FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Carrera de Ingeniería Electrónica y Control

Carrera de Ingeniería Eléctrica

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRÁCTICA N°5
1. TEMA

CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET

2. OBJETIVOS
2.1. Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia.

2.2. Conocer las características de conmutación de los MOSFET’s.

3. MARCO TEÓRICO

El MOSFET de potencia (Metal Oxide Semiconductor, Field Effect Transistors)

difiere del transistor bipolar de juntura en principios de operación, especificaciones
y funcionamiento. Las características de operación de los MOSFETs son superiores
a las de los transistores bipolares de juntura: tiempos de conmutación más rápidos,
circuito de control simple, no segunda avalancha, posibilidad de colocarse en
paralelo, ganancia estable y amplio rango de respuesta de frecuencia y temperatura.
El MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje a través del terminal
gate, el que está eléctricamente aislado del cuerpo de silicio por una delgada capa
de dióxido de silicio (SiO2). Por el aislamiento de la compuerta la corriente que
ingresa en el gate es pequeña lo que hace que el circuito de control no deba entregar
valores considerables de corriente, ventaja importante con respecto al TBJ. Al ser
un semiconductor de portadores mayoritarios, el MOSFET opera a mayor velocidad
que un transistor bipolar porque no tiene un mecanismo de mantenimiento de carga
[1].

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Figura 1. Símbolo y estructura interna de un MOSFET.

Las regiones de operación del transistor de efecto de campo son la región de corte,
región activa y región óhmica, ver Figura 2.
Región de corte (Cutoff): el voltaje gate-source es menor que el voltaje de umbral
VGS(th), el cual es típicamente unos cuantos voltios en la mayoría de MOSFETs de
potencia. El dispositivo puede mantenerse abierto, aunque se aplique una fuente de
potencia entre sus terminales siempre y cuando este voltaje sea menor que el
voltaje de sustentación BVSS.
Región activa: la corriente de Drenaje ID es independiente del voltaje drain-source
VDS y depende únicamente del voltaje gate-source VGS, y está dada por ID =
gm[VGS-VGS(th)].
Región óhmica: cuando el valor de voltaje gate-source es considerablemente
mayor al voltaje de umbral VGS >> VGS(th) y VDS es igual o menor que VGS - VGS(th), el
elemento entra en la región óhmica. En esta región no es válida la dependencia de
la corriente ID del voltaje VGS, sino más bien ID está limitada por el circuito dentro
del cual se encuentre el MOSFET.

Figura 2. Regiones de trabajo del MOSFET.

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El TBJ y el MOSFET tienen características que se complementan entre sí, por

ejemplo, las pérdidas durante la conducción son menores en el TBJ especialmente
en dispositivos con alto voltaje de bloqueo, pero tiene tiempos grandes de
conmutación sobre todo durante el apagado. Por el contrario, el MOSFET puede
encenderse o apagarse más rápido, pero sus pérdidas durante la conducción son
grandes especialmente para dispositivos de alto voltaje de bloqueo, por lo que una
combinación de las características positiva de cada elemento formará un transistor
de buen desempeño, con el objetivo de lograrlo aparece el elemento conocido como
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Al IGBT se lo puede considerar como un MOSFET el cual ha sido modificado en su
estructura interna, ver Figura 3, agregando una capa tipo P bajo el DRAIN, esta
modificación tiene como objetivo obtener características entre Drain y Source
similares a las de Colector-Emisor del transistor TBJ pero manteniendo las
características del MOSFET en el Gate. Es así que el IGBT se caracteriza por tener
reducidos tiempos de conmutación, bajas pérdidas durante la conducción y un
control por voltaje [2].

Figura 3. Símbolo y estructura interna del IGBT.

4. TRABAJO PREPARATORIO
4.1. Consultar la curva característica de funcionamiento de un MOSFET y en base a
esta determinar las zonas de operación en aplicaciones de electrónica potencia.
Indicar las condiciones para el encendido (Vth) y el apagado del MOSFET.

4.2. Explicar la importancia de la resistencia conectada en la base del MOSFET. ¿En

qué rango debe estar la misma y por qué?

4.3. Dimensionar todos los elementos y simular el circuito de la Figura 4 (potencia y

control), para una fuente de poder de 50 Vdc y la resistencia de carga de 100

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ohmios. Para la simulación con el PSPICE trate de poner, en lo posible, el

fototransistor y el mosfet que usted compró en las tiendas electrónicas. Si en la
librería de PSPICE no existen estos elementos, en lo posible utilice elementos
aproximados que cumplan con las características de diseño.

El generador de onda PWM para manejar el fototransistor, ese obtiene con el

circuito 555 funcionando como AESTABLE utilizado en las prácticas anteriores a
una frecuencia de 10 KHz y una relación de trabajo del 50%.

Indicar las formas de onda de voltaje de compuerta, voltaje en los terminales Drain-
Source del Mosfet, la corriente del drenaje (drain), y voltaje de la carga.

En la práctica se utilizará un autotransformador variable y un puente rectificador con

filtro capacitivo para obtener el voltaje de 50 Vdc.
NOTA 1: EL OPTOTRANSISTOR DEBE SER DE CARACTERISTICAS DE
CONMUTACIÓN RAPIDAS. Tome en cuenta que la forma de onda en el emisor del
fototransistor debe ser una onda totalmente cuadrada por lo que el primer paso
debe ser comprobar esta forma de onda.

No se evaluará el trabajo si no cumple con los solicitado.

Figura 4. Circuito a Implementarse con MOSFET

5. EQUIPO Y MATERIALES
Variac monofásico
Puente rectificador
Capacitor electrolítico

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Osciloscopio.
Fuente de DC
Multímetro

6. PROCEDIMIENTO
6.1. Armar el circuito diseñado en el numeral 4.3 del trabajo y tomar las formas de onda
de voltaje, corriente y potencia en el MOSFET.

6.2. Para el numeral 6.1, determinar los tiempos de encendido y apagado del MOSFET
para calcular las pérdidas estáticas y dinámicas.

6.3. Repetir el numeral 6.1 y 6.2 para carga R-L sin diodo de conmutación y luego con
diodo de conmutación (FAST RECOVERY).

7. INFORME
7.1. Presentar los respectivos circuitos, datos y formas de onda obtenidas en los
diferentes literales 6.1, 6.2 y 6.3.

7.2. Comentar los resultados obtenidos en los literales 6.1, 6.2 y 6.3.

7.3. Calcular analíticamente la potencia de perdidas dinámicas, considerando que la

corriente de fugas y el voltaje drain-source (región óhmica) son despreciables. De
igual manera considerar despreciables los tiempos de retardo.

7.4. Conclusiones y recomendaciones.

7.5. Bibliografía.

8. REFERENCIAS
[1] Issa Batarseh, “4 - The Power MOSFET,” in Power Electronics Handbook, Second
Edition., M. H. Rashid, Ed. Academic Press, 2007, pp. 41–69.

[2] R. Tocci, Sistemas Digitales: Principios y Aplicaciones, México, Pearson Educación,

2007. (Para consulta sobre temporizadores con el 555)

Elaborado por: Pablo Rivera PhD.

Revisado por: Pablo Rivera PhD, Ing. Jorge Medina MSc.

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