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VILLAREAL
INFORMTICA Y
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CIRCUITOS INTEGRADOS
HISTORIA
Los transistores empacados individualmente eran mucho ms pequeos que sus
predecesores, los tubos al vaco, pero los diseadores todava deseaban dispositivos
electrnicos ms pequeos. Lo que aumento la demanda de miniaturizacin y
motorizo la investigacin, en ese sentido fue el desarrollo del programa Americano de
Investigacin Espacial (American Space Program).
Desde algn tiempo atrs los ingenieros y cientficos haban estado pensando que
sera una buena idea tener disponibilidad para fabricar circuitos enteros en una sola
pieza de semiconductor.
La primera discusin pblica sobre esta idea se debe a un ingls experto en radares
llamado G.W.A. Summer, por un escrito publicado en 1952. De todas formas no fue
hasta el verano de 1958, que el Sr. Jack ClairKilby, justo meses despus de haber sido
contratado por la firma Texas Instruments, se propuso cambiar las cosas. Entonces
concibi el primer circuito electrnico cuyos componentes, tanto los activos como los
pasivos, estuviesen dispuestos en un solo pedazo de material, semiconductor, que
ocupaba la mitad de espacio de un clip para sujetar papeles.
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Slo unos meses despus, consigui la patente nmero 3.138.743 que reconoca su
trabajo. El xito de Kilby supuso la entrada del mundo en la microelectrnica. El aspecto
del circuito integrado era tan nimio, que se gan el apodo ingls que se le da a las astillas,
las briznas, los pedacitos de algo: chip.
El primer prototipo de Kilby fue un oscilador de fase y, a pesar de que las tcnicas de
manufactura subsecuentemente tomaran caminos diferentes a los tomados por Kilby,
el sigue teniendo el crdito de haber creado el primer verdadero circuito integrado.
. Hubo de pasar ms, mucho ms tiempo, para que sus mritos se vieran
recompensados como merecan: en el ao 2000, cuando ya contaba con 77
aos, Jack Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica.
Robert Noyce desarroll su propio circuito integrado, que patent unos seis meses
despus. Adems resolvi algunos problemas prcticos que posea el circuito de Kilby,
como el de la interconexin de todos los componentes; al simplificar la estructura del chip
mediante la adicin de metal en una capa final y la eliminacin de algunas de las
conexiones, el circuito integrado se hizo ms adecuado para su produccin en masa.
Adems de ser uno de los pioneros del circuito integrado, Robert Noyce tambin fue uno
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FAMILIAS LGICAS
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La familia lgica CMOS es, junto con la familia TTL una de las familias
lgicas ms populares. Emplea transistores MOSFET complementarios (canal
N y canal P) como elemento bsico de conmutacin.
FAMILIA CMOS ESTANDAR
La familia CMOS estndar comprende principalmente los dispositivos que
se designan como 40xx (4012, 4029, etc.) y 45xx(4528,4553,etc.), existen
dos gamas generales de dispositivos CMOS designados "A" y "B".
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EL PROCESO DE FABRICACIN DE
CIRCUITOS INTEGRADOS
Un circuito integrado est formado por un mono cristal de silicio de
superficie normalmente comprendida entre 1 y 10 mm de lado, que
contiene elementos activos y pasivos. En este captulo se describen
cualitativamente los procesos empleados en la fabricacin de tales circuitos.
Estos procesos son: Preparacin de la oblea, Crecimiento Epitaxial, Difusin
de Impurezas, Implantacin de Iones, Crecimiento del Oxido, Fotolitografa,
Grabado Qumico y Mentalizacin. Se emplea el proceso mltiple que ofrece
una excelente identidad de resultados en la produccin de un elevado
nmero de circuitos integrados a bajo costo. 2.1- TECNOLOGA DE LOS
CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLTICOS MICROELECTRNICA El trmino
"monoltico" se deriva de las palabras griegas mono que significa nico, y
litros que significa piedra. As un circuito integrado monoltico se construye
en una nica piedra o cristal de silicio. La palabra integrado se debe a que
todos los componentes del circuito: transistores, diodos, resistencias,
capacidades y sus interconexiones se fabrican como un ente nico.
Obsrvese que no se incluyen inductancias: una de las consecuencias de la
construccin de circuitos integrados semiconductores es precisamente que
no pueden conseguirse valores de inductancia prcticos. La variedad de
procesos con los que se fabrican estos circuitos se desarrollan sobre un
plano nico y por tanto puede hablarse de tecnologa plana.
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La oblea de silicio
El material base para el proceso de fabricacin viene en forma de una
oblea monocristalina ligeramente dopada. Estas obleas tienen un
dimetro entre 10 y 30 cm. y un espeso de, como mucho, un 1mm.Se
obtienen cortando un lingote monocristalino en rodajas muy finas.
Una mtrica importante es la densidad de defectos del material de
base. Las densidades de defectos altas hacen que se incremente el
porcentaje de circuitos no operativos y, consecuentemente fuerzan
un incremento en el coste del producto final.
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Fotolitografa
En cada paso de procesamiento, una cierta rea del chip se
enmascara utilizando una mscara ptica apropiada, de modo que el
paso de procesamiento deseado pueda ser aplicado de manera
selectiva a las regiones restantes. El paso de procesamiento puede
ser uno cualquiera de entre una amplia variedad de tareas: oxidacin,
grabacin, deposicin de metal, deposicin de polisilicio, implantacin
de iones.
La tcnica utilizada para realizar este enmascaramiento selectivo se
denomina fotolitografa
Oxidacin superficial:
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Exposicin:
Se sita muy prximo a la oblea una mscara con el patrn
que queremos transferir al silicio y se expone a continuacin a
luz ultravioleta. Donde la mscara es transparente, el
fotorresist se vuelve insoluble.
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Implantacin inica
Implantacin inica
Los dopantes se introducen en forma de iones dentro del
material.
El sistema de implantacin de iones dirige un haz de iones
purificados sobre la superficie del semiconductor y barre esta
con el haz.
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Materiales cermicos
Niveles de interconexin:
Materiales cermicos
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Niveles de interconexin:
Disipacin de Potencia
Retrasos de propagacin
tPLH = 11 ns
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tPHL = 7 ns
Transitorios de Corriente
Este efecto global se puede resumir como sigue: Siempre que una
salida TTL tipo ttem pasa de BAJO a ALTO, se consume una espiga de
corriente de la amplitud de la fuente de alimentacin V CC.
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Resistencia ms grandes
74ALS
Retraso de
Propagacin
9.5 ns
4 ns
Disipacin de
Potencia
2 mW
1.2 mW
Producto
VelocidadPotencia
19 pJ
4.8 pJ
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74
74S
74LS
74AS
74AL
S
74F
9.5
1.7
10
20
1.2
Producto Velocidad-Potencia(Pj)
90
60
19
13.6
4.8
18
125
45
200
70
100
10
20
20
40
20
33
VOH (min)
2.4
2.7
2.7
2.5
2.5
2.5
VOL (max)
0.4
0.5
0.5
0.5
0.4
0.5
VIH (min)
VIL (max)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
PARAMETROS DE
FUNCIONAMIENTO
PARAMETROS DE VOLTAJE
Voltaje de alimentacin
Las series 4000 y 74C funcionan con valores de V DD, que van de 3 a
15 V
Las series 74HC y 74RCT funcionan con un menor margen de 2 a 6 V.
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Niveles de voltaje
Cuando las salidas CMOS manejan slo entradas CMOS, los niveles de
voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado
bajo, y a VDD para el estado alto.
VOL
(MAX)
0V
VOH
(MIN)
VDD
VIL
(MAX)
30% VDD
VIH (MIN)
70% VDD
Inmunidad al ruido
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Disipacin de potencia
Factor de carga
Velocidad de conmutacin
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ENTRADAS CMOS
Series 4000/14000
Serie 74C
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Serie 74HCT
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TTL
74L
TTL Shottky
de baja
potencia (LS)
Fairchild
4000B CMOS
(con Vcc=5V)
Fairchild
4000B
CMOS (con
Vcc=10V)
10ns
33ns
5ns
40ns
20ns
Frecuencia
mxima de
funcionami
ento
35 MHz
3
MHz
45 MHz
8 MHz
16 MHz
Potencia
disipada
por puerta
10 mW
1
mW
2 mW
10 nW
10 nW
Margen de
ruido
admisible
1V
1V
0.8 V
2V
4V
Fan out
10
10
20
50*
50*
PARAMETR
O
TTL
estnda
r
Tiempo de
propagaci
n de puerta
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INTRODUCCION
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DESVENTAJAS DE LA EPROM
Se debe de sacar del circuito para poderlas borrar
Se debe borrar todo el chip
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El proceso de borrado se toma entre 15 y 30 minutos (este tiempo depende
del tipo de fabricante)
EPROM 27C256
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CARACTERISTICAS TECNICAS
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Memoria EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente del ingls
(ElectricalErasableProgrammableReadOnlyMemory).
Actualmente
estas
memorias se construyen con transistores de tecnologa MOS (Metal Oxide
Slice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la
diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada
compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible.
La programacin de estas memorias es similar a la programacin de la
EPROM, la cual se realiza por aplicacin de una tensin de 21 Voltios a la
compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una
carga elctrica, que es suficiente para encender los transistores y almacenar la
informacin.
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El borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones negativas sobre las
compuertas para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.
Ejemplo de memoria:
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