ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

-Ingeniería Electromecánica UTN FRCH-

Profesor: Ing. Denenne Gerardo

UNIDAD 1

DIODOS
 SEMICONDUCTORES
Tipo N

Los semiconductores extrínsecos del tipo N están formados por átomos de material semiconductor,

Silicio o Germanio, al que se le añade impurezas con átomos de otro material con 5 electrones de

valencia. Como los átomos del material semiconductor tienen 4 electrones de valencia y los átomos

de la impurezas 5, se pueden formar 4 enlaces covalentes y  sobrará un electrón por cada átomo de

impureza que quedará libre. Este electrón libre será el portador de electricidad. En los

semiconductores del tipo N los electrones son los portadores de electricidad. Portadores

mayoritarios = electrones.

IMPUREZAS  Arsénico
 Antimonio
PARA N:  Fósforo
Tipo P

Los semiconductores extrínsecos del tipo P son material semiconductor a los

que se les añade átomos de impurezas con 3 electrones de valencia. En este

caso cada átomo del material semiconductor solo podrá formar 3 enlaces con

los átomos de impurezas. Los átomos semiconductores tienen un hueco

esperando a que llegue un electrón para formar el enlace que le faltará. En este

tipo de semiconductores los huecos serán los portadores para la

conducción. Portadores mayoritarios = huecos.

 Aluminio
IMPUREZAS  Boro
PARA P:  Galio
Sb = Antimonio B = Boro
Un hueco atraerá siempre que pueda un electrón de un átomo próximo
para rellenarlo y tener todos los enlaces hechos. Por eso podemos
suponer que los huecos tienen carga positiva, al contrario que los
electrones que tienen carga negativa. Ya sabes, cargas opuestas se
atraen.

Tanto el material N como el P son eléctricamente neutros por que la

cantidad de protones en total es igual a la cantidad de electrones. Antes
de la unión son neutros, después, como veremos más adelante, no.
Unión P-N
En la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos
huecos en espera de ser rellenados por electrones.

 Si ahora los unimos, los electrones del material N, que están más
cerca de la franja de la unión, serán atraídos por los huecos de la
zona P que están también más cerca de la unión. Estos electrones
pasarán a rellenar los huecos  de las impurezas más cercanos a la
franja de unión.
Un átomo de impureza de la zona P, que era neutro, ahora tiene un
electrón más llegado de la zona N para formar enlace en el hueco
que tenía. Este átomo de impureza ahora quedará cargado
negativamente (un electrón más) y se convertirá un anión o ión
negativo.

Así mismo un átomo de impureza de la zona N quedará cargado

positivamente porque se le ha ido un electrón y se convertirá en un
catión o ión positivo.
Esto provoca que en la franja de la
unión PN tengamos por un lado
carga negativa y por el otro
positiva. Negativa en la zona P,
que antes de la unión era neutra y
positiva en la zona N, que antes
también era neutra. Esta franja con
cationes y aniones se llama región
de agotamiento o zona de
difusión.

Llega un momento que un nuevo electrón de la zona N intente pasar a

la zona P y se encontrará con la carga negativa de la región de
agotamiento en P (los iones negativos formados), que le impedirán el
paso (cargas iguales se repelen). En este momento se acabará la
recombinación electrón-hueco y no habrá más conducción
Además la zona N que antes era neutra ahora tendrá carga positiva,
ya que han se han ido de ella electrones, y la zona P, que antes
también era neutra, ahora será negativa, ya que ha recogido los
electrones que abandonaron la otra zona. La unión PN deja de ser
eléctricamente neutra.
 Aún así la parte N, fuera de la región de agotamiento, seguirá
teniendo electrones libres que no formaron enlaces con átomos de
semiconductor puro, y la parte P seguirá teniendo huecos. Por eso
en la imagen anterior vemos el signo menos en la zona N como el
más abundante y el signo + en la P como más abundante
(portadores mayoritarios).

OJO en la región de agotamiento habrá cationes y aniones, es

decir un potencial positivo a un lado y un potencial negativo al
otro, por lo que entre N y P habrá una diferencia de potencial
(d.d.p.) o tensión ya que la unión ahora ya no es eléctricamente
neutra
 Ahora podemos imaginar el conjunto de la unión PN como una
pila de unos 0,3V o 0,6V dependiendo si el semiconductor puro
son átomos de germanio o silicio respectivamente. Esta supuesta
"pila" tendrá su carga positiva en la zona N y la carga negativa en
la zona P.

A esta unión ya la podemos llamar diodo,

que es como se conoce en electrónica.
Pero....¿Qué necesitaremos para que más electrones de la zona N
puedan pasar a la zona P? Necesitamos suministrarles energía suficiente
para que atraviesen la región de agotamiento.
Vamos a suministrar esta energía conectando la unión o el diodo a una
fuente de energía, por ejemplo una pila o fuente de alimentación.

Polarizar, en general, es aplicar a los

extremos de un componente una tensión
continua, por ejemplo mediante una
fuente de alimentación o pila.
 POLARIZACIÓN DIRECTA DEL DIODO 

En este caso aplicamos el polo positivo de la

fuente  a la zona P y el polo negativo a la
zona N.
Los electrones del polo negativo de la
batería repele los electrones (portadores
mayoritarios) de la zona N, dándoles más
fuerza para atravesar la barrera o región de
agotamiento y esta disminuye.
Además, en este caso, inyectamos electrones procedentes de la pila en la zona N
aumentando los portadores mayoritarios.
Hemos disminuido el potencial positivo de esta zona inyectando electrones y por lo
tanto habremos disminuido la zona de difusión, por lo que los electrones de N ya
pueden pasar a la zona P.
  En la zona P, la carga positiva repele los huecos haciendo que estos se acerquen a
la región de agotamiento y atraigan aún más a los electrones de la zona N. En este
caso metemos huecos en la zona P aumentando los portadores mayoritarios y
disminuyendo el potencial Negativo que tenía. Igualmente en este caso hemos
disminuido el potencial de la zona de difusión.

Lo que sucede, en definitiva, es que se disminuye el ancho de la zona de

agotamiento que había en la unión (disminución de la tensión de la región) y esto
provoca que sea más fácil pasar a los electrones de la zona N a la P para rellenar
los huecos. Ahora los electrones inyectados por la pila tendrán la suficiente
energía para atravesar la región de agotamiento y pasar a la zona P produciéndose
corriente eléctrica por el semiconductor PN mientras tengamos la pila conectada.
En definitiva el diodo, unión PN o semiconductor PN, como
queramos llamarlo, se comporta como un conductor de la corriente
eléctrica en polarización directa. Mientras esté conectado a la fuente
de alimentación o pila, la bombilla del circuito lucirá. Para que la
unión empiece a ser conductora hay que ponerle a una pequeña
tensión en polarización directa.
POLARIZACIÓN INVERSA

En este tipo de conexión el polo positivo de

la pila se conecta al N y el negativo al P.
Al inyector electrones en la zona P, rellenarán los huecos,
portadores mayoritarios de la zona P, y estos electrones formarán
más iones negativos o aniones al rellenar los huecos de los enlaces
que todavía no se habían rellanado y la región de agotamiento
aumentará, aumentaremos el potencial negativo en esta zona o lo
que es lo mismo, tendremos mayor d.d.p. o tensión en la unión. En
estas condiciones los electrones de la zona N lo tienen cada vez
más difícil pasar a la zona P con lo que la unión PN se comporta
como un aislante en polarización inversa.
¿Qué pasará si seguimos metiendo mas electrones, o lo
que es lo mismo si seguimos aumentando la tensión de la
fuente de alimentación en polarización inversa?
 Llegará un momento que todos los electrones
rellenen los huecos de la Zona P y si metemos
más (aumentando la tensión de la fuente de
alimentación) estos últimos quedarán como
electrones libres en la zona P.

EFECTO
 En la zona N también estamos metiendo
AVALANCHA
huecos que los ocuparán las electrones libres
que tenía esta zona. Al meter más huecos y
que se rellenen todos con los electrones libres
que tenía, los siguientes huecos que metamos
quedarán libres esperando electrones para ser
rellenados.
 En estas condiciones, los electrones libres que estamos inyectando
en la zona P mediante la fuente de alimentación, serán atraídos por
los huecos inyectados en la zona N y atravesarán la región de
agotamiento con mucha energía. Recuerda que todo esto lo estamos
produciendo aumentando la tensión o d.d.p. de la fuente. Además
los iones negativos formados en P les dan más energía en su
repulsión. Tienen tanta energía que incluso antes de ocupar un
hueco pueden chocar con un átomo de la zona P y romper los
enlaces existente, liberando más electrones y estos a su vez romper
otros enlaces de otros átomos, liberando más electrones todavía.
Es un efecto en cadena, en el que se produce una avalancha de
electrones en unos pocos instantes y que hace que se rompa la
unión PN por que se genera una gran cantidad de corriente. Se
estropearía el diodo. La tensión a la que se llega al efecto
avalancha se llama tensión de ruptura.

Debemos recordar que en este tipo de polarización la tensión

es contraria a la directa (conexión al revés), por eso se llama
tensión inversa.
Veamos cómo sería la curva de funcionamiento de una unión PN o
diodo semiconductor:
 Al poner la unión a una pequeña tensión (tensión
EN umbral), se comporta como un conductor, a
POLARIZACI
mayor tensión, mayor corriente circulará por el
ÓN DIRECTA
circuito.

No es conductor hasta que no se llega a la zona

de ruptura. En ese momento podemos comprobar
en la gráfica, que aumenta mucho la intensidad,
EN
POLARIZACI aunque no aumentemos la tensión. Esto produce
ÓN INVERSA que el diodo se queme. De todas formas, hay
algunos diodos que aprovechan este efecto
avalancha controlado para su funcionamiento,
como es el caso del diodo zener.
Variación con respecto a la temperatura
Ver hoja de datos diodo 1N400X

Prueba de diodos
Ejercicio calculo corriente circuito con diodo.
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
Estas características están referidas al proceso de conmutación del
diodo, tanto en el proceso de encendido como de apagado
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
Estas características están referidas al proceso de conmutación del
diodo, tanto en el proceso de encendido como de apagado
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
 Tensión directa, VON. Caída de tensión del
diodo en régimen permanente para la
corriente nominal
 Tensión de recuperación directa, VF.
PARÁMETROS Tensión máxima durante el encendido.
DE  Tiempo de recuperación directa, tON.
ENCENDIDO Tiempo para alcanzar el 110% de VON.
 Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la
corriente pasa del 10% al 90% de su valor
directo nominal. Suele estar controlado por
el circuito externo. Este último tiempo es
bastante menor que el de recuperación
inversa y no suele producir pérdidas
despreciables.
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
PARÁMETROS DE APAGADO
El paso del estado de conducción al de bloqueo (y viceversa) en el diodo no
se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una
intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de portadores
mayoritarios con una mayor densidad de éstos, cuanto mayor sea IF. Si
mediante la aplicación de una tensión inversa VR forzamos la anulación de la
corriente con cierta velocidad diD/dt, resultará que después del paso por cero
de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un
instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta
después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los
portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga
espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída)
en pasar de un valor de pico negativo (Irr) a un valor despreciable mientras va
desapareciendo el exceso de portadores.
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
Teniendo estas características en cuenta se definen los siguientes parámetros:
• ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero
de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
• tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad
hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión
polarizada en inverso.
En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el
25% de éste.
• trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb. trr = ta +t b
Por lo tanto, trr representa el tiempo que dura el apagado del diodo, y el tiempo que
tarda la intensidad en alcanzar su valor máximo (negativo) y retornar hasta un 25% de
dicho valor (Típicamente 10 μseg para los diodos normales y 1 μseg para los diodos de
recuperación rápida)
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS

 Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área

negativa de la característica de recuperación inversa del diodo.
 Irr: es el pico negativo de la intensidad y también se puede encontrar

representado como Irrm

 La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
Influencia del trr en la conmutación
El tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable, por lo tanto:
 Se limita la frecuencia de funcionamiento.
 Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación
inversa.
 Por lo tanto, si operamos a altas frecuencias debemos operar con diodos
de recuperación rápida.

Los principales factores de los que depende el tiempo de recuperación inversa son
los siguientes:
• IF; cuanto mayor sea, mayor será trr. Esto se debe a que la carga
almacenada será mayor
• VR; cuanto mayor sea, menor será trr. En este caso si la tensión inversa es
mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados.
• diD/dt; cuanto mayor sea, menor será trr. No obstante, el aumento de esta
pendiente aumentará el valor de la carga almacenada Q. Esto producirá
mayores pérdidas 38
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
Diodos Zener
Los diodos zener, son diodos que están diseñados para mantener un voltaje
constante en su terminales, llamado Voltaje o Tensión Zener (Vz) cuando se
polarizan inversamente, es decir cuando está el cátodo con una tensión positiva y el
ánodo negativa. Un zener en conexión con polarización inversa siempre tiene
lamisma tensión en sus extremos (tensión zener).
Diodos Zener
Cuando lo polarizamos inversamente y
llegamos a Vz el diodo conduce y mantiene la
tensión Vz constante aunque nosotros sigamos
aumentando la tensión en el circuito. La
corriente que pasa por el diodo zener en estas
condiciones se llama corriente inversa (Iz).
 Se llama zona de ruptura por encima de
Vz. Antes de llegar a Vz el diodo zener NO
Conduce. 

Cuando está polarizado directamente el zener se comporta como un diodo

normal.
Pero OJO mientras la tensión inversa sea inferior a la tensión zener, el diodo no
conduce, solo conseguiremos tener la tensión constante Vz, cuando esté
conectado a una tensión igual a Vz o mayor.
Diodos Zener
Para el zener de la curva vemos que se activaría
para una Vz de 5V (zona de ruptura), lógicamente
polarizado inversamente, por eso es negativa. En
la curva de la derecha vemos que sería conectado
directamente, y conduce siempre, como un diodo
normal. Este diodo se llamaría diodo zener de 5V,
pero podría ser un diodo zener de 12V, etc.

Sus dos características más importantes son:

• Tensión Zener
• Máxima Potencia que pueden disipar = (Pz)
Diodos Zener
La relación entre Vz y Pz nos determinará la máxima corriente inversa, llamada
Izmáx.
OJO si sobrepasamos esta corriente inversa máxima el diodo zener puede
quemarse, ya que no será capaz de disipar tanta potencia.

Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w. ¿cual será la máxima

corriente inversa que soportará?
 
Recordamos P=VxI
I = P/V

En nuestro caso Izmáx = Pz/Vz = 0,5/5,1 = 0,098A.

Diodos Zener
Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa máxima, los diodos zener se
conectan siempre con una resistencia en serie que llamamos "Resistencia de
Drenaje".
 
Vamos a ver cómo sería la conexión básica de un diodo zener en un circuito:
Diodos Zener
 La Rs (resistencia en serie con el zener)
sería la resistencia de drenaje que sirve para
limitar el flujo de corriente por el zener y la
Rl es la Carga a elemento de salida que va a
tener la tensión zener constante por estar en
paralelo con el diodo zener. ¿Te das cuenta
que la conexión es inversa?. Así se conectan
siempre el zener diodo.

 En el circuito anterior la tensión de salida se mantendrá constante, siempre que

sea superior a la Vz, y además será independiente de la tensión de entrada Vs.
Esto nos asegura que la carga siempre estará a la misma tensión
Diodos Zener
Si aumentamos por encima de Vz la tensión de entrada Vs a la salida tendremos
siempre la tensión constante igual a Vz.
 
La Rs absorbe la diferencia de tensión entre la entrada y la salida. ¿Cómo se calcula
la Rs?
 
Rs = (Vs- Vo)/ (Il + Iz)
 
Siendo Vs la tensión de entrada del regulador, Vo la tensión de salida, que será
igual a Vz, Il es la intensidad de carga máxima e Iz la intensidad o corriente a
través del diodo zener.
 
Esta última se escoge siempre de un valor del 10% o del 20% de la corriente
máxima.
Diodos Zener
¿Para qué sirve un diodo Zener? estos diodos se utilizan como reguladores de
tensión o voltaje para determinadas tensiones y resistencias de carga. Con un zener
podemos conseguir que a un componente (por ejemplo un altavoz) siempre le
llegue la misma tensión de forma bastante exacta.
 
Otro uso del zener es como elemento de protección de un circuito para que nunca
le sobrepase una determinada tensión a la carga del circuito. Normalmente para
esto, en lugar de un Zener se utiliza el Varistor, pero podríamos usar un zener.
 
OJO los zener deben diseñarse para que sean capaces de soportar la potencia de la
carga, de otra forma podrían llegar a bloquearse o incluso quemarse.
Diodos Zener
Veamos un ejemplo de diseño:

Se desea diseñar un regulador zener de 5,1V para alimentar una carga de 5 ohmios,
a partir de una entrada de 9V. Para ello utilizaremos un zener de 5,1V y 1w.
Vo = 5,1V
Rl = 5 ohmios
Vs = 9V
Vz= 5,1V y Pz=1w
Calcular:
a) La resistencia necesario de drenaje, asumiendo una corriente de zener del 10%
de la corriente máxima.
b) Los límites de variación del voltaje de entrada dentro de los cuales se mantiene
la regulación. Se asume que la carga es constante.
c) La potencia nominal de la resistencia de drenaje.
Diodos Zener
a) Para calcular la resistencia de drenaje ya sabemos que es:

Rs = (Vs- Vo)/ (Il + Iz); en nuestro caso:

Vs = 9V; Vo = 5,1V;

Il = Vo / Rl = 5,1/5 = 1,02A;

Iz = Il / 10 = 1,2 /10 = 0,102A (el 10%)

Si ponemos estos valores en la fórmula de la Rs tendremos:

Rs = (9V-5,1V)/(1,02A-0,102A)= 3,48Ω.

como este valor de resistencia no existe en la realidad escogeremos el valor de una

resistencia de 3,3Ω que si existe en la realidad y se comercializa.
Diodos Zener
b) Los valores máximos y mínimos de la tensión
de entrada entre los cuales el circuito mantiene
regulada la tensión de salida, podemos
despejarlos de la fórmula anterior, despejando Vs
y teniendo en cuenta que la Iz, corriente a través
del zener, no puede ser superior a su valor
máximo Izmáx ni inferior a cero.
Despejamos Vs:
Rs = (Vs- Vo)/ (Il + Iz)  Vs = (Il + Iz) x Rs + Vo

El valor mínimo para Vs será cuando Iz es igual a cero.

Vsmín = Il x Rs + Vo

El valor máximo será cuando Iz es igual a Izmáx.

Vsmax = (Il + Izmáx) x Rs + Vo;
Diodos Zener
Los valores para nuestro ejercicio son:
Il = 1,02A; Rs = 3,3Ω; Vo = 5,1V y la Izmáx será:

Izmáxima= Pz/Vz = 1/5,1= 0,196A. Si ponemos los valores en las fórmulas anteriores,
tenemos:

Vsminimo = 1,02 x 3,3 + 5,1 = 8,47V

Vmáxima = (1,02 + 0,196) x 3,3 + 5,1 = 9,11V

¿Qué significa esto? Pues que la tensión de entrada puede ser entre 8,47V y 9,11V para que
exista regulación de tensión del diodo zener.

Si el zener tiene una tensión inferior a 8,47V deja de conducir y si es superior a 9,11V se
destruye por sobrecalentamiento. Este será el rango del que hablamos anteriormente y por lo
que los zener no se pueden usar para todos los casos.
Diodos Zener
c) La potencia nominal mínima de la resistencia de drenaje se calcula con la fórmula:

Ps = (9,11V -5,1V)2/3,3Ω= 4,87w. Ps=Vrs2/Rs=4,87w.

Según esto debe escogerse como mínimo una resistencia d 3,3Ω y que soporte una
potencia de 5w. En la práctica, por seguridad se elegirá una de 3,3Ω y de 10w de
potencia.