ELECTRÓNICA I.

APUNTES DE CLASE

UNIDAD TEMÁTICA NO 4. TRANSISTORES BIPOLARES BJT

4.1 CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LOS TRANSISTORES BJT

Un transistor BJT es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos

uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de
electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,

mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operación: estado de corte (constituye la región de corte), estado de saturación
(constituye la región de saturación) y estado de actividad (constituye la región
activa).

4.1.1 Estructura Física del transistor BJT, NPN y PNP

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:

la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en
un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
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La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta

de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante
de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran
β ( ganancia en DC).

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente

un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en
modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los
que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso
es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje
entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el
colector está ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran
tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La unión
colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. La razón por
la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección
de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación
con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del
emisor. En la figura No. 52 se muestra el símbolo eléctrico de un transistor NPN y
de un transistor PNP

Figura NO. 52.Símbolo eléctrico de los transistores NPN y PNP

Fuente: Transistor de unión bipolar en Google libros

4.1.2 Factores de Ganancia de Corriente Beta y Alfa.

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Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones

capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del
emisor y el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más
electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base
hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor común está representada por o
por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la
corriente continua de la base en la región activa directa y es típicamente mayor a
100. Otro parámetro importante es la ganancia de corriente base común , . La
ganancia de corriente base común es aproximadamente la ganancia de corriente
desde emisor a colector en la región activa directa. Esta tasa usualmente tiene un
valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más
precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN o
PNP):

4.1.3 Regiones de operación

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

 Región activa: directa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor: IE = (β + 1) * Ib , esta corriente se da en mA
Corriente del colector: IC= β* Ib , esta corriente se da en mA
Corriente de base se da en µA o nA nunca cero amperios.
VBE = 0.7v

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de

corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de señal.
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 Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo,
las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la
mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente
en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor
al presente en modo activo.

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje

de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base
= 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
En esta región se tiene :
VC= Vcc = VCE
VE = 0v

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie =
Imáx)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación

del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el
emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor
esta en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende, la
relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.
En esta región se tiene:
VC = 0v
VE = es un voltaje grande
VCE= 0v
IB está dada en mA y las corrientes de emisor y colector están dadas en
amperios.
Las regiones de corte y saturación, es importante para la electrónica digital,
representando el estado lógico alto y bajo, respectivamente.
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4.1.4 Punto de operación

Para amplificadores con transistores, la corriente y voltaje de DC resultantes

establecen un punto de operación en las características que definen la región que
se empleará para amplificar la señal aplicada. Como el punto de operación es un
punto fijo en las características, también se llama punto quiescente (abreviado punto
Q). Por definición, quiescente significa quieto, inmóvil, inactivo.

4.1.5 Recta de carga

En la figura No. 53 se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del

transistor, especificado a través de tres parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se
encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga estática: si Q
se encuentra en el límite superior de la recta, el transistor estará saturado, en el
límite inferior el transistor estará en corte y en los puntos intermedios en la región
lineal. Esta recta se obtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la I C
con la VCE que, representada en las curvas características del transistor de la figura
54, corresponde a una recta.
La siguiente ecuación define la recta de carga obtenida al aplicar LVK al circuito de
polarización, de forma que:

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se
seleccionan dos puntos:

a) VCE=0, entonces IC=VCC / RC.

b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura 53 y

representan los cortes de la recta de carga estática con los ejes de coordenadas.

Figura No. 53. Gráfica del punto Q y la recta de carga de un transistor BJT

Fuente: http://datateca.unad.edu.co/
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Figura No. 54

Fuente: http://datateca.unad.edu.co/

4.2 CONFIGURACIONES BÁSICAS DEL TRANSISTOR BJT

4.2.1 Configuraciones Emisor común, Base común y Colector común

 Configuración de base común: recibe este nombre porque la base es el

punto común (tierra) entre el colector y el emisor del transistor BJT.
Es una configuración bastante popular porque en el dominio de AC tiene una
muy baja impedancia de entrada, una alta impedancia de salida y una buena
ganancia. En esta configuración el transistor actúa como un amplificador de
corriente.

Figura NO. 55 Amplificador en base común

Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 189

Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff se obtiene:

- VEE + IERE + VBE = 0
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Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a todo el perímetro de la red de la

figura 55 se obtiene: - VEE + IERE + VCE + ICRC - VCC = 0
VCE = VEE + VCC - IERE – ICRC
IE = IC
El voltaje de la figura VCB se determina aplicando la ley de voltajes de
Kirchhoff a la malla de salida de la figura 55 para obtener:
VCB + ICRC - VCC = 0
VCB = VCC – ICRC
IE = IC
VCB = VCC – ICRC

 Configuración de Emisor común (el transistor como conmutador): este

circuito se denomina de esta forma porque el emisor es el punto común entre
la base y el colector del transistor. Este circuito se utiliza como interruptor o
switche en computadoras y sistemas de control.

Figura No. 56 Configuración de emisor común

Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 207

Trabajando en la región activa se tiene que:

IB = (VBB – 0.7 ) / RB
VCE = Vc – VE pero VE = 0v entonces: VCE = VC = VCC - VRC

La red de la figura No. 56 se puede emplear como un inversor en los circuitos

lógicos de una computadora. El voltaje de salida VC se opone al aplicado a
la terminal de entrada o base.
El diseño apropiado para el proceso de inversión requiere que el punto de
operación cambie de corte a saturación a lo largo de la recta de carga. Por lo
tanto se tiene:
IC = ICEO = 0 mA cuando IB = 0 mA
VCE = VCEsat = 0 V
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Además de contribuir a lógica de la computadora, el transistor también se puede

emplear como interruptor si se utilizan las mismas extremidades de la recta de
carga. En condiciones de saturación, la corriente IC es bastante alta y el voltaje VCE
muy bajo. El resultado es un nivel de resistencia entre las dos terminales,
determinado por:

que se ilustra en la figura No. 57

Figura NO. 57

Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 208

 Configuración de Colector común: Este circuito se llama así porque el

colector es el punto común entre la base y el emisor del transistor.
A esta configuración se la suele llamar seguidor de emisor. La entrada de
señal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por el
colector como en el resto de los circuitos.
Si la unión base emisor está polarizada directamente, el transistor va a
conducir, mientras que si está inversamente polarizada no lo hará.
En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que
es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta,
aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga,y, la impedancia de
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salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la fuente de señal,

por lo cual es usado para acople de impedancias.

Figura No. 58 Configuración de colector común

Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 209

En esta configuración en la región activa se tiene:

IB = (VBB – 0.7) / (β * IB) R

VCE= VC – VE , pero VC = 0v, Entonces:

VCE = -VE = -(IE * R)

4.3 POLARIZACIONES BÁSICAS DEL TRANSISTOR BJT

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Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 209

4.3.1 Punto de operación en las diferentes polarizaciones

4.3.2.1.1 Polarización Fija

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Figura NO 59 Curva de carga y punto Q configuración Fija

Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 168

4.3.2.1.2 Configuración de polarización de emisor

Figura NO. 60 Recta de carga y punto Q para la configuración de polarización de

emisor
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Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 174

4.3.2.1.3 Configuración de polarización por divisor de voltaje

Figura No. 61 Punto Q y recta de carga de la configuración de polarización por

divisor de voltaje
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Fuente: Principios de Electrónica. Boylestad. Décima edición, pág. 177

RTH= R1// R2