TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TUXTLA GUTIÉRREZ

INGENIERÍA ELÉCTRICA

Materia: Electrónica Analógica

Trabajo a realizar:
BARRERA DE POTENCIAL: Investigue el concepto y la expresión que
describe el efecto de la barrera de potencial en la unión PN. ‌Formato:
Portada, investigación, referencias.

Profesor:
Ing. Aldo Esteban Aguilar Castillejos

Alumno:

Jiménez Cabrera José Manuel

Tuxtla Gutiérrez, Chiapas, a 30 de enero de 2020

Introducción

Los semiconductores intrínsecos tienen un uso muy limitado, sin embargo, los
semiconductores dopados con impurezas son la base de los dispositivos
aceptoras se difunden átomos dadores se forma una unión de propiedades muy
interesantes llamada unión p-n. La unión p-n desempeña un importante papel en
las aplicaciones de la electrónica moderna, así como en la construcción y
aplicación de otros dispositivos semiconductores.

Barrera de potencial.

En el punto de unión p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente polaridad

que forman el diodo, se crea una “barrera de potencial”, cuya misión es impedir
que los electrones libres concentrados en la parte negativa salten a la parte
positiva para unirse con los huecos presentes en esa parte del semiconductor.
Hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energía necesario que le debe
suministrar una fuente de energía externa conectada a los dos extremos del diodo,
no podrán atravesar esa barrera.

A ambos lados de la barrera de potencial se forma una zona de deplexión

(también llamada zona de agotamiento, de vaciado, de carga espacial o de
despoblación). Esa es una zona o región aislada, libre de portadores energéticos,
que se origina alrededor del punto de unión de los dos materiales
semiconductores dopados de diferente forma y que poseen también polaridades
diferentes. La función de la “zona de deplexión” es alejar a los portadores de
carga energética (electrones) del punto de unión p-n cuando el diodo no se
encuentra energizado con la tensión o voltaje suficiente, o cuando se energiza con
una tensión o voltaje inverso.

El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial

llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC vale:

 0.3 V para diodos de Ge.

 0.7 V para diodos de Si.
Expresión que describe el efecto de la barrera de potencial en la unión PN.

Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga
eléctrica, ya que, en cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo,
de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros.
(Su carga neta es 0). Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de
electrones del cristal n al p indicada por la corriente Je.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (Vo) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

Existe dos tipos de polarización (Directa e inversa)

-Explicación explicita

POLARIZACIÓN DIRECTA

Antes de ver que ocurre cuando se polariza directamente al diodo recordemos en

qué estado se encuentra su barrera de potencial cuando aún no se le ha aplicado
tensión alguna, en ella se puede ver que la pila no influye para nada en la unión
PN ya que está desconectada del circuito.

Los iones negativos de la barrera de potencial de la zona P impiden que los

electrones de la zona N se le acerquen. Al mismo tiempo, los iones positivos de
dicha barrera de potencial de la zona N también mantienen a raya a los huecos de
la zona P.

En este estado, que podemos llamar

de "reposo", se encuentra la barrera de
potencial cuando no se le aplica ninguna
tensión eléctrica. Por supuesto, no existe
circulación de corriente al estar el
interruptor abierto.
Cerremos ahora el interruptor.

En principio, usamos una batería de muy poco voltaje, concretamente de 0,4

voltios. Esto lo hacemos con la idea de ver que ocurre antes de que se superen
los 0,7 voltios, valor de la tensión de la barrera de potencial en reposo, ya que el
material usado es silicio. ¿Qué ocurre en el momento en que cerramos el circuito?

Vemos como la
barrera de potencial de la unión ha reducido su espesor. ¿Por qué ocurre esto?
Como consecuencia de haber aplicado al diodo la tensión de la pila, los electrones
libres de la región N son "empujados" hacia la unión por el campo eléctrico que
genera esta, invadiendo parte de la barrera de potencial y neutralizando la carga
positiva de los iones más cercanos a ellos, los cuales se crearon en el proceso de
difusión.

Pasa algo parecido en la zona P. El polo positivo de la pila atrae a parte de los
electrones que atravesaron la unión y que originalmente se combinaron con los
átomos de la zona P formando los iones negativos. Al "arrancarlos" de su sitio se
cancela la carga negativa de los iones más cercanos al polo positivo de la batería.
POLARIZACIÓN INVERSA

Cuando un diodo se polariza inversamente ocurre todo lo contrario a lo explicado

hasta ahora sobre la polarización directa. Comencemos de la misma manera que
cuando hemos hablado de esta última, viendo el estado en que se encuentra la
unión PN y su barrera de potencial cuando el diodo está "en reposo", o sea, sin
ninguna tensión aplicada a sus bornes.

En este caso dicha batería está posicionada al contrario que allí, es decir, su

positivo está conectado a través del interruptor a la región N, y su negativo lo está
directamente a la zona P. Se trata por lo tanto de una polarización inversa.

Vemos como la barrera de potencial de la unión ha aumentado su espesor a

aproximadamente el doble de lo que era en reposo. Ocurre precisamente lo
contrario a cuando la unión se polarizó directamente. En aquella ocasión el
espesor de la barrera de potencial disminuyó, ya que la polarización era directa.
Ahora, los electrones de la región N se ven atraídos hacia el polo positivo de la
batería y, de manera similar al caso anterior, son "arrancados" de sus respectivos
átomos creándose nuevos iones positivos que aumentan el espesor y la carga de
la barrera de potencial.

Lo mismo pasa con los huecos de la zona P, los cuales son atraídos hacia el

negativo de la batería lo cual crea más iones negativos en dicha región que
contribuyen igualmente al aumento del espesor y de la carga de la barrera de
potencial.

En realidad, lo que ha ocurrido es que la batería ha absorbido a parte de los

electrones de la región N creando más iones positivos en ella. Al mismo tiempo ha
cedido electrones a la región P creando más iones negativos en esta zona. Una
vez que la d.d.p. de la barrera de potencial se ha igualado a la tensión de la
batería, este proceso se interrumpe. El paso de electrones a través de la unión es
prácticamente nulo ya que los iones creados a un lado y otro de la
misma impiden la circulación de corriente eléctrica.

Conclusión: En esta investigación conocí el concepto de una barrera de potencial

ya que tuve que inducir a varias fuentes confiables para poder entenderlo y saber
el efecto que causa en una unión tipo P-N al igual que puse el tipo de polaridades
pues su barrera de potencial es diferente. La cual la polaridad directa es el modelo
más simple por el que se puede sustituir el diodo es un interruptor cerrado, ya que
en estas condiciones el diodo conduce muy bien el sentido de P a N, y la polaridad
inversa el diodo prácticamente no deja pasar la corriente.
Referencias
-, I. -U. (s.f.). uv . Obtenido de https://www.uv.es/candid/docencia/Tema3(01-
02).pdf

Álvarez, J. A. (s.f.). AF. Obtenido de

http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_2.htm

Electronica.es. (24 de Agosto de 2015). Electronica. es. Obtenido de

http://www.radioelectronica.es/articulos-teoricos/139-los-semiconductores-
el-diodo

http://ocwus.us.es/fisica-aplicada/copy_of_complementos-de-
fisica/temas/TEMA4.pdf. (s.f.).

Olea, A. A. (Febrero de 2021). ELECTRÓNICA BÁSICA. Obtenido de

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/default.htm