TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CUAUTLA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
IMPARTIENDO POR: ING. Omar Castillo Castulo

Semestre
Enero-Junio. 2023

Ingeniería en electrónica
Octavo semestre

Tarea 2 U1

Infografía:
Investigar los dispositivos semiconductores de potencia, sus características.

19680056 Granados Castellanos Marlo Brandon

Cuautla, Mor. 16 de Febrero del 2023

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Diodo de potencia

Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperación rápida)
y Schouky. Los diodos de uso general están disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la especificación de los
diodos de recuperación rápida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperación inversa
varía entre 0.1 y 5 µs. Los diodos de recuperación rápida son esenciales para la interrupción de los
convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un cátodo y un ánodo.
Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación muy
pequeño, típicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus
especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su ánodo es más
alto que el de su cátodo; siendo la caída de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja,
típicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de cátodo es más alto que el voltaje de ánodo, se dice que el diodo
está en modo de bloqueo.

Figura 1: diodo de potencia.

Tiristor

El tiristor es la primera implementación de una llave de estado sólido para conmutación de potencia.
Su funcionamiento se adapta al convertidor conmutado por la red, su alta capacidad de bloqueo de
tensión y de conducción de corriente ha impulsado su uso como llave en inversores y convertidores
CC/AC, convirtiéndolo en llave apagable mediante componentes adicionales. Los tiristores para este
último uso tienen una construcción especial que los hace más rápidos en sus conmutaciones.
El tiristor real se caracteriza por su robustez y su alta capacidad de manejo de potencia. La difusión de
su uso hace imprescindible para el diseñador y el usuario de dispositivos de electrónica de potencia
conocer los fundamentos de su funcionamiento y aplicaciones.

Los tiristores bloquean la tensión de pico de la fuente de C.A. tanto en directo como en inverso y
conducen la corriente Id durante el tiempo que le toca conducir a cada uno. Si se consideran tiristores
ideales, no hay restricciones a los valores de tensión y corriente. Además, la corriente por tiristores
apagados y la tensión sobre tiristores prendidos es cero.

Figura 2: esquema y representación de un tiristor.

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GTO

GTO
El GTO (de Gate Turn Off thyristor, tiristor apagable por gate) consiste en un tiristor modificado de
manera que pueda ser apagado a través del gate. Se modifica la estructura de manera de minimizar
la resistencia lateral en la zona del gate. De esta forma se lo puede apagar con una corriente inversa
de gate de muy corta duración, aunque del orden de la corriente de ánodo. Se emplea en inversores
de gran potencia. Su capacidad de bloqueo llega a varios miles de V y su capacidad de corriente a
varios miles de A.

La estructura básica de un GTO es esencialmente la de un tiristor (4 capas npnp) con cambios que
permiten su funcionamiento como llave apagable. Los cambios mayores se concentran en la zona del
cátodo - gate y en la estructura del ánodo. La tensión de bloqueo depende, como en todos los
dispositivos, del espesor de la capa n−. La capacidad de corriente depende naturalmente del área del
chip.

Figura 3: símbolo del GTO.

GCT

El GCT (de Gate Commutated Thyristor, tiristor conmutado por gate) es una variante del GTO
desarrollada para optimizar su funcionamiento y simplificar el diseño de potencia de un convertidor.
Consiste esencialmente en un módulo compuesto por un GTO de gate modificado y estructura general
optimizada y un circuito de comando (driver) capaz de generar las corrientes de encendido y apagado
correspondientes. Al conjunto de GTO modificado y driver se lo denomina también en IGCT
(Integrated Gate Commutated Thyristor). El IGCT es uno de los dispositivos de elección para
implementación de convertidores de alta potencia (cientos de MW) como los utilizados en sistemas
FACTS (Flexible AC Transmission Systems)

La sigla GCT corresponde a “Gate Commutated Thyristor” o “Gate Controlled Thyristor”. El GCT es un
GTO con características constructivas especiales que permiten simplificar los circuitos auxiliares y
mejorar el comportamiento dinámico del dispositivo, sobre todo en el apagado. El GCT como
componente se comercializa con el circuito de driver integrado. El conjunto GCT y driver se denomina
IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor).

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BJT

El BJT (Bipolar Junction Transistor) 1 de Potencia es el transistor común (fundamentalmente el npn)

que ha sido modificado para su utilización como llave en electrónica de potencia. Su desarrollo llevó
a disponer de una llave apagable en la que se basó todo el desarrollo de la electr´onica de potencia en
los años 1970 -1990, época en que se extendió el uso de convertidores DC/DC, fuentes conmutadas
para equipo electrónico, inversores y controles de máquinas eléctricas asociados a sistemas de
distribución de baja tensión (230 - 400V ca) y de potencias desde algunos W hasta cientos de kW.
Anteriormente este tipo de equipos se implementaba con tiristores, exigiendo circuitos relativamente
complejos para efectuar el apagado de las llaves.
La ventaja del BJT con respecto al tiristor reside en la posibilidad de poder apagarlo en forma forzada,
en principio anulando la corriente del electrodo de comando (base) o aplicando una corriente inversa.
El GTO permite el apagado mediante corriente inversa en el gate, pero de prácticamente el valor de
la corriente de ánodo. El transistor bipolar puede apagarse con una corriente inversa de base varias
veces menor que la controlada e incluso con la supresión de dicha corriente, si los requerimientos de
velocidad no son altos. De hecho, hubo una discusión sobre si usar GTO o BJT en los circuitos de barrido
horizontal de los primeros televisores fabricados con dispositivos de estado sólido.

Todas las llaves que se han visto hasta ahora (tiristores, GTO, CGT) son biestables, lo que quiere decir
que tienen dos estados posibles, conducción y bloqueo o corte (ON - OFF).

Figura 4: esquema de un BJT.

MOSFET

El MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) de Potencia es el transistor de efecto
de campo del tipo MOS, base de los circuitos digitales de señal, que ha sido modificado para su
utilización como llave apagable en electrónica de potencia. Como el BJT, el MOSFET tampoco es
intrínsecamente biestable, y su utilización como llave depende del manejo del electrodo de comando
(gate).

El MOSFET es un dispositivo de alta velocidad debido a que su tránsito entre conducción y corte
depende de la carga de capacidades del orden de los nF. La velocidad depende entonces de la
capacidad de dar corriente de la fuente de tensión que lo maneja, lo que es un aspecto de diseño del
circuito de disparo. La conducción se basa en el movimiento de portadores mayoritarios, lo que

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elimina el riesgo de Segundo Break Down, y el comando se realiza aplicando tensión entre el electrodo
de comando (gate) y uno de los electrodos
de potencia (source), simplificando y haciendo más eficiente su manejo.

Su aplicación está limitada a niveles de tensión correspondientes a redes de baja tensión o menores
(230 Vca o 400 Vca o sus valores rectificados). Es el dispositivo de elección en fuentes de alimentación
de hasta algunos kW, para sistemas electrónicos conectados a servicios de baja tensión. Su velocidad
y manejo comparativamente más simple ha permitido la reducción de tamaño y costo de esos equipos,
al reducirse los componentes pasivos que los integran.

Figura 5: símbolo del MOSFET.

IGBT

El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar de Compuerta Aislada) es un dispositivo
de conmutación de potencia que combina características positivas del BJT y del MOSFET, con límites
de tensión y corriente muy superiores a los de dichos dispositivos.

La estructura general de un IGBT de canal n. Como puede observarse, la misma es básicamente la de

un MOSFET en el cual la capa n+ de contacto del drain con el electrodo de conexión se ha sustituido
por una capa p+. La metalización de contacto de esta capa con el circuito externo se denomina
“colector” (C) por analogía del dispositivo resultante con el transistor bipolar npn. Por la misma
razón, la metalización de contacto de las zonas n+ y p, correspondiente estructuralmente al source
del MOSFET se denomina “emisor” (E). El tercer electrodo se denomina compuerta o gate igual que
en el MOSFET.

Figura 6: símbolo del IGBT.

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Figura 7: características y símbolos de dispositivos de potencia.

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RED SNUBBER

Las redes snubbers son circuitos pequeños pero esenciales en las fuentes conmutadas para controlar
la reactancia del circuito. Las redes snubbers mejoran el rendimiento de los transistores de potencia
proporcionando mayor eficiencia y menor interferencia EMI, posibilidad de funcionamiento a una
frecuencia de conmutación más elevada, menor tamaño y peso del semiconductor.
Básicamente, una red snubber puede absorber la energía de los elementos reactivos del circuito. Los
beneficios son amortiguación del circuito, control de las tasas de cambio de voltaje (dv/dt) o corriente
y (di/dt), o protección de sobretensiones. Una snubber limita el estrés que debe soportar el
interruptor, manteniéndolo dentro de su área de operación segura, aumentando la fiabilidad del
mismo. El uso de una snubber reduce el total de pérdidas de conmutación del circuito, pero quizás lo
más importante es que reduce las perdidas en el transistor y por lo tanto las necesidades de
refrigeración del circuito. Cuando está bien diseñada, el dispositivo interruptor tiene menor disipación
de potencia promedio y una disipación de potencia máxima mucho menor.
Las snubber pueden ser combinadas y una aplicación determinada puede tener 2 o 3 redes fusionadas
para controlar tanto la corriente como el voltaje del dispositivo interruptor. Este tipo de redes pueden
ser pasivas o activas. En este trabajo nos enfocaremos en las pasivas, cuyos elementos se limitan a
resistencias, condensadores, inductores y diodos. Las redes activas incluyen transistores y circuitos
adicionales.

FORMULAS DEL CAPACITOR Y BOBINA

Capacitor (C):

1 𝑡
𝑣= ∫ 𝑖(𝜏)𝑑𝜏 + 𝑣(𝑡0 )
𝐶 𝑡0

𝑑𝑣
𝑖=𝐶
𝑑𝑡

Inductor (L):

𝑑𝑖
𝑣=𝐿
𝑑𝑡

1 𝑡
𝑖 = ∫ 𝑣(𝜏)𝑑𝜏 + 𝑖(𝑡0 )
𝐿 𝑡0

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BIBLIOGRAFÍA

o RASHID, M. H. (1993) Electrónica de Potencia: Circuitos, dispositivos y aplicaciones. 2nd edn.

México, D.F.: PRENTICE-HALL

o Daniel W. Hart, Electrónica de Potencia, Pearson Educación, 1era Edición en español,

Madrid, 2001.

o Philip C. Todd, “Snubber Circuits: Theory, Design & Application”, TI Application Note:
SLUP100, May 93.

o Dispositivos semiconductores Para Electrónica de Potencia: Evaluación ... (PDF). consultado

en: http://e-spacio.uned.es/fez/eserv/taee:congreso-2006-1025/S1G04.pdf