Plantilla-Carta 2017

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Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia
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LOS TRANSISTORES Y SUS APLICACIONES
Marolin Y. Polo García
Universidad de Pamplona, Km 1, vía Bucaramanga, Colombia
E-mail: marolinpolo34@gmail.com
Phone: +57 3013339716 -3014181974
ABSTRACT
El presente trabajo se realizo con el fin de abordar algunos tipos de transistores

existentes, en cuanto a sus características, su principio de funcionamiento y
las aplicaciones de los mas usados en electrónica como el caso de los
transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto campo (FET) y
los transistores de efecto campo metal oxido semiconductor (MOSFET).
KEYWORDS
Transistores( bipolares y efecto campo).
INTRODUCCIÓN
Los transistores son aparatos electrónicos semiconductores, encargados de la

transmisión de una señal saliente (salida) en presencia de una entrante
(entrada), como parte de un circuito electrónico de algún tipo. El término
“transistor” proviene del inglés transfer resistor (resistor de transferencia), e
inicialmente fueron diseñados para modular la corriente eléctrica.
Formando líderes para la construcción de un 1

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Los transistores, en ese sentido, cumplen funciones de amplificación, oscilación,

conmutación o rectificación de la señal eléctrica dentro del circuito determinado, y se
utilizan en gran parte de los circuitos integrados de los artefactos electrónicos
contemporáneos.
Los primeros transistores operativos fueron desarrollados en 1955, a pesar de que se

venía estudiando su composición desde prácticamente inicios del siglo, en búsqueda
de métodos de mejorar la conducción eléctrica y electrónica. El principio de
funcionamiento de los transistores (el llamado “efecto transistor”) fue descubierto por
los estadounidenses John Bardeen, William Shockley y Walter Houser Brattain en
1948 y les valió el Premio Nobel de Física en 1956.
Los transistores se componen esencialmente de tres patillas o cables, cada uno

encargado de una labor diferente y que se denominan:
Emisor. Desde donde entra el flujo eléctrico al interior encapsulado del

transistor.
Base. La que modula el flujo entre emisor y colector.
Colector. Hacia donde fluye la corriente una vez que ha sido modulada por la
base.
Los transistores operan como peajes o alcabalas en el flujo eléctrico,
permitiendo aumentar, disminuir o modular su intensidad conforme a tres
posiciones posibles dentro de un circuito:
En activa. Permite el paso de más o menos corriente (modulada) hacia el
colector y, por lo tanto, de vuelta al circuito.
En corte. Impide el paso de toda la corriente.
En saturación. Permite el paso íntegro de la corriente.
Las funciones de un transistor como parte de un circuito eléctrico pueden ser
dos fundamentalmente:
Como interruptor. Corta el flujo eléctrico a partir de una pequeña señal de
mando.
Como amplificador. Recibe una pequeña señal eléctrica que, al salir

del transistor, se habrá convertido en una más grande.

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TIPOS DE TRANSISTORES ( Simbología)
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las

aplicaciones a las que se destinan. A continuación se muestran los tipos de
uso más frecuente y su simbología.
Transistor bipolar de unión (BJT)
Transistor de efecto campo (FET)
Transistor de efecto de campo, de metal oxido

semiconductor (MOSFET)

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TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus

siglas BJT fue inventado en 1947) es un dispositivo de tres terminales emisor,
colector y base, que atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN
y PNP.
En la figura se encuentran los símbolos de circuito y nomenclatura de sus

terminales. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es
observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta
hacia fuera del transistor; en un NPN la flecha apunta hacia dentro. Además,
en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que
circula por el emisor del transistor.
ESTRUCTURA FÍSICA
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones

semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN).

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En la figura observamos el aspecto útil para análisis de un transistor bipolar.

Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir,
si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta
estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N,
entonces la base será P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo
NPN.
El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden

impurezas, de forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas.
En la figura vemos el aspecto típico de un transistor bipolar real, de los que se

encuentran en cualquier circuito integrado. Sobre una base n (substrato que
actúa como colector), se difunden regiones p y n+, en las que se ponen los
contactos de emisor y base.

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FUNCIONAMIENTO
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es

posible controlar un gran potencia a partir de una pequeña.
En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo.

Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular,
y en el terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que
controlamos la potencia. Con pequeñas variaciones de corriente a través del
terminal de base, se consiguen grandes variaciones a través de los terminales
de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta
variación de corriente en variaciones de tensión según sea necesario.
FUNCIONAMIENTO FÍSICO DEL TRANSISTOR BJT

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que
circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base.
En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión
emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente,
pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que
circula por emisor-base.

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En la figura se puede ver lo que sucede. Se dispone de dos diodos, uno

polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa (diodo B). Mientras que la
corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequeña (IB). Si se
unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que llamaremos
base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que
circulaba por A (IA), va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo
B. De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente,
mientras que por la base una corriente muy pequeña. El control se produce
mediante este terminal de base porque, si se corta la corriente por la base ya
no existe polarización de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto no
circula corriente.
APLICACIONES DEL TRANSISTOR BJT
Un transistor BJT , puede ser usado para dos cosas. El transistor puede
funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un
amplificador con ganancia variable. El transistor es también la base para el
desarrollo de sistemas digitales como compuertas lógicas. Las compuertas
lógicas son la base de los sistemas embebidos. Entonces podemos plantear
que el transistor es la base de la tecnología digital actual. Regresando a las
aplicaciones comunes, la más usada es el uso del transistor NPN como
interruptor electrónico, para este funcionamiento, el transistor debe de operar
en las zonas llamadas corte y saturación.

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TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FET)
El transistor de efecto campoield-Effect Transistor o FET, en inglés) es en

realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los
FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias
controladas por voltaje. La mayoría de los FET están hechos usando las
técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea
monocristalina semiconductora como la región activa o canal.
CARACTERÍSTICAS:
 Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de carga.
 Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que

supone una gran ventaja para aplicaciones de microelectrónica.
 Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de MΩ)
En los transistores de efecto de campo FET(Field Effect Transistor) podemos

distinguir dos grandes tipos:
 Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect

Transistor)

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 Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor:

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente

(source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor
de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (JFET)
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de

campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres
terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado,
amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales,
comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).
ESTRUCTURA FÍSICA
Observamos que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma

el canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del
canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada
como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material
se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente
(source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al
mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto,
esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos
del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia
de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo

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condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en

cada unión, como se ilustra en la figura , que se parece a la misma región de
un diodo bajo condiciones sin polarización. Recordamos también que una
región de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo
tanto incapaz de permitir la conducción a través de la región.
FUNCIONAMIENTO
Su funcionamiento se basa en las zonas de deplexión que rodean a cada zona

P al ser polarizadas inversamente. Cuando aumentamos la tensión en el diodo
compuerta-fuente, las zonas de deplexión se hacen más grandes, lo cual hace
que la corriente que va de fuente a drenaje tenga más dificultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es
la tensión inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre
fuente y drenaje. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y
no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal creado
entre las zonas de deplexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje
es igual a la corriente de fuente .

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APLICACIONES

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TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (MOSFET )
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y

amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.
Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate, Drain y Source (compuerta,
drenaje y fuente). A su vez, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y
los canal P.
VENTAJAS DEL TRANSISTOR MOSFET

La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para
llevar a cabo su propósito y la disipación de la energía en términos de pérdida
es muy pequeña, lo que hace que sea un componente importante en los
modernos ordenadores y dispositivos electrónicos como los teléfonos
celulares, relojes digitales, pequeños juguetes de robot y calculadoras.

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En los transistores MOSFET, podemos distinguir dos tipo:
 MOSFET de acumulación o de enriquecimiento.
 MOSFET de deplexión o empobrecimiento.
ESTRUCTURA (MOSFET ACUMULACIÓN)
la estructura básica para un MOSFET de canal n, partimos de una zona de

material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+ con
contactos metálicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja
representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso óxido
de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como
tenemos una zona metálica (correspondiente al contacto óhmico) una zona de
óxido y una zona de semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura
de donde le viene el nombre al dispositivo de Metal – Óxido – Semiconductor
(MOS). Además, este dispositivo tendría un cuarto terminal, el terminal del
Sustrato (SS), aunque habitualmente éste se encuentra conectado a la fuente.
Es preciso que notemos una característica fundamental de este dispositivo y
es que la puerta está aislada eléctricamente del dispositivo, es decir, no hay
conexión eléctrica entre la puerta y el sustrato.

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SIMBOLOGÍA
Los símbolos utilizados para la representación en circuitos de los MOSFET de

acumulación son los siguientes:
MOSFET de acumulación de canal n

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MOSFET de acumulación de canal p
Aspectos significativos del símbolo, en primer lugar que el terminal de puerta

no tiene conexión con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto
anteriormente, está aislado eléctricamente del resto del dispositivo. En
segundo lugar que los terminales de drenador y fuente están unidos a través
de una línea discontinua, esta línea hace referencia al canal que se va a formar
y que veremos más adelante. De nuevo, la flecha indica el sentido en que
circularía la corriente en el caso de que la unión pn estuviera polarizada en
directa.
FUNCIONAMIENTO
El funcionamiento más habitual, de los transistores MOSFET de acumulación

se polarizan tal y como aparece en la Figura.

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Los transistores MOSFET de acumulación de canal n se polarizan aplicando

una tensión positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión positiva entre
puerta y fuente (VGS). De esta forma, la corriente circulará en el sentido de
drenador a fuente. En el caso del MOSFET de acumulación de canal p la
tensión VDS a aplicar debe ser negativa y la tensión VGS negativa, de esta
forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.
ESTRUCTURA (MOSFET DEPLEXION)
La estructura básica para un MOSFET de deplexión es similar al caso del

MOSFET de acumulación , con la importante diferencia de que en este caso
disponemos de un canal inicial realizado en el proceso de fabricación del
dispositivo.

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SIMBOLOGÍA
Los símbolos utilizados para la representación en circuitos de los MOSFET de

deplexión son los siguientes:
MOSFET de deplexión canal n

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MOSFET de deplexión canal p
El terminal de puerta no tiene conexión con el resto de terminales, ya que tal

y como hemos visto anteriormente, está aislado eléctricamente del resto del
dispositivo. Pero, a diferencia del caso anterior, en el MOSFET de acumulación
los terminales de drenador y fuente están unidos a través de una línea
continua, esta línea hace referencia al canal que ahora si que existe desde un
principio. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circularía la corriente en
el caso de que la unión pn estuviera polarizada en directa.
FUNCIONAMIENTO

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En este caso, si aplicamos una tensión VGS > 0, se atraerán más electrones
hacia la zona de la puerta y se repelerán más huecos de dicha zona, por lo
que el canal se ensanchará. Por lo tanto, el efecto que tenemos es el mismo
que en el caso del MOSFET de acumulación, es decir, para valores VGS > 0
el MOSFET de deplexión tiene un comportamiento de acumulación. Si por el
contrario damos valores VGS < 0 el efecto será el contrario, disminuyéndose
la anchura del canal. En definitiva, volvemos a tener de nuevo un efecto de
modulación de la anchura de un canal en función de una tensión aplicada VGS
. Sin embargo, si seguimos disminuyendo el valor de VGS podrá llegar un
momento en que el canal desaparezca por completo, esto sucederá cuando
VGS disminuya por debajo de un valor VGSoff
APLICACIONES
La forma mas habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo

CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS
complementarios. Las aplicaciones de MOSFET discretas mas comunes son:
 Resistencia controlada por presión.
 Circuitos de conmutación de potencias.
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

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CONCLUSIONES
 Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran

medida, el diseño de los circuitos electrónicos. Se puede comentar que
con el invento de estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras
vidas, ya que en casi todos los aparatos electrónicos se encuentran
presentes.
 En el presente trabajo se conocieron los distintos tipos de transistores,

así como su aspecto físico, su estructura básica y las simbologías
utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y que por
necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos
tipos de transistores.
 Además de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba

de los transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones
para su uso.
BIBLIOGRAFÍAS
https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
https://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20T
ransistores%20de%20Efecto%20Campo.pdf
http://www.profetolocka.com.ar/2017/07/12/transistores-de-efecto-de-
campo/
https://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html

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Los transistores son aparatos electrónicos semiconductores, encargados de la

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Los primeros transistores operativos fueron desarrollados en 1955, a pesar de que se

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Transistor bipolar de unión (BJT)

Transistor de efecto campo (FET)

Transistor de efecto de campo, de metal oxido

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TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus

En la figura se encuentran los símbolos de circuito y nomenclatura de sus

El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones

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En la figura observamos el aspecto útil para análisis de un transistor bipolar.

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden

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El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es

En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo.

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El transistor de efecto campoield-Effect Transistor o FET, en inglés) es en

 Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de carga.

 Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que

 Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de MΩ)

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 Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect

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 Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor:

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente

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Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y

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En los transistores MOSFET, podemos distinguir dos tipo:

 MOSFET de acumulación o de enriquecimiento.

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