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BJT Colector Común PNP

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INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA FÍSICA IV PROFESOR: VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO TRABAJO: BJT (PNP) COLECTOR COMÚN EQUIPO

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INTRODUCCIÓN Definición: El Transistor de Unión bipolar, abreviado como BJT, es un dispositivo electrónico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 uniones PN. Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La característica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en el circuito de salida mediante una corriente en el circuito de entrada. El transistor de unión bipolar, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

 Los BJT poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P ó N, y entre ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P ó N respectivamente.

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 Éste conjunto formará dos uniones PNP: Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor será del tipo PNP.

Transistor tipo PNP

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR La operación básica del transistor se describirá ahora empleando el transistor PNP. La operación del transistor NPN es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempeñan los electrones y los huecos. En la Figura A se ha redibujando el transistor PNP sin la polarización base a colector. El ancho de la región de agotamiento se ha reducido debido a la polarización aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Figura A.- Unión polarizada directamente de un transistor PNP.

Figura B.- Unión polarizada inversamente de un transistor PNP.

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con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. Sin embargo. En la Figura C. un gran número de portadores mayoritarios se difundirán a través de la unión p-n polarizada directamente dentro del material tipo n. en tanto que la otra presenta polarización directa. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la Terminal del emisor abierta = open). es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos 3 . en tanto que ICO se mide en micro amperes o nanoamperes. por tanto: Una unión p-n de un transistor está polarizada inversamente. por lo que sólo se presenta un flujo de portadores minoritarios. Nótense los anchos de las regiones de agotamiento. la corriente en el colector se determina completamente mediante la ecuación. que indican con toda claridad qué unión está polarizada directamente y cuál inversamente.Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor PNP. obtenemos IE = IC + IB Y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base. ambos potenciales de polarización se han aplicado a un transistor PNP. IC se mide en mili amperes.Recuérdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero. En resumen. IC = IC mayoritaria + ICO minoritaria En el caso de transistores de propósito general. Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 7 como si fuera un solo nodo. Por lo tanto. Como se indica en la figura 7. la corriente en el colector está formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 7. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente. Figura C. como se ilustra en la figura B..

En esta configuración se tiene ganancia de corriente. Si este aspecto no se trata de manera apropiada. pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad.. CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. Las mejoras en las técnicas de construcción han producido niveles bastante menores de ICO. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse. es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. CARÁCTERISTICAS Colector Común – Seguidor de tensión 4 . β = IC/IB Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento de impedancia.Notación y símbolos en la configuración de colector común. Figura D. contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común que es lo opuesto a las configuraciones de base común y de emisor común. Véase Figura D.amplios de temperatura. La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por β + 1. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.

se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece teniendo en cuenta: las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y corrientes que definen el funcionamiento del dispositivo. Todas las intensidades entran al transistor. 5 . El método analítico. lo que nos permitirá introducir el concepto de recta de carga en continua y al mismo tiempo conectar con los temas de ubicación y estabilidad del punto Q. Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo consiste básicamente en obtener el valor delas diferentes tensiones y corrientes que se establecen como incógnitas en el funcionamiento el mismo. se puede llevar a cabo de dos formas diferentes: analítica (realizando un análisis matemático de todas las ecuaciones implicadas) o gráfica ( recta de carga en continua). como se ha comentado anteriormente. como ya se sabe.Modelo Gráfico. El análisis del punto de trabajo de un dispositivo. PROCEDIMIENTO ANALÍTICO PARA EL CÁLCULO DEL PUNTO DE OPERACIÓN Punto de Operación (Q) En este punto se va a incidir de nuevo sobre ello. y las relaciones eléctricas del circuito de polarización usado. las ecuaciones que se obtienen del comportamiento del mismo. aunque de forma muy breve. según la región de funcionamiento (circuito equivalente).

que se podrían obtener también como representación de las ecuaciones que definen el comportamiento del transistor. Sobre estas curvas se traza la denominada recta de carga en continua (impuesta por el circuito eléctrico externo del transistor). hay que disponer en primer lugar de las curvas de funcionamiento del transistor (curvas características de entrada y salida).VBE) / (RB + (β + 1) * RB) Sustituyendo valores: IB = (30V – 0.IBRB = 0 IB = (VEE . El siguiente paso es determinar exactamente cuál de esos posibles puntos es el de funcionamiento.532 * 10-6) = 0.VBE . IC . EJEMPLOS NÚMERICOS RESUELTOS EJERCICIO 1 Determinar IB .532 µA IC = β * IB = 45 * (0. VCEQ para la siguiente red.2394 µA Ic max= Vcc / Rc = 30 volts / 2000 = 15 mA 6 . y los puntos de intersección de esta recta con las curvas del dispositivo establece los posibles puntos de trabajo Q.(β + 1) * IBRE .7 V) / (460KΩ + (46)*(2KΩ) IB = 0.Si se desea realizar el análisis gráfico. Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado: -IBRB – VBE –IERE+ VCC = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VEE .

7 +2.4k (31IB)=0 Resolviendo da IB = 53.20a contiene un transistor PNP en configuración colector común.VEE + IERE + VCE = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VCE = VEE .95V Y la tensión del nodo del colector es VC =-9 + 1k (31)53.35V-(-3.1x 10exp-6= -7.532µA) * (2KΩ) = 29. VCE =-7.95V)=-3.(β + 1) * IBRE VCE = 30V – (46) * (0.95V EJERCICO 2 El amplificador de la figura 4. obtener el punto Q. La tensión del nodo emisor es VE = 0 – 2.La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara: .40V. Solución: Aplicando la ley de Kirchhoff a lo largo de camino que evita las fuentes de corriente da -9+1K (31IB) + 51k IB + 0.4k (31IB)=-3.59mA.35V Por lo tanto. La figura 4. 7 .1uA e IC =1.20c muestra el punto de funcionamiento sobre las características de salida y esto confirma el funcionamiento activo.

Solución: a) Pto. b) Valor mínimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funcionamiento en este caso de T1 y T2. Trabajo / Vi = 10V Thevenin en la base de T1: 8 .EJERCICIO 3 En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con β1 = 50 y β2 = 20. determinar: a) Punto de funcionamiento (IC. VCE) de cada uno de los transistores para Vi 10V.

45V ⇒ Activa. .2 + [51IB1 + 1000IB1] ・ 10 IB1 = IB1 SAT = 1. VCE1 = VEC2 = VEB2 = .7 + (51IB1 + 1000IB1) ・ 10 IB1 = 0.0346mA = IB2 IC2 = β2 ・ IB2 = 0.385μA IC1 SAT = IB1 SAT ・ β = 0.Ecuación malla base T1 0.693μA IC1 = β1 ・ IB1 = 0. func.7 + 0.693mA Malla de colector de T2 VCC = IE2 ・ RE + VEC2 + (IE1 + IC2) ・ RC VEC2 = . . = 14. = 15.0692mA IC2 = βIB2 = 1.75V ⇒ Activa. b) Valor de Vi que sature al grupo de los transistores y pto.385mA 9 . .8Vi = IB1 − RT + VBE1 + (IE1 + IC2)RC = IB1RT + VBE1 + ((1 + β2)IB1 + β2β1IB1)RC ((Es un montaje Darlington en el sentido de que = β1 β2)) Para Vi = 10V: 8 = IB1 ・ 16 + 0. suposición correcta. . Malla colector T1: VCE = (1 + β2)β1 ・ IB1 ・ RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + β1)IB1 + β1β2IB1] ・ RC 30 = 21 ・ 50 ・ IB1 ・ 10 + 0.

13ma.5V.2 = 0.22V EJERCICIO 4 Esta rama no es otra que la que es común a las dos mayas y se encuentra. con un β=100. donde Vce es la tensión que cae en nuestro componente equivalente.8Vi = IB1 ・ RT + VBE1 SAT + (IB1 + IC2) ・ RC Vi = 19. conectada al emisor del transistor.2V VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0.13ma Ic=13ma.VCE1 = VCE SAT 1 = 0.3V=Ib*10KΩ Ib=1.13ma+13ma Ie=13.7V=0 1.9V 0. en la segunda y tercera en zona activa y en las dos últimas se encuentra saturado 10 . en este caso. claro esta. Habiendo averiguado la corriente de base y utilizando la formula Ic=β*Ib.13ma. Vbb–Ib*Rb–Vd=0 y Vcc– Ic*Rc–Vce. Lo único que resta por calcular es la corriente del emisor que ya dijimos que es la suma de las corrientes que circulan por las dos mayas. Basados en el circuito anterior.3V/10KΩ Ib=0. En la primera fila el transistor se encuentra en corte. entonces podemos decir que Ie=Ic+Ib Ie=0. la unión de las dos mayas. Reemplazamos los valores en la ecuación de la segunda maya: 12V–13ma*0. plantearemos una tabla que nos permite visualizar las diferentes zonas de trabajo de un transistor y las respuestas del mismo en las distintas regiones. Basándonos en los datos que conocemos calculamos: 2V–Ib*10KΩ-0.5V Vce=5.5KΩ-Vce=0 Vce=12V–6. Podemos plantear la ecuación de cada uno de los subcircuitos. por lo cual decimos que el mismo es emisor común. Reemplazamos nuestro circuito por un modelo equivalente manteniendo. podemos decir que Ic=100*0.7 + 0.

57*10-3 µA IC = β * IB =50 * (8.7 V) / (260KΩ + (25)*(5KΩ) IB = 8.IBRB = 0 IB = (VEE .VBE) / (RB + (β + 1) * IB) Sustituyendo valores: IB = (5V – 1. IC . VCEQ para la siguiente red.2571 µA 11 .57*10-9) = 0.EJERCICIO 5 Determinar IB .(β + 1) * IBRE .VBE . 25 260 5K 50 V Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado: -IBRB – VBE –IERE+ VCC = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VEE .

3 ∧ = 14.21 (vemos que Zi ≅ hib) b) Ω Ω c) Ω Ω 12 . determine: a) Zi b) Z0 d) Av e) Ai a) Zi = RE || hib = 2.Ic max= Vcc / Rc = 40 volts / 2000 = 15 mA La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara: .(β + 1) * IBRE VCE = 50V – (25) * (8.2 k∧ || 14.VEE + IERE + VCE = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VCE = VEE .57*10-9 ) * (5KΩ) = 49.99V EJERCICIO 6 Para la red de la figura.

d) Ai ≅ hfb = -1 EJERCICIO 7 Determinar VC y VB para la siguiente red.48V VB = IBRB VB = (83 * 10-6) (100 KΩ) = 8.73 mA La aplicación de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara: VC = RC * IC VC = (1.73mA) = 4.VBE / RB Sustituyendo valores: IB = 9V – 0.3V 13 . Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dará por resultado: IBRB + VBE – VCC = 0 IB = VCC .7 V / 100KΩ IB = 83 µA Para IC se realiza lo siguiente: IC = β * IB IC = 45 * (83 * 10-6) = 3.2 KΩ) (3.

La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de entrada: La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida 14 .EJERCICIO 8 Determinar VCEQ para la siguiente red.

Ic con su simulación.* PROBLEMA 9 Para el siguiente circuito calcular Ib. Ie. R1=20k R2=2K Vcc=3v Vce=18v 15 .

6 A 16 .99 A 30*1.9( )=59.PROBLEMA 10 1ºMETODO LEYES DE KIRCHOFF 2º PROCEDIMIENTO − − − − − − − UBICAR LAS MALLAS DIRECCIONAR LAS CORRIENTES APLICAR LAS LEYES DE KIRCHOFF DESPEJAR OBTENIDA LA CORRIENTE DE BASE VOLVEMOS A LA ECUACION DE KIRCHOFF ORIGINAL DESPEJAMOS Vce OBTENEMOS PUNTO Q 3ºANALISIS DEL CIRCUITO Del siguiente circuito calcular el punto Q de trabajo para que pueda amplificar. 10-.7/3K+30+1(150K)=1.

6µA)(2K)=-10.-10-(59.VBE / RB Sustituyendo valores: Para IC se realiza lo siguiente: La aplicación de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara: VC = RC * IC 4ºPOLARIZAR PUNTO DE OPERACIÓN 5º grafica (RECTA DE CARGA) 6º SIMULACIÓN 17 .6µA)(3K)-(61.3 La aplicación de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dará por resultado: IBRB + VBE – VCC = 0 IB = VCC .

.Dibuja el diagrama de configuración de colector común.¿Cuántas y cuáles son las terminales de este dispositivo? 3..¿Cómo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa? 9..¿Qué es un BJT? 2.¿Qué es la zona de corte? 18 ...¿Qué es la zona de saturación? 10..¿Cuándo un BJT es del tipo PNP o NPN? 4..Dibuja las diferentes configuraciones del BJT 5.¿En que se utiliza la configuración de colector común y por qué? 7. 8...Menciona los tres tipos de polarización para el BJT 6..CUESTIONARIO 1.

.CUESTIONARIO 1. Base (B) y Colector (C).. el transistor será del tipo PNP. 6. el transistor será del tipo NPN..¿En que se utiliza la configuración de colector común y por qué? 19 . Polarización por Divisor de Tensión.. construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN. Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N..¿Qué es un BJT? R= es un dispositivo electrónico semiconductor.¿Cuántas y cuáles son las terminales de este dispositivo? R= Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E). 3. Polarización por Realimentación del Colector.¿Cuándo un BJT es del tipo PNP o NPN? R= Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P. 4..Menciona los tres tipos de polarización para el BJT R= Polarización por Base. 2.Dibuja las diferentes configuraciones del BJT R= 5.

20 ... contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común 7.. se debe de polarizar la unión J1 directamente y la unión J2 inversamente. el punto de corte es casi idéntico al extremo inferior de la recta de carga.¿Cómo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa? R= Para que un transistor funcione en la zona activa. 9. el punto de saturación es casi idéntico al extremo superior de la recta de carga. Como la tensión colector-emisor en saturación es muy pequeña. Como la corriente de colector en corte es muy pequeña..R= Se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.¿Qué es la zona de saturación? R= El punto de saturación es el punto en que la recta de carga corta la zona de saturación de las curvas de salida. 10.Dibuja el diagrama de configuración de colector común. R= Configuración de colector acoplamiento de impedancia común utilizado para propósitos de 8.¿Qué es la zona de corte? R= El punto de corte es el punto en el que la recta carga corta a la zona de corte de las curvas de salida.

cl/bmonteci/s emic/applets/pagina_tbj/pag_tbj. Kiver Editorial: Marconbo Lugar de impresión: España Nº de edición primera Capítulos: 14 No de páginas: 650 Título: Circuitos electrónicos (análisis.ht m (CONSULTADA EL 20/07/2011) 21 .REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS Título: Principios de electrónica Autor: Malvino Albert Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Nº de edición: Quinta Capítulos: 24 Nº de páginas: 1048 Título: Electrónica transistorizada e integrada Autor: Milton S.doctorproaudio.ufro. Malik Editorial: Prentice Hall Lugar de impresión: España Capítulos: 14 y 3apendices No de edición: primera No de páginas: 1123 Título: Dispositivos Semiconductores Autor: Jasprin Singh Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Capítulos: 7 No de edición: primera No de páginas: 629 Título: Circuitos electrónicos aplicaciones Autor: Bernard Grob Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Capítulos: 18 No de edición: primera No de páginas: 358 y REFERENCIAS ELECTRÓNICAS http://www. simulación y diseño) Autor: Robert R.inele.com/doc tor/temas/impedancia.htm (CONSULTADA EL 20/07/2011) http://www.

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->