UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

“DIODO SEMICONDUCTOR”

CURSO: ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA

PROFESOR: APESTEGUIA
GRUPO HORARIO:
FECHA DE PRESENTACIÓN: 05 DE SEPTIEMBRE 2019
INTEGRANTES:

 GAMARRA NIETO SANDRA DEYANIRA

 BARZOLA YARINGAÑO LAURA
 INDICE

I. INTRODUCCION
II. OBJETIVOS
III. MARCO TEÓRICO
 DIODO SEMICONDUCTOR
 TIPOS DE DIODOS
IV. LABORATORIO
 MATERIALES
 SIMULACIÓN EN PROTEUS
V. CUESTIONARIO
 I. INTRODUCCION

Un diodo es un elemento electrónico con el cual trabajaremos para poder medir el

comportamiento cuando se le induce una corriente eléctrica, dependiendo de las
características que posea esta corriente, veremos si nos es útil el comportamiento que
describirá.
Los diodos tienen diferentes tipos de utilidades ya que se puede encontrar en dos
distintos estados, por dicha razón es que estos pueden ser usados en elementos
electrónicos.

II. OBJETIVOS

 OBJETIVO GENERAL

- Analizar y comprobar las características del diodo.

 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

- Aprender a identificar un diodo semiconductor por su forma física y su código de

fábrica.

- Comprobar el estado de un diodo.

- Aplicar los diodos semiconductores en circuitos prácticos.

- Utilizar Proteus para las simulaciones.

 III. MARCO TEÓRICO

 DIODO SEMICONDUCTOR

Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio con
impurezas en él para crear una región que contenga portadores de carga negativa
(electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contenga
portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del
diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado
una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una
corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es
decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los
electrones).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al
establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando
su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la
acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un
campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y
terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para
los cristales de germanio.
La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden
de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona
de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está
polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

Polarización directa de un diodo

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la
batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos
observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la
energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se
desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones
de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta
el final.

Polarización inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que
se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a
la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital
de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
 ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten
en iones positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente
7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro
de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en
su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones
negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de
la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente
inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de
fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de
suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de
la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad
a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente
superficial de fuga es usualmente despreciable.
  TIPOS DE DIODOS
 DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida o de portadores
calientes, están hechos de silicio y se caracterizan por poseer una caída de voltaje directa
muy pequeña, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rápidos. Se emplean en fuentes de
potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.
Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de conducción
prácticamente igual a cero, pero también un voltaje inverso de ruptura muy bajo, lo cual lo
limita su uso a aplicaciones muy especiales.

 DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un
voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por
ello se empleando elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50
watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 ó BZX85, y
se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia máxima que
pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ)
  DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)
Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede,
ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este se ha
polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul
dependiendo de su composición.
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída de
voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente directa (IF) y la
intensidad luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con
valores de IF desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades desde menos de
0.5 mcd (milicandelas) hasta más de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada,
mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mínimo para
LED’s rojos y máximo para LED’s azules.
Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la corriente
a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima.
También deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a
5V causa generalmente su destrucción inmediata del LED.
IV. LABORATORIO
 MATERIALES
 Diodos 1N4001, 1N4006 O 1N4007
 Diodos tipo Zener TZ112 o equivalente
 Diodos led varios colores
 Una fuente de alimentación regulable de 1 amperio de 0 a
20 volts
 Resistencias de 1k de 1 watt
 SIMULACIÓN EN PROTEUS
Armaremos el circuito:
CIRCUITO A:

R1
1k

BAT1 D1 +0.60
1.33V 1N4001 Volts

+0.73
mA

FUENTE 1,33 1,9 3 5

VOLTIMETRO 0,60 0,62 0,65 0,67
AMPERIMETRO 0,73 1,28 2,35 4,33

CIRCUITO B:
R2
1k

BAT2 D2 +0.68
1.33 1N992B Volts

+0.65
mA

FUENTE 1,33 1,9 3 5

VOLTIMETRO 0,68 0,69 0,71 0,73
AMPERIMETRO 0,65 1,21 2,29 4,27
CIRCUITO C:
 R3
1k

BAT3 D3 +1.33
1.33 1N4001 Volts

0.00
mA

FUENTE 1,33 1,9 3 5

VOLTIMETRO 1.33 1.99 3 5
AMPERIMETRO 0 0 0 0

CIRCUITO D:
R4
1k

BAT4 D4 +1.33
1.33V 1N992B Volts

0.00
mA

FUENTE 1,33 1,9 3 5

VOLTIMETRO 1.33 1.9 3 5
AMPERIMETRO 0 0 0 0

CIRCUITO E:
 R5
1k

BAT5 +1.50
1.5 D6 Volts
LED

0.00
mA

FUENTE 0,5 1 1,5 2

VOLTIMETRO 0,5 1 1.5 1,98
AMPERIMETRO 0 0 0 0,01
CIRCUITO F:

R6
1k

BAT6 D5
2V +2.00
LED
Volts

0.00
mA

FUENTE 0,5 1 1,5 2

VOLTIMETRO 0 1 1 2
AMPERIMETRO 0 0 0 0
CURVAS DE LOS CIRCUITOS:
CURVA CIRCUITO A
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5

CURVA CIRCUITO B
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
 CIRCUITO CURVA C
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5

CIRCUITO CURVA D
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
 CIRCUITO CURVA E
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5

CIRCUITO CURVA F
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
 V. CUESTIONARIO

Investigue cuales son los diferentes tipos de diodos que existen, mencione sus nombres,
características y aplicaciones
Existe una gran variedad de diodos para diferentes tipos de aplicaciones y aunque en teoría
todos funcionan bajos los mismos principios se puede obtener resultados totalmente
diferentes según la entrada que apliquemos a cada circuito.
Los materiales más usados por los fabricantes de diodos son el Silicio y el Germanio, de
los cuales el Silicio es el preferido debido a sus bajos costos de refinación y el alto grado de
pureza que se pueden alcanzar.

 TIPOS DE DIODOS

 Diodo detector o de baja señal

Hemos hablado que la mayoría de los fabricantes utilizan el Silicio por su abundancia y por
qué relativamente es más fácil de refinar, sin embargo, cuando hablamos de altas
frecuencias resulta ser que el Germanio es el material más conveniente y es precisamente
de lo cual está hecho el diodo detector, el cual es un tipo de diodo caracterizado por tener
una unión PN pequeña y con una excelente respuesta a altas frecuencias y con señales
pequeñas, ya que su unión requiere de un menor voltaje para que el diodo entre en
conducción.
Aplicación:
Su uso está presente en receptores de radio donde separan las señales de alta frecuencia o
portadora de las señales de baja frecuencia o las señales audibles.
  Diodo rectificador
El diodo rectificador es uno de los más usados en la industria y su funcionamiento es muy
interesante, son utilizados principalmente en las fuentes de voltaje de corriente directa para
separar los semiciclos de las ondas sinusoidales y así poder obtener señales de un solo
signo que son más fáciles de filtrar para eliminar el rizado y obtener un voltaje continuo.
Dentro de los tipos más utilizados de rectificación se encuentran:

1) Rectificadores de media onda

Es un circuito de un solo diodo al cual se le aplica un voltaje variable o corriente alterna,
por ejemplo, una señala senoidal en sus terminales y durante el primer semiciclo estará
polarizado en directa permitiendo el paso de la señal y se mantendrá en inversa durante el
segundo semiciclo impidiendo el flujo de corriente.

2) Puente de diodos o rectificador de onda completa

Para lograr la rectificación de onda completa se emplean al menos 2 diodos y en el caso del
puente rectificador son 4 diodos, al tener conectados esta cantidad de diodos se logra que a
la salida del circuito se tengan los dos semiciclos de la señal senoidal esto resulta más
eficiente ya que si pensamos en el área bajo la curva de la señal senoidal, con esta
configuración se mantiene intacta idealmente.

3) Recortadores

Son una red de diodos que recortan una parte de la señal sin alterar el resto de la señal
aplicada, el recortador más simple es el rectificador de media onda que vimos previamente,
se construye usando un diodo y un resistor únicamente.
  Diodos de potencia
El diodo de potencia está muy ligado a los diodos rectificadores. La mayoría de los diodos
de potencia se construyen de Silicio por su alto valor nominal de corriente, temperatura y
voltaje pico en inversa PIV, la alta demanda de corriente requiere que la unión p-n se a
mayor para disminuir la resistencia eléctrica cuando el diodo se polariza en directa ya que
si la resistencia crece la perdida de potencia seria mayor aumentando la temperatura en los
materiales. Para aumentar la capacidad de corriente en los diodos los puedes conectar en
paralelo y el valor nominal del PIV conectándolos en serie.

Aplicación:
Se usan en los puentes de diodos para fuentes de alimentación de alta potencia y altas
temperaturas.

 Diodo Zener
Es un tipo de diodo que cuenta con la característica especial de mantener un voltaje
constante entre sus terminales, los diodos Zener tienen un dopaje especial que permite
polarizarlo en inversa y mantenerlo en la región Zener de la curva característica del diodo,
en esta zona la corriente del diodo ID es igual a la corriente de saturación en inversa Iz
provocando que el voltaje en las terminales del diodo no cambie mientras no supere la zona
Zener, ya que al superar esta zona el diodo puede entrar en la zona de ruptura y quemarse.
Si variamos el nivel de dopado en los materiales, también variaremos la ubicación en la
zona Zener, por lo tanto, el potencial Zener se reduce si el nivel de dopado aumenta el nivel
de impurezas en los materiales. Esto permite la existencia de diodos Zener que soportan
potenciales desde 1.8 Volts hasta unos 200 Volts, soportando potencias desde un cuarto de
watts hasta unos cincuenta watts.
Si polarizamos en directa un diodo Zener, este se comportará idealmente igual a cualquier
otro diodo.
Aplicación:
La principal aplicación de este tipo de diodos es como regulador de voltaje. Protector de
sobretensión, como referencia de tensión.

 Diodo varactor (varicap)

Los diodos varactores son conocidos también como varicap, VVC (capacitancia variable
dependiente de voltaje) o de sintonización. El diodo varactor son considerados capacitores
semiconductores dependientes del voltaje. Este tipo de diodo depende de la capacitancia
que haya en la unión p-n cuando es polarizado en inversa. En condiciones de polarización
en inversa existe una región de carga no recuperada en ambos lados de la unión de los
materiales p-n que en conjunto forman la región de empobrecimiento.
Aplicación:
Son ideales como elementos de sintonía en receptores de radio, televisión, osciladores,
multiplicadores, amplificadores, generadores de frecuencias FM e incluso existe una
variante de estos diodos de nombre SNAP empleados en circuitos de UHF y microondas.
  Diodo emisor de luz LED
El diodo LED es un tipo de diodo que emite luz visible al energizarse, recordemos que en
cualquier unión p-n polarizada en directa dentro de la estructura y principalmente cerca de
la unión p-n hay una recombinación de huecos y electrones, esta recombinación necesita
que la energía adquirida por los electrones sea liberada y se transforme en otro estado, en
todas las uniones n-p de los semiconductores una parte de esta energía se libera en forma de
calor y otra en forma de fotones y depende del tipo de material semiconductor la energía se
liberara en mayor o menor proporción.
En los diodos de Silicio y Germanio es mayor el porcentaje de energía liberado en forma de
calor que en forma de fotones, por lo tanto, no vemos ningún destello durante su operación
o cuando lo polarizamos en directa, esto hace que no sean elementos adecuados para la
fabricación de leds.
Existe una combinación de elementos que con los cuales se pueden generar luz visible y su
voltaje en directa varia, por ejemplo:
 El azul se crea a partir de GaN con voltaje en directa de 5 volts.
 El verde se crea a partir de GaP con voltaje en directa de 2.2 volts
 El rojo se crea a partir de GaAsP con voltaje en directa de 1.8
Físicamente, los leds tienen una superficie metálica conductora externa conectada al
material tipo p la cual es más pequeña para permitir la salida del máximo de fotones de
energía luminosa cuando el led es conectado en directa.
Aplicación:
 Luces de coches y motos
 Semáforos y señales de tráfico
 Aplicaciones médicas y juguetes
 Bombillas
 Controles remotos o mandos a distancia
 Iluminación de interiores y exteriores
 Decoración
 Linternas
 Paneles informativos y publicitarios
 Adornos navideños

 Diodo emisor de luz led infrarrojo

Los diodos emisores de luz infrarroja como los LED infrarrojos están construidos
principalmente por Arseniuro de Galio de estado sólido que emiten un flujo radiante cuan
se conecta en directa. Cuando la región de la unión se polariza en directa, los electrones de
a región n se recombinan con los huecos excedentes de la región p en una región de
recombinación situada entre los materiales p y n, esta recombinación provoca que el diodo
emita una radiación de energía en forma de fotones, los cuales se reabsorben en la
estructura o abandonan el dispositivo en forma de energía radiante.
Aplicaciones:
Debido a que la comunicación entre el emisor y el receptor puede ser interrumpida muy
fácilmente se utiliza a estos elementos para la elaboración cualquier sistema de presencia o
detector de movimiento esto se puede apreciar en: La construcción de cámaras de
seguridad, sensores de detección de movimiento, contadores, etc.

 Diodo emisor de luz LÁSER

Este tipo de diodo como otros emisores de luz irradian energía tras la recombinación de los
electrones con los huecos de los materiales extrínsecos p y n de su estructura, estos leds
irradian una poderosa luz invisible para el ojo humano fuertemente concentrada, también
son conocidos como láseres de inyección o ILD’s.
Aplicaciones:
son usados en muchas aplicaciones como en los lectores de CD, DVD, Blueh-ray, HD-
DVD, interconexiones ópticas en los circuitos integrados, impresoras láser, etc.

 Diodo túnel Esaki

En 1958 Leo Esaki presentó el diodo túnel por que también se le conoce como diodo Esaki
y tiene una característica que lo diferencia de prácticamente todos los otros diodos, un
diodo túnel posee una región de resistencia interna negativa, en esta región un incremento
del voltaje terminal reduce la corriente del diodo. El diodo túnel se fabrica dopando los
materiales semiconductores que forman la unión p-n a un nivel de 100 o varios miles de
veces más al de un diodo semiconductor típico. La región de empobrecimiento en un diodo
túnel es muy pequeña y hace que los portadores la penetren a velocidades que exceden por
mucho a los diodos convencionales, por lo que los hacen ideales en aplicaciones de alta
velocidad, por ejemplo, computadoras donde se necesitan conmutaciones de nanosegundos
o picosegundos.

 Diodo PIN
Los diodos PIN son aquellos semiconductores que tienen una estructura de 3 capas, las
capas externas son de material tipo p y n, mientras la capa intermedia es un material
intrínseco, de allí recibe el nombre de PIN, P por el material tipo p, I por el material
intrínseco y N por el material tipo N, sin embargo, en la práctica comúnmente la capa
intrínseca se cambia por un material tipo P de alta resistividad o por una capa tipo n
igualmente de alta resistividad.
Aplicaciones:
Los diodos tipo PIN principalmente son utilizados como conmutadores de alta frecuencia o
como resistencias variables por voltaje ya que la velocidad en que tardan los portadores de
libres en atravesar la unión es sumamente elevada.
  Diodo BACKWARD
Este diodo es una variación del diodo Zener y el diodo túnel, este diodo también es llamado
back diode o diodo hacia atrás, está construido de Germanio y se caracteriza por mantener
una mejor conducción al ser polarizado en inversa que al ser conectado en directa.

 Diodo de barrera SCHOTTKY

El diodo Schottky también es conocido como barrera superficial o portadores calientes y es
un dispositivo con una rápida respuesta a altas frecuencias y de bajo ruido, inclusive lo
podemos encontrar en fuentes de alimentación de alto voltaje y baja corriente, también lo
podemos encontrar en la lógica TTL Schottky para computadoras.
Su construcción es bastante diferente a la convencional p-n y se trata de la unión de un
metal semiconductor, donde el material semiconductor normalmente es Silicio tipo n y en
algunas ocasiones tipo p, mientras que el metal puede ser molibdeno, platino, cromo o
tungsteno. Esta estructura causa que en ambos materiales el electrón sea el portador
mayoritario y los huecos sean insignificantes. Cuando los materiales se unen los electrones
del material tipo n fluyen de inmediato al material metálico estableciendo un flujo de
portadores mayoritarios y como tienen un nivel de energía cinética mayor a los electrones
que ya se encuentran en el metal se llaman portadores calientes.
Aplicaciones:
Los diodos Schottky se emplean ampliamente en la protección de las descargas de las
celdas solares en instalaciones provistas de baterías de plomo-ácido, así como en
mezcladores de frecuencias entre 10 MHz y 1000 GHz instalados en equipos de
telecomunicaciones.
  Fotodiodos
Los fotodiodos se construyen a partir de la unión de elementos semiconductores p-n y su
región de operación se limita a la polarización en inversa, los fotodiodos vienen con un tipo
de ventana transparente que permite el paso de la luz a la unión p-n, permitiendo que la
energía de las ondas luminosas o fotones lleguen a la estructura atómica de los elementos,
dando como resultado un incremento de portadores minoritarios y corriente inversa, por lo
tanto, si la luz aumenta la corriente en inversa también crecerá.
Aplicaciones:
se utilizan mucho en sistemas de iluminación, sistemas de seguridad, contadores de objetos,
etc.
2. Consulte los manuales de elementos discretos y de las características de los siguientes
diodos:
a) 1N4006
b) TZ12
c) Led
3. Explique cual es la diferencia entre un diodo 1N4001 y un diodo 1N4007.

Para encontrar las diferencias de ambos nos dirigiremos al data shet de ambos
diodos, la principal diferencias es la tensión que posee de pico inverso, la cual
vemos que es mucho mayor la del diodo 1N4007.
Esa es la tensión pico máximo que soporta el diodo polarizado en inversa, por
ejemplo cuando lo usas como rectificador es la tensión que soporta en el semiciclo
que no conduce.

Si quieres colocar un 1N4007 por un 1N4001 no hay mayor problema, ambas

comparten características muy similares.

4. Mencione el modelo matemático del diodo y su curva característica, con todas sus
acotaciones y regiones.

 MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

A continuación, se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el
funcionamiento de un diodo de unión PN.
 Modelos para señales continuas
Bajo el término señales continuas se engloban en este caso tanto las señales constantes en el
tiempo como aquellas que varían con una frecuencia muy baja.
Modelo del diodo real La expresión

Es un modelo matemático que aproxima satisfactoriamente el comportamiento del diodo

real. En esta expresión, Io, es la corriente inversa de saturación del diodo que depende de la
estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura. η, es el factor de
idealidad cuyo valor, que depende de las dimensiones del diodo, del material
semiconductor, de la magnitud de la corriente Io y de la potencia que disipa, está
entre 1 y 2. VT, es el potencial térmico del diodo que a temperatura ambiente (T=25ºC)
tiene un valor de 25.71mV.
Su valor se obtiene de la siguiente expresión:

Como función de la constante de Boltzmann (K=1,38 10-23J/ºK), la carga del electrón

(q =1,6 10-19C) y la temperatura absoluta del diodo T[ºK], según La representación gráfica
de este modelo se muestra en la figura.
 El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan
efectos no contemplados en la teoría básica.

 Modelo ideal del diodo de unión PN

El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo que el factor de idealidad es
unitario, η=1, suponiendo que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que, por lo
tanto, la caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña, frente a la caída de tensión en
la unión PN.

Para V<0, la exponencial crece por encima de la unidad, lentamente para valores V>N.

 Modelo lineal por tramos

Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco práctico, dado su carácter no
lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación del modelo ideal del
diodo de unión PN, considerando la corriente a través de la unión es nula cuando la tensión
en el diodo no alcanza la tensión umbral (vD ≤ Vγ), mientras que, para tensiones mayores
en directa, la caída de tensión en la unión PN (vD =Vγ) es constante e independiente de la
intensidad que circule por el diodo Tomando como variable independiente la intensidad i en
la ecuación ideal del diodo se puede calcular la caída de tensión en el diodo para las
magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrónicos.
 A partir de esta expresión, si se considera un diodo de unión PN de silicio con una
Io=85fA a una temperatura ambiente de T=25ºC, y en consecuencia, el potencial térmico
VT=25.7mV, para un intervalo de corrientes 1 mA ≤ i ≤ 1 A se tienen tensiones en el diodo
entre 0,6V y =0,77V
En la figura se muestran los modelos lineales por tramos para el diodo, en una primera y
otra segunda aproximación. En ambas se reflejan los dos posibles estados del diodo el
diodo: "On" o Conducción, donde la tensión es Vγ para cualquier valor de la corriente,
"Off" o Corte, donde la corriente es nula para cualquier valor de tensión menor que Vγ.

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

La curva característica corriente-voltaje para el diodo ideal se muestra en la Imagen en

color rojo. Este modelo implica que el diodo está completamente activado para cualquier
voltaje mayor o igual a 0. Además, se supone que la corriente de saturación inv ersa es 0
cuando tiene polarización inversa. Una buena aproximación inicial para el diodo real se
da por la línea de color azul, ya que replican la caída de voltaje real de 0.6 a 0.7 V,
medida a través del diodo de silicio cuando tiene polarización directa.
Un diodo real requiere aproximadamente 0.7V de polarización directa para permitir un
flujo significativo de corriente. Cuando un diodo real se polariza inversamente, puede
aguantar un voltaje inverso hasta un límite conocido como voltaje de ruptura, donde el
diodo fallará conforme la corriente inversa aumenta precipitadamente.

VI. CONCLUSIONES

- Los Diodos conducen en una dirección con el experimento y simulaciones queda

demostrado esto.
- En el circuito B del diodo zener observamos que el volteje que arrojara siempre será
cercano a 0.7.
- Para el circuito de diodos leds la corriente no debe superar al 3 v ya que si no este
diodo se quemaría ya que no aguanta tanta corriente.
- Los diodos 1N4001 son diodos rectificadores es decir convierten la tension alterna
en continua y como observamos estas soportan una elevada cantidad de corriente.