"AÑO DEL BUEN SERVICIO AL CIUDADANO"

UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

Facultad de Ciencias e Ingenierías Físicas y

Formales
PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA,
MECANICA-ELECTRICA Y MECATRONICA
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
INFORME N°03:
TRANSISTOR BJT

DOCENTE: ING. JUAN DIEGO CACERES

ALUMNOS:
- SALAS BAYLON, CHRISTOPHER ISRAEL
- SANCHEZ MARQUEZ ,SERGIO LUIS
GRUPO: 11
FECHA DE ENTREGA: 19/05/2017

2) RESUMEN:
 ¿Qué se hizo?
En el laboratorio realizamos la experiencia de:
 Análisis de las características de transistores BJT

¿Cómo se hizo?

 Se utilizó un multímetro para identificar los terminales de cada transistor.

 Los datos recolectados los ordenamos en tablas así también para su posterior
análisis.
 Se realizaron cálculos a partir de las mediciones.

¿Cómo se obtuvo?

 Armando los circuitos especificados en la guía.

 Para la prueba se necesitó una protoboard y un multímetro, de esta forma pudimos

conocer las características y modo de empleo de estos instrumentos de trabajo.

 Se usaron los siguientes materiales:

3) PRACTICA Y RESULTADOS:
IDENTIFICACION DEL TRANSISTOR

OBJETIVO:
 Identificar los terminales del transistor.

PROCEDIMIENTO:
 Primero que nada, seleccionamos la escala de prueba de diodos en el DMM, luego
conectamos los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Luego
procedemos a tomar lectura.

 Luego
identificamos las características del transistor en la siguiente tabla:

 Procedemos a armar el siguiente circuito:

 Mediante el multímetro, obtenemos olas siguientes características del transistor: deducción
del tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y β (hFE).

 Utilizando la hoja de datos analizamos las siguientes

características del transistor: tipo de transistor. Configuración de cada patilla, potencia
máxima. Vce máxima, Ic máxima, β (hFE) y frecuencia de corte.

 En el circuito, T1=BC548B; Vref=15 V; Rb1=4.7 Ω; Rb2= 5 MΩ; Rc1= 100 Ω y Rc2=10 kΩ.
Se requiere ajustar Rb2 de tal manera que Ia alcance los 25 uA. A continuación se varia
Rc2 de forma que Vce sea 0 V; 0.5 V, 1 V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la
corriente Ic.

DATOS OBTENIDOS:
 Graficamos Vce vs Ic.

CARACTERISTICAS DEL COLECTOR

OBJETIVO:
 Analizar el colector

PROCEDIMIENTO:
 Primero que nada, se empieza a construir el circuito según el esquema mostrado:

 Fijar el voltaje VRB a

3.3V variando el
potenciómetro de 1M.
Esto fijará IB = VRB/RB a 10A como se indica en la Tabla 3.

 Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera

línea de la Tabla 3.

 Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

  Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que
aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10A en los diferentes niveles
de VCE

 Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

 Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor
de VRB establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

 Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor
de IE = Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.

Vrb Ib Vce Vrc Ic Vbe Ie α β

(medido) (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)

3.3 10 2 3.39 3.46 0.66 3.47 0.997 345.92

3.3 10 4 3.49 3.56 0.65 3.57 0.997 356.12
3.3 10 6 3.58 3.65 0.65 3.66 0.997 365.31
3.3 10 8 3.65 3.72 0.65 3.73 0.997 372.45
3.3 10 10 3.73 3.81 0.64 3.82 0.997 380.61
3.3 10 12 3.83 3.91 0.64 3.92 0.997 390.82
3.3 10 14 3.9 3.98 0.63 3.99 0.997 397.96
3.3 10 16 4.02 4.1 0.63 4.11 0.998 410.2
                 
6.6 20 2 6.98 7.12 0.67 7.14 0.997 356.12
6.6 20 4 7.14 7.29 0.66 7.31 0.997 364.29
6.6 20 6 7.37 7.52 0.66 7.54 0.997 376.02
6.6 20 8 7.61 7.77 0.65 7.79 0.997 388.27
6.6 20 10 7.85 8.01 0.64 8.03 0.998 400.51
6.6 20 12 7.96 8.12 0.64 8.14 0.998 406.12
6.6 20 14 -   -      
                 
9.9 30 2 10.25 10.46 0.68 10.49 0.997 348.64
9.9 30 4 10.66 10.88 0.67 10.91 0.997 362.59
9.9 30 6 11.19 11.42 0.66 11.45 0.997 380.61
9.9 30 8 11.76 12 0.64 12.03 0.998 400
9.9 30 10 -          
                 
13 40 2 13.6 13.88 0.68 13.92 0.997 346.94
13 40 4 14.32 14.61 0.67 14.65 0.997 365.31
13 40 6 - - - - - -
 13 40 8 - - - - - -
                 
17 50 2 16.7 17.04 0.69 17.09 0.997 340.82
17 50 4 -   - - - -
17 50 6 -   - - - -
17 50 8 -   - - - -
DATOS OBTENIDOS:

 Usando los datos de la TABLA 3, dibuje la curva característica del transistor La curva
es Ic vs Vce para los diferentes valores de Ib.

4)

CONCLUSIONES:

 Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la

región del emisor, la región de la base y la región del colector.

 El transistor permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.

 Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera

que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
  Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte
entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (lb).

 Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica.

 NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y
"P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones
del transistor.

 La ganancia de corriente emisor común está representada por (β) hFE. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100.

 Se recomienda ver la data sheet del transistor proporcionada por el fabricante en caso
de no tener algún dato.

5) BIBLIOGRAFIA:

Boylestad N. , S. A. (2005). Electronica: Teoria de circuitos y dispositivos. Madrid: PEARSON EDUCATION S.A.

TRANSISTOR BJT. (2012). 3rd ed. [ebook] Universidad del país Vasco Euskar Herrico Unibertsitatea: ZTF-
FCT, pp.6;7. Available at: http://www.ehu.eus/rperez/TE1/docu/circuitos.pdf [Accessed 12 Abr. 2017].

CORPORATION, F. (2015). ELECTROTECNIA BASICA. 1st ed. [ebook] Madrid: Thanworth II · Nave B1A,
pp.3;4;5. Available at:
https://www.interempresas.net/FeriaVirtual/Catalogos_y_documentos/5159/13155-spa-w.pdf [Accessed
28 Abril. 2017].