INGENIERÍA MECATRONICA

ELECTRÓNICA ANÁLOGA I

Instituto TRABAJO PRACTICO EXPERIMENTAL

Tecnológico
Metropolitano PRÁCTICA No. 3 FECHA: Mayo-09-11

GUIA DE TRABAJO EXPERIMENTAL CON ACOMPAÑAMIENTO

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

1. JUSTIFICACIÓN

El transistor de efecto de campo FET (Field-Effect-Transistor) es un dispositivo semiconductor

de tres terminales muy empleado en circuitos digitales y analógicos. Básicamente son de dos
tipos MOSFET y JFET (Metal-Oxide-Semiconductor y Junction FET). Los Fet tienen la
particularidad de ser de fabricación más simple y de ocupar menos espacio que los BJT. Puesto
que se pueden encontrar chips de hasta 100.000 MOSFET en su interior. Otra ventaja que
tienen los MOSFET es que los resistores y condensadores de un circuito, se reemplazan con un
dispositivo MOS, por lo que la fabricación de circuitos integrados con ésta tecnología se ha
difundido tanto, especialmente para sistemas integrados de muy gran escala. Los JFET tienen
la característica de tener muy alta resistencia de entrada y muy bajo ruido por lo que se los
emplea en procesamiento de señales.

2. COMPETENCIAS

Con la realización de esta práctica de laboratorio el estudiante estará en capacidad para:

 Conocer y realizar tanto la conexión como la hoja de datos de un transistor de
efecto campo.
 Implementar aplicaciones con control de motores y conmutación para FET y MOSFET

3. MATERIALES

Transistores MOSFET: 2 IRF630 (canal N) y 2 IRF4905 (canal P).

Motor DC a 12 v.
1 LED tricolor
4 diodos 1n4001
1 condensador cerámico de 0.1 µf
1 condensador electrolítico de 470 µf
2 condensadores electrolíticos de 10 µf
1 DipSwich de 2 posiciones
Resistencias: 1k, 10k, 470, 330, 2.7K, 10M
2 transistores BJT 2N3904
1 diodo zener a 15v 17mA (1N4744A)
1 transistor JFET de canal N BF245C o 2SK161 0 2N5457

1 Juan David Grajales B.

 4. PROCEDIMIENTO

4.1. CARACTERIZACIÓN EXPERIMENTAL DEL JFET

Inicialmente se debe medir la corriente IDSS, para ello según la conceptualización teórica de la
clase, se debe hacer VGS = 0 y con una alimentación en el drenaje de 10vdc, cómo se describe
en la siguiente figura:

Fig. 1. Medida de la corriente IDSS.

Seguidamente determinaremos Vp (voltaje pinch off) o voltaje de bloqueo del canal, para ello
implemente el montaje de la figura 2, mida la corriente de drenaje y Vgs, con los datos del
inciso anterior y la ecuación 1, determine Vp.

(1)

Fig. 2. Calculo de Vp.

Compare los datos con los teóricos de la hoja de datos del dispositivo y consígnelos en el
informe.
 4.2. EL JFET COMO AMPLIFICADOR

Realice el montaje de la figura 3, donde se muestra el esquema de un circuito amplificador

basado en JFET en configuración de fuente común. Alimente el circuito adecuadamente y
excite el circuito con una señal de entrada sinusoidal de frecuencia 8KHz y 0.2V de amplitud.

Visualice con el canal 1 del osciloscopio la señal a la entrada del circuito y con el canal 2 la
señal a la salida del circuito, guarde la gráfica en su memoria para consignarla en el informe.
#$
Calcule la ganancia en tensión del circuito como ! = para cada una de las frecuencias de
#%
la Tabla 1.

Fig. 3. Transistor como amplificador.

Tabla 1. Ganancia del circuito

F( 10 22 60 1. 3. 8k 20 50 10 22 60 1.2 3
Hz) 0 0 0 2k 2k k k 0k 0k 0k M M
A 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.001 0.001 0.001 0.001 0.00
81v 84v 92v 98v 95v 95v 16v 16v 5v 5v 5v 5v 1v

Realice una gráfica de ganancia de tensión en función de la frecuencia. Utilice escala

logarítmica en el eje de la abscisa para poder representar correctamente todos los valores de
frecuencias.

Realice mediciones de corriente y voltaje para cada parámetro especificado en la tabla 2,

realice los cálculos correspondientes teóricos para completar la tabla

Tabla 2. Parámetros del transistor JFET

PARAMETRO
VALOR TEORICO VALOR EXPERIMENTAL
DEL
TRANSISTOR
IG 0.03µA 0.03µA
VG 0.30v 0.30v
ID 0.50mA
 VD 10.75v
IS
VS 1.20v
VGS -0.84v
VDS 9.50

4.3. TRANSISITOR COMO CONMUTADOR: PUENTE H CON TRANSISTORES MOSFET

Es un circuito electrónico que permite a un motor DC girar en ambos sentidos, avance y

retroceso. Son ampliamente usados en sistemas mecatrónicos y robóticos con aplicaciones
industriales, domóticas, automoción y biomédica entre otros. Por su función se denominan
convertidores de potencia.

Los puentes H están disponibles en circuitos integrados como el L293D, pero también pueden
construirse a partir de componentes semiconductores como transistores. El término "puente
H" proviene de la forma gráfica del circuito. Un puente H se construye con 4 interruptores
(mediante transistores) como se describe en la figura 4. Cuando los interruptores S1 y S4 están
cerrados y S2 y S3 abiertos, se aplica una tensión positiva en el motor, haciéndolo girar en un
sentido. De otra forma abriendo los interruptores S1 y S4 y cerrando S2 y S3, el voltaje se
invierte, permitiendo el giro en sentido inverso del motor

Fig. 4. Modelo Puente H.

Muy importante tener en cuenta que los interruptores S1 y S2, según la configuración
del circuito, nunca podrán estar cerrados al mismo tiempo, porque esto cortocircuitaría
la fuente de tensión. Lo mismo sucede con S3 y S4.

4.3.1. MONTAJE

Realice el montaje de la figura 5, considerando que los MOSFETs son extremadamente

sensibles a las corrientes estáticas, pero aún más importante es el hecho que si su Compuerta
(Gate) es dejada sin conexión pueden llegar a autodestruirse.

La Compuerta es un dispositivo de muy alta impedancia (alrededor de 10Mohm) y un simple

ruido eléctrico puede activarlo.

Las resistencias R3, R5, R9 y R8 han sido adicionadas para evitar que el MOSFET se autodestruya.
Es muy importante instalar estas resistencias antes de instalar el MOSFET. Estas
resistencias permitirán un comportamiento estable del MOSFET y además agregarán
una protección contra la estática.
Para probar el funcionamiento del motor nunca accione los dos swich al
tiempo es decir ambos en la posición ON, porque cortocircuita la fuente y
todos los MOSFETs serán activados o saturados, lo cual provocará que toda
la corriente de la fuente de alimentación pase a través de ellos
destruyéndolos y usted se hace responsable del daño.
Coloque ambos swich en la posición OFF (apagado) y encienda la fuente, observe el
comportamiento del motor y del led, mida el voltaje de cada transistor para determinar su
estado: corte o saturación, apunte los datos en la tabla 3, considerando el estado del motor
como AVANCE, RETROCESO o PARO.

Seguidamente accione solamente el swich 2 (ON), y tome nota de los datos anteriores en la
tabla 3.

Vuelva el swich 2 a su posición inicial (OFF) y accione el swich 1 (ON), anote los datos en la
tabla 3.

Tabla 3. Comportamiento del circuito con MOSFET.

SWICH ESTADO DEL TRANSISTOR COL ESTAD
OR O
LED MOTO
R
S S Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6
1 2
OFF OFF
OFF ON
ON OFF
ON ON No
permitido

4.4. DISEÑO

Diseñe un circuito con un sensor de ranura mediante diodos o diodo emisor y fototransistor,
que mientras no sea interrumpida la luz, el motor gira en un sentido y cuando se interrumpe la
luz el motor cambia de sentido.

COMPRUEBE LOS RESULTADOS MEDIDOS DE FORMA TEÓRICA, INCLUYA

CALCULOS, TABLAS DE RESULTADOS Y MEDICIONES, ADEMÁS ELABORA
CONCLUSIONES GENERALES DEL INFORME.
 Fig. 5. Puente H con MOSFET.

6 Juan David Grajales B.