INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA FÍSICA IV PROFESOR: VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO TRABAJO: BJT (PNP) COLECTOR COMÚN EQUIPO

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INTRODUCCIÓN Definición: El Transistor de Unión bipolar, abreviado como BJT, es un dispositivo electrónico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 uniones PN. Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La característica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en el circuito de salida mediante una corriente en el circuito de entrada. El transistor de unión bipolar, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

 Los BJT poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P ó N, y entre ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P ó N respectivamente.

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 Éste conjunto formará dos uniones PNP: Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor será del tipo PNP.

Transistor tipo PNP

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR La operación básica del transistor se describirá ahora empleando el transistor PNP. La operación del transistor NPN es exactamente igual si se intercambian los papeles que desempeñan los electrones y los huecos. En la Figura A se ha redibujando el transistor PNP sin la polarización base a colector. El ancho de la región de agotamiento se ha reducido debido a la polarización aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al tipo n.

Figura A.- Unión polarizada directamente de un transistor PNP.

Figura B.- Unión polarizada inversamente de un transistor PNP.

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la corriente en el colector se determina completamente mediante la ecuación. en tanto que la otra presenta polarización directa. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga y se simboliza mediante ICO (corriente IC con la Terminal del emisor abierta = open). IC = IC mayoritaria + ICO minoritaria En el caso de transistores de propósito general. En resumen. con un flujo de portadores mayoritario y minoritario que se indica. un gran número de portadores mayoritarios se difundirán a través de la unión p-n polarizada directamente dentro del material tipo n. como se ilustra en la figura B. por lo que sólo se presenta un flujo de portadores minoritarios. IC se mide en mili amperes. por tanto: Una unión p-n de un transistor está polarizada inversamente. ICO como Is para un diodo polarizado inversamente.Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor PNP.. la corriente en el colector está formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la figura 7. es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se consideren aplicaciones de intervalos 3 . Por lo tanto. Sin embargo. Figura C. que indican con toda claridad qué unión está polarizada directamente y cuál inversamente. Como se indica en la figura 7. Nótense los anchos de las regiones de agotamiento. Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 7 como si fuera un solo nodo. en tanto que ICO se mide en micro amperes o nanoamperes. En la Figura C. ambos potenciales de polarización se han aplicado a un transistor PNP. obtenemos IE = IC + IB Y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base.Recuérdese que el flujo de portadores mayoritarios es cero.

debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. Véase Figura D. En esta configuración se tiene ganancia de corriente. es posible que la estabilidad de un sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por β + 1..Notación y símbolos en la configuración de colector común. La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. CARÁCTERISTICAS Colector Común – Seguidor de tensión 4 . al grado de que su efecto puede a menudo ignorarse. Si este aspecto no se trata de manera apropiada. β = IC/IB Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento de impedancia. Figura D.amplios de temperatura. contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común que es lo opuesto a las configuraciones de base común y de emisor común. CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia. Las mejoras en las técnicas de construcción han producido niveles bastante menores de ICO.

5 . según la región de funcionamiento (circuito equivalente). El análisis del punto de trabajo de un dispositivo. se puede llevar a cabo de dos formas diferentes: analítica (realizando un análisis matemático de todas las ecuaciones implicadas) o gráfica ( recta de carga en continua). aunque de forma muy breve. y las relaciones eléctricas del circuito de polarización usado. las ecuaciones que se obtienen del comportamiento del mismo. El método analítico. lo que nos permitirá introducir el concepto de recta de carga en continua y al mismo tiempo conectar con los temas de ubicación y estabilidad del punto Q. Todas las intensidades entran al transistor. como se ha comentado anteriormente. como ya se sabe. PROCEDIMIENTO ANALÍTICO PARA EL CÁLCULO DEL PUNTO DE OPERACIÓN Punto de Operación (Q) En este punto se va a incidir de nuevo sobre ello. se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece teniendo en cuenta: las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y corrientes que definen el funcionamiento del dispositivo. Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo consiste básicamente en obtener el valor delas diferentes tensiones y corrientes que se establecen como incógnitas en el funcionamiento el mismo.Modelo Gráfico.

IC . Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado: -IBRB – VBE –IERE+ VCC = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VEE .532 µA IC = β * IB = 45 * (0. y los puntos de intersección de esta recta con las curvas del dispositivo establece los posibles puntos de trabajo Q.Si se desea realizar el análisis gráfico.IBRB = 0 IB = (VEE . que se podrían obtener también como representación de las ecuaciones que definen el comportamiento del transistor.VBE . Sobre estas curvas se traza la denominada recta de carga en continua (impuesta por el circuito eléctrico externo del transistor).532 * 10-6) = 0.7 V) / (460KΩ + (46)*(2KΩ) IB = 0.2394 µA Ic max= Vcc / Rc = 30 volts / 2000 = 15 mA 6 .(β + 1) * IBRE . hay que disponer en primer lugar de las curvas de funcionamiento del transistor (curvas características de entrada y salida). EJEMPLOS NÚMERICOS RESUELTOS EJERCICIO 1 Determinar IB . El siguiente paso es determinar exactamente cuál de esos posibles puntos es el de funcionamiento. VCEQ para la siguiente red.VBE) / (RB + (β + 1) * RB) Sustituyendo valores: IB = (30V – 0.

95V EJERCICO 2 El amplificador de la figura 4.4k (31IB)=-3.(β + 1) * IBRE VCE = 30V – (46) * (0.La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara: .4k (31IB)=0 Resolviendo da IB = 53. obtener el punto Q. 7 .95V Y la tensión del nodo del colector es VC =-9 + 1k (31)53.20c muestra el punto de funcionamiento sobre las características de salida y esto confirma el funcionamiento activo. VCE =-7. Solución: Aplicando la ley de Kirchhoff a lo largo de camino que evita las fuentes de corriente da -9+1K (31IB) + 51k IB + 0.59mA.VEE + IERE + VCE = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VCE = VEE .1uA e IC =1.40V. La tensión del nodo emisor es VE = 0 – 2.95V)=-3.35V Por lo tanto.532µA) * (2KΩ) = 29.20a contiene un transistor PNP en configuración colector común. La figura 4.35V-(-3.1x 10exp-6= -7.7 +2.

Solución: a) Pto. b) Valor mínimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funcionamiento en este caso de T1 y T2. VCE) de cada uno de los transistores para Vi 10V. Trabajo / Vi = 10V Thevenin en la base de T1: 8 . determinar: a) Punto de funcionamiento (IC.EJERCICIO 3 En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con β1 = 50 y β2 = 20.

VCE1 = VEC2 = VEB2 = .Ecuación malla base T1 0.2 + [51IB1 + 1000IB1] ・ 10 IB1 = IB1 SAT = 1.385mA 9 .693mA Malla de colector de T2 VCC = IE2 ・ RE + VEC2 + (IE1 + IC2) ・ RC VEC2 = . .0346mA = IB2 IC2 = β2 ・ IB2 = 0.0692mA IC2 = βIB2 = 1.75V ⇒ Activa. .7 + (51IB1 + 1000IB1) ・ 10 IB1 = 0. suposición correcta. func. = 14. Malla colector T1: VCE = (1 + β2)β1 ・ IB1 ・ RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + β1)IB1 + β1β2IB1] ・ RC 30 = 21 ・ 50 ・ IB1 ・ 10 + 0.7 + 0.385μA IC1 SAT = IB1 SAT ・ β = 0. = 15.45V ⇒ Activa. . b) Valor de Vi que sature al grupo de los transistores y pto.8Vi = IB1 − RT + VBE1 + (IE1 + IC2)RC = IB1RT + VBE1 + ((1 + β2)IB1 + β2β1IB1)RC ((Es un montaje Darlington en el sentido de que = β1 β2)) Para Vi = 10V: 8 = IB1 ・ 16 + 0. .693μA IC1 = β1 ・ IB1 = 0.

3V=Ib*10KΩ Ib=1. Lo único que resta por calcular es la corriente del emisor que ya dijimos que es la suma de las corrientes que circulan por las dos mayas.13ma+13ma Ie=13. en la segunda y tercera en zona activa y en las dos últimas se encuentra saturado 10 . Reemplazamos los valores en la ecuación de la segunda maya: 12V–13ma*0. Podemos plantear la ecuación de cada uno de los subcircuitos. Basados en el circuito anterior. Habiendo averiguado la corriente de base y utilizando la formula Ic=β*Ib.9V 0.5KΩ-Vce=0 Vce=12V–6. Vbb–Ib*Rb–Vd=0 y Vcc– Ic*Rc–Vce. Reemplazamos nuestro circuito por un modelo equivalente manteniendo. entonces podemos decir que Ie=Ic+Ib Ie=0.7 + 0.8Vi = IB1 ・ RT + VBE1 SAT + (IB1 + IC2) ・ RC Vi = 19. En la primera fila el transistor se encuentra en corte.2 = 0.13ma.7V=0 1. por lo cual decimos que el mismo es emisor común. en este caso. con un β=100.VCE1 = VCE SAT 1 = 0.2V VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0. claro esta. la unión de las dos mayas.22V EJERCICIO 4 Esta rama no es otra que la que es común a las dos mayas y se encuentra.13ma Ic=13ma.5V Vce=5. podemos decir que Ic=100*0.5V.13ma. donde Vce es la tensión que cae en nuestro componente equivalente. conectada al emisor del transistor. plantearemos una tabla que nos permite visualizar las diferentes zonas de trabajo de un transistor y las respuestas del mismo en las distintas regiones.3V/10KΩ Ib=0. Basándonos en los datos que conocemos calculamos: 2V–Ib*10KΩ-0.

VBE) / (RB + (β + 1) * IB) Sustituyendo valores: IB = (5V – 1. IC .7 V) / (260KΩ + (25)*(5KΩ) IB = 8.IBRB = 0 IB = (VEE .2571 µA 11 . VCEQ para la siguiente red.57*10-9) = 0. 25 260 5K 50 V Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada dará por resultado: -IBRB – VBE –IERE+ VCC = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VEE .57*10-3 µA IC = β * IB =50 * (8.VBE .EJERCICIO 5 Determinar IB .(β + 1) * IBRE .

21 (vemos que Zi ≅ hib) b) Ω Ω c) Ω Ω 12 .VEE + IERE + VCE = 0 Pero: IE = (β + 1) * IB VCE = VEE .57*10-9 ) * (5KΩ) = 49.99V EJERCICIO 6 Para la red de la figura.3 ∧ = 14.2 k∧ || 14. determine: a) Zi b) Z0 d) Av e) Ai a) Zi = RE || hib = 2.Ic max= Vcc / Rc = 40 volts / 2000 = 15 mA La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida resultara: .(β + 1) * IBRE VCE = 50V – (25) * (8.

3V 13 .73mA) = 4.48V VB = IBRB VB = (83 * 10-6) (100 KΩ) = 8.7 V / 100KΩ IB = 83 µA Para IC se realiza lo siguiente: IC = β * IB IC = 45 * (83 * 10-6) = 3.d) Ai ≅ hfb = -1 EJERCICIO 7 Determinar VC y VB para la siguiente red.VBE / RB Sustituyendo valores: IB = 9V – 0.2 KΩ) (3. Solución: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dará por resultado: IBRB + VBE – VCC = 0 IB = VCC .73 mA La aplicación de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara: VC = RC * IC VC = (1.

La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de entrada: La aplicación de la ley de Kirchhoff al circuito de salida 14 .EJERCICIO 8 Determinar VCEQ para la siguiente red.

Ie. R1=20k R2=2K Vcc=3v Vce=18v 15 . Ic con su simulación.* PROBLEMA 9 Para el siguiente circuito calcular Ib.

9( )=59.99 A 30*1.6 A 16 .PROBLEMA 10 1ºMETODO LEYES DE KIRCHOFF 2º PROCEDIMIENTO − − − − − − − UBICAR LAS MALLAS DIRECCIONAR LAS CORRIENTES APLICAR LAS LEYES DE KIRCHOFF DESPEJAR OBTENIDA LA CORRIENTE DE BASE VOLVEMOS A LA ECUACION DE KIRCHOFF ORIGINAL DESPEJAMOS Vce OBTENEMOS PUNTO Q 3ºANALISIS DEL CIRCUITO Del siguiente circuito calcular el punto Q de trabajo para que pueda amplificar. 10-.7/3K+30+1(150K)=1.

6µA)(2K)=-10.3 La aplicación de la ley de voltaje de Kirchoff al circuito de entrada dará por resultado: IBRB + VBE – VCC = 0 IB = VCC .VBE / RB Sustituyendo valores: Para IC se realiza lo siguiente: La aplicación de la ley de Kirchoff al circuito de salida resultara: VC = RC * IC 4ºPOLARIZAR PUNTO DE OPERACIÓN 5º grafica (RECTA DE CARGA) 6º SIMULACIÓN 17 .-10-(59.6µA)(3K)-(61.

Dibuja las diferentes configuraciones del BJT 5... 8.....¿En que se utiliza la configuración de colector común y por qué? 7..¿Cuántas y cuáles son las terminales de este dispositivo? 3.¿Cuándo un BJT es del tipo PNP o NPN? 4..¿Qué es un BJT? 2...CUESTIONARIO 1.Dibuja el diagrama de configuración de colector común.¿Qué es la zona de saturación? 10.Menciona los tres tipos de polarización para el BJT 6.¿Qué es la zona de corte? 18 .¿Cómo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa? 9.

2. Si las dos zonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N. el transistor será del tipo NPN. 4.¿Cuántas y cuáles son las terminales de este dispositivo? R= Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E). 6.¿Qué es un BJT? R= es un dispositivo electrónico semiconductor. Polarización por Realimentación del Colector. el transistor será del tipo PNP.Menciona los tres tipos de polarización para el BJT R= Polarización por Base..Dibuja las diferentes configuraciones del BJT R= 5.CUESTIONARIO 1..¿En que se utiliza la configuración de colector común y por qué? 19 .¿Cuándo un BJT es del tipo PNP o NPN? R= Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P. 3. Base (B) y Colector (C).. Polarización por Divisor de Tensión.. construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN...

¿Cómo se debe polarizar un transistor para que trabaje en la zona activa? R= Para que un transistor funcione en la zona activa.. 9.Dibuja el diagrama de configuración de colector común. Como la corriente de colector en corte es muy pequeña. se debe de polarizar la unión J1 directamente y la unión J2 inversamente. Como la tensión colector-emisor en saturación es muy pequeña. R= Configuración de colector acoplamiento de impedancia común utilizado para propósitos de 8. contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor común 7. 10..¿Qué es la zona de saturación? R= El punto de saturación es el punto en que la recta de carga corta la zona de saturación de las curvas de salida.¿Qué es la zona de corte? R= El punto de corte es el punto en el que la recta carga corta a la zona de corte de las curvas de salida. el punto de corte es casi idéntico al extremo inferior de la recta de carga. debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida... 20 . el punto de saturación es casi idéntico al extremo superior de la recta de carga.R= Se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia.

htm (CONSULTADA EL 20/07/2011) http://www. Kiver Editorial: Marconbo Lugar de impresión: España Nº de edición primera Capítulos: 14 No de páginas: 650 Título: Circuitos electrónicos (análisis. Malik Editorial: Prentice Hall Lugar de impresión: España Capítulos: 14 y 3apendices No de edición: primera No de páginas: 1123 Título: Dispositivos Semiconductores Autor: Jasprin Singh Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Capítulos: 7 No de edición: primera No de páginas: 629 Título: Circuitos electrónicos aplicaciones Autor: Bernard Grob Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Capítulos: 18 No de edición: primera No de páginas: 358 y REFERENCIAS ELECTRÓNICAS http://www.inele.doctorproaudio.REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS Título: Principios de electrónica Autor: Malvino Albert Editorial: Mc Graw Hill Lugar de impresión: México Nº de edición: Quinta Capítulos: 24 Nº de páginas: 1048 Título: Electrónica transistorizada e integrada Autor: Milton S.ht m (CONSULTADA EL 20/07/2011) 21 . simulación y diseño) Autor: Robert R.com/doc tor/temas/impedancia.cl/bmonteci/s emic/applets/pagina_tbj/pag_tbj.ufro.

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