TRABAJO DE INVESTIGACIÓN N°3

TRANSISTORES Y CONVERSORES DC-AC: INVERSORES

Cristian Cañón, David Santiago Ortiz y Santiago Ochoa

cristian.cañón@mail.escuelaing.edu.co, david.ortiz-s@mail.escuelaing.edu.co,
santiago.ochoa@mail.escuelaing.edu.co.

ESCUELA COLOMBIANA DE INGENIERIA JULIO GARAVITO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
2020
 1. TRASISTORES DE CONMUTACIÓN: MOSFET, IBGT, Y MÓDULOS
INTELIGENTES (IGBT INTELLIGENT MODULES)

1.1. MOSFET
Los transistores de efecto de campo por semiconductor de óxido metálico (metal-oxide-
semiconductor field effect transistor, MOSFET) con apreciable capacidad de conducción de corriente
en estado activo y buena capacidad de tensión de bloqueo en estado pasivo —y, por tanto, con
potencial para aplicaciones de electrónica de potencia— están disponibles desde principios de la
década de 1980. Ahora se usan tanto como los BJT y de hecho los están remplazando en muchas
aplicaciones, en especial aquellas en las que son importantes las velocidades de conmutación altas.
Los MOSFET operan con base en mecanismos físicos diferentes a los de los BJT, y es esencial
comprender bien estas diferencias para utilizar de modo eficaz tanto los BJT como los MOSFET.
Este capítulo considera los mecanismos físicos básicos que rigen la operación de MOSFET, los
factores que establecen los límites de corrientes y tensiones del MOSFET, así como posibles modos
de falla si se exceden estos límites.

 Estructura básica
Un MOSFET de potencia tiene una estructura de orientación vertical del dopaje alterno de tipo p y
tipo n que se muestra en la figura 5a para una celda individual de las múltiples celdas paralelas de un
dispositivo completo. La estructura NPN se denomina MOSFET de canal n de modo de
intensificación (por razones que pronto serán obvias). También se fabrica una estructura con el perfil
opuesto: MOSFET de canal p. El dopaje en las dos capas extremas n, llamadas fuente y drenaje en la
figura 5, es aproximadamente igual en ambas capas y muy grande, por lo general de 1019 cm3. La
capa central de tipo p suele llamarse cuerpo y es la zona donde se establece el canal (que veremos en
la siguiente sección) entre fuente y drenaje, y por lo común se dopa con 1016 cm3. La capa n es la
región de arrastre de drenaje y suele doparse con 1014 1015 cm 3. Esta región de arrastre determina
la tensión de ruptura del dispositivo.
A primera vista parece que no hay manera de que fluya la corriente entre las terminales del
dispositivo, porque una de las uniones pn (ya sea la unión de cuerpo-fuente o la unión drenaje-cuerpo)
se pondrá en polarización inversa por una de las polaridades de tensión aplicada entre el drenaje y la
fuente. No puede haber inyección de portadores minoritarios en la zona del cuerpo por medio de la
terminal de compuerta porque la compuerta está aislada del cuerpo por medio de una capa de dióxido
de silicio (a menudo denominado óxido de compuerta y con un espesor común de más o menos 1 000
Å [angstroms]) que es un muy buen aislante y, por tanto, no hay operación de BJT. Sin embargo, la
aplicación de una tensión que polariza el positivo de la compuerta respecto de la fuente convierte la
superficie de silicio debajo del óxido de compuerta en una capa o canal de tipo n, lo que conecta la
fuente con el drenaje y permite el flujo de corrientes apreciables. El espesor del óxido de compuerta,
el ancho de la compuerta y el número de zonas de compuerta/fuente conectadas eléctricamente en
paralelo son importante para determinar la cantidad de corriente que fluirá para una tensión de
compuerta a fuente dada. Los mecanismos que producen el canal se analizarán más adelante en este
capítulo.
Figura 1.1 Estructura general de MOSFET
  Características i-v
El MOSFET, como el BJT, es un dispositivo de tres terminales donde la entrada, la compuerta en el
caso del MOSFET, controla el flujo de corriente entre las terminales de salida, la fuente y el drenaje.
La terminal de la fuente es común entre la entrada y la salida de un MOSFET. Las características de
la salida, la corriente de drenaje iD como función del voltaje drenaje a fuente vDS con el voltaje
compuerta a fuente VGS como parámetro, se muestran en la figura 5a para un MOSFET de canal n.
Las características de la salida para un dispositivo de canal p son las mismas, excepto que las
polaridades de corriente y tensión están invertidas, de modo que las características para el dispositivo
de canal p aparecen en el tercer cuadrante del plano iD_vDS y no en el primero, como las
características de la figura 5a.
En aplicaciones de electrónica de potencia, el MOSFET sirve como interruptor para controlar el flujo
de potencia a la carga de una manera análoga al BJT. En estas aplicaciones, el MOSFET atraviesa las
características de iD_vDS desde el corte a través de la zona activa hasta la zona ohmica conforme se
enciende el dispositivo, y de nuevo cuando se apaga. Las zonas del corte, activa y ohmica de las
características se muestran en la figura 5a. El MOSFET está en estrangulamiento cuando la tensión
de compuerta-fuente es menor que la tensión de umbral VGS(th), que suele ser de unos cuantos voltios
en la mayoría de los MOSFET de potencia. El dispositivo es un circuito abierto y debe rechazar la
tensión de la fuente de alimentación aplicada al circuito. Esto significa que la tensión de ruptura de
drenaje-fuente BVDSS que se muestra en la figura 5 debe ser mayor que la tensión aplicada de
drenaje-fuente para evitar la ruptura y la disipación alta de potencia que conlleva. Cuando ocurre una
ruptura, se debe a la ruptura de avalancha de la unión de drenaje-cuerpo. Cuando el dispositivo se
acciona por una tensión grande de compuerta-fuente, se lleva a la zona óhmica (la razón para esta
designación es doble, y primero tiene que ver con los mecanismos físicos que operan en el MOSFET,
los cuales abordaremos en la siguiente sección, y en segundo lugar para evitar la confusión con la
terminología de la saturación, que significa una cosa cuando se aplica a BJT, pero otra cuando se
aplica a los MOSFET), donde el voltaje de drenaje-fuente VDS(enc) es pequeño. En esta zona, la
disipación de potencia se mantiene dentro de límites razonables cuando se minimiza VDS(enc),
aunque la corriente de drenaje sea muy grande. El MOSFET está en la zona ohmica cuando:

En la zona activa, la corriente de drenaje es independiente de la tensión de drenaje-fuente y solo

depende de la tensión de compuerta-fuente. Se dice que a veces la corriente se satura, y por
consiguiente esta zona se llama a veces zona de saturación o zona del pentodo. Nosotros la
llamaremos zona activa, para evitar el uso del término saturación y la confusión que crea con la
saturación en BJT. La simple teoría del primer orden pronostica que, en la zona activa, la corriente
de drenaje está dada aproximadamente por:

Donde K es una constante que depende de la geometría del dispositivo. En el límite entre la zona
óhmica y la zona activa, donde VGS _ VGS(th) _ vDS, la ecuación se convierte en:
Que es una manera conveniente de delinear el límite entre las dos zonas.

Figura 1.2. Curvas comportamentales de MOSFET.

Los MOSFET del nivel logico siguen razonablemente bien la relación que expresa la ecuacion. Sin
embargo, un dibujo de iD versus vGS (con el MOSFET en la zona activa) en la figura 5b, por lo
general denominada curva de transferencia, muestra que a esta ecuación solo se observa en valores
bajos de la corriente de drenaje en los MOSFET de potencia. En general, la curva de transferencia de
un MOSFET de potencia es muy lineal, en contraste con la curva de transferencia parabólica del
dispositivo de nivel lógico. En la siguiente sección consideraremos la razón del comportamiento
diferente de la curva de transferencia entre MOSFET de nivel lógico y de potencia.

 Física de operación del dispositivo

La parte de la compuerta de la estructura MOSFET de la figura 6 es la clave para entender cómo
trabaja el MOSFET. La parte de la compuerta consta de la metalización de la compuerta, el dióxido
de silicio debajo del conductor, que se denomina oxido de la compuerta, y el silicio debajo del óxido.
Esta zona forma un condensador (o capacitor) de alta calidad, como se muestra en la figura 5, y a
veces se le denomina condensador MOS. Aunque el condensador que se muestra suele estar
compuesto por metalización de aluminio, aislante SiO2 y una capa de fondo de silicio, la misma
estructura básica se fabrica en otros semiconductores, como arseniuro de galio, y se usan otros
aislantes, como nitruro de aluminio o nitruro de silicio, para el aislante. La capa superior de
metalización también puede ser algún material conductor diferente. El polisilicio, metales refractorios
como el tungsteno y otros metales se han usado en dispositivos MOSFET.

 Características de conmutación
Los MOSFET son intrínsecamente más rápidos que los dispositivos bipolares porque no tienen
portadores minoritarios excedentes que se deban introducir o sacar del dispositivo cuando se enciende
o apaga. Las únicas cargas que se tienen que mover son las que están en las capacitancias de disipación
y las capacitancias de las zonas de degradación que se muestran en la sección transversal del
MOSFET de la figura 5.Estas capacitancias se modelan con el circuito equivalente de la figura 5a,
que es válido cuando el MOSFET está en corte o en la zona activa. Se necesitan modelos de circuitos
como este para un estudio detallado de las características de encendido y apagado del MOSFET de
modo que se diseñen los circuitos de accionamiento de compuerta correspondientes.

1.2. IBGT
Los transistores bipolares de efecto de campo y MOSFET tienen características que se complementan
en algunos aspectos. Los BJT tienen perdidas de conducción más bajas en estado activo, sobre todo
en dispositivos con mayores tensiones de bloqueo, pero tienen también tiempos de conmutación más
largos, en particular durante la desconexión. Los MOSFET se encienden y apagan mucho más rápido,
especialmente en dispositivos especificados para mayores tensiones de bloqueo (algunos cientos de
voltios y mayores).
Estas observaciones motivaron la combinación de BJT y MOSFET en forma monolítica sobre el
mismo chip de silicio para obtener un circuito o quizá incluso un nuevo dispositivo que conjuntara
las mejores cualidades de ambos tipos de dispositivos. Así, se fabricó el transistor bipolar de
compuerta aislada (IGBT, del inglés insulated gate bipolar transistor), ahora el dispositivo preferido
para la mayoría de las aplicaciones nuevas. Otros nombres de este dispositivo son GEMFET,
COMFET (transistor de efecto de campo modulado por conductividad), IGT (transistor de compuerta
aislada) y MOSFET de modo bipolar o transistor MOS bipolar. En este capítulo describimos la
estructura básica y operación física del IGBT así como las limitaciones operativas de este nuevo
dispositivo.

 Estructura básica
La sección transversal vertical de un IGBT genérico de n canales se muestra en la figura 7a. Esta
estructura es muy parecida a la del MOSFET de difusión vertical de la figura 7. La diferencia principal
es la presencia de la capa p_ que forma el drenaje del IGBT. Esta capa forma una unión pn (marcada
con J1 en la figura) que inyecta portadores minoritarios en lo que parece la zona de drenaje del
MOSFET vertical. La compuerta y fuente del IGBT están dispuestas en una geometría interdigitada
parecida a la del MOSFET vertical.
Los niveles de dopaje en cada capa del IGBT son similares a los de las capas comparables de las
estructuras verticales del MOSFET, excepto en la zona del cuerpo, como explicaremos después.
También es factible fabricar IBGT de canal p, al cambiar el tipo de dopaje en cada capa del
dispositivo. En la figura 7a se muestra que la estructura del IGBT tiene un tiristor parasito. El
encendido de este tiristor no es deseable, y varios detalles estructurales de una geometría practica de
un IGBT, sobre todo en la zona del cuerpo del tipo p que forma las uniones J2 y J3, son diferentes de
la geometría simple que se muestra en la figura 7a para minimizar la posible activación de este tiristor.
Analizaremos estos cambios estructurales en secciones posteriores de este capítulo. El IGBT no
retiene la extensión de la metalización de la fuente sobre la zona del cuerpo que también se usa en
MOSFET de potencia, como se ilustra en la figura 7. El cortocircuito de cuerpo-fuente en el IGBT
reduce la posibilidad de encendido del tiristor parasitico, como explicaremos después.

Figura 1.3. Estructura general de IGBT.

La capa de compensación n_ entre el contacto de drenaje p_ y la capa de arrastre n_ no es esencial

para la operación del IGBT, y algunos IGBT se fabrican sin ella (algunas veces se denominan NPT-
IGBT, es decir, IGBT de no perforación, mientras que los que tienen esta capa intermedia se
denominan PT IGBT: IGBT de perforación). Si se selecciona bien la densidad de dopaje y el espesor
de esta capa, su presencia mejora la operación del IGBT en forma considerable. Veremos la influencia
de la capa de compensación en las características del IGBT.
Un símbolo de circuito para un IGBT de canal n se muestra en la figura 8c. Las puntas de flecha
tendrían una dirección contraria en un IGBT de canal p. Este símbolo es en esencia el mismo que el
de un MOSFET de canal n, pero la punta de flecha en el cable de drenaje apunta hacia el interior del
cuerpo del dispositivo, lo que indica el contacto inyector. En la comunidad de ingeniería existe un
desacuerdo acerca del símbolo y nomenclatura correctos para el IGBT. Algunos prefieren considerar
el IGBT básicamente un BJT con la entrada de compuerta de un MOSFET, y por tanto prefieren el
símbolo modificado del BJT para el IGBT de la figura 8d. Este dispositivo simbólico tiene un colector
y emisor en lugar de un drenaje y una fuente. Adoptamos el símbolo y la nomenclatura de la figura
8c.

 Características i-v
Las características i-v de un IGBT de canal n se muestran en la figura 8a. En el sentido directo, son
cualitativamente similares a las de un BJT de nivel lógico, excepto que el parámetro de control es un
voltaje de entrada, la tensión de compuerta-fuente, en vez de una corriente de entrada. Las
características de un IGBT de canal p serían las mismas, excepto que las polaridades de tensiones y
corrientes estarían invertidas.
La unión marcada J2 en la figura 8a bloquea todas las tensiones directas cuando el IGBT esta
desconectado. La tensión de bloqueo inverso indicada en la característica i-v crece tanto como la
tensión de bloqueo directo si el dispositivo se fabrica sin la capa de compensación n_. Esta capacidad
de bloqueo inverso es útil en algunos tipos de aplicaciones de circuitos de CA. La unión marcada J1
en la figura 8a es la unión de bloqueo inverso. Sin embargo, si se usa una capa de compensación n_
en la construcción del dispositivo, la tensión de ruptura de esta unión disminuye en forma significativa
a unas cuantas decenas de voltios, debido al fuerte dopaje ahora presente en ambos lados de esta
unión, y el IGBT ya no tiene ninguna capacidad de bloqueo inverso.
La curva de transferencia iD-vGS de la figura 8b es idéntica a la del MOSFET de potencia. La curva
es razonablemente lineal a través de la mayor parte del rango de corriente de drenaje, y se vuelve no
lineal solo con corrientes de bajo drenaje, donde la tensión de compuerta-fuente se aproxime al
umbral. Si vGS es menor que el voltaje de umbral VGS(th), el IGBT está en estado pasivo. El máximo
voltaje que se debe aplicar a las terminales de compuerta-fuente suele estar limitado por la corriente
de drenaje máxima que se debe permitir fluir en el IGBT, como analizaremos en la sección 25-7.
 Figura 1.4. Curvas características de IGBT.

 Física de operación del dispositivo

Como el IGBT es básicamente un MOSFET, la tensión de compuerta-fuente controla el estado del
dispositivo. Cuando vGS es menor que VGS(th), no se crea ninguna capa de inversión para conectar
el drenaje a fuente, y por ende el dispositivo está en estado pasivo. La tensión de drenaje-fuente
aplicada disminuye a través de la unión marcada J2, y solo fluye una corriente de disipación muy
pequeña. Esta operación en estado de bloqueo es en esencia idéntica a la del MOSFET.
La zona de degradación o de agotamiento de la unión J2 se extiende sobre todo a la región de arrastre
n_, pues la zona del cuerpo de tipo p se dopa a propósito de modo mucho más grave que la región de
arrastre.
El espesor de la región de arrastre es lo bastante grande para acomodar la capa de degradación, de
modo que el límite de la capa de degradación no toca a la capa de inyección p_. Este tipo de IGBT a
veces se llama IGBT simétrico o IGBT de no perforación, y bloquea tensiones inversas de una
magnitud tan grande como las tensiones directas para cuyo bloqueo esta diseñado. Esta capacidad de
bloqueo inverso es útil en algunas aplicaciones de circuito de CA.

 Características de conmutación

A) Transitorio de encendido
Las formas de corriente y tensión para el encendido de un IGBT integrado en el circuito de un
convertidor reductor similar al de la figura 9 para el MOSFET se muestran en la figura 9. Las partes
del encendido de las formas de onda se asemejan a las del MOSFET de potencia de la figura 9. El
parecido es de esperarse, pues el IGBT actúa en esencia como un MOSFET durante la mayor parte
del intervalo de encendido. El intervalo tfv2 que se observa en la forma de onda de tensión de drenaje-
fuente del MOSFET en la figura 9 también suele presentarse en la forma de onda de tensión de
drenaje-fuente del IGBT. Dos factores contribuyen al intervalo tfv2 en la forma de onda del IGBT.
En primer lugar, la capacitancia de drenaje-fuente Cgd se incrementa en la parte de MOSFET del
IGBT con tensiones de drenaje-fuente bajas, en forma similar al caso de los MOSFET de potencia.
En segundo lugar, la parte de transistores pnp del IGBT atraviesa la zona activa a su estado activo
(saturacion dura) con más lentitud que la parte de MOSFET del IGBT. Solo hasta que el transistor
pnp esta encendido por completo se obtiene el beneficio total de la modulación por conductividad de
la zona de drenaje-arrastre, y por tanto el voltaje a través del IGBT no cae a su valor final de estado
activo.
B) Transitorio de apagado
Las formas de corriente y tensión del IGBT en el circuito de un convertidor reductor se muestran en
la figura 9. La secuencia observada de un aumento en el voltaje de drenaje-fuente hasta su valor de
estado de bloqueo antes de cualquier disminución de la corriente de drenaje es idéntica a la de todos
los dispositivos que se usan en el circuito de un convertidor reductor. Los intervalos iniciales, el
tiempo de retraso de apagado td(apag) y el tiempo de subida de voltaje trv se determinan por la parte
de MOSFET del IGBT. Los circuitos equivalentes, estas partes del apagado del MOSFET de potencia
también se aplican al IGBT. [1].

Figura 1.5. Formas de onda de apagado de IBGT.

1.3. MÓDULOS INTELIGENTES

Los módulos de potencia inteligentes (IPM) han sido ampliamente utilizados para alcanzar un mayor
grado de integración y para reducir la complejidad de las funciones de protección y puerta de los
usuarios. Durante la última década la tecnología IPM ha experimentado un gran cambio en términos
de funcionalidad y funciones de protección. Los IPMs de hoy ayudan a la interfaz fotoacopladora a
reducir las influencias dV/dt y a controlar las oscilaciones de la señal y, con la introducción de la
tecnología chip full gate (FG) CSTBT ™, el ratio de pérdida/SCSOA trade off se ha ajustado para
alcanzar una menor pérdida mientras que se mantiene la robustez SC gracias a un circuito de control
integrado (LVIC). El sensado de temperatura del chip como parte de la topología del IPM permite la
protección individual de los chips IGBT. Así, hoy en día un módulo de potencia inteligente emplea
características y ventajas que difícilmente se pueden implementar en una etapa de configuración
convencional en un IGBT conectado a aun driver externo. Estas características ventajosas de la
tecnología ya han sido empleadas en las series de IPMs “L1 “S1 6 en 1 y 7 en 1 para cubrir hasta
150A/1200V y 300A/600V, pero hasta ahora, no hay soluciones punteras similares para ratios de
inversor mayores. El desarrollo de la serie IPM V1 cierra esta brecha y extiende este rendimiento
superior y esta funcionalidad de protección a IPMs duales de 450A/1200V. Los IPM duales anteriores
de las serie V y S que todavía siguen siendo equipados con chips de tecnología planar se han superado
con la tecnología IPM V1. La ubicación de los terminales y el encapsulado de la serie V1 son
compatibles con la serie V. Sin embargo, las estructuras internas difieren en las series V1 y la serie
V. La serie V1 cambió el electrodo principal interno, y ha añadido una línea de feedback negativa
especial de cableado en el Emitter del IGBT.

El encapsulado pequeño cubre módulos de 200A a 450A en 1200V y de 400A a 600A en 600V. La
figura 10 muestra el interfaz de cinco pines para lado P y N. El conector chapado en oro es compatible
con las anteriores generaciones de conectores IPMs 2 en 1 y emplea terminales de 0,63 mm con forma
cuadrada que se disponen en una capa de 2,54 mm. El encapsulado grande, en la Figura 10, está
previsto para un máximo de 600A/1200V y 900A/600V.

Figura 1.6. Chip de módulo inteligente.

El comportamiento en conmutación, es además de la pérdida de conmutación, una característica

importante de tecnología IGBT, el estimar el esfuerzo de filtrado para ajustarse a las normas EMI.
Una prueba de conmutación se ha realizado a Vcc = 600 V, VD (alimentación) = 15V, Tj = 125 ° C,
condiciones de aplicación en la Figura 11. El resultado a su vez muestra un buen control en el
encendido y apagado evitando oscilaciones y manteniendo al mismo tiempo los objetivos de pérdida
de la anterior generación de la serie IPM L1 que también emplea FG CSTBT ™. La conmutación de
la serie V1 es ajustada por lo que resulta similar a la serie L1. La Figura 11 revela que, incluso en
comparación con ancho de pulso pequeño, no genera oscilaciones. Al comparar el perfil de datos de
la nueva serie IPM V1 con el rendimiento y características de su predecesor, resulta que los avances
de más de 13 años en la tecnología de chips, han llevado a la importante reducción del rendimiento
de la pérdida de esta familia de IPM. Junto con las mejoras de la tecnología de silicio, las tecnologías
de encapsulado y fabricación, se ha actualizado para alcanzar un rendimiento de vanguardia. En
detalle, la capacidad de ciclo de potencia de la nueva serie V1, se ha incrementado con la introducción
de una nueva tecnología en el proceso “wire bonding” Vcc = 600 V, VD = 15V, Tj = 125 ° C IC:
100A/div VCE: 200V/div. La tabla contiene la información de la antigua sería V mientras que la tabla
3 muestra los últimos avances de la serie IPM V1.

Figura 1.7. Generalidades de módulo inteligente.

Además de las innovaciones descritas anteriormente de la detección de cortocircuito, la circuitería se

ha probado más allá de los límites de SCSOA típica de un IGBT. Presentando el enfoque conservador
de la especificación, se ha realizado una prueba de corto circuito en un dispositivo en la condiciones
Vcc = 800V, VD = 16,5 V y Tj, start = 125 ° C. El resultado de esta prueba se indica en la Figura 11.
Incluso en la alta temperatura de la unión antes de la operación de cortocircuito y el alto voltaje de
CC, el cortocircuito se apaga de forma segura. Este rango admisible del parámetro que es pertinente
para el manejo del cortocircuito se especifica como Vcc prot, que indica el máximo nivel de voltaje
de CC- que garantiza un apagado seguro del IPM. Este comportamiento excelente de cortocircuito es
el resultado de la reducción de tensión de la puerta del Emitter (Vge) que se impone por la
configuración de la señal de seguimiento interna en el sustrato. Ese tipo de feedback negativo reduce
la tensión de salida del conductor y limita eficientemente el pico de corriente del cortocircuito. La
figura 11 además permite obtener información sobre el estrés de los IGBT durante la situación de
cortocircuito. La instantánea disipación de potencia como producto de la tensión colectoremisor (Vce)
y la intensidad de corriente de colector (Ic) es baja en el IPM como resultado esperado de la
información de espejo de la corriente del emisor. El área de sobreposición (Overlap área) del Vce e
Ic, por ejemplo, la información de la energía disipada del cortocircuito en el IGBT, es
excepcionalmente pequeña. Esto reduce el aumento de la temperatura de Tj durante el cortocircuito
y disminuye el estrés. En etapas normales del controlador, esta área de sobreposición se mantiene
generalmente durante unos pocos microsegundos (4ìsec-6ìsec) llamándose “blanking time” para
evitar la detección errónea de los circuitos de detección de la desaturación. Por lo tanto, la tensión
impuesta a los IGBTs utilizados en las etapas normales de controlador durante un cortocircuito, es
mucho mayor que en el diseño de IPM. Por supuesto, esta característica tiene una influencia crucial
en la fiabilidad del sistema. El IPM se ha probado en un sistema de control industrial y se ha grabado
la forma de onda de salida. [2].
 2. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES MOSFET E IGBT:
ACOPLE DIRECTO, PUSH-PULL, BOOSTER, BOOTSTRAP.

2.1. ACOPLE DIRECTO

El circuito de potencia donde se aplican los tiristores, funciona generalmente con voltajes iguales o
superiores a 120V. El circuito de control, conformado por microcontroladores, o elementos de
electrónica discreta, genera pulsos de control a bajo voltaje, generalmente 5V, con baja capacidad de
corriente, en el orden de miliamperios. Los requerimientos mínimos de corriente y voltaje de los
tiristores, para su activación (VGT, IGT), generalmente son superiores a la salida del circuito de
control. Por lo anterior, se requiere de una interfaz entre el circuito de control y el circuito de potencia,
que realice las siguientes funciones:

1. Aislar los voltajes saltos del circuito de potencia, del bajo voltaje del circuito de control.
2. Adecuar los niveles de voltaje y corriente del circuito de control, a los requeridos para el disparo
del tiristor
3. La interface puede ser de naturaleza magnética (Transformador de pulsos), u óptica (Opto
acopladores)
4. En algunos circuitos, por ejemplo el regulador de luz incandescente (dimmer), que utiliza un
elemento de con- trol (dıac), que opera a voltaje comparable al del circuito de potencia (120 V), no
utiliza la interface.

2.2. PUSH-PULL
El conductor push-pull de canal n es un compromiso entre coste y beneficio. Se aprovecha de las
características positivas de la emisor seguidor BJT por un lado, y el controlador de puerta MOSFET
push -pull en el otro.

Como se muestra en la Fig. 13, el conductor consta de dos n-canales MOSFET s 10. El IGBT cambio
fuera se hace por el transistor T2. Cuando se aplica un voltaje de puerta - fuente positiva a T 2 el
transistor se -On y descarga la entrada y revertir capacitancias de transferencia de la IGBT. Para
encender T 2 es suficiente para aplicar un voltaje a la puerta de T 2, que es más alto que el voltaje de
la fuente de T 2.

Sin embargo, el MOSFET T 2 sólo se pueden activar y desactivar, pero no puede ser operado en la
región lineal. Al apagar un IGBT, el modo lineal no es un requisito. Como se ha mencionado, el IGBT
se apaga si el voltaje de la puerta está por debajo del voltaje de umbral U GE (TO) y en este caso ya
no controlable. El control de la tensión negativa puerta-emisor, por lo tanto, no tiene ninguna
influencia más sobre el comportamiento de conmutación del IGBT. El escenario, sin embargo, es
diferente para la puerta -emisor positivo voltaje. Un control de esta tensión es extremadamente útil
para influir en el di/dt o du/dt f IGBT conmutación. [3].
 Figura 2.1. Push –pull drives

la unidad de vaivén que n canales es más compleja en este diseño de la unidad se describe en el
capítulo 6.3.1.4 y requiere una palanca de cambios de nivel y una bomba de carga para conmutar el
MOSFET T1 en andoff . Tanto transistors T 1 y T 2 se enciende la señal de control sera positivo.

2.3. BOOSTER
Con el fin de lograr un funcionamiento eficaz y fiable de alta corriente, módulos IGBT de alta tensión,
se requiere un controlador de puerta con el pulso de alta capacidad de corriente y baja impedancia de
salida . Poder de controladores de puerta híbrido está diseñados para realizar esta función como
unidades independientes en la mayoría de aplicaciones. El VLA500-01 y VLA502-01 son capaces de
conducir módulos con puntuaciones de hasta 1400A y 1200V mientras que el VLA500K - 01R es
capaz de conducir módulos 1700V 1000A con calificaciones actuales. En los casos donde se necesita
de accionamiento de puerta para un funcionamiento paralelo de grandes módulos, puede ser necesario
añadir una etapa de refuerzo de salida al controlador de puerta híbrido para un rendimiento óptimo.

Dispositivos no pueden ser absorbidos por el conductor. Su impedancia de salida no es lo

suficientemente bajo. El cierre lento puede llegar a ser menos lento y un condensador amortiguador
desvío más grande puede ser requerida. Esta tercera limitación es tal vez el más grave. En algunos
casos, el controlador híbrido puede perder por completo el control de la tensión de puerta y deje que
se suba por encima de 15V. Si esto sucede, la durabilidad de cortocircuito del módulo IGBT puede
verse comprometida.

En los casos donde más de 12A de corriente de salida de pico, se requieren una etapa de salida discreta
NPN / PNP de cortesía se puede añadir al conductor híbrido. Una posible implementación se muestra
en la Figura 12. Los transistores de refuerzo NPN y PNP deben ser conmutación rápida (tf < 200ns)
y tienen suficiente ganancia de corriente para suministrar la corriente de salida pico deseado. El
circuito mostrado en la Figura 12 muestra el refuerzo de salida se utiliza con el conductor VLA503-
01. Tabla 1.4 enumera algunas combinaciones de transistores de refuerzo que se pueden utilizar en el
circuito mostrado en la Figura 13.
 Figura 2.2. Booster IGBT

Normalmente, o bien el VLA503-01 o VLA513-01 se utiliza para conducir la etapa de refuerzo. Sin
embargo, si la ganancia de los transistores de refuerzo es suficientemente alta, la VLA504-01
corriente inferior y VLA513-01 pueden ser utilizados. Si transistores muy alta ganancia se utilizan en
la fase de refuerzo, se debe tener cuidado para evitar oscilaciones en la etapa de salida. Puede llegar
a ser necesario añadir la resistencia de base -emisor de los transistores de refuerzo como se muestra
en la Figura 14. Esta etapa de refuerzo de salida se puede utilizar con el VLA513-01 si no se necesita
protección contra cortocircuitos.

Figura 2.3. Alternativa Booster configuración

2.4. BOTSTRAP.
El empleo de métodos CARGO-bomba y BOOTSTRAP
Para el accionamiento de la parte superior del MOSFET / IGBT en una pierna fase emplearse en una
topología de puente, un convertidor reductor o un convertidor directo 2- transistor, los conductores
del lado de baja no se pueden utilizar directamente. Esto se debe a la fuente / emisor superior
MOSFET / IGBT no está sentado al potencial de tierra. [4].

Figura 2.4. Basico cargador de bomba doble

En la figura anterior se muestra cómo una bomba de carga crea una Vcc superior para ser utilizado
para el conductor IC para la parte superior MOSFET / IGBT. Aquí el par de canal N y P-Canal MOS
FET actúa como interruptores, alternativamente conectar la tensión de alimentación de entrada a
salida a través de los condensadores y diodos Schottky, aislándolo y casi duplicarlo. El cambio de
frecuencia en varios cientos Kilohercio se utiliza y, por lo tanto, aislado ondulación baja tensión de
salida está disponible como DC de alimentación para el controlador de la Alta MOSFET / IGBT.

Figura 2.5. Básico cargador de bomba doble

En la figura anterior se ilustra cómo uno IXDD404 se puede utilizar como bomba de carga, la entrega
de 350 mA, y uno IXDD408 como un controlador dando +/- 8 Amps, en conjunción con IXBD4410
y IXBD4411, para el accionamiento de una pata de fase de dos IXFX50N50 MOSFETs. muestra
cómo una bomba de carga entrega de tanto como 500 mA se puede construir usando uno IXDD404;
y mediante la utilización de un solo IXDD414, se puede aumentar la salida de IXBD4410 y
IXBD4411 a +/- 14Amps por conducir Tamaño 9 MOSFET y IGBT de alta potencia o incluso
módulos / IGBT MOSFET en la configuración de la pierna fase.

Otro método es la técnica Bootstrap como se muestra en la Fig. (15b). Los elementos básicos de
arranque son el circuito de cambio de nivel, arranque DB diodo, cambio de nivel de transistor Q1,
arranque condensador CB y IXDD408 o IXDD414. El condensador de arranque, IXDD408 /
IXDD414 conductor y la resistencia de la puerta son los flotantes, piezas de origen con referencias
de la disposición de arranque. Las desventajas de esta técnica son más largos retrasos de encendido y
gire-off y el ciclo de trabajo del 100% no es posible. Además, el conductor tiene que superar la
impedancia de carga y voltaje negativo presente en la fuente del dispositivo durante el apagado.

3. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES MOSFET E IGBT:

TRANSFORMADORES DE PULSO, DRIVERS ÓPTICOS, Y DRIVERS
INTEGRADOS (IC), FUNCIONAMIENTO Y EJEMPLOS.

A diferencia del transistor bipolar, que es impulsado actual, MOSFET de potencia, aislado con sus
puertas, son tensión impulsada. Un conocimiento básico de los principios de la conducción de las
puertas de estos dispositivos permitirá al diseñador para acelerar o ralentizar la velocidad de
conmutación de acuerdo con los requisitos de la aplicación.
A menudo, es la puerta a considerar útil como un solo condensador Cuando se habla de circuitos de
accionamiento.

3.1. TRANSFORMADORES DE PULSO

El transformador de pulsos(a=1) se utiliza para aislar el circuito de control del circuito de potencia, y
adecuar los niveles de voltaje y corriente del circuito de control a los requeridos por el tiristor (VGT,
IGT). Al activar el circuito de control la compuerta del MOSFET, fluye una corriente en el primario
del transformador, limitada inicialmente por R1//R2 y posteriormente por R2 (al cargarse el
capacitor).El secundario del transformador aplica el voltaje y corriente, requeridos en la compuerta
del SCR para activarlo. Al desactivarse el MOSFET, el transformador se desmagnetiza a través de
D1 y Dz; D2 impide el paso del pulso negativo. La utilización ́n del dıodo ZENER, permite
incrementar la frecuencia de conmutación ́n del transformador. El resistor R3 provee cierto nivel de
inmunidad contra el ruido (voltaje inducido), para impedir un disparo indeseado del SCR.
Desventajas:

 Requerimiento de fuente externa

  Limitación en la frecuencia de conmutación. Gran número de componentes
Ventajas:
 Buen nivel de aislamiento

Ejemplo:
Se tiene un condensador bajo control de puerta es la energía necesaria para cambiar los altos niveles
actuales. Esta característica ha - ha utilizado para las unidades de puerta flotante automáticos en
puentes medio asimétricas [5].
Sin embargo, en el circuito mostrado en la figura 16 un devanado del transformador de potencia
auxiliar se usa para accionar el interruptor del lado de alta como esclavo del interruptor del lado de
baja sincronizada a tierra; Cuando el interruptor del lado de baja se enciende o apaga, el interruptor
del lado de alta se apaga o se enciende automáticamente.
Este circuito elimina la necesidad de un transformador de impulsos, y funciona con muy pocos
componentes externos.

Figura 3.1. Automatic floating gate drive (puerta flotante con IBGT)

3.2. DRIVERS ÓPTICOS

El opto acoplador es un circuito integrado conformado por un dispositivo foto emisor(ILED),que
genera una radiación infrarroja ,la cual se canaliza por una guía de onda, a un dispositivo foto receptor
(fototransistor; foto SCR; fototriac), el cual se activa, y cierra el circuito de disparo(compuerta), que
enciende un tiristor. El aislamiento entre el d ́ıodo foto emisor y los terminales del foto receptor, es
hasta de 7.5Kv pico. Algunos opto acopladores (ECG3049) incorporan un circuito detector del cruce
del voltaje de alimentación ́ por el punto cero, para reducir el EMI (interferencia electromagnética),
minimizan do las corrientes impulsivas del circuito .Estos opto acopladores se utilizan en el contactar
de estado sólido. Los opto acopladores se utilizan en E.P. para aislar el circuito de control del circuito
de potencia. La conexión ́n se muestra en la La corriente que activa el fotodıodo es If, y circula entre
los terminales 1 y 2.La función ́n de R (fig 16) es limitar la corriente del foto receptor. Si el trıac de
potencia abre, y el voltaje de la fuente es máximo (Vp) y se descarga Cs. R=Vp/Ip. Ip es la máxima
corriente pico repetitiva del driver (foto receptor).S ́ı R es muy grande, puede introducir un retardo
de fase no deseado.
Ejemplo:

AN-3009: Estándar Gate -Driver Opto acopladores

Conductores funciones de puerta como un amortiguador de energía para controlar la puerta de un
MOSFET de potencia o IGBT. Está diseñado para suministrar la corriente máxima de carga requerida
por el MOSFET o la entrada de la puerta del IGBT para encender el dispositivo. Para ello, proporciona
una tensión positiva (VOH) a la puerta del semiconductor de potencia. Al girar el MOSFET o IGBT
OFF se lleva a cabo tirando de la puerta del dispositivo accionado a voltaje cero (VOL) o inferior.
Muchas aplicaciones de control de potencia utilizan un "tótem" conexión de alta y del lado bajo de
dos o más semiconductores de potencia conectados en serie. El lado de alta MOSFET de canal N de
drenaje está conectado a un terminal positivo (+) de un suministro y su fuente está conectado al
drenaje del transistor de lado bajo. La fuente del transistor de lado bajo se conecta al negativo (-) de
la oferta del sistema. Uno de los lados de la máquina operadora se conecta al nodo común de los
laterales y de la parte baja transistores de alto. El control apropiado de la del lado de alta y los
transistores de lado bajo requiere que ni transistor está en ON o llevar a cabo al mismo tiempo. La
corriente a través de esta serie de alta laterales y dispositivos de lado bajo se llama "DISPARO través
de" actual. Dispara-a través del poder desechos actual y puede causar daño a los transistores de alta
y baja secundarios la técnica más común para eliminar el tiroteo a través actual es agregar un retraso
o hold-off tiempo entre el cambio en el lado alto o el interruptor del lado de baja. El retraso se
introduce mediante el control de la temporización de la señal suministrada a los conductores
secundarios y de puerta del lado de baja de alto.

Figura 3.2. Estándar Gate -Driver Opto acopladores

La figura anterior muestra el diagrama de bloques interno de control de puerta. Cada sección del
conductor es suministrada por una fuente común o fuente de polarización. A su vez encendido inicial,
hay retrasos de circuito debido a la complejidad del circuito. Esta complejidad puede introducir
(durante el encendido inicial) una situación en la salida de la puerta sigue el flanco ascendente de la
alimentación VDD aplicada hasta que los suministros se han estabilizado. Una vez que los niveles de
polarización son correctos, la salida de control de puerta vuelve a su estado correcto, controlados por
el LED.
Esta nota de aplicación discute los criterios de diseño clave, incluyendo la conducción del LED, las
condiciones iniciales, máxima frecuencia de conmutación, y el poder.

3.3. DRIVERS INTEGRADOS (IC)

Los pulsos ́cíclicos requeridos para el disparo, se generan con un oscilador de relajación. Se requiere
de un elemento con 6 resistencia negativa (fig. 18), entre la región de corte (v < Vs; i < Is) y la de
conducido ́n (I > IH; v>VH). Al cargarse el capacitor a Vs, el punto de operación ́n de la rama ,R2-
elemento de resistencia negativa, pasa de 1 a 2(fig.18),la corriente alcanza el valor pico(Ip),y se
origina un pico de voltaje(IpR2) ,que sirve para disparar al tiristor. Este punto operativo no puede
mantenerse, debido a la disminución del voltaje en el capacitor, y se desplaza al punto 4, cuando
vuelve a cargarse y el ciclo se repite. El valor máximo de R1 debe permitir, el paso de la corriente
lımite superior de circuito abierto (Is), y el valor mínimo debe permitir el paso de la corriente límite
inferior de circuito cerrado (IH).

Ejemplo:
La mayoría de las aplicaciones industriales utilizan comúnmente un inversor trifásico con un 1200-V
IGBT. Conducir estos dispositivos en aplicaciones de potencia media o grande requiere separada,
flotante, de alto, y controladores de bajo laterales con aislamiento galvánico. También se requiere que
las funciones de control y protección para garantizar un funcionamiento fiable El reto en el diseño
del controlador de puerta es encontrar soluciones al dilema entre la necesidad de reducir al mínimo
las pérdidas de conmutación y el requisito de limitar di / dt (colector IGBT actual alquiler pendiente),
dv / dt (IGBT tensión de colector pendiente), de recuperación inversa de pico corriente en el
encendido, y sobrepaso de tensión en el apagado. Este documento pone de relieve las principales
exigencias de los circuitos de mando de puerta para la conmutación segura del IGBT.
 Figura 3.3. Segundo nivel de apagado driver

Cuando el lado de alta IGBT Th en medio puente fig. 19 se enciende, aumenta OUT desde casi 0 V
a la energía con un alto dv / dt. Después de esto, la corriente en el condensador de Miller, CGC, y el
voltaje en la puerta del lado de baja Tl, aumenta. Esta tensión puede exceder el voltaje de umbral de
puerta de TI y una gran corriente puede fluir de la energía a tierra.

Figura 3.4. Segundo nivel de apagado driver test

Una breve revisión de la operación de IGBT se ha presentado. El principal objetivo era dar una
descripción del IGBT su vez-en o desvío y presentar una solución cuando el IGBT va de lado fuera
de la zona de operaciones de seguridad en ambos turnos y gire-off. Una nueva tecnología de
controlador de salida BCD utilizando se implementó para limita.

4. SNUBBERS Y DISEÑO DE SNUBBERS PARA TRANSISTORES.

Para disminuir los elementos transitorios indeseados se usan las redes snubbers, estos eliminan
problemas en circuitos de conmutación con elementos inductivos o capacitivos. Si no se suprimen las
condiciones transitorias las sobretensiones pueden rebasar los límites de los dispositivos haciendo
que estos se dañen o se degraden progresivamente.
Centrándonos en los snubbers, estos consiguen reducir el estrés eléctrico en los semiconductores
durante el proceso de conmutación cuando trabajan en un convertidor electrónico, de varias formas:

1. Limitando el poco máximo de tensión aplicado al interruptor durante el transitorio que

aparece en el proceso de apagado.
2. Limitando el pico máximo de corriente a través del interruptor durante el proceso de
encendido.
3. Limitando la pendiente de la corriente (di/dt) que circula por el interruptor durante el proceso
de encendido.
 4. Limitando la pendiente de la tensión (dv/dt) en el interruptor durante el proceso de apagado.
En una primera clasificación podemos diferenciar los snubbers que absorbiendo la energía procedente
de las reactancias presentes en el circuito controlar la evolución de la tensión o la corriente en el
interruptor que conmuta. Como regla general incorporaremos un condensador en paralelo junto con
otros componentes para controlar la evolución de la tensión en el interruptor y una bobina en serie
para el control de la corriente. En la figura 4.1 se muestra de forma simplificada como un snubber de
tensión incorpora un condensador como elemento almacenador de energía mientras que en el de
corriente será una bobina la que tenga esa misión. Las redes asociadas al condensador y bobina
determinarán como se carga el condensador o la bobina y como se realiza el proceso de descarga.

Figura 4.1. a) snubber de apagado, b) snubber de encendido.

Otra posible clasificación hace referencia a si la energía almacenada en los snubbers se disipa en
una resistencia, en cuyo caso los denominaremos snubber disipativo, o en cambio dicha energía
se transfiere a la fuente primaria o a la carga, siendo denominados en este caso, snubbers no
disipativos a pesar de que no son ideales y por lo tanto también presentan pequeñas pérdidas.
Finalmente podemos distinguir los snubbers según controlen la pendiente de subida de la tensión
en el interruptor (turn-off snubber o de apagado) o en cambio la enclaven a un valor máximo
determinado (voltage clamp snubber). Los snubbers de corriente pueden incluirse en el primer
tipo (controlan la pendiente de subida de la corriente, turn-on snubber o de encendido).
Snubbers que controlan la pendiente de subida:
Tensión
 Reducen la potencia disipada y el estrés en el interruptor durante el apagado.
 Previene sobretensiones y rizados de alta frecuencia.
 Reducen el EMI al minimizar el ruido de alta frecuencia.
Corriente

 Reducen la potencia disipada y el estrés en el interruptor durante el encendido.

 Reduce el efecto del pico de recuperación inversa del diodo.

Snubbers con enclavamiento de la tensión

 Reducen el pico de tensión soportado por el interruptor.

 Reducen el pico de potencia disipada durante el apagado.
  Reducen el rizado de alta frecuencia durante el apagado.
Los circuitos mencionados pueden ser disipativos o no disipativos. Los no disipativos reducen la
potencia disipada en el snubber aumentando notablemente el rendimiento del convertidor. Un snubber
que controla la tensión en el interruptor el apagado provocará un pulso de corriente cuando se proceda
al encendido de este. Y por el contrario un snubber que controla la corriente en el interruptor durante
el encendido ocasionará un pulso de tensión sobre el interruptor durante el apagado.
4.1. SNUBBER DE TENSIÓN RC
Consta de una resistencia y un condensador que serán colocados en paralelo con el dispositivo. A
pesar de su sencillez, este circuito permite amortiguar las posibles resonancias parásitas y controlar
la pendiente de la tensión en el semiconductor. En la figura 4.2 se muestra la red RC aplicada a un
circuito genérico con in interruptor en conmutación. La incorporación de la red RC permitirá reducir
las pérdidas en el paso a bloqueo. Si los valores de R y C se escogen adecuadamente las pérdidas en
conmutación podrían verse reducidas hasta un 40% incluyendo las presentes en la resistencia R.

Figura 4.2 a) Emplazamiento del snubber RC en un circuito genérico, b) convertidor reductor.

Para minimizar la disipación de potencia durante el bloqueo del interruptor, la resistencia del snubber
debería tener un bajo valor óhmico, y así proporcionar una forma de onda de tipo capacitivo
limitándose la subida de la tensión en el interruptor hasta que quede totalmente bloqueado. Por el
contrario, durante la conmutación hacia saturación, la resistencia del snubber debería ser una alta
impedancia para limitar la corriente a través del interruptor, como consecuencia de la descarga del
condensador, hasta que la tensión él llegue a cero, minimizando así la disipación de potencia durante
el intervalo de conducción. En la figura 4.3 se indica la evolución de la tensión y corriente deseable
en el interruptor y que trataremos de obtener con los distintos circuitos que se van a plantear
posteriormente.
 Figura 4.3. Evolución de las conmutaciones en el interruptor al incluir un snubber.

La principal aplicación de la red RC es atenuar las resonancias provocadas por los elementos parásitos
en el circuito de potencia o la corriente de recuperación inversa del diodo D. En la figura 4.4 se
incluye una inductancia parásita en serie con el interruptor, que podría ser la inductancia de dispersión
del transformador de aislamiento, junto con la capacidad de salida del interruptor. Estos nuevos
elementos entraran en resonancia provocando sobretensión en el interruptor y oscilaciones de alta
frecuencia si no hay snubber. Cuando incorporamos la red RC, las oscilaciones se verán atenuadas
siempre que los valores de R y C sean escogidos adecuadamente.

Figura 4.4. Presencia de una inductancia parásita Ls junto con el snubber.

Los cálculos de R y C se pueden hacer mediante el resto de los componentes del circuito. Usualmente
la capacidad dominante en el circuito es la capacidad de salida del interruptor, y su valor lo podemos
obtener de las hojas de los fabricantes. El valor que se asigna a la capacidad del snubber será
generalmente de dos a cuatro veces la capacidad del interruptor.

𝐿𝑠
𝑅≫√
𝐶𝑝

Aunque el snubber RC no es el circuito más apropiado para facilitar las conmutaciones de un

transistor, si tiene especial utilidad como snubber de diodos y tiristores, para suprimir sobretensiones
y reducir la derivada de tensión durante el apagado. La figura 4.5, se corresponde con el esquema
eléctrico de un convertidor CC/CC reductor, aunque puede ser extensible a otros convertidores, donde
se ha incorporado una inductancia parásita Ls en serie con el diodo y un circuito de ayuda a la
conmutación RC en paralelo con el diodo. Dicho circuito estará encargado de la protección del diodo
ante la sobretensión que la inductancia Ls provocará durante el bloqueo de éste.
 Figura 4.5. Convertidor reductor con inductancia parásita y snubber RC en el diodo.

Así en la figura 4.6, se muestra en función del condensador seleccionado, la energía total disipada en
el conjunto semiconductor+snubber. La resistencia óptima que genera la menor sobretensión en el
diodo y el valor de dicha sobretensión en el caso de que la resistencia utilizada sea la óptima.

Figura 4.6. Energía disipada y tensión máxima en el diodo (Vmax/Vd) para cada valor óptimo de la
resistencia Rs en función de la capacidad Cs.

A la vista del gráfico anterior podemos extraer algunas conclusiones:

 Las pérdidas aumentan linealmente con la capacidad CS
 La tensión máxima decrece ligeramente al aumentar CS

Por lo tanto, parece aconsejable que el valor del condensador CS sea próximo a C base con el objeto
de no incrementar excesivamente las pérdidas totales en el circuito. La resistencia RS quedará
definida por la línea punteada correspondiente a aquellos valores de RS que minimizan la
sobretensión en el diodo (RS, opt=1.3Rbase).
SNUBBER DE TENSIÓN RCD
Este tipo de circuitos encuentran un amplio campo de aplicación en la protección de interruptores,
como es el caso de los transistores bipolares que se irán mostrando en las sucesivas figuras. Podemos
distinguir dos utilidades en los circuitos RCD (resistencia condensador y diodo):
  Control de la pendiente de subida de la tensión en el interruptor durante el transitorio de
apagado.
 Enclavamiento de la tensión en el interruptor.
Comenzaremos estudiando el modo de trabajo del snubber RCD para el control de la evolución de la
tensión (de drenador o colector) en el interruptor. Típicas aplicaciones las encontramos en
convertidores cc/cc como el elevador (boost), el de retroceso (flyback) o el directo (forward). En la
figura 4.7 se muestra la disposición del snubber RCD sobre el interruptor.

Figura 4.7. Snubber RCD.

Durante el apagado del transistor el snubber se llevará la mayor parte de la corriente transfiriéndose
una gran parte de la disipación de potencia que tendría que soportar el transistor sin snubber, a este
último. La fiabilidad del interruptor aumenta puesto que el pico de potencia que ha de disipar se
reduce y las oscilaciones de alta frecuencia provocadas por los elementos parásitos del circuito se ven
amortiguadas.
A partir de la figura 4.7, se puede entender el funcionamiento básico del circuito de ayuda a la
conmutación RCD. Cuando el transistor se apaga, la corriente que procede de la bobina es conducida
a través del diodo D hacia el condensador del snubber C. La tensión en dicho condensador aumentará
hasta alcanzar la tensión de alimentación del circuito, momento en que el diodo principal D1 entraría
en conducción para llevarse la corriente de la bobina.
Cuando el interruptor entra en conducción el condensador del snubber se descarga a través de la
resistencia R y del propio interruptor. Una condición de diseño importante es que el condensador C
se descargue totalmente durante la conducción del transistor para poder comenzar el siguiente periodo
de conmutación con condiciones iniciales de tensión nulas. Por lo tanto, la constante de tiempo RC
en el mencionado snubber, debe ser menor que el periodo de conmutación ya que se ha de dar tiempo
suficiente al condensador C para cargarse y descargarse en cada ciclo de trabajo. A la vista de lo
mencionado hasta el momento podemos concluir que el circuito RCD interviene solo durante las
conmutaciones.
Un punto para tener en cuenta en el diseño de este tipo de circuitos ha sido ya mencionado
anteriormente, pero conviene remarcar que, durante la conducción del transistor, la corriente de
descarga del condensador C se superpone a la corriente principal que proviene de la bobina Lo. Otro
factor destacable consiste en la limitación que el snubber provoca sobre el modo de trabajo del
convertidor donde se ha implantado dicho snubber. Si el tiempo de conducción del transistor es
demasiado estrecho, el condensador C no tendrá tiempo suficiente para descargarse totalmente,
perdiéndose las condiciones iniciales requeridas para el correcto funcionamiento de la red de ayuda
a la conmutación. Una situación típica en la que podemos encontrarnos con esta limitación es la
presencia de una condición de sobrecorriente demandada por la carga.
En el estudio que se realiza a continuación se supondrán despreciables las inductancias parásitas que
pudieran existir en el circuito con el objeto de facilitar el análisis de este.

Figura 4.8. Conexión de snubber RCD a un

Circuito conmutado genérico.

Antes del apagado del transistor, la corriente que está conduciendo consideraremos que tiene el valor
Im, y la tensión que soporta será cero. Durante el apagado del transistor, la corriente de colector (iC)
se reduce linealmente hasta su completa extinción, por lo que la corriente (I m-iC) circulará a través del
diodo D cargando el condensador del snubber C.
En la figura 4.9 se muestran las tres posibles evoluciones que podemos encontrar durante el apagado
del transistor, dependiendo del valor que tome el condensador del snubber.

Figura 4.9. Formas de onda del transistor durante el apagado

 según el valor del condensador CS. a) Despreciable, b) C de valor reducido
, c) de valor elevado.

Tal como se indica en la figura, la tensión del condensador C, que coincide con la que soporta el
interruptor tendrá dos evoluciones diferentes según si el valor capacitivo C es reducido o no. Este
hecho traduce en que el condensador finalizará su carga antes de que se haya extinguido la corriente
por el transistor (C de reducido valor) o en caso contrario se alcanzará la tensión máxima después del
bloqueo total del transistor. Tenemos por lo tanto tres posibles situaciones:
a) Condensador C se carga instantáneamente (C tiene un valor despreciable)
En este caso la evolución de la tensión y corriente en el transistor se aproxima por las curvas
mostradas en la figura 4.9 a), y la energía disipada durante la conmutación tomará el valor:
1
𝑊= × 𝑉𝑠 × 𝐼𝑚 × 𝑡𝑓𝑖
2
b) C se carga en un tiempo t inferior 𝑡𝑓𝑖 (valor de C es reducido)

En este caso, la tensión máxima VS se alcanza en un tiempo (t) inferior a 𝑡𝑓𝑖 , la corriente por el
condensador C durante el apagado del transistor pasará por dos etapas:

Figura 4.10. Etapas durante el apagado del transistor.

De esta forma se puede deducir el tiempo (𝜏) necesario para cargar el condensador C hasta la tensión
2∙𝐶∙𝑡𝑓𝑖∙𝑉𝑆
de alimentación VS: 𝜏= √ 𝐼𝑚

c) C se carga en un tiempo t superior a 𝑡𝑓𝑖 (valor del condensador elevado)

Ante esta situación el proceso de carga del condensador C pasa por las dos etapas que aparecen en la
figura que se muestra a continuación:
 Figura 4.11. Etapas durante el apagado del transistor.

Durante la primera etapa, la corriente conducida por dicho condensador, coincide con la expresión 9
previamente mencionada. Una vez que el transistor ha dejado de conducir totalmente, toda la corriente
que circula por la carga ahora pasará por el condensador del snubber. Esta situación se mantiene hasta
que la tensión en C alcanza el valor VS, momento en el que el diodo D1 comienza a conducir,
enclavando la tensión del interruptor al mencionado valor, Conocida la evolución temporal de la
tensión en C. podemos calcular el tiempo 𝛕 necesario para que se alcance la tensión VS en el
𝑉𝑆 ∙𝐶 1
interruptor: 𝜏 = 𝐼𝑚
+ 2 ∙ 𝑡𝑓𝑖

SNUBBERS DE CORRIENTE DISIPATIVO

En este apartado se presentarán algunas alternativas de circuitos de ayuda a la conmutación
capaces de controlar la evolución de la corriente a través del interruptor durante el encendido.
Este tipo de circuitos pueden ser identificados en la bibliografía inglesa como “turn-on snubbers”.
1. SNUBBERS DE CORRIENTE RLD

Figura 4.12. Snubber de encendido.

Aunque existe la alternativa de utilizar solamente una bobina y una resistencia para configurar un
circuito de ayuda al encendido (LR), debido a su escasa utilidad en circuitos de potencia por las
elevadas pérdidas que genera, estudiaremos el snubber RLD mostrado.
Para lograr explicar su funcionamiento partiremos de una situación en la que el transistor está
bloqueado soporta tensión de alimentación. Cuando se provoca la entrada en conducción del
transistor, se supone que la tensión entre colector y emisor sufre una evolución lineal hacia cero
alcanzándose este punto transcurrido un tiempo 𝑡𝑓𝑣 .

a) La corriente de colector evoluciona hacia 𝐼𝑚 instantáneamente (LS despreciable). En este caso

la evolución de la tensión (uC) y corriente (iC) en el interruptor coincidiría con las curvas
indicadas en la figura a. La energía disipada en el interruptor durante la conmutación será:
1
𝑊 = × 𝑉𝑠 × 𝐼𝑚 × 𝑡𝑓𝑖
2

b) La corriente de colector alcanza el valor 𝐼𝑚 transcurrido el tiempo t. (valor de LS es reducido)

Durante el tiempo t, la evolución de la corriente de colector (iC) depende de la tensión de
alimentación y de la que soporta el interruptor: Transcurrido el tiempo t la corriente iC queda
enclavada a Im.
c) La corriente de colector alcanza el valor Im transcurrido un tiempo t superior a tfv. (valor de
LS es elevado)

En este caso el proceso de carga de la bobina LS pasa por dos etapas. Durante el intervalo o<t<tfv se
carga soportando la tensión VS-VC(t) ya que el transistor no está totalmente saturado. En la segunda
etapa tfv<t<t el transistor está completamente saturado por lo que la bobina continúa cargándose hasta
alcanzar la corriente Im, la tensión a la que se ve sometida durante esta segunda etapa es precisamente
la tensión de alimentación VS. A partir de este momento el circuito queda enclavado con iC=Im, y
uC=0 hasta que se provoque el bloqueo del interruptor.

Figura 4.13. Trayectorias seguidas por la tensión y

corriente en el transistor en función del valor LS.

2. SNUBBER DE CORRIENTE CON INDUCTANCIA SATURABLE

El objetivo de estos snubbers de corriente es lograr que la tensión del transistor disminuya a cero
mientras la corriente de colector sea reducida.
 Figura 4.14. Snubber de encendido con inductancia saturable.

LS inductancia saturable del circuito se diseña de modo que la saturación posterior a la tensión en el
interruptor ha llegado a cero. Antes de esto la inductancia presenta una elevada impedancia y solo
fluye una pequeña corriente magnetizaste. Ya alcanzado el cruce por cero de la tensión en el colector
del transistor la inductancia se saturará presentando una impedancia despreciable por lo que la
evolución de la corriente hacia Im será muy rápida. Se consigue de esta forma minimizar la presencia
de corriente cuando el transistor soporta tensión y reducir perdidas en el circuito.

Figura 4.15. Trayectoria de la corriente y tensión en el interruptor.

SNUBBER UNIFICADO: DE ENCENDIDO Y APAGADO

plantearnos el incorporar el snubber de tensión RCD y corriente RLD en un solo snubber.
 Figura 4.16. Snubber unificado.

Los componentes de este circuito LS, CS, RS se diseñan siguiendo los pasos anteriormente indicados
para cada tipo de snubber considerado por separado. La potencia que ahora ha de disipar la resistencia
RS depende de la energía almacenada por los dos elementos reactivos, es decir:
𝐿𝑆
𝑃𝑅𝑆 = ∙ 𝐼 2 ∙ 𝐶𝑆 ∙ 𝑉𝑆 2 ∙ 𝐹𝑆
2 𝑚
SNUBBERS NO DISIPATIVOS
Podríamos definirlos básicamente como aquellos circuitos que reciclan la energía en ellos
almacenada devolviéndola a la fuente de entrada, a la carga o manteniéndola en circulación hasta
el comienzo del siguiente ciclo.
 SNUBBER NO DISIPATIVO DE TENSIÓN
El circuito que se muestra a continuación está pensado para controlar la evolución de la tensión
en el interruptor, no permitiendo el enclavamiento de esta.
 Figura 4.17. Snubber de tensión no disipativo.

Comenzaremos el análisis del circuito cuando el transistor entra en conducción. Las condiciones
iniciales de las que partimos son: condensador CO y la bobina L descargados, mientras que el
condensador CS está cargado a la tensión de alimentación VS. El circuito que muestra esta situación
lo tenemos en la figura.

Figura 4.18. Etapas durante el encendido del transistor.

Inicialmente nos encontramos con que los diodos Df, DC y DS están polarizados inversamente por lo
que resolviendo el circuito resonante de la figura 4.18(b) obtendremos la evolución de la corriente a
través de la bobina y de los dos condensadores:
𝑉𝑆
𝑖= ∗ sin 𝑤𝑡
𝑧
Mientras que la tensión en el condensador C o aumenta con la ecuación.
𝑛
𝑉𝐶𝑂 = 𝑉𝑆 ∗ ∗ (1 + cos 𝑤𝑡)
𝑛+1
De acuerdo con la ecuación se deduce que el condensador C S se descarga totalmente si n ha de ser
menor o igual a la unidad. CS se descargará hasta alcanzar cero voltios quedando enclavado a ese
valor por la presencia del diodo DS, mientras que C O continúa cargándose hasta que la corriente por
la bobina se anule. La evolución de la corriente durante esta última etapa definida por el circuito
equivalente de la figura puede expresarse como:

𝑉𝑆 √1 + 𝑛
𝑖= ∙ sin(𝑤0 𝑡 + ∅); ∅ = − tan−1 ( )
𝑍0 𝑛
La tensión final alcanzada por el condensador C o es:

𝑉𝐶𝑂 = √𝑛 ∗ 𝑉𝑆
 Figura 4.19. Evolución de la corriente y la tensión en los condensadores CO y CS.

Suponiendo los casos anteriores que la corriente en el transistor evoluciona linealmente hacia cero
durante el tiempo 𝑇𝑓𝑖 esto lo hace en tres etapas.
Etapa 1: Inicialmente DC no conduce puesto que al estar CS descargado la tensión ánodo cátodo en
dicho diodo es negativa. Por lo tanto, tenemos al condensador CS cargándose a través del diodo DS.
DC entrará en conducción y provocará el paso a la etapa II cuando la tensión en CS =(1-n) ·VS, mientras
tanto, CO se mantiene con la tensión (n)·VS. La evolución de la tensión en CS es la siguiente:
𝑉𝑐𝑠=𝐼𝑚2∗𝐶𝑠∗𝑡𝐵∗𝑡2
Etapa 2:
DC entra en conducción por lo que el condensador CO comienza a descargarse sobre la carga, mientras
que CS continúa aumentando su tensión. El circuito equivalente se muestra en la figura anterior.

Figura 4.20. Circuito equivalente etapa 2.

La situación final de la etapa la tendremos con C O descargado, CS cargado a la tensión VS y el diodo

Df conduciendo la corriente procedente de la carga Im.
Etapa 3:
Si el condensador CS no ha alcanzado la tensión VS antes de que la corriente a través del transistor
pase por cero, entraremos en la etapa III. El circuito equivalente válido en situación se muestra en la
figura.
 Figura 4.21. Circuito equivalente de la etapa 3.

CO continuará descargándose a través de DC hasta que la tensión en él sea cero mientras que CS se
cargará a la tensión VS con lo que el diodo Df finalmente conducirá la corriente de la carga Im.

Figura 4.22. Evolución temporal de la corriente del transistor y

las tensiones en los condensadores Cs y Co.

𝑛
𝐼𝐶𝑠 = ∗ 𝐼𝑚
𝑛+1
𝐼𝐶𝑠
𝐼𝐶𝑜 = 𝑛

Puesto que la energía almacenada por los condensadores se recupera sin que sea disipada en ningún
elemento resistivo, el circuito no presenta una limitación en cuanto a poder utilizar valores elevados
en los condensadores, y cuanto mayor sean estos, menores pérdidas aparecerán durante el apagado.
El problema se presenta debido a que, con niveles de corriente bajos en la carga, el tiempo de descarga
del condensador CO puede ser elevado limitando el correcto funcionamiento del snubber.[5]
 5. TOPOLOGÍAS PARA INVERSORES DE HALF BRIDGE Y FULL
BRIDGE (NO CONFUNDIR CON TOPOLOGÍAS PARA FUENTES
CONMUTADAS DC-DC, QUE TIENE EL MISMO NOMBRE)

 TOPOLOGÍA HALF BRIDGE

Permite convertir una tensión continua de entrada, en una de salida mayor o menor. Se caracteriza
por el nivel de tensión que sus semiconductores soportan durante el estado de corte que es la tensión
de entrada. Son utilizados en aplicaciones off-line.
Posee ventajas como picos de tensiones debido a la inductancia de dispersión, recortando de la tensión
de alimentación, así devolviendo la energía almacenada.

Figura 5.1. Half bridge.

El circuito consiste en un par de dispositivos de conmutación. Q1 con un diodo D1 en paralelo y Q2

con otro diodo conectado en paralelo. Conectados en serie a través de una fuente de voltaje de voltaje
directa VS y una carga conectada entre el punto a y el punto central 0 en la unión de los dos capacitores
C1 y C2, los cuales dividen el voltaje de entrada VS.
Los dispositivos Q1 y Q2 conmutan en forma alterna en un ángulo π para generar el voltaje de salida.
Inicialmente, se activa el transistor Q1 durante un tiempo T o/2, el voltaje instantáneo a través de la
carga Vo será VS/2. Después, el transistor Q2 es activado por lo tanto Q1 desactivado durante un
tiempo To/2. El voltaje –VS/2 aparece en la carga.
El valor eficaz de la tensión alterna es:

1 𝑇0 𝑉𝑆 𝑉𝑆
𝑉𝑂𝑅𝑀𝑆 = √ ∫ ( )2 𝑑𝑡 =
𝑇𝑂 0 2 2

El voltaje de tensión alterna sobre la carga se puede expresar como serie de Fourier para una onda
cuadrada con simetría en el eje x.
∞

𝑉𝑂 = ∑
𝑛=1,3,5..

Cuando la carga es resistiva, las expresiones para la corriente eficaz, instantánea del primer armonico
y su valor eficaz, es similar a un divisor de tensión.
En una carga RL la corriente es igual a:
 2 ∙ 𝑉𝑆 𝑛𝑤𝐿
𝑖= ∑ ∙ sin(𝑛𝑤𝑡 − 𝜃𝑛 ) 𝜃𝑛 = tan−1 ( )
𝑛𝜋√𝑅2 + (𝑛𝑤𝐿)2 𝑅

A diferencia del convertidor Forward o del push-pull, en el convertidor semi-puente no existen

problemas debidos a las inductancias de dispersión, ya que cualquier sobretensión es recortada a la
tensión de alimentación gracias a los diodos en antiparalelo internos a los Mosfet. [6]

 TOPOLOGÍA FULL BRIDGE

Es una aplicación del convertidor semipuente para aplicación de de mayor potencia. Su circuito es
igual al del semipuente, a diferencia el divisor capacitivo por dos transistores.
Dos inversores de medio puente pueden ser conectados para formar un inversor de puente completo,
o puente H.
Este convertidor está compuesto por cuatro transistores, lo que hace de, mayor coste el convertidor
Forward o Semipuente. La razón de su composición se debe a que la tensión que se aplicara al
primario del transformador se VDC y no VDC/2. Así para los transistores capaces de soportar la misma
tensión y corriente, el convertidor será capaz de entregar el doble de potencia que el convertidor
semipuente.

Figura 5.2. Full bridge.

La secuencia de funcionamiento consiste en la conducción y corte simultaneo de una pareja de

transistores, ubicados en diagonal, de forma que Q1 y Q4 conducen con el corte de Q2 y Q3,
además de la existencia de un tiempo muerto entre transiciones de ambas parejas, en la que la
corriente conmuta.
En el instante de corte de todos los transistores, la corriente magnetizantes que se había establecido
primero permanecerá constante debido a que los diodos rectificadores de salida cortocircuitan el
secundario y se refleja en el primario provocando que la corriente permanezca constante hasta la
conducción del siguiente transistor.
 Figura 5.3. Formas de onda de convertidor full bridge.

Funcionamiento de inversor puente H: análisis energético

Figura 5.4. Inversor VSI conectado a la red eléctrica.

En la figura 5.6 muestra un inversor monofásico VSI (Voltage Source Inverter) acoplado a la red
eléctrica a través de una bobina de acople (Lr). El inversor está compuesto por un bus DC y un puente
H de dos ramas. Cada rama contiene dos interruptores que conmutan de acuerdo con la estrategia de
control, para este artículo se considera un control de banda de histéresis de corriente. Cada interruptor
del puente H está compuesto por un IGBT (Q1, Q2, Q3 y Q4) y un diodo en antiparalelo (D1, D2, D3 y
D4). El disparo de los interruptores se realiza mediante señales digitales en las puertas G 1, G2, G3, y
G4. El inversor convierte la tensión DC del bus de continua en corriente alterna AC inyectando
corriente a la red eléctrica.
La tensión de la red se modela mediante la fuente Vred. La carga de la red eléctrica se modela mediante
la resistencia Rc y la inductancia Lc. La fuente Vred debe suministrar a la carga las corrientes necesarias
para satisfacer sus necesidades energéticas. Para la resistencia R c, la fuente debe suministrar una
corriente que esté en fase con la tensión Vred (corriente activa). Mientras que para la inductancia Lc,
la fuente debe suministrar una corriente que está en cuadratura con V red (corriente reactiva). Cuando
se cierra el interruptor Qred, el inversor se conecta a la red inyectando corriente. El inversor puede
inyectar corriente activa o corriente reactiva o una combinación de ambas. Normalmente, los
inversores conectados a la red eléctrica deben inyectar corriente activa. Sin embargo, para algunas
aplicaciones, deben inyectar corriente reactiva (en este caso el inversor funciona como compensador
de potencia reactiva). Cuando el inversor inyecta corriente, el inversor debe suplir parte de las
necesidades energéticas de la carga disminuyendo las corrientes suministradas por la red eléctrica.
Para este artículo, se considera el caso para el control de banda de histéresis de corriente en el que el
inversor debe inyectar corriente reactiva a la red. La inyección de otras corrientes (activas, no
fundamentales y desequilibradas) puede extrapolarse fácilmente mediante la siguiente explicación.
Cada interruptor está compuesto por un IGBT y un diodo en antiparalelo. Debido a las características
de los semiconductores de cada interruptor, los IGBTs permiten la circulación de corriente de arriba
hacia abajo y los diodos permiten la conducción de corriente de abajo hacia arriba, ver figura 66 La
circulación de corriente a través de los IGBTs se da cuando tienen señal en la puerta, los IGBTs de
una misma rama no deben estar cerrados simultáneamente porque pondrían en corto al bus DC. La
circulación de corriente a través de los diodos se da cuando los diodos se polarizan directamente y
los IGBTs no tienen señal en la puerta. En la figura (5.6) se ilustran las referencias para: el voltaje
para la fuente (Vred), la bobina (Lr) y el bus DC (Vdc)\ también muestra la referencia para la corriente
del inversor (entrando al nodo a del inversor).

Figura 5.5. Forma de onda control de corriente banda de histéresis.

1) Recorrido desde el punto A hacia el punto B. Cuando la corriente de salida el inversor supera
el límite superior de la banda histéresis, se debe ejecutar una acción de control que evite que
la corriente salga de la banda. Para que la corriente entre nuevamente a la banda de histéresis,
la bobina Lr sobre la cual se ejerce el control de corriente debe aumentar la energía
 almacenada (aumentar la magnitud de corriente). En este caso, la corriente del inversor
aumenta de magnitud pasando del punto A al punto B, para esto los IGBT’s 1 y 2 deben estar
cerrados. En la figura 5.7 se resaltan en negro el circuito del recorrido de la corriente para el
inversor. Despreciando las pérdidas, el bus DC suministra energía a las bobinas L r y Lc que
la almacenan.

Figura 5.6. Circuito para zona 1.

2) Recorrido desde el punto B hacia el punto C. Cuando la corriente de salida el inversor supera
el límite inferior de la banda histéresis, se debe ejecutar una acción de control que evite que
la corriente salga de la banda. Para que la corriente entre nuevamente a la banda de histéresis,
la bobina Lr sobre la cual se ejerce el control de corriente debe disminuir la energía
almacenada (disminuir la magnitud de corriente). En este caso, la corriente del inversor debe
disminuir de magnitud pasando del punto B al punto C, para esto se deben abrir los IGBT’s
1 y 2. Al abrir el IGBT 1, el diodo 4 reacciona y se cierra. Mientras que al abrir el IGBT 2,
el diodo 3 se cierra. La figura 69 muestra resaltado en negro el circuito del recorrido de la
corriente para el inversor, la corriente circula por los diodos D3 y D4. Despreciando las
pérdidas, la bobina Lr le suministra energía al bus DC y a la bobina Lc.

Figura 5.7. Circuito para zona 2.

3) En este caso la corriente entra por el (+) de Lr almacenando energía. Cuando los IGBT’s 1 y
2 están abiertos Lr reacciona cambiando la polaridad (-+), la corriente entra por el (-) de Lr
cediendo energía al sistema. El sentido de la corriente no cambia en la bobina L c, tampoco
lo hace su polaridad puesto que es impuesta por la red de suministro. Para IGBT’s 1 y 2
abiertos o cerrados la bobina Lc almacena energía. [7]
 6. INVERSOR MONOFÁSICO DE ONDA CUADRADA, ONDA CUADRADA
DE MUESCA UNIPOLARES Y ONDA CUADRADA CON MUESCAS
BIPOLARES.

Los inversores de onda cuadrada controlan la frecuencia de la señal de salida y la magnitud de salida
es controlada por otro dispositivo en la entrada cd del inversor. Sin embargo, la forma de onda lograda
a través de este es una onda cuadrada.

 DEAD TIME
La amplitud de la frecuencia fundamental de una señal cuadrada de salida de un inversor está
determinada por el voltaje de entrada Vdc. La salida se puede controlar modificando el esquema de
conmutación, ajustando el intervalo α a cada lado del pulso donde la salida es cero. El valor rms de
este tipo de salida es:

1 𝜋−𝛼 2 2𝛼
𝑉𝑅𝑀𝑆 = √ ∫ 𝑉𝑑𝑐 𝑑𝑤𝑡 = 𝑉𝑑𝑐 √1 −
𝜋 𝛼 𝜋

La serie de Fourier que determina esta señal es:

𝑉𝑂 (𝑤𝑡) = ∑ 𝑉𝑛 sin(𝑛𝑤0 𝑡)

Debido a la simetría de media onda Vn es:

2 𝜋−𝛼 4 ∙ 𝑉𝑑𝑐
𝑉𝑛 = ∫ 𝑉𝑐𝑐 ∙ sin(𝑛𝑤0 𝑡)𝑑𝑤𝑡 = ( ) cos(𝑛𝛼)
𝜋 𝛼 𝑛𝜋
Donde α es el ángulo de voltaje cero en cada extremo del pulso, la amplitud en la salida para cada
frecuencia de salida es función de α. La amplitud de la frecuencia fundamental es:
4 ∙ 𝑉𝐶𝐶
𝑉1 = ( ) cos(𝛼)
𝜋
El contenido armónico también se puede controlar de ajustando el ángulo alpha, para eliminar una
buena cantidad de armónicos basta con ajustar alpha de modo que el termino coseno en la ecuación
anterior sea cero. El n-ésimo armónico se elimina con:
90°
𝛼=
𝑛
El control de amplitud y la reducción de armónicos no siempre son compatibles por lo que es
necesario controlar el voltaje de entrada.

 MUESCA
I. Bipolares
Es posible eliminar armónicos no deseados en la señal de salida de un inversor monofásico
introduciendo un par de muescas bipolares de voltaje.
 Figura 6.1. Voltaje de salida del inversor con las muescas
por cada media onda.

La serie de Fourier para la salida es:

𝑉𝑂 = ∑ 𝐵𝑛 ∙ sin(𝑛𝑤𝑡)
𝜋
4𝑉 𝛼1 𝛼2
2
[∫ sin(𝑛𝑤𝑡) 𝑑𝑤𝑡 − ∫ sin(𝑛𝑤𝑡) 𝑑𝑤𝑡 + ∫ sin(𝑛𝑤𝑡) 𝑑𝑤𝑡]
𝜋 0 𝛼1 𝛼2

En el que Bn es:
4𝑉[1 − 2 ∙ cos(𝑛𝛼1 ) + 2 cos(𝑛𝛼2 )]
𝑛𝜋
Para m muescas:
𝑚
4∙𝑉
𝐵𝑛 = [1 + 2 ∑(−1)𝑘 cos(𝑛𝛼𝑘 )]
𝑛𝜋
𝑘=1

Para k impar en donde:

𝜋
𝛼1 < 𝛼2 < ⋯ < 𝛼𝑘 <
2
II. Unipolares

Figura 6.2.. Voltaje de salida unipolar del inversor con dos muescas por cada ciclo.
En la figura anterior se puede apreciar que B n es:
𝜋
4𝑉 𝛼1 2
𝐵𝑛 = [∫ sin(𝑛𝑤𝑡) 𝑑𝑤𝑡 + ∫ sin(𝑛𝑤𝑡) 𝑑𝑤𝑡]
𝜋 0 𝛼2

4𝑉[1 − cos(𝑛𝛼1 ) + cos(𝑛𝛼2 )]

=
𝑛𝜋
Para m muescas:
𝑚
4∙𝑉
𝐵𝑛 = [1 + ∑(−1)𝑘 cos(𝑛𝛼𝑘 )]
𝑛𝜋
𝑘=1

Para k impar en donde: [8]

𝜋
𝛼1 < 𝛼2 < ⋯ < 𝛼𝑘 <
2

7. TIPOS DE MODULACIÓN: MODULACIÓN UNIPOLAR,

MODULACIÓN BIPOLAR, PWM, SPWM, TRAPEZOIDAL,
VECTORIAL.
Modulación unipolar

En un esquema de conmutación unipolar para la modulación por anchura de impulsos, la salida se

conmuta de nivel alto a cero, o de nivel bajo a cero, en lugar de entre niveles alto y bajo, como en la
conmutación bipolar. Un esquema de conmutación unipolar tiene los siguientes controles de
interruptores [5]:

Observe que los pares de interruptores (S 1, S4) y (S2, S3) son complementarios: cuando un interruptor
de uno de los dos pares está cerrado, el otro está abierto. Las tensiones v a y vb en la figura 7.1a oscilan
entre + Vcc y cero. La tensión de salida vo = va - vb es tal y como se muestra en la figura 7.1b. [5]
 Figura 7.1 (a) puente convertidor de onda completa para PWM unipolar, (b) Señales de referencia y
portadora, (c) Tensiones Va y Vb del puente. (d) Tensión de salida.

Otro esquema de conmutación unipolar sólo tiene un par de interruptores trabajando a la frecuencia
de la portadora mientras que el otro par trabaja a la frecuencia de referencia, con lo que tenemos dos
interruptores de alta frecuencia y dos de baja frecuencia. En este esquema de conmutación [5]

Donde las ondas sinusoidal y triangular son como las mostradas en la figura 7.2a. De forma
alternativa, (S2, S3) podrían ser los interruptores de alta frecuencia, y S 1 y S4 podrían ser los
interruptores de baja frecuencia [5].
Figura 7.2 PWM unipolar con interruptores de alta y baja frecuencia, (a) Señales de referencia y de control,
(b) Va, (c) Vb, (d) Salida Va -Vb.

Modulación bipolar

La figura 7.3 ilustra el principio de la modulación por anchura de impulsos bipolar sinusoidal. La
figura 7.3a muestra una señal sinusoidal de referencia y una señal portadora triangular. Cuando el
valor instantáneo de la sinusoide de referencia es mayor que la portadora triangular, la salida está en
+ Vcc, y cuando la referencia es menor que la portadora, la salida está en – Vcc [5]:

Esta versión de PWM es bipolar, ya que la salida toma valores alternos entre más y menos la tensión
de la fuente continua [5].

El esquema de conmutación que permitirá implementar la conmutación que permitirá implementar

las conmutación bipolar utilizando el puente inversor de onda completa se determina comparando las
señales instantáneas de referencia y portadora:
 Figura 7.3 Modulación por anchura de impulsos bipolar, (a) Referencia sinusoidal y portadora triangular,
(b) Salida del modulador.

Modulación PWM

La modulación por anchura de impulsos proporciona un método de disminuir el factor DAT de la

corriente de carga. En la modulación PWM, la amplitud de la tensión de salida se puede controlar por
medio de las formas de ondas moduladoras. Dos ventajas de la modulación PWM son la reducción
de los requerimientos del filtro para reducir los armónicos y el control de la amplitud de salida. Entre
las desventajas se puede citar que los circuitos de control de los interruptores son más complejos, y
que hay unas mayores pérdidas debidas a una conmutación más frecuente [5].

El control de los interruptores para la salida sinusoidal del PWM requiere (1) una señal de referencia,
llamada a veces señal de control o moduladora, que en este caso es una sinusoide; y (2) una señal
portadora, que es una onda triangular que controla la frecuencia de conmutación [5].
En la actualidad existen muchos circuitos integrados en los que se implementa la modulación PWM,
además de otros muy particulares para lograr circuitos funcionales que puedan controlar fuentes
conmutadas, controles de motores, controles de elementos termoeléctricos, choppers para sensores
en ambientes ruidosos y algunas otras aplicaciones. Se distinguen por fabricar este tipo de integradas
compañías como Texas Instruments, National Semiconductor, Maxim, y algunas otras más [2].
 Figura 7.4 Esquema de un inversor PWM trifásico.

Modulación SPWM

El funcionamiento básico de la modulación por ancho de pulso es simple, una serie de pulsos cuyo
ancho es controlado por la variable de control. Es decir que, si la variable de control se mantiene
constante o varía muy poco, entonces el ancho de los pulsos se mantendrá constante o variará muy
poco respectivamente [3].

Si hacemos que el ancho de pulso no varíe linealmente con la variable de control, de modo que el
ancho de los pulsos puede ser diferentes unos de otros, entonces sería posible seleccionar el ancho de
los pulsos de forma que ciertas armónicas sean eliminadas [3].

En el control PWM senoidal se generan los anchos de pulso al comparar un voltaje de referencia
triangular de amplitud Ar y y de frecuencia fr con otro voltaje semisenoidal portador de amplitud
variable Ac y de frecuencia 2 fs. El voltaje semisenoidal de referencia está en fase con el voltaje de
fase de entrada, pero tiene 2 veces su frecuencia. La amplitud del voltaje semisenoidal de referencia
controla el índice de modulación M que varía entre 0 y 1, es decir, 0 a 100 %. El índice de modulación
se define como: M = Amplitud de semisenoidal de referencia / Amplitud de triangular de referencia
En una modulación SPWM, el factor de desplazamiento es la unidad y el factor de potencia se mejora
en gran medida respecto del PWM normal. Las armónicas de menor orden se eliminan o se reducen.
Por ejemplo, con 4 pulsos por medio ciclo, la armónica de orden más bajo es la quinta y con seis
pulsos por medio ciclo, la armónica de orden más bajo es la séptima [3].
 Figura 7.5 Modulación senoidal de ancho de pulso SPWM.

Modulación trapezoidal

En la modulación trapezoidal, las señales de excitación se generan al comparar una onda portadora
triangular con una onda moduladora trapezoidal, como se muestra en la figura 7.6. La onda
trapezoidal puede obtenerse a partir de una onda triangular si se limita su magnitud a ± Ar, misma
que se relaciona con el valor pico Ar(MAX) mediante
𝐴𝑟 = σ𝐴r(MAX)

Donde σ es el factor triangular, porque cuando σ = 1 la forma de onda se convierte en una onda
triangular. El índice de modulación M es

𝐴𝑟 𝜎𝐴r(MAX)
𝑀= = para 0 ≤ M ≤ 1
𝐴𝐶 𝐴𝑐
 Figura 7.6 Modulación trapezoidal.

Modulación vectorial

El control vectorial o control de campo orientado es una estrategia usada para dirigir un inversor de
frecuencia variable y lograr control desacoplado de par motor y flujo magnético en motores AC [7].

El principio de control de campo orientado fue introducido a finales de la década de 1960 y principios
de 1970 por K. Hasse en la TH de Darmstadt y F. Blaschke de la Compañía Siemens [7].

Puede decirse que este método de control permite modelar un motor AC como uno de corriente
continua para controlarlo de manera semejante, es decir, controlar de manera independiente la
magnetización de la máquina y el torque desarrollado [7].

la técnica de modulación por ancho de pulso del vector espacio (SVPWM) generalmente llamada
control vectorial tiene como principal característica es que se sustituye todo el sistema trifásico por
un sólo vector en el que la frecuencia queda reflejada en su velocidad de giro con el paso del tiempo.
Esto permite emplear dicho vector para estudiar tanto los regímenes estacionarios como dinámicos
en dichos sistemas [6].
Son varias e importantes las ventajas que presenta el control vectorial, aunque depende de la
aplicación. Por ejemplo, cuando se trata de controlar un motor trifásico de inducción, el control
vectorial sobre el inversor trifásico permite desacoplar las variables del motor de inducción de forma
que se logra un control independiente de la velocidad y del par, equiparable al motor de continua. O
bien cuando lo que se pretende es generar un sistema trifásico de tensiones senoidales (por ejemplo,
en sistemas de generación de energía eléctrica a partir de paneles solares y baterías), la
implementación digital del control vectorial resulta mucho más sencilla que la de un PWM senoidal
trifásico. El Control Vectorial ó SVPWM de inversores trifásicos alimentados por fuente de tensión
(VSI ó voltage source inverter) constituye una poderosa herramienta para el desarrollo y control de
los convertidores de continua-alterna [6].

En conclusión, la técnica SVPWM) consiste en aplicar los diferentes vectores de tensión espaciales
durante unos tiempos determinados y en un orden determinado, según un vector de referencia que
depende del sistema trifásico que se desea obtener, para de esa forma conseguir que la señal de salida
tenga una menor distorsión armónica. Este vector de referencia actúa como consigna y gira dentro
del plano ab saltando de un vector de conmutación al siguiente, de forma que cuantos más vectores
de conmutación intermedios se generen entre los vectores directores, más senoidal es la onda de salida
[6].

8. FILTRADO DE SALIDA PARA INVERSORES PWM: FILTRO LC.

Para cumplir el objetivo final de obtener una señal senoidal lo más perfecta posible, se hace preciso
la inclusión de un filtro, para eliminar las componentes armónicas no deseadas; es decir, se trata de
intercalar una impedancia de valor elevado de cara a las frecuencias que deseamos eliminar. En la
elección y cálculo de este se han de tener en cuenta aspectos como carga a alimentar, frecuencias que
se desean eliminar –tipo de control que se realiza del inversor- y tamaño de este. En algunos casos,
puede emplearse la propia carga como filtro; es el caso por ejemplo en el que la carga sea un motor.
De todas las posibles configuraciones de filtros, las más habituales para los inversores son las
configuraciones en L, cuyo esquema general se muestra en la figura 8.1; en dicha figura el filtro está
compuesto por la impedancias genéricas serie ZS y paralelo ZP. La impedancia ZC representa la
carga a la que alimenta el inversor [8].

Analizaremos algunas de los filtros más habituales dentro de esta configuración en función de las
impedancias serie y paralelo. La forma de calcular el filtro consiste en establecer la atenuación que
deseamos obtener para una determinada componente armónica, de la siguiente forma [8]:

𝑈𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 𝑍𝑝 ′
= ′
𝑈𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝑍𝑝 + 𝑍𝑠

En la que se ha denominado 𝑍𝑝 ′ a la impedancia en paralelo formada por 𝑍𝑐 𝑦 𝑍𝑝 .

 Figura 8.1 Esquema general de un inversor con filtro y armónicos a eliminar por el mismo.

Filtro “LC”

Este filtro es el más sencillo y uno de los más utilizados. Consiste en una inductancia serie y un
condensador paralelo. Este filtro tiene el inconveniente de que si se sitúa muy cerca de la fundamental
puede llegar a atenuarla. Sin embargo, este problema no tiene por qué aparecer en los inversores
modulados [8].

Incluir una impedancia compleja como carga, en un estudio general de un determinado filtro
“oscurecería” la explicación. Por tanto, se ha considerado una carga resistiva “R”. Así el valor de Zp’
puede ser calculado mediante la siguiente expresión [8]:

Donde R es la carga (en este caso resistiva pura) y C es el condensador en paralelo con la carga. Si
planteamos la expresión de la atenuación se tendría:

Estas expresiones pueden representarse en función de los siguientes parámetros:

Sustituyendo los valores mostrados en la expresión anterior se obtiene la expresión de la atenuación.
En la figura 8.2 se ha representado el módulo de esta expresión para diferentes valores de “Q”.

Figura 8.2 Atenuación de un filtro LC en función de “Q”.

Filtro “LCL”

El filtro LCL presenta una atenuación de 60db/década a partir de la frecuencia de resonancia, tiene
una baja distorsión de la corriente de red y baja producción de potencia reactiva, sin embargo, puede
llegar a causar distorsión de la corriente de entrada, dinámica y en estado estacionario, debido a la
resonancia [9].

Algunas características que debe presentar el filtro a la hora de ser diseñado son las siguientes [9]:

 El filtro LCL se puede ver como un filtro LC más una inductancia de fugas que en muchas
ocasiones puede ser tratada como la inductancia de fugas del transformador de aislamiento.
 A la frecuencia fundamental, el condensador debe absorber poca potencia reactiva del
fundamental, con lo que la corriente en el inductor conectado del lado del inversor apenas se
ve incrementada por el condensador.
 A la frecuencia de los armónicos de conmutación, el condensador debe absorber los
armónicos de la corriente del inductor los cuales deben ser pequeños.

9. INVERSORES TRIFÁSICOS DE ONDA CUADRADA Y DE ONDA

SENOIDAL.
Los inversores trifásicos son utilizados para la alimentación de cargas trifásicas que requieran
corriente alterna. Algunas de las aplicaciones de estos inversores son las siguientes [1]:

 Fuentes de tensión alterna trifásica sin interrupciones

 Puesta en marcha de motores de corriente alterna trifásicos
 Conexión de fuentes que producen energía en continua con las cargas trifásicas (paneles
fotovoltaicos) [1].

Funcionamiento

Los inversores trifásicos se utilizan normalmente en aplicaciones de alta potencia. Tres inversores de
medio puente (o de puente completo) pueden conectarse en paralelo, tal y como se muestra en la
figura 9.1, para formar la configuración de un inversor trifásico. Las señales de compuerta de los
inversores monofásicos deben adelantarse o retrasarse 120° uno con respecto al otro, a fin de obtener
voltajes trifásicos balanceados (fundamentales). Los embobinados primarios del transformador deben
aislarse unos de otros, en tanto que los embobinados secundarios pueden quedar conectados en
estrella o en delta. Por lo general, el secundario del transformador se conecta en estrella, a fin de
eliminar armónicas múltiplos de tres (n = 3, 6, 9, …) que aparecen en los voltajes de salida (la
disposición del circuito se muestra en la figura 9.1a). Este dispositivo requiere de tres transformadores
monofásicos, 12 transistores y 12 diodos. Si los voltajes de salida de los inversores monofásicos no
están perfectamente equilibrados en magnitud y fase, los voltajes de salida trifásicos también estarán
desequilibrados [4].

Se puede obtener una salida trifásica a partir de una configuración de seis transistores y seis diodos,
tal y como se muestra en la figura 9.2a. A los transistores se les puede aplicar dos tipos de señales de
control: conducción a 180° o conducción a 120° [4].

Conducción a 180°

Cada transistor conducirá durante 180°. Tres transistores se mantienen activos durante cada instante
de tiempo. En cada ciclo existen seis modos de operación, cuya duración es de 60°. Las señales de
excitación mostradas en la figura 9.2b están desplazadas unas de otras, para obtener voltajes trifásicos
balanceados (fundamentales) [4].
 (a) Diagrama esquemático.

(b) Diagrama de circuito.

Figura 9.1 Inversor trifásico formado por tres inversores monofásicos.

 (a) Diagrama de circuito.

(b) Formas de onda para conducción a 180°

Figura 9.2 Inversor trifásico puente.

La carga puede conectarse en estrella o en delta, como se muestra en la figura 9.3. En el caso de una
carga conectada en delta, las corrientes de fase se obtienen directamente de los voltajes línea a línea.
Una vez que se conocen las corrientes de fase, pueden determinarse las corrientes de línea. En caso
de una carga conectada en estrella, los voltajes de línea a neutro deben determinarse a fin de encontrar
las corrientes de línea o de fase [4].

Figura 9.3 Carga conectada en delta/estrella.

Figura 9.4 Voltajes de fase para la conducción a 180°.

En la figura 9.4 se muestran los voltajes línea a neutro. El voltaje instantáneo línea a línea se muestra
en la figura 9.2b.

Conducción a 120°

En este tipo de control, cada transistor conduce durante 120°. En cualquier instante del tiempo, sólo
conducen dos transistores. Las señales de excitación se muestran en la figura 9.5. La secuencia de
conducción de los transistores es 61, 12, 23, 34, 45, 56, 61 [4].
 Figura 9.5 Señales de compuerta para conducción a 120°.

10. BIBLIOGRAFIA Y REFERENCIAS

[1]. Electronica de potencia. Teoría y aplicaciones – J. manuel Benavet Garcia.

[2]. Serie de módulos de potencia inteligentes “V1” con tecnología FULL GATE CSTBT ™
paralelizada en el interior y tecnología Mirror Emitter. Mtisubishi Electric Europe BV.
[3]. Control difuso por modo deslizante para la resolución del problema de Seguimiento en Sistemas
No Lineales Por JOSÉ MANUEL ANDRADE DA S.; PEDRO ANTONIO TEPPA G. Y JOSÉ
JESÚS FERRER S. Universidad Simón Bolívar. Sartenejas – Estado Miranda, Venezuela.
[4]. Control en modo deslizante aplicado a la generación de señal en convertidores conmutados
DC/DC. Tesis doctoral presentada para la obtención del título de doctor de Domingo Biel
Solé.Publicación IEEE.
[5] A. M. Pernía, «Protección eléctrica de semiconductores: Redes de ayuda a la conmutación
disipativas y no disipativas,» Mayo 1999. [En línea]. Available:
https://www.unioviedo.es/ate/alberto/leccion.PDF

[6] E. F. A. A. A. G. Gabriel Garcerá Sanfeliú, Conversores conmutados: circuitos de potencia y

control, Valencia: Universidad Politécnica de Valencia, 1998.

[7] J. B. C.-Q. y. J. M. L.-L. Nicolás Muñoz-Galeano, «Enseñando el Funcionamiento de los

Inversores Puente H: Análisis del Intercambio de Potencia entre Bobinas y Condensadores,»
SCIELO, 2016. [En línea]. Available:
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