (un “0”), el transistor PMOS estará ON
(cable), mientras que el otro estará OFF (circuito abierto), con lo que el ouput será “1”.
Aún así, vemos como en este caso el potencial disipado en ambos casos es cero.
Por tanto, con esta combinación hemos sido capaces de fabricar un inversor que a diferencia
del transistor NMOS, no presenta en principio pérdida energética.
En la realidad sí que tenemos disipación en un inversor CMOS, que es el problema que tienen
los ordenadores actuales, ya que, aunque en las situaciones de “0” y “1” no tendremos
disipación de potencial, al cambiar de “0” a “1” sí, ya que, aunque creemos dispositivos
digitales, la respuesta de este circuito sigue siendo analógica.
Disipación en un inversor C-MOS

Como vemos aquí, al cambiar de un voltage de 0 voltios a un voltage de 5 voltios o viceversa,
tendremos una región en la que ocurre la disipación. Con lo que, aunque sea verdad que en
principio en posiciones estáticas no tendremos disipación, al producir cambios en el CMOS
tendremos disipación.
Esta disipación, la podemos entender sustituyendo las dos zonas gate de los transistores
NMOS y PMOS por un condensador que se carga y se descarga en un cierto tiempo. En esta
fórmula VDD es el voltaje que tenemos que cargar o descargar.
La potencia disipada (P) depende de las capacidades internas y la frecuencia con la que
carguemos o descarguemos ambos transistores, esta es la razón por la cual tenemos que
controlar la frecuencia a la que funciona el CMOS, para controlar el calor disipado y que no se
funda el circuito. Por tanto, vemos como el CMOS es mejor y preferible al PMOS y NMOS, ya
que no tiene disipación en estático, aunque sí la tiene al cambiar de voltage.
Otro límite de estos transistores será el tiempo que necesitan para cargarse y descargarse,
aunque actualmente, este no es el factor limitante sino la disipación térmica ya explicada.
Delay time: C-MOS inverter

Dentro del funcionamiento de este transistor nos podremos permitir tener algo de ruido sin
que nos afecte significativamente ya que en el sistema digital no nos afectarán los pequeños
cambios en el voltaje:
También hemos discutido como necesitamos algo de tiempo para pasar de un voltaje a otro.
Esto nos determinará cuanto tiempo necesitamos para cargar y descargar el transistor, sin
embargo, esto no será un problema importante ya que esta frecuencia es mucho menor que la
frecuencia máxima a la que podemos llegar sin que el dispositivo se sobrecaliente.
C-MOS NAND gate.

Ahora discutiremos una puerta lógica algo más complicada, la puerta NAND, en la que
tendremos dos entradas V1 y V2. Esta es una puerta NAND CMOS ya que podemos asegurar
que no haya disipación de potencia en estático (aunque sí la haya en dinámico). En este
circuito tendremos dos transistores PMOS arriba y otros dos NMOS abajo.
En todos estos casos la disipación debe ser cero, la clave para esto es evitar que haya contacto
entre el VA y el suelo. Para esto, cada transistor PMOS debe estar conectado con un transistor
NMOS para cada vez que se “abra” uno, se “cierre” el otro. Otra condición es que, si el PMOS
está en serie, el NMOS tiene que estar en paralelo, es decir que ambos deben estar
complementarios. Si se satisfacen estas condiciones estaremos ante un CMOS.
Para todos los casos, ID=0. P=I*V=0

Para comprobar esto resolveremos alguna de las entradas lógicas, si tenemos que V1=”1” y
V2=”1”, sabemos que los transistores NMOS funcionarán como un cable y los transistores
PMOS actuarán como un circuito abierto, con lo que está claro que el voltaje output será “0”.
Además, no será posible que llegue corriente desde v1 o v2 hasta el suelo.
En este circuito que hemos diseñado tenemos una parte N y

otra parte P, de forma que unos transistores tendrán que
están en paralelo y otros en serie.
Podemos, por tanto, construir varios tipos de puertas lógicas

CMOS con la condición de colocar los transistores NMOS y
PMOS de forma de forma que no haya nunca disipación de
potencial en estático.
Memorias con C-MOS: biestable

Ahora veremos el funcionamiento de las memorias. Una memoria es un dispositivo que en
teoría no tiene input y que debe estar en dos estados. Los circuitos que componen las
memorias y que vemos en el dibujo son inversores CMOS, que están conectados de forma que
este circuito no tenga input.
En este circuito podremos tener únicamente dos estados “0-1-0” o “1-0-1”, con lo que se
define como un dispositivo biestable (es decir, estable en un estado u otro). Esto por tanto se
podrá utilizar como una memoria.
RAM: Random Acces Memory

Para diseñar una buena memoria necesitamos una gran cantidad de celdas de memoria a las
que seamos capaces de acceder. Para esto crearemos una especie de matriz en la que
tendremos información en dos líneas, la Bit line y la Word line. De forma que podamos
podremos acceder fácilmente a un acceso. En general, las células de memoria (como hemos
visto arriba) se agrupan en grupos como se muestra en el dibujo, y tienen accesos aleatorios
para ser leídos o escritos.
Una célula se selecciona para la lectura o escritura seleccionando su Word line y bit line.
RAM: Static and Dynamic memories

Static memories (SRAM)
Para poder modificar estas memorias (que puedan ser tanto leídas como escritas), añadiremos
otros dos transistores Q5 y Q6 que están conectados a la Word line, y solo cuando la Word line
se activa estos dos transistores funcionarán como un cable, cuando no funcionarán como un
circuito abierto. Esto que estudiamos es una memoria estática o SRAM.
Este transistor solo estará encendido cuando apliquemos un voltaje en la Word line, que es
cuando tendremos acceso a ese punto mediante el cable. Esto nos permitirá acceder a esta
memoria y si ponemos en un bit line una batería de 10 V y en otra una batería de 0V
estaremos escribiendo esta memoria y cambiándola a “1-0-1”. Por otro lado, poniendo un
medidor al final de cada una de las bit line podremos conocer el estado de esta memoria
(lectura).
Por tanto, únicamente seremos capaces de escribir y leer teniendo una bit line y una Word
line. Esto es por lo que se denominan memoria de acceso aleatorio, ya que al acceder a una
línea en concreto estaremos abriendo todas las líneas de la Word line, pero ya que
necesitamos también de la Bit line, únicamente la celda de memoria que esté conectada con la
Word line y la bit line será escrita o leída, como vemos en el siguiente dibujo:
Esto es mucho más cómodo que tener que poner

un acceso a cada una de las celdas de memoria,
por tanto, esta tecnología es la utilizada en memorias y televisores en los que cada pixel tendrá
asignada información en el eje horizontal y vertical.
Dynamic memories (DRAM)

Por otro lado, tendremos otro tipo de memoria dinámica que será muy fácil de hacer
trabajando con un condensador ya que podremos cargarlo y descargarlo fácilmente. El
problema de este tipo de memorias es que estos condensadores están conectados a una
resistencia con lo que se cargan a sí mismos, por tanto, estas son memorias dinámicas que
necesitan ser refrescadas constantemente, por ejemplo, cada microsegundo.
Cada microsegundo el ordenador tendrá que realizar una lectura de la memoria, es decir una
actualización.
ROM: Read only memories

Son memorias que únicamente pueden ser leídas. Sí que pueden ser de alguna forma escritas,
pero mediante un mecanismo tan complejo que normalmente solo seremos capaces de
leerlas. La idea de estos dispositivos es que sean fáciles de leer, pero difíciles de escribir.
Esto que vemos aquí es la representación típica de un transistor MOSFET con una
característica especial: Tenemos dos tipos de gates, una select gate y una floating gate y
rodeándolas tendremos óxido de silicio (un dieléctrico).
Al aplicar un voltaje tendremos el siguiente diagrama de bandas:

Conociendo el threshold voltage sabremos si tenemos un “1” o un “0”, pero no podremos

cambiar el output, ya que para ello necesitaríamos un voltage de unos 25 voltios, con lo que no
podremos escribir en estas memorias.
EEPROM memory (Electrically erasable and programmable ROM).

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Nanoscience & Nanotechnology Antonio de la Torre Pérez

Electronic Devices (DE)

Transistor MOS. Estructura de

Discutiremos la región de trabajo, los MOSFET de tipo p y tipo n y la estructura de bandas de la

“Corriente controlada por la corriente” vs “Corriente controlada por el voltaje”.

Lo de abajo son algunos ejemplos de dispositivos.

Transistor Metal-Óxido-Semiconductor de efecto de campo

Para construir un N-MOSFET crecemos óxido de silicona encima de un sustrato de silicona de

¿Cómo funciona un transistor MOSFET?

La ecuación del condensador es:

Donde Vg es el voltaje en los extremos del condensador, y a partir de esta ecuación

MOSFET de tipo-p y de tipo-n

Regiones de trabajo de un condensador MOS

Regiones de trabajo del condensador MOS

Prácticamente no tenemos carga en el canal. Esto se produce cuando aplicamos un potencial

La superficie del semiconductor no tiene cargas eléctricas libres.

En este caso, la superficie del oxido-semiconductor está llena de electrones en un

Estructura de bandas en un condensador MOS

Función de trabajo (Workfunction): La diferencia entre el nivel de Fermi y el vaccum level.

Afinidad electrónica (Affinity): La diferencia entre la banda de conducción y el vaccum level.

Asunción ΦMS =ΦM- ΦS=0

Condición de banda plana ( Flat band condition)

ΦM depende del metal

ΦM (Al) es aproximadamente 4V, mientras que ΦM(Au) es aproximadamente 5,1 eV.

ΦS depende del doping del semiconductor.

En dispositivos reales, el diagrama de bandas tiene que ΦMS =ΦM- ΦS0.

Enhancement and depletion MOSFET

Transistor MOS característica I-V

Donde Vg es el voltage en la gate, y VT el threshold voltage.

Primera definición de un transistor de efecto de campo (FET)

Hasta 1945 se utilizaron por tanto tubos de vacío.

La idea del amplificador de estado sólido de JELilienfeld era la combinación de un resistor y

Definición del voltage de saturación VDSAT

VDSAT: Drain Saturation voltage

Definición de las regiones de un transistor FET

VDSAT: Drain Saturation voltage.

VT: Threshold voltage cuando el canal aparece.

¿Qué pasa si incrementamos el Gate voltage en las regiones de saturación y lineal?

¿Son las definiciones analíticas de ID entre las tres regiones continuas?

Tipos de transistores: Enhancement NMOS FET

Tipos de transistores: Depletion NMOS FET

Para un threshold voltage negativo hay corriente.

Para explicar el funcionamiento del MOSFET, escribimos la ecuación del condensador.

MOS transistor. Historia y

VDSAT: Drain Saturation Voltage

VT: Threshold voltage where the channel appears.

Solución analítica: NMOS inverter with load resistance

VT= Threeshold voltage

El voltage de la batería A es de 10 Voltios y el voltage in o voltage de la gate es igual a 10V.

Por último, haremos un test:

La potencia disipada por tanto será igual a VDS·ID.

La potencia es el voltage por la intensidad o el P=V2/R.

Con esto hemos descubierto el funcionamiento de un inversor :

Hemos resuelto esto con solo dos puntos, pero

Recientemente, hemos pasado de una señal

Solución gráfica: NMOS inverter with load resistance

¿Cuáles son los voltajes y corrientes posibles en este circuito?

Las corrientes del transistor son estas para diferentes Vg

Las corrientes del resistor son I=Vr·R. El VR=VA-VD.

Al resolver esto nos queda:

Con lo que la solución gráfica será así

NMOS inverter with load resistance