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PRÁCTICA N°5
1. TEMA
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOSFET
2. OBJETIVOS
3. INFORMACIÓN
El MOSFET de potencia (Metal Oxide Semiconductor, Field Effect Transistors) difiere del
transistor bipolar de juntura en principios de operación, especificaciones y funcionamiento.
Las características de operación de los MOSFETs son superiores a las de los transistores
bipolares de juntura: tiempos de conmutación más rápidos, circuito de control simple, no
segunda avalancha, posibilidad de colocarse en paralelo, ganancia estable y amplio rango
de respuesta de frecuencia y temperatura.
El MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje (si bien lo más apropiado
es señalar que es un elemento controlado por carga) a través del terminal gate, el que
está eléctricamente aislado del cuerpo de silicio por una delgada capa de dióxido de silicio
(SiO2). Por el aislamiento de la compuerta la corriente que ingresa en el gate es pequeña
lo que hace que el circuito de control no deba entregar valores considerables de corriente,
ventaja importante con respecto al TBJ. Al ser un semiconductor de portadores
mayoritarios, el MOSFET opera a mayor velocidad que un transistor bipolar porque no
tiene un mecanismo de mantenimiento de carga [1].
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Las regiones de operación del transistor de efecto de campo son la región de corte, región
activa y región óhmica (Figura 2).
Región de corte (Cutoff): el voltaje gate-source es menor que el voltaje de umbral V GS(th),
el cual es típicamente unos cuantos voltios en la mayoría de MOSFETs de potencia. El
dispositivo puede mantenerse abierto aunque se aplique una fuente de potencia entre sus
terminales siempre y cuando este voltaje sea menor que el voltaje de sustentación BV SS.
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El TBJ y el MOSFET tienen características que se complementan entre sí, por ejemplo las
pérdidas durante la conducción son menores en el TBJ especialmente en dispositivos con
alto voltaje de bloqueo, pero tiene tiempos grandes de conmutación sobre todo durante el
apagado. Por el contrario el MOSFET puede encenderse o apagarse más rápido, pero
sus pérdidas durante la conducción son grandes especialmente para dispositivos de alto
voltaje de bloqueo, por lo que una combinación de las características positiva de cada
elemento formarán un transistor de buen desempeño, con el objetivo de lograrlo aparece
el elemento conocido como IGBT.
4. TRABAJO PREPARATORIO
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5. EQUIPO Y MATERIALES
Analizador de armónicos.
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6. PROCEDIMIENTO
6.1. Para el circuito diseñado en el literal 4.4 del trabajo preparatorio, observar formas
de onda y comprobar que el elemento esté trabajando en las regiones de corte y
óhmica. Variar la resistencia en la base del MOSFET y comprobar formas de onda
de voltaje, corriente y potencia.
6.2. A una relación de trabajo aproximada de 0.5 con el módulo matemático del
osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para observar la curva de
potencia disipada en el dispositivo, para 2 frecuencias y para dos valores de
resistencia de gate definidas por el instructor.
6.3. Para una frecuencia de 5KHz y con el valor de resistencia diseñada en el literal
4.4 tomar formas de onda de voltaje y corriente en el dispositivo, determinar los
tiempos de encendido y apagado del MOSFET para calcular las pérdidas
estáticas y dinámicas.
6.5. Repetir el literal 6.3 para carga R-L añadiendo el diodo de conmutación (FAST
RECOVERY).
7. INFORME
7.1. Presentar las respectivas formas de onda obtenidas en el osciloscopio para los
diferentes literales del procedimiento.
7.5. Bibliografía.
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8. REFERENCIAS
[1] Batarseh, I., Power Electronics Handbook, The Power MOSFET, 2011.