Dispositivos de tres terminales:

principio de funcionamiento
FET
ELIANA ACURIO
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CONTENIDO
 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
 JFET
 OPERACIÓN DE UN JFET
 CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DEL JFET
 CURVA DE TRANSFERENCIA
 TRANSCONDUCTANCIA DIRECTA DEL JFET
 RESUMEN

E. Acurio
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OBJETIVO

Comprender el principio de
funcionamiento y características
principales del transistor de efecto de
campo (FET).
E. Acurio
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TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
 Los TBJs son de utilidad en gran número de JUNTURA
aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes,
entre los que se encuentra su impedancia de JFET (Junction Field Effect
entrada bastante baja. Transistor) Schockley1952.
 El transistor de efecto campo elimina este
inconveniente en particular y pertenece a la COMPUERTA AISLADA
familia de dispositivos en los que existe un solo
tipo de portador de cargas, y por tanto, son MESFET (Metal-
unipolares. FET Semiconductor Field Effect
 Los FET consumen muy poca potencia, por lo Transistor) 1966
que su uso se ha extendido sobre todo en los
circuitos integrados [1]. MOSFET (Metal Oxide
 También encuentran aplicaciones en circuitos Semiconductor Field
de alta frecuencia. Effect
Transistor) Laboratorios
Bell 1960

Todos ellos pueden ser Canal-N o Canal-P

E. Acurio
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JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR (JFET)
CANAL N CANAL P
 El JFET es un tipo de transistor que opera con una
juntura polarizada inversamente para controlar la
corriente de un canal.
 La estructura básica de un FET está formada por
un semiconductor, de tipo n, por ejemplo, con dos
contactos óhmicos en sus extremos, uno de ellos S
denominado fuente o surtidor (source) y el otro D
conocido por el nombre de drenador o sumidero
(drain). El tercer electrodo G, denominddo puerta
o compuerta (gate), está constituido por dos
regiones de tipo P difundidas a ambos lados de la
estructura del semiconductor.

E. Acurio
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OPERACIÓN DE UN JFET
 La figura muestra los voltajes de polarización aplicados al
dispositivo de canal-N.
 𝑉𝐷𝐷 proporciona el voltaje Drenaje-a-Fuente y genera la
corriente de Drenaje-a-Fuente.
 𝑉𝐺𝐺 establece el voltaje inverso entre la Compuerta y la
Fuente.
 El JFET siempre opera con la juntura PN Compuerta-Fuente
polarizada inversamente . La polarización inversa de la
juntura Compuerta- Fuente con un voltaje de Compuerta
negativo produce una región desértica a lo largo de la
juntura PN , que se extiende en el canal-N y así incrementa
su resistencia restringiendo el ancho del canal. El ancho
del canal puede controlarse variando el voltaje de la
Compuerta, por tanto, también se puede controlar la
cantidad de corriente de Drenaje 𝐼𝐷 .

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CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DEL JFET
 Se considera primero el caso cuando el voltaje VGS
es cero. Esto se produce cortocircuitando la
Compuerta a la Fuente.
 Conforme VDD (es decir, VDS ) se incrementa desde
0V, ID incrementará proporcionalmente a través
del material tipo-N como se muestra en la curva
característica entre los puntos A y B. La resistencia
del canal en esta región básicamente se mantiene
constante REGIÓN ÓHMICA
 En el punto B la curva de ID comienza a ser
prácticamente constante. Conforme VDS se
incrementa a partir del punto B hacia el punto C,
el voltaje de polarización inversa VGS produce una
región desértica bastante grande para compensar
los incrementos de VDS , así ID se mantiene
relativamente constante [2].

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CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DEL JFET
 VOLTAJE PINCH-OFF Vp: (estrangulamiento,
estrechamiento). Está definido cuando VGS=0.
Es el valor de VDS para el cual ID empieza a ser
constante y este valor se denomina IDSS (Drain
to Source current with gate shorted).
 La ruptura ocurre en el punto C, cuando ID
empieza a incrementar rápidamente con
incrementos posteriores de VDS.
 La ruptura puede generar daños irreversibles,
por lo tanto los JFETs siempre deben operar
por debajo de la ruptura y dentro de la
región de corriente constante [entre los
puntos B y C del gráfico].

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CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DEL JFET
 Control de ID con VGS: La conducción de corriente a
través del canal se la realiza mediante la conexión
de un voltaje de polarización, VGG , desde la
Compuerta a la Fuente como se muestra en la figura
conforme VGS se hace más negativo, se produce La
familia de curvas características de Drenaje.
 Voltaje CUTOFF VGS<OFF>: Si se continúa
aumentando (negativamente) VGG , llega un
momento en que se cierra el canal e ID se hace 0. El
valor de VGS que hace que ID = 0 es el voltaje cutoff.
 Vp y VGS<OFF> siempre son iguales en magnitud pero
de signo opuesto.
 La operación básica del JFET canal-P, es la misma
que para el dispositivo canal-N, excepto que
requiere un VDD negativo y un VGS positivo [1].

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CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DEL JFET
 Resistencia Dinámica Controlada por Voltaje
del JFET: En la región óhmica, el JFET puede
emplearse como una resistencia variable.
 En las curvas características puede
observarse que la pendiente de cada curva
y, por tanto, la resistencia del dispositivo entre
el para VDS < VP es una función del voltaje
aplicado VGS.
 r0 resistencia dinámica cuando VGS=0.

𝑟0
𝑟𝑑 = 2
𝑉𝐺𝑆
1−
𝑉𝐺𝑆<𝑂𝐹𝐹>
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CURVA DE TRANSFERENCIA

 Se ha estudiado que el rango de valores de VGS desde 0V hasta VGS<off> controla la cantidad de
corriente de Drenaje. La curva de transferencia de un JFET tiene una forma aproximadamente
parabólica y puede expresarse como [2]:
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − ecuación de Shockley
𝑉𝐺𝑆<𝑂𝐹𝐹>
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TRANSCONDUCTANCIA DIRECTA DEL JFET
 gm (gfs o yfs): se la define como el cambio
en la corriente de Drenaje (∆𝐼𝐷 ) para un
cambio dado en el voltaje de Compuerta-
a-Fuente (∆𝑉𝐺𝑆 ) con el voltaje de Drenaje-
a-Fuente constante.
∆𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 𝑔𝑚 =
∆𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 1 −
𝑉𝐺𝑆<𝑂𝐹𝐹>

Cuando no se dispone del valor de gm0, se lo

puede calcular usando los valores de IDSS y
VGS<off>.
2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚0 =
𝑉𝐺𝑆<𝑂𝐹𝐹>

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RESUMEN

E. Acurio
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Bibliografía

1. https://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores%20de%20E
fecto%20Campo.pdf
2. C. Novillo, “Dispositivos Electrónicos”, 2002, EPN.
3. https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2666/mod_resource/content/1/electro_dis/ensenanzas-
tecnicas/electronica-de-dispositivos/tema-15.pdf

E. Acurio