RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN Experiencia N°2

Facultad de la Ingeniería Circuitos

Eléctrica y Electrónica Electrónicos I
Escuela Profesional de
Experiencia N° 2
Ingeniería Electrónica
Tema: Respuesta En Frecuencia Del Amplificador En Emisor Común

Profesor: Ing. Cuzcano Rivas Abilio Bernardino  

Alumno: Quesada Bejarano Daniel Código: 1713220431

RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN

I. INTRODUCCIÓN:
Antes de empezar a hablar más detalladamente sobre el tema del laboratorio vamos a dar
unos pequeños conceptos respecto a la experiencia que vamos a realizar en el laboratorio.
La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa como un
amplificador de la corriente y de la tensión. Aparte de los efectos de amplificación, también
invierte la tensión de señal, es decir, si la tensión es tendente a positiva en la base pasa a ser
tendente a negativa en el colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente
alterna.
Para estudiar las propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos en un
transistor tipo PNP. Tenemos la unión base-emisor, JE, polarizada directamente y la unión
emisor-colector, JC, inversamente polarizada.
Aplicamos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB conectada
a la base y RC conectada al colector.
El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB, la corriente que
circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como hemos visto con la
formula IC = b. IB; IC es mucho más grande que IB y ese aumento viene dado por b, que es
un parámetro característico del transistor.
Al pasar la corriente por RC se va a producir una caída de potencial; luego, la tensión que
obtengamos a la salida, también va a depender del valor de esta resistencia. Podemos
colocar una resistencia en el emisor, que llamaremos RE, que va a perjudicar mucho la
amplificación de tensión, pero va a hacer que el transistor sea mucho más estable y no le
afecten los cambios de la temperatura.
Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias podemos conseguir
corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si aumentamos la
resistencia de base el valor de la corriente IB será menor, lo que implicará que IC también
sea menor, y al pasar una corriente de colector menor a través de RC, el potencial que se
obtendrá a la salida será mayor; pero si disminuimos RB aumenta IB y con ella la corriente
de colector, y la tensión de colector disminuirá.
Disminuyendo mucho la resistencia de base podemos llegar a un punto en el que pasemos
de la zona de activa a la de saturación, es decir, que la unión colector-base, que está
inversamente polarizada en activa, pase a estar directamente polarizada y, por lo tanto, en
saturación. Esto se produce porque IB aumenta y, en consecuencia, IC también aumenta.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I 1
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Si un circuito está trabajando en zona activa, el transistor se comporta de forma lineal. Es

decir, que, a iguales variaciones de la corriente de base, IB, se producen iguales variaciones
de la corriente de colector, IC. El primer punto en el cual al aumentar IB ya no aumenta IC
pertenece a la zona de saturación. También podemos modificar los valores de la corriente de
base, de colector y de la tensión de salida jugando con la tensión de entrada o con la
resistencia de colector.
Una característica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto de
funcionamiento. La corriente continua, y la tensión en cada terminal del transistor
determinan el punto de funcionamiento de un circuito. Este punto de funcionamiento se
encuentra situado en la recta de carga.
Para saber cuál es el punto de funcionamiento de un transistor tenemos que determinar el
valor de VC, potencial de colector, VB potencial de base, e IC corriente de colector cuando
el potencial trabaja en zona activa. Para determinarlas podemos usar las curvas
características que representan a un transistor, o también podemos hallar el punto
matemáticamente, usando dos fórmulas que ya conocemos, la ley de Ohm V = I. R y la
igualdad IC = b. IB. Combinando correctamente ambas fórmulas hallaríamos los datos que
necesitamos para obtener el punto de funcionamiento.
II. OBJETIVOS:

 Conocer cómo trabaja el transistor en configuración emisor común.

 Las relaciones entre el emisor con la base y el colector.
 Observar como son distintos los parámetros de entrada y de salida.
 Saber las diferencias entre sus tres regiones operativas.
 Hallar la ganancia para este tipo de configuración.
 Demostrar el funcionamiento y características de un amplificador en emisor común.

III. MARCO TEÓRICO:

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta al
punto de tierra (masa) tanto de la señal de entrada como de salida. En esta configuración, existe
tanto ganancia tanto de tensión como de corriente. En caso de tener resistencia de emisor, (RE)
debe ser mayor de 50 ohmios, y para frecuencias bajas, la se aproxima bastante bien la
impedancia de salida, por RC y la ganancia en tensión por la expresión:
−RC
GV = ℜ

Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se puede
suponer que existe una tensión constante, denominada VBE y que el valor de β es constante.
Del gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es:

VE=VB−VBE
Y la corriente de emisor:
VE VB−VBE
IE= ℜ = ℜ
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I 2
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IC 1
IE=IC+ IB=IC + =IC (1+ )
β β
Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda
como:
VB
Zin= =¿ REβ
IB
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más
elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
Para describir el comportamiento de la configuración EC, se requiere de dos conjuntos de
características:

 Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida (VCE).
Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE = 0.7V

Figura 1.- Parámetros de entrada

 Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE) para varios
niveles de corriente de entrada (IB).

Figura 2.- Parámetros de salida

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Regiones Operativas

 Región Activa
La unión colector-emisor se polariza inversamente, mientras que la unión base-
emisor se polariza directamente.
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, está formada por la suma de la
corriente de base y la de colector:

IE=IC+ IB
En la configuración EC, también se mantiene la relación siguiente que se usó en la
configuración BC:

IC=α IE
 Región de Corte
Tanto la unión base-emisor como la unión colector-emisor de un transistor tienen
polarización inversa.
En la región de corte la IC no es igual a cero cuando IB es cero.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la
configuración EC se definirá mediante:

IC=ICEO
Para IB=0 μA
La región por debajo de IB = 0μA debe evitarse si se requiere una señal de salida
sin distorsión

 Región de Saturación
Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un transistor tienen
polarización directa.
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las uniones están en
polarización directa, las corrientes se anulan.
Un transistor está saturado cuando:

( IC=IE=IMáxima)

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Figura 3.- Regiones Operativas

Ganancia de Corriente 𝛽 (beta)

La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la de
entrada (IB)
IC
β=
IB
La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la corriente de salida (IC)
es mayor que la corriente de la entrada (IB). Suele tener un rango entre 40 y 400, con la
mayoría dentro del rango medio.
𝛽 es un parámetro importante porque ofrece una relación directa entre los niveles de
corriente de los circuitos de entrada y los de salida en EC.

IC=βIB
Y dado que

IE=IC+ IB
IE=β IB + IB
Se tiene que

IC=(β+1)IB
Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden proporcionar ganancias de voltaje y de
potencia mucho mayores que los de base común.
VC −RC
GV = = ℜ
VE
IV. APLICATIVOS:
1. Simular el siguiente circuito:

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V i (V ) V c (V) I c (mA )
1 9.85 1.83
3 9.37 1.45
5 9.24 1.4
8 9 1.31

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I 6
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10 8.55 1.24

f=60 Hz Ib=30µA
10

9.5

9
Ic (mA)

8.5

7.5
1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9

Vc (V)

2. Simular el siguiente circuito con el Vcc igual al anterior:

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V i (V ) I c (mA ) V c (V)
1 2.67 8.43
3 2.43 8.23
5 2.05 7.89
8 1.92 7.43
10 1.81 6.97

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I 8
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f=60 Hz Ib=40µA
9

8.5

8
Ic (mA)

7.5

6.5

6
1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9

Vc (V)

3. Simular el siguiente circuito

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V i (V ) I c (mA ) V c (V)
1 3.14 8.32
3 2.89 8.13
5 2.56 7.65
8 2.17 7.12
10 1.67 6.12

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I 10
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f=60 Hz Ib=50µA
8.5

7.5
Ic (mA)

6.5

5.5
1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9 3.1 3.3

Vc (V)

4. Simular el siguiente circuito

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I 11
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V i (V ) I c (mA ) V c (V)
1 3.56 7.23
3 3.21 6.98
5 2.89 6.75
8 2.45 6.14
10 2.12 5.48

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I 12
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f=60 Hz Ib=60µA
7.5

6.5
Ic (mA)

5.5

5
2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5

Vc (V)

5. Simular el siguiente circuito:

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V i (V ) I c (mA ) V c (V)
1 3.87 7.56
3 3.23 7.18
5 2.98 6.97
8 2.46 6.13
10 2.25 5.59

f=60 Hz Ib=70µA
8

7.5

7
Ic (mA)

6.5

5.5

5
2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 4

Vc (V)

V. CONCLUSIONES:
Observamos que en la simulación el voltaje de salida tiene un desfasaje de
0°.

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VI. OBSERVACIONES:
En este laboratorio hemos aprendido las características de un amplificador
BJT de base común y sus diferencias al momento de trabarlo en
laboratorio.

VII. BIBLIOGRAFÍA Y ENLACES:

 http://www.geocities.ws/pnavar2/transis2/emis_com.html
 http://es.slideshare.net/OthonielHernandezOvando/34-configuracin-en-emisor-
comn
 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

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