Dispositivos de tres terminales:

Características y principio de
funcionamiento TBJ
ELIANA ACURIO
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CONTENIDO
 INTRODUCCIÓN
 REPRESENTACIÓN
 OPERACIÓN
 CONFIGURACIONES
 BASE COMÚN
 EMISOR COMÚN
 COLECTOR COMÚN
 RESUMEN

E. Acurio
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OBJETIVO

Comprender el principio de
funcionamiento de un TBJ y sus
características más importantes

E. Acurio
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INTRODUCCIÓN
 El transistor bipolar de juntura (TBJ o BJT) fue
desarrollado en la Bell Telephone
Company por John Bardeen y Walter Houser +
Brattain bajo la dirección de William
Shockley en 1947.
 El TBJ se construye con 3-regiones de
semiconductor dopado, separadas por 2
junturas pn. Las 3-regiones se denominan
Emisor, Base, y Colector.
 Existen dos combinaciones posibles: p-n-p y
n-p-n.
 Las dimensiones reales del dispositivo son
muy importantes para el correcto
funcionamiento del mismo.
Fig 1. Estructura TBJ

E. Acurio
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REPRESENTACIÓN TBJ
 El emisor es una región muy dopada (baja
resistencia). Cuanto más dopaje tenga el emisor,
mayor cantidad de portadores podrá aportar a la
corriente.
 La base es muy estrecha y poco dopada, para
que tenga lugar poca recombinación en la
misma, y prácticamente toda la corriente que
proviene de emisor pase a colector. Si la base no
fuera estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabajar como si
de dos diodos en oposición se tratase [1].
 El colector ha de ser una zona menos dopada que
el emisor.

E. Acurio
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OPERACIÓN DEL TBJ
 Polarización base-emisor: La juntura B-E está
polarizada directamente. La barrera de
potencial disminuye esto hace que la corriente
Emisor- Base sea alta y se debe a los
portadores mayoritarios.
 Polarización base-colector: La juntura B-C está
polarizada inversamente. La barrera de
potencial es más grande. La pequeña
corriente que circula es la de saturación
inversa del diodo (IS) que se debe a los
portadores minoritarios [1].

E. Acurio
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OPERACIÓN DEL TBJ
 Polarización B-E y B-C: En la figura se muestran
los voltajes de polarización y la dirección [no
convencional] de las corrientes. En lo
dispositivos semiconductores sigue
cumpliéndose la ley de Kirchhoff: 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
 La corriente del Colector está formada por 2-
tipos de corriente: la de portadores
mayoritarios que viene desde el Emisor y la de
portadores minoritarios, esta última corriente es N P
P
la corriente de fuga y se la simboliza como
𝐼𝐶𝑂 = 𝐼𝐶𝐵𝑂 (se puede despreciar) [1].

𝐼𝐶 = 𝐼𝐶,𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜𝑠 + 𝐼𝐶𝐵𝑂
+ +

E. Acurio
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CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo no lineal, por lo tanto es necesario la representación gráfica de sus
características. Esto se realiza por dos conjuntos de curvas (entrada y salida).

BASE COMÚN (B-C) EMISOR COMÚN (E-C) COLECTOR COMÚN (C-C)

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN BASE-COMÚN
MALLA DE ENTRADA Configuración B-C para TBJ NPN y PNP

Aproximaciones de la curva de entrada

𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉
para el TBJ
de Si

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN BASE-COMÚN
MALLA DE SALIDA

Región activa normal (RAN): Los

amplificadores lineales [sin distorsión],
generalmente trabajan en esta región.
Conforme IE aumenta, también aumenta
IC en una magnitud casi igual.
Región de corte: Cuando el transistor se
encuentra en corte no circula corriente
por sus terminales (cuando IE = 0).
Región de saturación: se define como la
parte de las curvas características a la
izquierda de VCB = 0. Puede observarse el
incremento exponencial de IC para
pequeños incrementos de VCB.

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN BASE-COMÚN
MALLA DE SALIDA

Región activa normal (RAN):

Juntura BE polarizada directamente
Juntura BC polarizada inversamente

Región de corte:
Juntura BE polarizada inversamente
Juntura BC polarizada inversamente

Región de saturación:
Juntura BE polarizada directamente
Juntura BC polarizada directamente

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN BASE-COMÚN
 GANANCIA DE CORRIENTE EN BASE COMÚN:
 FACTOR 𝜶: Las corrientes IE e IC son  Para aplicaciones AC, en las que el
aproximadamente iguales. Y están punto de operación se mueve sobre las
relacionadas por un factor denominado alfa curvas características, la definición de
(𝛼) que se define como: 𝛼AC es :
𝐼
∆𝐼𝐶
𝛼𝐷𝐶 = 𝐼𝐶  corrientes en el punto de operación 𝛼𝐴𝐶 = ቤ𝑉
𝐸 ∆𝐼𝐸 𝐶𝐵=𝑐𝑡𝑒
0.925 ≤ 𝛼𝐷𝐶 ≤ 0.999
 Para la mayoría de los propósitos
𝐼𝑐 = 𝛼𝐷𝐶 . 𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵𝑂
prácticos 𝛼𝐷𝐶 y 𝛼𝐴𝐶 tienen valores
 𝛼𝐷𝐶 no es constante y depende del punto de bastante similares, permitiendo
trabajo seleccionado, aunque para muchos reemplazar la magnitud de la una por la
propósitos puede considerarse como un valor otra [1].
aproximadamente constante [1].

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN BASE-COMÚN
 AMPLIFICACIÓN DEL TRANSISTOR: B-común:
𝑍𝑖𝑛 es muy pequeña 10Ω ≤ 𝑍𝑖𝑛 ≤ 100Ω
𝑍𝑜 es muy alta 50𝐾Ω ≤ 𝑍𝑜 ≤ 1𝑀Ω
PD PI GANANCIA DE CORRIENTE:
𝑖𝑜 𝑖𝑐
𝐴𝑖 = =
𝑖𝑖𝑛 𝑖𝑒
GANANCIA DE VOLTAJE:
𝑣𝑜
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛
GANANCIA DE POTENCIA:
𝐴𝑝 = 𝐴𝑣 . 𝐴 𝑖

EJERCICIO
E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
MALLA DE ENTRADA Configuración E-C para TBJ NPN y PNP

Aproximaciones de la curva de entrada

𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉
para el TBJ
de Si

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
MALLA DE SALIDA

IB es del orden de los μA, mientras que IC

es del orden de los mA.
Región activa normal (RAN):
Juntura BE polarizada directamente
Juntura BC polarizada inversamente

Región de corte:
Juntura BE polarizada inversamente
Juntura BC polarizada inversamente

Región de saturación:
Juntura BE polarizada directamente
Juntura BC polarizada directamente
E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
MALLA DE SALIDA

La región de corte del transistor en E-

común no está bien definida como en el
caso B-común. Obsérvese que IC no es 0
cuando IB= 0 [1].
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶,𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜𝑠 + 𝐼𝐶𝐵𝑂
𝐼𝐶,𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑜𝑠 = 𝛼𝐷𝐶 . 𝐼𝐸
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 +𝐼𝐵

𝐼𝐶 = 𝛼𝐷𝐶 𝐼𝐶 +𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐵𝑂

𝛼𝐷𝐶 𝐼𝐶𝐵𝑂
𝐼𝐶 = .𝐼 +
1 − 𝛼𝐷𝐶 𝐵 1 − 𝛼𝐷𝐶

1
Si IB=0  𝐼𝐶 = 1−𝛼 . 𝐼𝐶𝐵𝑂 =𝐼𝐶𝐸𝑂
𝐷𝐶
E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
FACTOR BETA (β):

𝛼𝐷𝐶 Como IC es la corriente de salida e IB es la

𝛽𝐷𝐶 = de entrada, entonces 𝛃 vendría a ser la
1 − 𝛼𝐷𝐶
𝛽𝐷𝐶 ganancia de corriente del transistor en E-
𝛼𝐷𝐶 = común.
1 − 𝛽𝐷𝐶
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 +𝐼𝐵
10 ≤ 𝛽 ≤ 1000
Conforme 𝛼 aumenta, el porcentaje de 𝐼𝐸 = 𝛽𝐷𝐶 . 𝐼𝐵 +𝐼𝐶𝐸𝑂 +𝐼𝐵
corriente de Emisor que alcanza el Colector
también aumenta, por lo tanto 𝛽 también 𝐼𝐸 = (𝛽𝐷𝐶 +1). 𝐼𝐵 +𝐼𝐶𝐸𝑂
aumenta.
Como siempre, ICEO puede despreciarse,
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 . 𝐼𝐵 +𝐼𝐶𝐸𝑂 𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 . 𝐼𝐵 excepto a altas temperaturas donde las
corrientes de fuga incrementan en el
semiconductor [1].
E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
EJERCICIOS:

1. Un transistor tiene un β=100, IB=20μA, determine IC e IE.

2. Un transistor opera en la RAN y tiene una corriente IB=0.12 mA que genera una corriente IC de
19,5 mA ¿Qué corriente IC resulta para una IB=0.15 mA?

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
ANÁLISIS POR RECTA DE CARGA:
 La carga aplicada tiene un efecto
importante sobre el punto o región de
trabajo del transistor.
 Análisis gráfico: se traza una línea
(representación de la carga aplicada) sobre
las características de salida del dispositivo.
La intersección de la línea de carga con las
curvas características determinará el punto
de operación del sistema.
 Recta de carga estática (DC):
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶

1 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = − .𝑉 +  (y=mx+b)
𝑅𝐶 𝐶𝐸 𝑅𝐶

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
ANÁLISIS POR RECTA DE CARGA:
EJEMPLO: Para el circuito que se muestra se tiene que VCC=12V, RC= 1KΩ e IB=50μA. Determinar IC,
VCE, VRC y β. Utilice las curvas características de salida dadas.

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
ANÁLISIS POR RECTA DE CARGA:
EJEMPLO: Para el circuito que se muestra se tiene que VCC=12V, RC= 1KΩ e IB=50μA. Determinar IC,
VCE, VRC y β. Utilice las curvas características de salida dadas.

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
SATURACIÓN:
• Al incrementar IB también aumenta IC , mientras
que VC = VCE disminuye.
• El punto en el que al aumentar IB, la corriente IC
ya no puede incrementar más se conoce como
punto de saturación del transistor.
• Β ya no se mantiene constante.
• VCE disminuye, para el silicio VCE<sat>≈ 0.2V
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸<𝑠𝑎𝑡>
𝐼𝐶<𝑠𝑎𝑡> =
𝑅𝐶

𝐼𝐶<𝑠𝑎𝑡> 𝐼𝐶<𝑠𝑎𝑡>
𝐼𝐵<𝑠𝑎𝑡> =  𝐼𝐵,𝑚𝑖𝑛<𝑠𝑎𝑡> = 𝛽(𝑅𝐴𝑁)
𝛽

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN EMISOR-COMÚN
RESUMEN:

REGIÓN DE
IB ENTRADA IC SALIDA VCE SALIDA
OPERACIÓN
CORTE 0 0 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
ACTIVA NORMAL 0 < 𝐼𝐵 < 𝐼𝐵<𝑠𝑎𝑡> 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 0 < 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 ≥ 𝐼𝐵<𝑠𝑎𝑡> 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶<𝑠𝑎𝑡>
𝑉𝐶𝐸<𝑠𝑎𝑡> = 0.2𝑉
SATURACIÓN 𝐼𝐶<𝑠𝑎𝑡> 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸<𝑠𝑎𝑡>
𝐼𝐵<𝑠𝑎𝑡> = 𝐼𝐶<𝑠𝑎𝑡> = 𝑉𝐶𝐸<𝑠𝑎𝑡> = 0
𝛽 𝑅𝐶

E. Acurio
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CONFIGURACIÓN COLECTOR-COMÚN
Configuración C-C para TBJ NPN y PNP

 Se emplea fundamentalmente para

propósitos de acoplamiento de
impedancias ya que tiene una elevada
impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida.
 Para propósitos prácticos, las IE
características de salida de C-común son
las mismas que las de E-común.
 En las características de C-común los
parámetros que intervienen son IE en
función de VEC , para diferentes valores de
IB.

VEC
E. Acurio
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RESUMEN DE CONFIGURACIONES

E. Acurio
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RESUMEN

E. Acurio
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Bibliografía

1. C. Novillo, “Dispositivos Electrónicos”, 2002, EPN.

2. http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
3. https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf

E. Acurio