INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA FÍSICA IV PROFESOR: VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO TRABAJO: BJT (PNP) COLECTOR COMÚN EQUIPO

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INTRODUCCIÓN Definición: El Transistor de Unión bipolar, abreviado como BJT, es un dispositivo electrónico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 uniones PN. Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La característica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en el circuito de salida mediante una corriente en el circuito de entrada. El transistor de unión bipolar, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

 Los BJT poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P ó N, y entre ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P ó N respectivamente.

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 Éste conjunto formará dos uniones PNP: Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor será del tipo PNP.

Transistor tipo PNP

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR La operación básica del transistor se describirá ahora empleando el transistor PNP. La operación del transistor NPN es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempeñan los electrones y los huecos. En la Figura A se ha redibujando el transistor PNP sin la polarización base a colector. El ancho de la región de agotamiento se ha reducido debido a la polarización aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Figura A.- Unión polarizada directamente de un transistor PNP.

Figura B.- Unión polarizada inversamente de un transistor PNP.

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por lo que sólo se presenta un flujo de portadores minoritarios. Nótense los anchos de las regiones de agotamiento. la corriente en el colector se determina completamente mediante la ecuación. obtenemos IE = IC + IB Y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base. IC = IC mayoritaria + ICO minoritaria En el caso de transistores de propósito general. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la Terminal del emisor abierta = open). ambos potenciales de polarización se han aplicado a un transistor PNP. en tanto que la otra presenta polarización directa. en tanto que ICO se mide en micro amperes o nanoamperes. un gran número de portadores mayoritarios se difundirán a través de la unión p-n polarizada directamente dentro del material tipo n. que indican con toda claridad qué unión está polarizada directamente y cuál inversamente.Recuérdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero. por tanto: Una unión p-n de un transistor está polarizada inversamente. Por lo tanto. como se ilustra en la figura B. Sin embargo..Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor PNP. la corriente en el colector está formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 7. IC se mide en mili amperes. Como se indica en la figura 7. En resumen. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente. Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 7 como si fuera un solo nodo. Figura C. es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos 3 . En la Figura C. con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica.

CARÁCTERISTICAS Colector Común – Seguidor de tensión 4 . La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. Las mejoras en las técnicas de construcción han producido niveles bastante menores de ICO. contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común que es lo opuesto a las configuraciones de base común y de emisor común. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por β + 1..amplios de temperatura. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse. β = IC/IB Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento de impedancia.Notación y símbolos en la configuración de colector común. es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. En esta configuración se tiene ganancia de corriente. Figura D. Si este aspecto no se trata de manera apropiada. Véase Figura D. pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad.

El análisis del punto de trabajo de un dispositivo. según la región de funcionamiento (circuito equivalente). se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece teniendo en cuenta: las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y corrientes que definen el funcionamiento del dispositivo. como ya se sabe. se puede llevar a cabo de dos formas diferentes: analítica (realizando un análisis matemático de todas las ecuaciones implicadas) o gráfica ( recta de carga en continua). PROCEDIMIENTO ANALÍTICO PARA EL CÁLCULO DEL PUNTO DE OPERACIÓN Punto de Operación (Q) En este punto se va a incidir de nuevo sobre ello. 5 . El método analítico. Todas las intensidades entran al transistor. y las relaciones eléctricas del circuito de polarización usado. las ecuaciones que se obtienen del comportamiento del mismo. lo que nos permitirá introducir el concepto de recta de carga en continua y al mismo tiempo conectar con los temas de ubicación y estabilidad del punto Q. como se ha comentado anteriormente. Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo consiste básicamente en obtener el valor delas diferentes tensiones y corrientes que se establecen como incógnitas en el funcionamiento el mismo. aunque de forma muy breve.Modelo Gráfico.

(β + 1) * IBRE . EJEMPLOS NÚMERICOS RESUELTOS EJERCICIO 1 Determinar IB .Si se desea realizar el análisis gráfico. y los puntos de intersección de esta recta con las curvas del dispositivo establece los posibles puntos de trabajo Q. VCEQ para la siguiente red. El siguiente paso es determinar exactamente cuál de esos posibles puntos es el de funcionamiento. Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado: -IBRB – VBE –IERE+ VCC = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VEE . Sobre estas curvas se traza la denominada recta de carga en continua (impuesta por el circuito eléctrico externo del transistor). que se podrían obtener también como representación de las ecuaciones que definen el comportamiento del transistor.VBE) / (RB + (β + 1) * RB) Sustituyendo valores: IB = (30V – 0.2394 µA Ic max= Vcc / Rc = 30 volts / 2000 = 15 mA 6 . hay que disponer en primer lugar de las curvas de funcionamiento del transistor (curvas características de entrada y salida).IBRB = 0 IB = (VEE .VBE .532 µA IC = β * IB = 45 * (0.532 * 10-6) = 0.7 V) / (460KΩ + (46)*(2KΩ) IB = 0. IC .

20a contiene un transistor PNP en configuración colector común.95V)=-3. Solución: Aplicando la ley de Kirchhoff a lo largo de camino que evita las fuentes de corriente da -9+1K (31IB) + 51k IB + 0.95V EJERCICO 2 El amplificador de la figura 4.35V Por lo tanto. VCE =-7.4k (31IB)=-3.59mA.La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara: .40V. 7 .532µA) * (2KΩ) = 29.1uA e IC =1.1x 10exp-6= -7.4k (31IB)=0 Resolviendo da IB = 53.20c muestra el punto de funcionamiento sobre las características de salida y esto confirma el funcionamiento activo. obtener el punto Q.35V-(-3. La figura 4. La tensión del nodo emisor es VE = 0 – 2.7 +2.(β + 1) * IBRE VCE = 30V – (46) * (0.95V Y la tensión del nodo del colector es VC =-9 + 1k (31)53.VEE + IERE + VCE = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VCE = VEE .

Solución: a) Pto. Trabajo / Vi = 10V Thevenin en la base de T1: 8 . determinar: a) Punto de funcionamiento (IC. b) Valor mínimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funcionamiento en este caso de T1 y T2. VCE) de cada uno de los transistores para Vi 10V.EJERCICIO 3 En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con β1 = 50 y β2 = 20.

7 + 0.7 + (51IB1 + 1000IB1) ・ 10 IB1 = 0. = 14. . = 15.8Vi = IB1 − RT + VBE1 + (IE1 + IC2)RC = IB1RT + VBE1 + ((1 + β2)IB1 + β2β1IB1)RC ((Es un montaje Darlington en el sentido de que = β1 β2)) Para Vi = 10V: 8 = IB1 ・ 16 + 0.385μA IC1 SAT = IB1 SAT ・ β = 0. func.0346mA = IB2 IC2 = β2 ・ IB2 = 0.75V ⇒ Activa. suposición correcta. .45V ⇒ Activa.2 + [51IB1 + 1000IB1] ・ 10 IB1 = IB1 SAT = 1. .385mA 9 .Ecuación malla base T1 0. .693mA Malla de colector de T2 VCC = IE2 ・ RE + VEC2 + (IE1 + IC2) ・ RC VEC2 = .0692mA IC2 = βIB2 = 1. Malla colector T1: VCE = (1 + β2)β1 ・ IB1 ・ RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + β1)IB1 + β1β2IB1] ・ RC 30 = 21 ・ 50 ・ IB1 ・ 10 + 0. b) Valor de Vi que sature al grupo de los transistores y pto.693μA IC1 = β1 ・ IB1 = 0. VCE1 = VEC2 = VEB2 = .

2 = 0. donde Vce es la tensión que cae en nuestro componente equivalente. Lo único que resta por calcular es la corriente del emisor que ya dijimos que es la suma de las corrientes que circulan por las dos mayas.13ma+13ma Ie=13. conectada al emisor del transistor.5V. Podemos plantear la ecuación de cada uno de los subcircuitos.VCE1 = VCE SAT 1 = 0.5V Vce=5. en este caso. Vbb–Ib*Rb–Vd=0 y Vcc– Ic*Rc–Vce.3V=Ib*10KΩ Ib=1. Reemplazamos los valores en la ecuación de la segunda maya: 12V–13ma*0. con un β=100.8Vi = IB1 ・ RT + VBE1 SAT + (IB1 + IC2) ・ RC Vi = 19. en la segunda y tercera en zona activa y en las dos últimas se encuentra saturado 10 .2V VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0. Basándonos en los datos que conocemos calculamos: 2V–Ib*10KΩ-0.7V=0 1.13ma.9V 0. Habiendo averiguado la corriente de base y utilizando la formula Ic=β*Ib. claro esta. Basados en el circuito anterior.5KΩ-Vce=0 Vce=12V–6. plantearemos una tabla que nos permite visualizar las diferentes zonas de trabajo de un transistor y las respuestas del mismo en las distintas regiones.22V EJERCICIO 4 Esta rama no es otra que la que es común a las dos mayas y se encuentra.3V/10KΩ Ib=0.7 + 0. Reemplazamos nuestro circuito por un modelo equivalente manteniendo. entonces podemos decir que Ie=Ic+Ib Ie=0. por lo cual decimos que el mismo es emisor común. En la primera fila el transistor se encuentra en corte. podemos decir que Ic=100*0.13ma Ic=13ma. la unión de las dos mayas.13ma.

57*10-3 µA IC = β * IB =50 * (8.VBE) / (RB + (β + 1) * IB) Sustituyendo valores: IB = (5V – 1.IBRB = 0 IB = (VEE .2571 µA 11 . VCEQ para la siguiente red.VBE .57*10-9) = 0. IC .(β + 1) * IBRE . 25 260 5K 50 V Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado: -IBRB – VBE –IERE+ VCC = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VEE .7 V) / (260KΩ + (25)*(5KΩ) IB = 8.EJERCICIO 5 Determinar IB .

determine: a) Zi b) Z0 d) Av e) Ai a) Zi = RE || hib = 2.21 (vemos que Zi ≅ hib) b) Ω Ω c) Ω Ω 12 .VEE + IERE + VCE = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VCE = VEE .57*10-9 ) * (5KΩ) = 49.Ic max= Vcc / Rc = 40 volts / 2000 = 15 mA La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara: .99V EJERCICIO 6 Para la red de la figura.(β + 1) * IBRE VCE = 50V – (25) * (8.3 ∧ = 14.2 k∧ || 14.

Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dará por resultado: IBRB + VBE – VCC = 0 IB = VCC .2 KΩ) (3.7 V / 100KΩ IB = 83 µA Para IC se realiza lo siguiente: IC = β * IB IC = 45 * (83 * 10-6) = 3.48V VB = IBRB VB = (83 * 10-6) (100 KΩ) = 8.3V 13 .d) Ai ≅ hfb = -1 EJERCICIO 7 Determinar VC y VB para la siguiente red.73mA) = 4.VBE / RB Sustituyendo valores: IB = 9V – 0.73 mA La aplicación de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara: VC = RC * IC VC = (1.

La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de entrada: La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida 14 .EJERCICIO 8 Determinar VCEQ para la siguiente red.

Ic con su simulación. Ie. R1=20k R2=2K Vcc=3v Vce=18v 15 .* PROBLEMA 9 Para el siguiente circuito calcular Ib.

PROBLEMA 10 1ºMETODO LEYES DE KIRCHOFF 2º PROCEDIMIENTO − − − − − − − UBICAR LAS MALLAS DIRECCIONAR LAS CORRIENTES APLICAR LAS LEYES DE KIRCHOFF DESPEJAR OBTENIDA LA CORRIENTE DE BASE VOLVEMOS A LA ECUACION DE KIRCHOFF ORIGINAL DESPEJAMOS Vce OBTENEMOS PUNTO Q 3ºANALISIS DEL CIRCUITO Del siguiente circuito calcular el punto Q de trabajo para que pueda amplificar.7/3K+30+1(150K)=1.99 A 30*1. 10-.6 A 16 .9( )=59.

6µA)(3K)-(61.6µA)(2K)=-10.3 La aplicación de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dará por resultado: IBRB + VBE – VCC = 0 IB = VCC .-10-(59.VBE / RB Sustituyendo valores: Para IC se realiza lo siguiente: La aplicación de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara: VC = RC * IC 4ºPOLARIZAR PUNTO DE OPERACIÓN 5º grafica (RECTA DE CARGA) 6º SIMULACIÓN 17 .

¿Qué es la zona de saturación? 10.¿Qué es un BJT? 2.¿Cómo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa? 9.¿Qué es la zona de corte? 18 .¿Cuándo un BJT es del tipo PNP o NPN? 4.Dibuja las diferentes configuraciones del BJT 5.Menciona los tres tipos de polarización para el BJT 6.¿Cuántas y cuáles son las terminales de este dispositivo? 3...CUESTIONARIO 1.....Dibuja el diagrama de configuración de colector común..¿En que se utiliza la configuración de colector común y por qué? 7... 8..

..Menciona los tres tipos de polarización para el BJT R= Polarización por Base.¿En que se utiliza la configuración de colector común y por qué? 19 . el transistor será del tipo NPN..¿Qué es un BJT? R= es un dispositivo electrónico semiconductor.Dibuja las diferentes configuraciones del BJT R= 5.. 4..¿Cuántas y cuáles son las terminales de este dispositivo? R= Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E). Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N. 2. Polarización por Realimentación del Colector.. Base (B) y Colector (C).¿Cuándo un BJT es del tipo PNP o NPN? R= Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P. Polarización por Divisor de Tensión. 3. 6. construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN. el transistor será del tipo PNP.CUESTIONARIO 1.

¿Qué es la zona de corte? R= El punto de corte es el punto en el que la recta carga corta a la zona de corte de las curvas de salida. el punto de corte es casi idéntico al extremo inferior de la recta de carga.. R= Configuración de colector acoplamiento de impedancia común utilizado para propósitos de 8.R= Se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. Como la corriente de colector en corte es muy pequeña.. se debe de polarizar la unión J1 directamente y la unión J2 inversamente... contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común 7.¿Cómo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa? R= Para que un transistor funcione en la zona activa. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. 9.¿Qué es la zona de saturación? R= El punto de saturación es el punto en que la recta de carga corta la zona de saturación de las curvas de salida. Como la tensión colector-emisor en saturación es muy pequeña. 10. el punto de saturación es casi idéntico al extremo superior de la recta de carga. 20 .Dibuja el diagrama de configuración de colector común.

ht m (CONSULTADA EL 20/07/2011) 21 . Kiver Editorial: Marconbo Lugar de impresión: España Nº de edición primera Capítulos: 14 No de páginas: 650 Título: Circuitos electrónicos (análisis.inele.doctorproaudio.cl/bmonteci/s emic/applets/pagina_tbj/pag_tbj. Malik Editorial: Prentice Hall Lugar de impresión: España Capítulos: 14 y 3apendices No de edición: primera No de páginas: 1123 Título: Dispositivos Semiconductores Autor: Jasprin Singh Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Capítulos: 7 No de edición: primera No de páginas: 629 Título: Circuitos electrónicos aplicaciones Autor: Bernard Grob Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Capítulos: 18 No de edición: primera No de páginas: 358 y REFERENCIAS ELECTRÓNICAS http://www.REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS Título: Principios de electrónica Autor: Malvino Albert Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Nº de edición: Quinta Capítulos: 24 Nº de páginas: 1048 Título: Electrónica transistorizada e integrada Autor: Milton S.com/doc tor/temas/impedancia.htm (CONSULTADA EL 20/07/2011) http://www.ufro. simulación y diseño) Autor: Robert R.

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