REPORTE DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA. ÁREA MECÁNICA ELÉCTRICA, FACULTAD DE INGENIERÍA - UASLP Periodo 2019-2020-I

Semiconductores de Potencia y sus Parámetros

Técnicos
Jasso Alba Daniel
daniel91-1209@gmail.com
Instructor: Luis Miguel Escobedo

Resumen—En la electrónica de potencia hay dispositivos (Insulated Gate Bipolar Transistor).

construidos con el SiC (carburo de silicio), el GaN (nitruro
de galio) y el diamante, que han arraigado firmemente en Estos dispositivos, dependiendo de sus caracterı́sticas es-
aplicaciones de alta tensión y alta intensidad para controlar
potencias de salida de entre un megavatio y varios gigavatios. pecı́ficas pueden llegas hasta soportar los 2500 V y 80 A en
CC.
Son dopados o contaminados con otros minerales los cuales les
otorgan propiedades eléctricas mejoradas, con los que se pueden
II. M ATERIAL UTILIZADO Y RESUMEN DE ACTIVIDADES
soportar grandes cantidades de voltaje o de corriente.
Palabras clave—Semiconductor, electrónica de potencia, SCR,
Las actividades a realizar en la práctica se listan a conti-
MOSFET, TRIAC, IGBT, GTO, BJT. nuación:
El material utilizado se muestra en la Tabla I.

I. I NTRODUCCI ÓN Tabla I

M ATERIAL UTILIZADO PR ÁCTICA 1
BJETIVO: Desarrollar la habilidad de buscar, interpretar,
O identificar y aplicar los diferentes parámetros técnicos
de los dispositivos electrónicos de potencia. La selección
Material
DS
Descripción
Diodo semiconductor de potencia
Cantidad
1
Res Resistencia de potencia de acuerdo a la corriente deseada 1
correcta de los dispositivos de potencia y la interpretación Trafo Transformador Monofásico 127 V a 48 V @ 7 A (RMS) 1
correcta de las hojas de datos que los fabricantes de Amp Sonda de corriente de 10 A 1
Osc Osciloscopio 1
semiconductores proporcionan es esencial en la utilización y
buen funcionamiento de éstos.

I-A. Marco teórico

La introducción de la tecnologı́a de transmutación de III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA
neutrones en los años setenta del pasado siglo hizo posible la 1.Para el circuito rectificador de media onda como el
fabricación de dispositivos semiconductores de potencia con mostrado en la figura 1.8 se debe seleccionar el dispositivo
tensiones de bloqueo de más de 1.000 V. Sólo esta técnica electrónico de potencia adecuado. Lo anterior se realizará a
permite producir silicio con la homogeneidad de dopado partir de los cálculos correspondientes y utilizando un manual
requerida, en esta categorı́a de tensiones el tiristor era el de dispositivos que contenga las hojas de datos para diodos de
único dispositivo cuya tecnologı́a se dominaba correctamente. propósito general. Puede utilizar como referencia las páginas
Existen algunos elementos en la electrónica de potencia web de varios fabricantes (IRF, POWEREX, MOTOROLA,
que ayudan al funcionamiento adecuado de los circuitos etc.).
de potencia. Sin embargo, no son iguales que los vistos
anteriormente en otras materias de electrónica, ya que estos
son para alta potencia en voltaje y corriente por lo que sus
caracterı́sticas cambiar para poder soportar estos altos valores
de energı́a suministrados por la fuente.
De todos estos dispositivos lo más conocidos y más usados
son: Dioodo de potencia, SCR (Silicon Controller Rectifier),
TRIAC (Triode for Alternating Current), GTO (Gate Turn-Off
Thyristor), BJT (Bipolar Junction Transistor), MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) e IGBT Figura 1. Figura 1.8.

El presente documento corresponde a un informe de práctica de laboratorio

de Electrónica presentado en la Universidad autónoma de san luis potosı́ Del circuito anterior se tiene que V s(t) = V msen(ωt),
durante el periodo 2019-2020-I. donde Vm es el valor máximo de la tensión en el secundario
 REPORTE DE PRÁCTICA DE LABORATORIO
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA. ÁREA MECÁNICA ELÉCTRICA, FACULTAD DE INGENIERÍA - UASLP
del transformador y ω = 2πf . Las especificaciones del
transformador indican que para una tensión en el primario de
127V( RM S) a 60 Hz se obtiene una tensión en el secundario
de 48V( RM S) a 60 Hz. Corrobore experimentalmente estas
especificaciones. Considerando el valor de la tensión en el
secundario del transformador, se deberá determinar el valor de
la carga (resistiva) de tal manera que circule a través de ella
una corriente de salida con 3 A de valor máximo.Seleccione
el diodo correcto en función de la corriente deseada.
a) Seleccione el diodo correcto en función de la corriente
deseada.
b) Con el diodo seleccionado y la resistencia calculada
construya el circuito de la figura 1.8.
c) Verifique que el circuito esté adecuadamente conectado, y
energice el transformador.
d) Utilizando el osciloscopio observe y dibuje la forma de
onda en el primario del transformador, en el secundario y en
la carga, teniendo cuidado con la medición del primario.
Se tiene el circuito del esquema anterior el cual solo
tiene una resistencia, y según los cálculos, para el voltaje
suministrado por la fuente usada (9,74V( RM S)) en derivación
se tiene una resistencia de 8.33 Ω Con lo que se usaron 2
resistencias de 25Ω y una de 50Ω , ambas con una disipación
máxima de potencia de 50W.
El cálculo de la potencia máxima para el circuito con los
valores ya mencionados, se obtiene una potencia máxima de
34.75W por lo que si van a resistir la energı́a las cargas.
El valor de V( max) para la fuente suministrada fue de
V( max) = 11,02V mientras que para el V( pk) fue de
V( pk) = 13,77V .
La corriente máxima del circuito fue de I( max) = 2A.
El transformador presentó problemas y debido a esto obtu-
vimos una señal muy inestable y por lo tanto las mediciones
no arrojaron valores correctos.
IV. C OMPRENSI ÓN
1- Mencione 2 aplicaciones para cada uno de los tipos de
diodos.
R= Accionamiento de motores CA e Inversores.
2.- Mencione 2 aplicaciones para el SCR y 2 aplicaciones
para el TRIAC.
R= Para los SCR Controles de relevador y Circuitos
de retardo de tiempo. Para los TRIAC - Para reguladores
de luz y Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.
3.- Consiga las hojas de datos de los siguientes dispositivos:
MUR860 Diodo
IRF540 Mosfet
CD430860B SCR
CM100DU-12H IGBT
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4.- ¿Qué niveles de tensión eficaz, máxima y pico, manejan
los dispositivos de potencia anteriores?
R= CD43086B: 1800V 60A. CM100DU12H: 600V 100A.
MRU 860: 600V 8A. IRF 540: 100V 22A.
5.- ¿Cuál es la potencia máxima que pueden disipar?
R=CD43086B: 500W. CM100DU12H: 400W. MRU 860:
75W. IRF 540: 85W.
6.- ¿Cuál es la velocidad de operación (tiempos de
conmutación)?
R= CD43086B: 8.3ms. IRF540= 60 ns.
7.- ¿Cuál es la energı́a disipada en las conmutaciones y
conducción según sea el caso?
R=
8.- ¿Cuáles son las resistencias térmicas relacionadas con la
transferencia de calor?
R= CD43086B:0.18 C/W.
9.- Explique al menos una posible aplicación de cada
dispositivo, dando las razones de selección.
R= IRF540=Circuitos de conmutación de potencia por las
propiedades que tiene el MOSFET a la respuesta rápida al
cambio de estado.
V. C ONCLUSIONES
Fue en realidad muy sencillo realizar las conexiones del
circuito, pero como todo estaba suelto habı́a que cerciorarse
que todo estuviese acomodado de tal manera que no provocara
cortos. Otro de los problemas a los que nos enfrentamos
fue que el transformador utilizado ya estaba en muy malas
condiciones y por lo tanto no se obtuvieron los valores de
voltaje esperados Aparentemente es lo mismo que en circuitos
más pequeños, sin embargo, esto es sólo el comienzo del
manejo de circuitos en electrónica de potencia, por lo que
además, el equipo usado principalmente las sondas, son mas
caras y se debe de proteger mas el equipo para no dañarlo
debido a las grandes cantidades de voltaje o corriente que se
pueden estar manejando en los circuitos.
VI. R EFERENCIAS
https://www.ecured.cu/Semiconductoresdepotencia
https://www.areatecnologia.com/electronica/triac.html
https://www.ecured.cu/IRF540targetText=IRF540.,amplificar