INFORME SIMULACIÓN DE EJEMPLOS DE

TRANSISTORES
Abril 2020
Nicolás Cabrera Ariza, Pablo Antonio Ariza Saboya, Michael Giovanny Sarmiento
Castañeda, Víctor Sebastián Parra Camargo.
Resumen BJT) es un dispositivo electrónico de
El transistor es uno de los inventos más estado sólido consistente en dos
importantes del siglo pasado. Es así uniones PN muy cercanas entre sí, que
que la llegada del transistor impulsó lo permite aumentar la corriente y
que ahora se llama la revolución disminuir el voltaje, además de controlar
electrónica. Sin la invención del el paso de la corriente a través de sus
transistor, la mayoría de los dispositivos terminales. La denominación de bipolar
electrónicos de los que somos tan se debe a que la conducción tiene lugar
dependientes no existirían. Los gracias al desplazamiento de
aparatos tecnológicos más portadores de dos polaridades (huecos
indispensables de la era moderna se positivos y electrones negativos), y son
basan en el transistor; computadores, de gran utilidad en gran número de
televisores, teléfonos, tabletas, laptops, aplicaciones; pero tienen ciertos
enrutadores los cuales tienen miles de inconvenientes, entre ellos su
millones de ellos. impedancia de entrada bastante baja.
Por lo tanto y teniendo en cuenta la
gran importancia del transistor, en este Los transistores bipolares son los
informe mencionara los conceptos transistores más conocidos y se usan
básicos y fundamentales de los generalmente en electrónica analógica
transistores bipolares BJT, tales como aunque también en algunas
su funcionamiento, aplicaciones, clases, aplicaciones de electrónica digital, como
conexiones, ejemplificaciones y la tecnología TTL o BiCMOS.
ejercicios para el cálculo de variables
referentes al diseño de circuitos con El transistor bipolar fue el primer
aplicación de estos transistores. dispositivo activo de estado sólido. Fue
inventado en 1949 en los Laboratorios
I. Introducción Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W.
Brattain (que recibieron el premio Nobel
El transistor de unión bipolar (del inglés en 1956)
bipolar junction transistor, o sus siglas

II. Marco Teórico Los transistores BJT tienen muchas

aplicaciones en el campo de la
Funciones Principales electrónica, pero comúnmente son
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utilizados como interruptores ● La B (base), tiene un nivel de
electrónicos, amplificadores de señales. dopado netamente inferior al de
Como ejemplo se usan para controlar la zona de emisor. Se trata de
motores, accionar reveladores y una zona con un espesor muy
producir sonidos en bocinas. Estos inferior al de las capas exteriores.
transistores son muy comunes y de uso Su misión es la de dejar pasar la
general los cuales pueden encontrarse mayor parte posible de
en cualquiera de los aparatos de uso portadores inyectados por el
cotidiano como en radios, alarmas, emisor hacia el colector.
automóviles, ordenadores, etc. ● La C (colector), es encargada de
recoger o “colectar” los
portadores inyectados que han
sido capaces de atravesar la
base por parte del emisor. Es la
zona con un nivel de dopado
inferior de las tres.

Figura 1. Interruptor y Amplificador

Figura 2. Símbolo y conexiones de transistor
Conexiones y simbología
Funcionamiento

Estos transistores cuentan con tres El transistor básicamente es un

terminales, emisor, base y colector. La amplificador de corriente, existe una
zona central se denomina base, y las relación β=100 en la que la corriente
laterales emisor y colector. Estos pines IC=βIB, con la cual teniendo IB que es
se representan por la inicial del nombre pequeña podemos variar la corriente IC
de la zona respectiva: E (emisor), B que es grande es decir; IE=IC+IB,
donde IB siempre es pequeña.
(base) y C (colector).

● La E (emisor), es la más
fuertemente dopada, es la zona
encargada de “emitir” o inyectar
portadores mayoritarios hacia la
base. Figura 3. Relación de corrientes

Tipos de transistores
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Los transistores BJT están formados Figura 5. Transistor PNP
por dos uniones de tipo “P y N” o bien
Voltaje de polarización
de dos diodos semiconductores.
Existen dos tipos transistores BJT, el de
La polarización del transistor se
tipo NPN y el PNP. Las letras hacen
consigue cuando el voltaje VBE es 0,7V
referencia a las capas de material
logrando así que el interruptor abierto a
semiconductor que están construidos.
amplificador, cuando se genera un
N= Carga Negativa
voltaje de polarización muy alto para de
P=Carga Positiva
amplificador a saturación y en este
estado el amplificador no es controlable
1. Transistor tipo NPN: Está
por lo tanto no es útil.
formado por dos capas de
material tipo “N” y separadas por
una capa tipo “P”. “Estos son los
más usados en la industria”

Figura 6. Voltaje base-emisor

Figura 4. Transistor NPN

Conexión básica
2. Transistor tipo PNP: Está
VBB= Es el voltaje que permite polarizar
formada por dos capas de
el transistor y tener el VBE.
material tipo “P” y separadas por
RB= Junto con VBB y la ley de Ohm
una capa tipo “N”.
permite crear IB la cual va a controlar
IC.
VCC y RC= Es la fuente y la resistencia
que permiten la energía necesaria para
la creación de IC.
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Región activa o de amplificador:
Corriente del emisor = (β+ 1)·Ib ;
IC=β Ib; 0<VCE<VCC; VBE≈ 0,7V
Cuando un transistor no está ni en
su región de saturación ni en la
región de corte entonces está en
una región intermedia, la región
activa.
En esta región la corriente de
Figura 7. Conexión básica transistor colector (Ic) depende principalmente
de la corriente de base (Ib), de β
Estados de operación
(ganancia de corriente, es un dato
Los transistores de unión bipolar tienen del fabricante) y de las resistencias
diferentes regiones operativas, definidas que se encuentren conectadas en el
principalmente por la forma en que son colector y emisor. Esta región es la
polarizados: más importante si lo que se desea
es utilizar el transistor como un
Región de corte: Un transistor está en
amplificador de señal.
corte cuando:
Región de saturación: Un transistor
Corriente de colector = corriente de
está saturado cuando:
emisor = 0, (IC = IE = 0);
VCE=VCC; 0<VBE<0,7v Corriente de colector ≈ corriente de
emisor = corriente máxima, (IC ≈ IE =
En este caso el voltaje entre el
Imáx); VBE>0,7V ; VCE≈ 0V
colector y el emisor del transistor es
el voltaje de alimentación del circuito. En este caso la magnitud de la
(como no hay corriente circulando, corriente depende del voltaje de
no hay caída de voltaje). Este caso alimentación del circuito y de las
normalmente se presenta cuando la resistencias conectadas en el
corriente de base = 0 (Ib =0) colector o el emisor o en ambos. Se
presenta cuando la diferencia de
De forma simplificada, se puede
potencial entre el colector y el
decir que el la unión CE se comporta
emisor desciende por debajo del
como un circuito abierto, ya que la
valor umbral VCE, sat. Cuando el
corriente que lo atraviesa es cero.
transistor está en saturación, la
relación lineal de amplificación
IC=β·IB (y por ende, la relación
IE=(β+1)·IB ) no se cumple.
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De forma simplificada, se puede
decir que la unión CE se comporta
como un cable, ya que la diferencia
de potencial entre C y E es muy
próxima a cero.
Solo se debe Usar el transistor en
región de corte para abrir y cerrar,
aplicaciones digitales, ejemplo;
controladores. La región de amplificador
se debe usar para controlar formas de
ondas de corriente y aplicaciones
análogas. Para la región de saturación
no se encuentra aplicación debido a que
no se puede controlar.
Constantes de relación entre
corrientes

IC
IC=βIB → IB= ; IE=IC + IB
β
IC β
IE=IC+
β [
β=100 α =
β +1 ]
β+1
IE= ∗IC
β
β
IC= ∗IE
β+ 1

Figura 8. Polarización transistor con una sola

fuente
Polarización con una sola fuente:
● En la mayoría de casos no se
cuenta con dos fuentes de
tensión para utilizar el transistor,
por tanto en la figura se muestra
cómo utilizar VCC como VCC y
VBB a la vez VBB es el divisor de
tensión y RBB es el paralelo de
R1 y R2.

● Para hacer IE insensible a la

temperatura y variaciones de B,
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se diseña el circuito para 2. Segundo ejercicio a simular
satisfacer las dos limitantes que
siguen:
[ VBB≫VBE ]
RB
[
ℜ≫
β +1]
Simulación 2
● Normalmente se diseña VBB
entre 3 a 5 V y si es generado
por VCC se establece la
siguiente relación:
VCC
[
VBB ≈
3 ]
III. Simulación de ejercicios
Como podemos observar los valores
1. Primer ejercicio a simular obtenidos de las mediciones en la
simulación y los cálculos matemáticos
son muy similares, tal vez cambia un
poco en la simulación ya que nos
pueden afectar unos parámetros, y que
el transistor usado en la simulación tal
vez no tenga las mismas características
Simulación 1 que se usó en el cálculo matemático por
esa razón cambia un poco la IC y por
consiguiente nos hace variar el VC.

3. Tercer ejercicio a simular

Como podemos observar. la simulación

da casi los mismos datos de las
medidas obtenidas también en el
cálculo matemático. Esto quiere decir
que el cálculo fue correcto.
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Simulación 3

4. Cuarto ejercicio a simular

Se puede apreciar que aunque los

valores obtenidos de las mediciones de
la simulación son casi idénticos, aun así
no son iguales. Esto como resultado de
que primero que todo el transistor BJT
utilizado en la simulación no tiene los
mismos parámetros que el transistor
que se usó para hacer el cálculo y cabe
recalcar que ningún circuito o
componente eléctrico o electrónico es
100% ideal. Segundo que todo las
mediciones obtenidas son casi
despreciables ya que dan en nano, pico
y medidas inferiores, casi
despreciables.
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1. El transistor BJT es usado como
amplificador de corriente
2. El transistor BJT tiene tres
estados de funcionamiento y son:
corte, saturación y amplificación.
3. Se puede alimentar con 1 sola
fuente el transistor BJT por
medio de un divisor de voltaje.
Esto con el fin de reducir el
circuito
4. Para hacer el análisis
matemático de este tipo de
transistores se puede hacer por
Simulación 4
medio del teorema de Kirchhoff.
Esto por medio de mallas.
5. El voltaje de funcionamiento ideal
del transistor BJT es 0.7 voltios,
si es más bajo que esto el
transistor estará en estado de
corte, si es este es 0.7 voltios el
transistor estará en estado de
amplificación y si es mayor a 0.7
voltios el transistor estará en
como se puede apreciar. los valores estado de saturación y su
obtenidos de las mediciones en la funcionamiento no será
simulación son casi similares a los calculable.
obtenidos en el cálculo matemático. 6. como se puede observar al hacer
cabe recalcar que sin idénticos debido a las simulaciones, aunque la
que transistor utilizado en la simulación mayoría de valores dan casi
no tiene los mismos parámetros del idénticos en las simulaciones,
utilizado para realizar los cálculos algunos varían debido a que el
matemáticos y que ningún componente transistor utilizado para el cálculo
eléctrico o electrónico es 100% ideal. matemático es un transistor ideal
y que tiene parámetros diferentes
IV. Análisis y conclusiones al utilizado en la simulación.

V. Lista de referencias
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Nashelsky, r. l. (2009). Electrónica:
teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. Naucalpan de Juárez,
estado de México: Pearson
educación Data. URL
https://www.cdmxelectronica.com/t
ransistores-bjt/

El transistor bipolar Gerold W.

Neudeck Ed. Addison-Wesley
Iberoamericana, 2ª edición.1994
Data. URL
http://mrelbernitutoriales.com/transi
stor-bjt/transistor-bipolar-
conociendolo/

B.G. Streetman, S. Banerjee,

“Solid State Electronic Devices”,
Prentice Hall, 2000. Data. URL
http://electronica.ugr.es/~amroldan
/deyte/cap03.htm