INFORME DE LABORATORIO DE ELECTRÓNCA
PROGRAMA INGENIERÍA BIOMÉDICA
POLARIZACIÓN MOSFET
Nicoll Saray Casanova Clavijo – 5600505
David Santiago Sanchez – 5600457
Mariana Bolivar Matiz - 5600447
RESUMEN: En el proceso de la práctica se realizaron cinco
circuitos los cuales fueron planteados por el docente, estos
circuitos son de transistores MOSFET, en los cuales se
podían evidenciar las características del transistor en
diferentes tipos de polarización y su capacidad al realizar
trabajos como amplificador. El diseño de estos circuitos se
realizó en los softwares de Multisim, Proteus y Tinkercad.
PALABRAS CLAVE: MOSFET, polarización,
Transistor,
ABSTRACT: In the process of the practice five circuits were made
which were proposed by the teacher, these circuits are of MOSFET
transistors, in which the characteristics of the transistor in different
types of polarization and its capacity to perform work as an
amplifier could be evidenced. The design of these circuits was
carried out in Multisim, Proteus and Tinkercad software.
KEYWORDS: MOSFET, transistor, polarization
1 INTRODUCCIÓN
Podemos decir que un transistor es un dispositivo semiconductor
que se compone de 3 capas, una de material tipo n y dos de material
tipo p (transistor tipo PNP) o de dos capas tipo n y dos de tipo n
(transistor NPN) [1]
Figura 1.
TransistorBJT
Es importante tener en cuenta el transistor de efecto de campo,
mejor como FET, y el transistor de efecto de campo de
1
metal óxido semiconductor llamado MOSFET. Se caracterizan por
ser dispositivos unipolares, es decir no depende solo de la
conducción que hacen los electrones (se da en el canal N), sino que
también de la conducción en los huecos (canal P).
Además, cabe resaltar que los MOSFET a diferencia de los
transistores BJT tienen una impedancia alta en la entrada,
generando una menor ganancia de voltaje con referencia a los BJT,
no es de unión bipolar entre sus terminales (el diodo), y no necesita
los 0.7V para iniciar su funcionamiento. Añadiendo que es más
estable en cuento a la temperatura aplicada.
Se diferencia porque consta de 3 terminales que como se observa en
la figura 2 una se denomina G (gate), D (drain) y S (source). El
voltaje umbral que tiene este mosfet de enriquecimiento es mayor a
0V.
De igual manera, sus terminales son Gate, Drain y Source, con la
diferencia es que tiene un voltaje umbral menor a 0V. Además, los
transistores de efecto de campo se caracterizan por tener regiones
donde se comporta de manera diferente. [5]
Figura 2. MOSFET de enriquecimiento y empobrecimiento
Región de corte
Esto quiere decir, que se encuentra apagado, no hay conducción
entre drain y source, haciendo así que el transistor se comporte
como un interruptor. [3]
Región lineal u óhmica
Al polarizarse gate con una tensión mayor que la tensión umbral, se
crea una región de agotamiento entre drain y source que dará lugar
a un canal de conducción. El transistor entonces pasa a un estado de
conducción. [1][3]
Región activa o de saturación
Cuando la tensión entre drain y source supera cierto límite la
corriente que atraviesa las dos terminales no se interrumpe, pero se
hace independiente de la diferencia de potencial inyectada al
transistor. [1][3]
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Teniendo en cuenta los conceptos consultados y sus aplicaciones en

investigaciones se establecen como objetivos experimentar y VGS(V) VDS(V) A(mA)
familiarizarse con algunas características funcionales de los
0 10 0
MOSFET para así diseñar un circuito donde se apliquen los
conocimientos vistos en la teoría sobre la polarización de 1 10 0
transistores de efecto campo.
1,2 10 0
2 MATERIALES Y MÉTODOS 1,5 10 0
1,6 10 0
El montaje se hizo teniendo en cuenta las características de cada
uno de los componentes usados y su organización. El primer 2 10 0
circuito realizado se encuentra compuesto por dos fuentes de 2,1 0,135 20
voltaje, una resistencia y un transistor MOSFET tipo N. Una de
estas fuentes es variable, esto permite que su voltaje se pueda variar 2,3 0,048 20
y de esta manera poder conseguir los datos solicitados en la guía. 2,4 0,048 20
Para el circuito 2 se usaron 5 resistencias y dos capacitores, el valor
de VDD es de 10 V, el de VDD 5 V, R2=50K, y a RD se le puede 2,5 0,031 20
dar un valor entre 470 y 560. De igual manera, se usa un 2,6 0,031 20
osciloscopio conectada a la resistencia RL a la cual se le da el
2,7 0,023 20
mismo valor de RD.
En el circuito número 3, a la fuente VDD se le da un valor de 15V, 2,9 0,018 20
a la resistencia RD = 470Ω, Zi es de 500KΩ, VD = 7.5V y VG 5V.
Además, se pone un osciloscopio conectado a RL que tiene el 3 0,018 20
mismo valor de RD; se acoplan dos capacitores. En el siguiente 3,1 0,15 20
montaje, VDD toma valor de 10V, y se varia el valor de RD hasta
que VD tome un valor de 2.5V. Tabla 1. Datos Tinkercad
Por último, se crea un driver motor DC sencillo, en el cual se
Podemos observar en la Gráfica 1 donde se compara VGS y A que
varia el valor de RG el cual va conectado a un transistor,
hay una curva exponencial con respecto a VGS y en A no varía ya
generando que el motor gire dependiendo del valor que se
que la corriente siempre va a ser la mis con excepción de cuando el
proporcione en RG.
circuito esté apagado.
3 RESULTADOS Y ANALISÍS DE RESULTA
Durante el desarrollo de la práctica se realizaron los circuitos en VGS vs A
diferentes softwares los cuales son multisim y proteus, los cuales
30
nos ayudan a obtener los datos requeridos en la guía (resistencias,
VGS, IDS, K, VTH, entre otros), también se realizó el análisis
20
matemático de sus respectivas mallas por medio de cálculos
teniendo en cuenta la polarización de cada uno.
10
CIRCUITO CURVA CARACTERÍSTICA
0
En este circuito se realizó primero el montaje con un transistor
MOSFET, en este la fuente 1 es variable ya que su voltaje debía
cambiar para generar un VDS=0V. VGS A

Gráfica 1. VGS vs A
En la Gráfica 2 se observa la comparación de los voltajes VGS y
VDS en la cual notamos el mismo crecimiento exponencial de VGS
ya que este para llegar a un VD=0V debía crecer, caso contrario a
VDS ya que este va decreciendo respecto a VGS por lo que la idea
de la práctica es que este llegue a 0V.

2
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VGS vs VDS
15

10

0
Figura 3. Circuito curva característica en Tinkercad
VGS VDS
De acuerdo con la simulación en Multisim se tomaron valores más
chicos que los de Tinkercad, ya que esta plataforma nos permite
Gráfica 2. VGS vs VDS meter valores decimales y nos da también valores decimales como
En la Gráfica 3 tenemos VDS y A en los cuales no se nota ninguna podemos observar en la Tabla 2.
curva ya que A es constante y no cambia, mientras que VDS como VGS (V) VDS (V) ID
son valores tan mínimos comparados con A no se nota su
decrecimiento. 0 10 516.3nA
1 10 516.3nA

VDS vs A 2 10 516.3nA

30 3 10 516.3nA
3.85 9.999 2.393μA
20
4 0.03 19.92mA
10 5 0.019 19.96mA
5.5 0.018 19.96mA
0
5.6 0.018 19.96mA
VDS A 5.7 0.018 19.96mA
5.8 0.018 19.96mA
Gráfica 3. VDS vs A
5.9 0.018 19.96mA
Gracias a los valores adquiridos en la Tabla 1 podemos hallar
IDS(on), VGS(on), VTh y K mediante los análisis matemáticos 6 0.017 19.96mA
requeridos para obtener los cálculos necesarios con las ecuaciones 6.1 0.017 19.96mA
planteadas en clase teórica.
6.2 0.017 19.96mA
6.3 0.017 19.96mA
Tabla 2. Datos tomados en Multisim

Se realizó la simulación en Tinkercad de donde se obtuvieron los

valores de la Tabla 1 teniendo en cuenta lo requerido en la guía de
laboratorio.

3
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En la Grafica 4 se observa la comparación de VGS e ID donde

El circuito diseñado en multisim (Figura 4) nos dio los datos
podemos observar la curva que se genera en VGS tiene un
evidenciados en la Tabla 2 para poder desarrollar la segunda parte
crecimiento y decrecimiento con respecto a ID.
de este circuito la cual es la simulación.

VGS vs ID
8
6
4
2
0

VGS ID

Gráfica 4. VGS vs ID
Podemos observar con respecto a la Gráfica 5 cómo VGS va
aumentando y VDS va decreciendo, esto debido a que VGS va Figura 4. Circuito curva característica en Multisim
aumentando su voltaje para que VDS llegue aproximadamente a POLARIZACIÓN A
0V.
Se realizó un circuito de polarización A donde se debe hallar R1
utilizando un análisis AC, para la elaboración del circuito con los
VGS vs VDS capacitores hallando su impedancia y ganancia de voltaje con el
osciloscopio.
15

10

VGS VDS

Gráfica 5. VGS vs VDS

Figura 5. Multisim Polarización A
En la Gráfica 6 se observa como decrece ID ya que se busca que
este llegue a un valor de 0V, gracias a esto se observa que se logró
el objetivo.

VDS vs ID
15

10 Se implementa la Ley de OHM

VDS ID

Gráfica 6. VDS vs ID

4
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Malla de entrada

Según la simulación de Tinkercad se observan los valores obtenidos

los cuales se comparan con los de Multisim.

Malla de salida

Se toma la ecuación
Figura 6. Tinkercad Polarización A
POLARIZACIÓN B
Se realizó el montaje del circuito en Multisim teniendo en cuenta los
valores hallados de VD y K.
Se despeja para hallar VGS

Figura 7. Multisim Polarización B

Malla de entrada

Análisis AC

Malla de salida

Ganancia de voltaje

5
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Transconductancia

Ganancia de voltaje

Se puede observar la simulación de Tinkercad donde se muestra una

Se despega VGS comparación de los valores aproximados a los encontrados en
Multisim.

Se halla ID

Se halla la fórmula de R1 Figura 8. Tinkercad Polarización B

POLARIZACIÓN C
En este circuito se realizó el procedimiento para hallar RD,
utilizando este para poder obtener VD el cual debe ser 2.5V.

Hallamos R2 (usando impedancia de entrada)

Hallamos R1 con la fórmula anteriormente encontrada

Se reemplaza para hallar VGS

Figura 9. Multisim Polarización C
Malla de entrada

Se despeja RS en la malla de entrada Malla de Salida

Se halla VDS

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Reemplazar
% Del Potenciómetro ID
0% 0
Se encuentra ID 10% 0
20% 0
30% 0.25
Hallamos RD
40% 0.74
50% 0.77

Transconductancia y ganancia de voltaje 60% 0.79

70% 0.79
80% 0.80
90% 0.80
100% 0.80

Se puede observar en el circuito de Tinkercad como da el mismo VD Tabla 3. Valores de ID en Proteus

que necesitábamos hallar.
Se puede observar que desde 0% hasta 20% la corriente de drain es
constante, a partir de 30% hay un crecimiento exponencial hasta
60% ahí vuelve a ser constante solo hasta 80% en el cual el valor de
la corriente no cambia y sigue siendo el mismo en 100%.

Figura 10. Tinkercad Polarización C

DRIVER MOTOR C

Figura 12. Tinkercad Motor C

4 CONCLUSIONES
La polarización para transistores MOSFET de enriquecimiento se
da por voltaje al ser una fuente de corriente controlada por voltaje, a
diferencia del transistor BJT que es una fuente de corriente
controlada por corriente.
Mediante la polarización universal (circuito de polarización B) se
encontró que es una polarización estable y ayuda a asegurar los
valores de impedancia, ganancia y voltajes en los terminales del
transistor.
En el último circuito (circuito del motor), se evidenció el control de
corriente de salida a partir del voltaje de Gate, ya que según se
variaba el voltaje de Gate, se aumentaba o reducía la frecuencia del
motor.

Figura 11. Proteus Motor C

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5 REFERENCIAS

[1] “Diferencia entre Los Transistores NPN y PNP.”

http://www.learningaboutelectronics.com/A
rticulos/Diferencia-entre-tran

[2]. Angie Julieth Valencia Castañeda (2020) recuperado de:

https://drive.google.com/file/d/1nKjU2woa FyRUgR305
Tw6Ps0OwC2QLOjc/view

[3]. R. Boylestad y L. Nashelsky. Teoría de circuitos y dispositivos

electrónicos. 10 ed.
Estado de México: Pearson educación, 2009.

[4] “Transistores mosfet configuracion y polarizacion.”

https://es.slideshare.net/JCCG_1/transistore s-mosfet-con
figuracion-y-polarizacion (accessed Sep. 03, 202

[5] “El Transistor MOSFET – Electrónica Práctica Aplicada.”

https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor -mosfet
(accessed Sep. 03, 2020).

LINK CIRCUITOS TINKERCAD

https://www.tinkercad.com/things/9Bnb4jaF651-dazzling-jaiks- inari/editel?
sharecode=MCYxELHJrzq2DbpEOFmgpX0lG5AQrl2r 7keffBs0vKY

https://www.tinkercad.com/things/kskIdA1J2sf-frantic-wolt-
blorr/editel?sharecode=F_TBtM4twj3xkv0DSg1-
5QIkUbU9qRLcNXBLFSF6H6E