Electrónica Básica

Transistor
Introducción

BJT (transistor de unión bipolar)

Introducción

BJT (transistor de unión bipolar) (Bipolar Junction Transistor)

•Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones

PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través
de sus terminales
• Tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante
baja

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas
consta de un terminal por donde extraer las corrientes.
Símbolos

En la figura aparecen los símbolos que se utilizan para la representación del

transistor de unión bipolar. Para las corrientes se han representado los
sentidos reales de circulación de las mismas

La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del

terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la
flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el
sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor
Características Estáticas

Todos los transistores BJT, ya sean NPN o PNP pueden polarizarse de manera
que quede un terminal común en su circuito de polarización; es decir, un
elemento que forma parte del lazo de entrada como del lazo de salida. Este
puede ser en cualquiera de los terminales del dispositivo
Símbolos

Emisor Común

Curvas características de salida en Emisor Común en un BJT npn Efecto Early en las características de entrada

β, es el factor de amplificación de corriente directa de emisor común.

Β -> hFE
Introducción

• Corte: El transistor actúa como un

interruptor abierto Ic=0.
• Saturación: El transistor actúa
como un interruptor cerrado
VCE=0
• Activa: La relación entre las
corrientes de colector y base es
constante (Amplificación)
• Disrupción: En este modo, las
regiones de emisor y colector
cambian los papeles. Debido a
que la mayoría de los BJT están
diseñados para maximizar la
ganancia de corriente en el modo
Unión de emisor Unión de colector Modo de operación
activo directo, el en modo
Directa Inversa Activa directa invertido es varias veces más
Inversa Directa Activa inversa pequeño. Este modo de transistor
Inversa Inversa Corte rara vez se utiliza.
Directa Directa Saturación
Zonas de Funcionamiento

De manera general la polarización de un circuito hace referencia a las fuentes

de corriente directa (fuentes reguladas, baterías, pilas) que se utilicen para
alimentar el circuito. Para el caso particular del transistor bipolar, la
polarización busca obtener un punto de funcionamiento en una región
específica, es decir busca establecer un valor fijo de voltaje entre el terminal
de colector y emisor y un valor fijo de corriente de colector, que hagan que el
punto de operación del transistor esté en una región de operación específica.
Zonas de Funcionamiento

Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener

el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es
prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como
un interruptor abierto.

Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.

Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en

corte cuando se cumple la condición: IB = 0 ó IB < 0.

Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-
emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.
Zonas de Funcionamiento

Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi
independiente de la tensión entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el
diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.

La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en

todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector base en inversa.
En general, y a efectos de cálculo, se considera que se verifica lo siguiente:
siendo β una constante denominada ganancia
de corriente en emisor común que toma
valores típicos de 50 a 500

donde Vγ es la tensión de conducción de la unión base-emisor (en general 0,6 voltios).

Zonas de Funcionamiento

Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y el transistor se

comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicional de la
corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, ésta depende
exclusivamente de la tensión entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su
circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.

En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-

colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se
verifica sólo lo siguiente:

donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores

determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Zonas de Funcionamiento
Introducción

Variaciones de la ganancia de corriente :

La ganancia de corriente βdc de un transistor depende de tres factores: el
transistor , la corriente de colector y la temperatura. Por ejemplo, cuando se
reemplaza un transistor por otro del mismo tipo, normalmente cambia la
ganancia de corriente. Del mismo modo, si la corriente de colector o la
temperatura varían, la ganancia de corriente también varía.

Por ejemplo, la hoja de características de un

2N3904 especifica un valor mínimo de hFE de 100
y un valor máximo de 300 cuando la temperatura
es 25°C y la corriente de colector es de 10 mA. Si
se fabrican en serie miles de circuitos Que usen el
transistor 2N3904, se verá que algunos de los
transistores tienen una ganancia de corriente de
apenas 100 (caso peor), mientras que en otros la
ganancia de corriente llegará a ser hasta de 300
(caso mejor).
Introducción

Efecto de la corriente y de la temperatura:

Cuando la temperatura es 25°C (la curva intermedia), la ganancia de corriente
es 50 para 0,1 mA. A medida que la corriente aumenta desde 0,1 mA hasta 10
mA, hFE aumenta hasta un máximo de 100. Después, disminuye hasta menos
de 20 para 200 mA.

Observe también el efecto de la

temperatura. Cuando la temperatura
disminuye, la ganancia de corriente es
menor (la curva inferior). Por el
contrario, cuando la temperatura
aumenta, hFE
aumenta en casi todo el rango de
valores de corriente (curva superior).
Introducción

Recta de carga:
La recta indica todos los puntos de operación posibles para un circuito, es un
resumen visual en el que se puede observar claramente los puntos críticos, por
ejemplo: puntos de saturación y de corte.

Dados los valores de RB y βdc, podemos calcular la corriente de colector IC y la

tensión de colector VCE utilizando los métodos explicados.

También podemos hallar los

extremos de la recta de carga con:

Si Ic = 0= > VcE = Vcc

Si VCE = 0 => Ic = Vcc/Rc

Introducción

Todo circuito de transistores tiene una recta de carga. Dado cualquier circuito, es posible
conocer su corriente de saturación y su tensión de corte. Estos valores se dibujan sobre los
ejes vertical y horizontal. Después, se dibuja la recta que pasa por estos dos puntos para
obtener la recta de carga.
Ejemplo:

Esta ecuación es una ecuación lineal, es decir, su gráfica es una línea recta. (de la forma
estándar y = mx + b.)
Introducción

Punto de trabajo:
Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un
transistor para que opere en la región activa, se denomina punto de operación y
se suele expresar por la letra Q .

Aplicando el procedimiento anterior obtenemos la corriente de base, así como el

valor del voltaje VCE.
Introducción

Tomando en cuenta el ejemplo anterior.

La corriente IC fluye a través de la resistencia de

Es necesario una ganancia de corriente.
colector de 3 k ohm y genera una tensión de 9
Supongamos β=100
V en la misma.
 = IC I
B
Límite de Operación

Para cada transistor hay una región de operación en las características que
garantizará que no se excedan las capacidades nominales máximas y que la señal
de salida exhiba distorsión mínima. Todos los límites de operación se definen en
una hoja de especificaciones del transistor

Algunos de los límites de operación se explican por

sí solos, como la corriente máxima del colector
(normalmente aparece en la hoja de
especificaciones como corriente continua en el
colector) y el voltaje máximo del colector al emisor
(a menudo abreviado VCEO o V(BR)CEO en la hoja
de especificaciones).

La línea vertical en las características definida

El nivel máximo de disipación lo define la
siguiente ecuación:
como VCEsat especifica el VCE mínimo que se
puede aplicar sin caer en la región no lineal
llamada región de saturación. El nivel de VCEsat
está por lo común cerca de 0.3 V, especificado
para este transistor
Introducción
Terminales

Siempre que sea posible, la cápsula del transistor presentará alguna marca para indicar
cuáles conectores están conectados al emisor, colector o base de un transistor.
Polarización en Continua

El análisis o diseño de un amplificador transistorizado requiere conocer la respuesta del

sistema tanto de CD como de AC.

Con frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo mágico que puede elevar el
nivel de la entrada de AC, sin la ayuda de una fuente de energía externa.

En realidad, el nivel de potencia de AC de salida mejorada es el resultado de una

transferencia de energía de las fuentes de DC aplicadas.

El análisis o diseño de cualquier amplificador electrónico se compone, por consiguiente, de

una parte de AC y una de DC.

Varios factores controlan el nivel de operación de DC de un transistor, entre ellos el

intervalo de los posibles puntos de operación en las características del dispositivo
Polarización Fija

El circuito de polarización fija de la figura es la configuración de polarización de DC más

simple. Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y cálculos aplican
igualmente bien para una configuración del transistor pnp tan sólo con cambiar todas las
direcciones de la corriente y las polaridades del voltaje.
Polarización en Directa Base Emisor

Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura. Al escribir la ley de

voltajes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj para la malla, obtenemos:

IB
Polarización en Directa Base Emisor

En la malla de Colector Emisor, La magnitud de la corriente de colector está relacionada

directamente con IB mediante:

Es interesante hacer notar que como a la corriente de base la controla el nivel de RB e IC

está relacionada con IB por una constante β, la magnitud de IC no es una función de la
resistencia RC. El cambio de RC a cualquier nivel no afectará el nivel de IB o IC mientras
permanezcamos en la región activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos, el nivel de
RC determinará la magnitud de VCE, la cual es un parámetro importante.
Polarización en Directa Base Emisor

Como un breve repaso de la notación de Donde VCE es el voltaje del colector al emisor y
subíndice simple y doble recordemos que: VE son los voltajes de colector y emisor a tierra.
En este caso, como VE = 0 V, tenemos:
Introducción

General

VBE = 0,7

Saturación
Cambio de Q
Introducción

Ejercicio 1.- Determine: IB e IC , VCE, VB, VC del Punto Q

Si queremos saber el nivel de

saturación
Introducción

Ejercicio 2.- Con la recta de carga de la figura y el punto Q definido, determine los valores
requeridos de VCC, RC y RB para una configuración de polarización fija.
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN DE EMISOR

La red de polarización de DC de la figura contiene un resistor emisor para mejorar la

estabilidad del nivel en relación con la de la configuración de polarización fija.
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN DE EMISOR

La malla base-emisor de la red.

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN DE EMISOR

La malla colector-emisor de la red.

Introducción

Ejercicio 1.- Para la red de polarización de emisor de la figura