UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRICOS

FECHA: 21-12-2017

INVERSOR MONOFÁSICO
Informe 5

Gordillo Chinchero Luis Steven

e-mail: lgordilloc@ est.ups.edu.ec
Toapanta Chicaiza Ana Cristina
e-mail: @ est.ups.edu.ec
Flores Suquillo Pablo Israel
e-mail: pfloress@ est.ups.edu.ec
Collaguazo Chizaiza Luis Carlos
e-mail: lcollaguazoc@ est.ups.edu.ec

RESUMEN: En esta práctica se realizará el su vez, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET

funcionamiento de un inversor monofásico de canal N y los canal P.
puente completo donde se debe medirá el
voltaje de salida y la corriente tanto con carga
resistiva como con carga RL, mediante sus
disparos en el IGBT.

PALABRAS CLAVES: Disparo, Inversor

monofasico, Rectificador, puente, mosfet, IGBT.
1. OBJETIVOS:
 Entender el principio de funcionamiento
de un inversor de puente completo.
 Entender las señales de compuerta y el
voltaje de salida de un inversor.
 Medir las señales de compuerta y el
voltaje de salida de un inversor
monofásico.
 Medir el voltaje de salida y la corriente
de salida de un inversor monofásico
con una carga puramente resistiva.
 Medir el voltaje de salida y la corriente
de salida de un inversor monofásico
con una carga RL.
2. MARCO TEORICO:
2.1 MOSFET:
Fig1. Simbología y partes de un Mosfet.
Existen diferentes tipos de MOSFET,
dependiendo de la forma cómo están
construidos internamente. Así, tenemos
MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de
empobrecimiento, cada uno con su símbolo
característico. Sin embargo, para efectos de
este artículo simplemente consideraremos que
los MOSFET de los que vamos a hablar son de
enriquecimiento, utilizando la simbología antes
presentada. [1]
2.2 IGBT:
El transistor bipolar de puerta aislada
(conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated
Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo
semiconductor que generalmente se aplica
como interruptor controlado en circuitos de
electrónica de potencia.

Es un dispositivo semiconductor utilizado

para la conmutación y amplificación de señales.
El nombre completo, Transistor de Efecto de
Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,
MOSFET) se debe a la constitución del propio
transistor.
Son los dispositivos que permiten la mayor
frecuencia de conmutación y relativa facilidad de
asociación en cascada.
Los MOSFET poseen 3 terminales: Gate,
Drain y Source (compuerta, drenaje y fuente). A
Al igual que un MOSFET el IGBT se
controla con tensión. Para el encendido se da
una tensión positiva en puerta respecto al
emisor, los portadores n son atraídos a la región
p de la puerta; así se polariza en directa la base
del transistor NPN permitiendo la circulación de
corriente colector-emisor. Para el apagado basta
con quitar la tensión de la puerta. Esto requiere
de un circuito de control simple para el transistor
IGBT.
Se pueden combinar IGBTs en paralelo
para manejar corrientes muy grandes y altas
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tensiones con señales de entrada pequeñas
(15V) , por ello se usan en aplicaciones de
grandes potencias y energía (la operación en
paralelo provoca mayores pérdidas de calor). [2]
Fig2. Representación simbólica del transistor
IGBT a) como BJT b) como Mosfet.
Características compartidas con el MOSFET y el
BJT:
·Alta impedancia de entrada (MOSFET)
·Alta capacidad de manejar corriente (BJT)
·Fácil manejo controlable por voltaje
(MOSFET).
·Sin problemas de segunda ruptura (BJT)
·Bajas perdidas de conducción en estado
activo (BJT)
Se suele usar en condiciones de:
·Bajo ciclo de trabajo
·Aplicaciones de alta tensión (>1000V)
·Alta potencia (>5kW)
2.3 INVERSOR DE PUENTE COMPELTO
MONOFÁSICO:
Por circuito inversor se entiende aquellos
circuitos que convierten una tensión dc de
entrada en una tensión ac de salida, de
magnitud y frecuencia controlable. Su aplicación
va desde el control de la velocidad en motores
ac, el caldeo por inducción, los SAI, etc.
Fig3. Inversor monofásico puente completo
En un primer semiciclo (Ts/2) los
conmutadores TA+ y TB- están activos y la
tensión instantánea a través de la carga es Vd.
Durante el segundo semiciclo se lleva a TB+ y
TA- a conducción, con lo que la tensión aplicada
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a la carga será ahora de -Vd. Es importante
establecer un cierto tiempo muerto en la
conducción de los transistores, para evitar la
conducción simultánea de los transistores de
una misma rama, que llevaría a un cortocircuito
momentáneo de la fuente de alimentación, y a la
destrucción de los transistores. Cuando la carga
disponga de componentes reactivas, la
intensidad estará desfasada positiva o
negativamente frente a la tensión. En los
intervalos en los que la corriente y la tensión no
coincidan en signo, los interruptores se cortarán
necesitando la incorporación de diodos en
antiparalelo, para posibilitar un conmutador
bidireccional en corriente. Generalmente este
diodo en antiparalelo es parte constructiva del
conmutador utilizado (ver hoja de datos del
fabricante). Cuando los diodos en antiparalelo
conducen, la energía es devuelta a la fuente de
continua. En los inversores ideales, la tensión
de salida debe ser senoidal, aunque en un caso
real siempre tenemos armónicos no deseados.
Para aplicaciones de baja y media potencia se
considera aceptable una tensión de salida
cuadrada o casi cuadrada. La calidad de un
inversor se evalúa en términos de los siguientes
parámetros que definen la proximidad de
nuestra señal de salida con una sinusoide
perfecta (primer armónico o armónico
fundamental).
Fig4. Resumen de los estados de un Inversor
Monofásico en puente completo.
3. MATERIALES Y EQUIPO:
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 PE-5310-1A Fuente dc (15 V/ 2A) x1

 PE-5310-2A Generador de Referencia
Variable x1
 PE-5310-2B Amplificador diferencial x1
 PE-5310-2C Transductor de corriente
x1
 PE-5310-3C Unidad de carga de
resistencia x1
 PE-5310-3E Unidad de carga inductiva
x1
 PE-5310-4F set IGBT x1
 PE-5310-4H Generador de PWM
Monofásico x1
 PE-5310-4J Rectificador trifásico x1
 PE-5310-5B Juego de fusibles
Figura 6: Ajustes de los selectores y el
 PE-5310-3A Transformador Aislante x1
osciloscopio para la medición de las diferentes
 Cables de Conexión y Enchufes de señales.
Puente Multímetro x1
 Osciloscopio

Con los pasos indicados en guía de

laboratorio procedemos hacer el ajuste de
4. DESARROLLO Y SEC/DIV para ver las señales de las
compuertas T1 y T2 como se muestra en la
PROCEDIMIENTO figura x y medir el tiempo muerto en us.

Ubicación de los módulos en el banco de

trabajo y sus respectivas conexiones haciendo
uso de enchufes y cables de conexión, las
mismas serán conectados a una energía de 220
AC.

Figura 7: Medición de la señal de T1 y T2

En el amplificador se ajusta el selector de

rango de voltaje, el generador PWM
monofásico, ajustando la perilla de control de
voltaje del generador de referencia variable y
utilizando el DSO se puede medir las ondas de
tensión y corriente de carga L como se muestra
en la figura 7.
Figura 5: Diagrama de conexiones para la
medición del inversor monofásico

Una realizado las respectivas conexiones,

procedemos a encender la fuente de
alimentación DC y hacer los respectivos ajustes
de los selectores de generador de referencia
variable, el generador de PWM monofásico,
frecuencia de onda triangular, el amplificador
diferencial, el set de IGBT y la conexión de los
canales del osciloscopio para hacer las
mediciones.
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de los IGBT presento un tiempo muerto de 1.2

µs.

Figura 8: Medición de la tensión y corriente L

Figura 10: Medición de T3(CH1) y T4 (CH2), Vc=5v ,

Desarrollando todos los pasos de las hojas
guías podemos obtener las señales, y por lo
tanto podemos encontrar el tiempo muerto, las
frecuencias de salida, la tensión y la corriente de
carga. Para este desarrollo has pasos que se
repiten con, solo se tienen que hacer algunas
pequeñas modificaciones para encontrar lo
antes mencionado.
Fc=1Khz
En la figura 11 se puede observar un
tiempo muerto de 3.7 µs al realizar la
comparación de las señales de T1 y T4 del
IGBT medidas en el osciloscopio.

5. ANÁLISIS Y RESULTADOS

Mediante un osciloscopio se registró las

siguientes señales:

Como se muestra en la figura XX la señal

de la compuerta T1 del IGBT está conectada al
Chanel 1 del osciloscopio y se la representa con
color rojo, la compuerta T2 se encuentra Chanel
2 y está representada con color amarillo,
realizado la comparación de las dos señales dio Figura 11: Medición de T1(CH1) y T4 (CH2), Vc=5v ,
Fc=1Khz
como resultado un tiempo muerto de 3µs.

En la figura 12 dio como resultado un

tiempo muerto de 0.100 µs al medir en las
compuertas T2 y T3 del IGBT.

Figura 9: Medición de T1(CH1) y T2 (CH2), Vc=5v ,

Fc=1Khz

Como se muestra en la figura 10 al Figura 12: Medición de T2(CH1) y T3 (CH2), Vc=5v ,

comparar las señales de las compuertas T3 y T4 Fc=1Khz
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Como se muestra en la figura 13 al ajustar
el interruptor del selector de rango Vc a 10 V dio
como resultado un tiempo muerto de 20 ms en
las compuertas T3 y T4 de los IGBT.
Figura 13: Medición de T1(CH1) y T2 (CH2), Vc=10v
, Fc=1Khz,PWM
En esta figura 14 el registro de las señales
de las compuertas T1 y T4 del IGBT dio como
resultado un tiempo muerto de 3.2 µs.
Figura 14: Medición de T1(CH1) y T4 (CH2), Vc=10v
, Fc=1Khz,PWM
Como se muestra en la figura 15 el registro
de las señales de las compuertas T2 y T3 del
IGBT dio como resultado un tiempo muerto de
0.010µs.
Figura 15: Medición de T2(CH1) y T3(CH2),
Vc=10v , Fc=1Khz,PWM
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En la figura 16 el registro de las señales de
las compuertas T3 y T4 del IGBT dio como
resultado un tiempo muerto de 0.100 µs.
Figura 16: Medición de T3(CH1) y T4(CH2),
Vc=10v , Fc=1Khz,PWM
Como se puede observar entre la figura 17
y la figura 18 al reducir el voltaje del generador a
la mitad sin haber variado la frecuencia (1Khz)
se aumentaron los picos alrededor de la señal
de la corriente de carga, es normal que existan
estos picos debido a que tenemos una carga del
tipo RL pero mientras más reduzcamos el
voltaje del generador se verá mayormente
afectada la señal.
En la figura 19 y 20 en cambio se mantuvo
el voltaje del generador en 10V que garantizará
una mejor señal, ya que con 5V tenemos una
señal con más picos y respecto a la frecuencia
se triplicará de 5KHz a 15KHz, dándose una
notable mejora de la señal y prácticamente ya
sin tanta atenuación.
Podemos decir entonces que para obtener
una señal bastante aceptable para una carga RL
(R=100Ω y L=50mH) con impedancia de 330Ω
nuestro inversor deberá trabajar con un voltaje
de generador de 10V y una frecuencia de
15KHz dando como resultado una señal buena
tal y como se puede apreciar en la figura 20.
Figura 17: Medición de VL (amarillo), IL
(rojo); Vc=10V, fc=1KHz, PWM
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Figura 18: Medición de VL (amarillo), IL
(rojo); Vc=5V, fc=1KHz, PWM
Figura 19: Medición de VL (amarillo), IL
(rojo); Vc=10V, fc=5KHz, PWM
Figura 20: Medición de VL (amarillo), IL
(rojo); Vc=10V, fc=15KHz, PWM
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6. CONCLUSIONES
Se comprobó al realizar la conmutación de
los interruptores T1 y T4 se activan
simultáneamente, el voltaje de entrada aparece
a través de la carga. Si T2 y T3 se activan al
mismo tiempo, el voltaje a través de la carga se
invierte, generando un voltaje en la carga con
una forma de onda cuadrada tan y como se
puede apreciar en la figura9.
Los inversores más avanzados utilizan la
modulación por ancho de pulsos con una
frecuencia portadora mucho más alta para
aproximarse más a la onda seno o
modulaciones por vectores de espacio
mejorando la distorsión armónica de salida.
Se comprobó que para obtener una señal
bastante aceptable para una carga RL (R=100Ω
y L=50mH) con impedancia de 330Ω nuestro
inversor deberá trabajar con un voltaje de
generador de 10V y una frecuencia de 15KHz
dando como resultado una señal buena tal y
como se puede apreciar en la figura 20.
BIBLIOGRAFIA:
[1] http://panamahitek.com/que-es-y-como-
funciona-un-mosfet/
[2]https://es.wikibooks.org/wiki/Electrónica_
de_Potencia/IGBT/Parámetros_característicos_
de_funcionamiento
[3] Ballester, E., & Piqué, R. (2011).
Principios Fundamentales y estructuras Básicas.
Barcelo: MARCOMBO. K and H Products.
(2010).
[4] Sistema de Entrenamiento de
Electrónica Potencia PE-5000. Obtenido de
http://www.kandh.com.tw/es/products_2.php?
prod=55 MFG, K. a. (2009).