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TEMA ASIGNATURA
ESTIMADO
N° 1
Transistores de potencia Electrónica de Potencia 2 horas
CARRERA DE ELECTRONICA
NOMBRE DEL ESTUDIANTE:
JIMMY CONDOR
JOSSELIN ROJAS
ELIAS MUÑOZ
JUAN TROYA
MATERIA: FECHA:19/11/2023
ELECTRONICA DE POTENCIA
Objetivos
Objetivo general
Identificar el comportamiento de los transistores de potencia, mediante la medición de sus
parámetros dinámicos, para analizar su concordancia con la teoría.
Objetivo Especifico
1. Medir y analizar las corrientes y tensiones dinámicas en los transistores de potencia
durante su operación para evaluar su comportamiento en relación con las expectativas
teóricas.
2. Caracterizar la respuesta de los transistores de potencia frente a variaciones en la carga
y la frecuencia, mediante la obtención precisa de datos sobre su rendimiento dinámico,
con el fin de identificar posibles desviaciones respecto a las predicciones teóricas
3. Evaluar la velocidad de conmutación de los transistores de potencia a través de
mediciones precisas de los tiempos de subida y bajada de señales, con el propósito de
determinar su capacidad para realizar cambios rápidos y eficientes, y comparar estos
resultados con los valores teóricos esperados.
EQUIPO Y MATERIALES.
Protoboard
Figura 1. Protoboard
Transistores de potencia
BJT y MOSFET, cada uno para al
menos 8A – 60V.
Resistencias
Distintos valores, desde 100Ω hasta
100kΩ
Figura 3. Resistencias
Multímetro
Figura 5. Multímetro
Circuito PWM
Un circuito que genere señales PWM,
puede ser construido con un 555,
74HC14, arduino, o microcontrolador
(la frecuencia de oscilación depende del
Figura 6. Circuito PWM
tipo de transistor, si es un BJT máximo
1kHz, si es un MOSFET entre 1KHz y
100KHz).
Osciloscopio
Figura 7. Osciloscopio
Marco teórico
1. Qué es un osciloscopio?
Un osciloscopio es un instrumento que sirve para representar gráficamente señales
eléctricas que oscilan en el tiempo. Es decir, un osciloscopio es un dispositivo que permite
visualizar la oscilación de una señal eléctrica.
Transistor de Efecto de Campo (FET): Puede ser de tipo MOSFET o IGBT, y es común en
aplicaciones de alta potencia.
Transistor de Unión Bipolar de Puerta Aislada (IGBT): Combina las características de los
transistores bipolares y los FET, siendo adecuado para aplicaciones de alta potencia y
voltajes elevados.
Aplicaciones Específicas:
Datos obtenidos
La salida del NE555, que produce la señal PWM, se conecta a la base del TIP120 a
través de una resistencia de base para limitar la corriente. La carga, que podría ser un
motor o cualquier dispositivo que requiera control de potencia, se conecta entre la
fuente de alimentación y el colector del TIP120. La señal PWM controla la conexión y
desconexión rápida del TIP120, permitiendo controlar la potencia entregada a la carga.
2. La conexión de la salida del NE555 a la base del TIP120, junto con el uso de un reóstato
de 100 k ohms, proporciona un control preciso sobre la potencia entregada a la carga. La
capacidad de ajustar la señal PWM permite una variación controlada de la región de
saturación, lo que resulta en una respuesta controlada en la carga.
Recomendaciones
1. Se sugiere explorar diferentes frecuencias de operación para evaluar cómo afectan la
eficiencia y la respuesta del circuito. Puede haber frecuencias específicas que optimicen el
rendimiento y la estabilidad del sistema.
2. Para una mayor robustez, se recomienda probar el circuito con diferentes tipos de cargas,
como motores de distintas potencias o dispositivos con requisitos de potencia variables. Esto
permitirá verificar la versatilidad y adaptabilidad del sistema.
Anexos