1. En que consiste el efecto termoiónico: Efecto termoiónico.

En los metales existe cierto número de electrones libres, es decir, electrones que pueden pasar fácilmente de un átomo a otro del metal y están en continuo movimiento. Normalmente estos electrones permanecen dentro del metal de que forman parte y no escapan de su superficie, debido a las fuerzas de atracción electrostática de los núcleos atómicos. A temperaturas elevadas, la energía cinética de los electrones libres aumenta y muchos superan la atracción de los núcleos y atraviesan la superficie del metal pasando al espacio circundante. Este tipo de liberación de electrones de un metal se conoce con elnombre de "emisión termoiónica" o "efecto termoiónico".La cantidad de electrones que se des-prende de la superficie de un metal por emisióntermoiónica, depende de la naturaleza de la superficie emisora y de la temperatura. La mayorparte de los' metales puros emiten electrones sólo a temperaturas muy elevadas. Sinembargo, si los metales están recubiertos con una capa de óxido, pueden emitir electronesatemperaturas relativamente baias. El "efecto termoiónico" fue descubierto por el norteamericano TomásEdison en1883, mientras experimentaba con su lámpara de incandescencia, por lo que el "efectotermoiónico" se llama también «efecto Edison". Para la época en que Edison observó elfenómeno, nada se sabía acerca de los electrones, por lo que este físico no pudo darsecuenta de la importancia de su descubrimiento.el primero en investigar y encontrar una aplicación del "efecto termoiónico" fue elcientífico inglés Fleming en 1905, quien construyó el diodo o tubo de dos electrodos. 2. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Diodo o tubo de dos electrodos: Consiste en una ampolla de vidrio en la cual se ha practicado el que lleva en suinterior dos electrodos: un cátodo, cuya función es emitir electrones por calentamiento(efecto termoiónico) y un ánodo o placa, cuya función-es atraer dichos electrones.el cátodo puede ser de "calentamiento indirecto" o de "calentamiento di-recto". El cátodo de "calentamiento indirecto" consiste en un tubo delgado de níquel, revestido exteriormente con una mezcla de óxido de bario y estroncio, que lleva separadamente en su interior un filamento de tungsteno: si el filamento se calienta haciendo pasar a su través una corriente eléctrica, el cátodo también se calienta y de sus paredes se desprenden electrones. En los cátodos de "calentamiento di-recto" no existe tubo alrededor del filamento, por consiguiente, es el mismo filamento el que emite electrones al calentarse. el ánodo o placa consiste en un cilindro metálico, coaxial con el cátodo, provisto de aletas. Estas últimas aumentan la superficie del ánodo y disipan el calor que se produce por el choque de los electrones contra sus paredes si se aplica una diferencia de potencial entre placa y cátodo mediante una batería, los electrones emitidos por el cátodo pueden ser atraídos o repelidos por la placa, según que ésta sea positiva o negativa.

_ Explique como se caracterizan los conductores. en otra que circula en un solo sentido. Ejemplo si agregamos alsilicio o al germanio una cantidad de un elemento que contenga pequeñasimpurezas. Esta mezcla esllamada semi conductores tipo n. este es capaz de proporcionar electrones deconducción. en el ejemplo propuesto el factor de amplificación es 40. estos no son mas que materiales de estructuracristalina cuya resistencia disminuye rápidamente conforme aumentamos su temperatura. llamado rejilla grilla. eltríodo o tubo de tres electrodos es un diodo que lleva un tercer electrodo. su tendencia esrechazar los electrones emitidos por el cátodo. se obtener 40 volts de corriente alterna en el circuito de placa. este átomo de boro tendrá sieteelectrones ahora en su capa más externa con los cuatro electrones prestados a susvecinos átomos de GE. india en qué proporción el tríodo es capa: de amplificarun voltaje aplicado si rejilla. que permite controlar el paso de electrones entre cátodo y placa. que en conclusión se refiere a los electroneslibres. galvanización.3. el factor de amplificación es. y 1. transformar una corriente que varía de sentido periódicamente. Este proceso se llama rectificación de la corriente. Por lo tanto las variaciones: AVP: 60 Volts y AVR: 1. aisladores. En un cristal de GE por átomo deB que contiene 3 electrones en su capa más externa. es decir. Los semiconductores pueden agruparse en: a) semiconductores del tipo n: los semiconductores más importantes y más útiles sonlos que contienen cantidades muy pequeñas de impurezas. de modo que los electrones emitidos por éste puedan pasar a travésdel espacio que queda entre las espiras. y semi conductores segúnel numero de electrones en su capa periférica. circuitos telefónicos.5 Volts. aparatos de radio y aparatos de tele-visión. Esta capacidad inestable tratara de capturar un electrón deotro átomo para conformar entonces una capa estable de ocho electrones. b) semiconductores del tipo P: se llama así a los semi conductores con preponderanciade la conducción por hueco (falta de un electrón). como 40 es a 1. el flujo de electrones.05 diodos utilizados para ello se llaman diodos rectificadores. si se aplica 1 volt de corriente alterna a larejilla. El factor de amplificación u.Si la rejilla de control se hace positiva respecto al cátodo. locual significa que la variación del voltaje de (placaAVP está con la variación del voltaje derejilla AVR. como el antimonio. La conversión de corriente alterna en continua es de gran utilidad para di-versos fines. . PO: consiguiente. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Tríodo o tubo de tres electrodos. por lo que el flujo de electrones entrecátodo y placa disminuye. explique el proceso de rectificación de una corriente alterna por un diodo: El diodo como rectificador de la corriente alterna la aplicación más importante del dio-do es transformar corriente alterna en corriente continua. quedando los electrones en libertad de moverse. 4. Los semi conductoresentre los aisladores y los conductores eléctricos existe una tercera clase de resistividadintermedia que son los semi conductores. por consiguiente. Entre cátodo y placa aumenta si la rejilla de control se hace negativa. tales como carga de baterías. La rejilla de control consiste en un alambre muy delgado arrollado en es-piralalrededor del cátodo. 5.

El voltaje que mantiene negativa la rejilla de control se llama voltaje dipolarización de rejilla polarizar la rejilla es. que depende de lospotenciales de placa y de rejilla. contrario al movimiento de los electrones que contemplan la capa se puede por lo tanto decir que los huecos se comportan con cargas positivas móviles. La falta de electrones o hueco se traslada ahora otra capa externa y así sucesivamente. en cuyo caso no hay paso de electronesentre cátodo y placa el potencial de rejilla que reduce a cero la corriente electrónica se llama potencial de corte. esto sucede cuando se conectael terminal positivo de la batería al lado n de la unión. con la uniónP-N setiene el mismo efecto. 6. defina transistores y sus partes: . y 8. UniónP-N Hay que recordar que lo típico de un diodo de vacío esque conduce cuando la señal(vs) que le llega es positivo. el proceso de hacer negativala rejillarespectoal cátodo._ A que se denomina factor de amplificaciónfactor de amplificación Un concepto muy útil es el llamado factor de amplificación. y el negativo de labatería al lado p de la unión. y no conduce cuando vs = o._ Define: unión P-N / unión N-P Unión N-P es una unión N-P los iones positivos de n se alejan a los huecos positivos de P y los10nes negativos de p se alejan a los electrones negativos de n. con lo que losportdores mayoritarios p (huecos) y los mayoritarios en n (electrones)cruzaran fácilmente la barrera. siendo esto una barrera de potencial.se define como la variación del potencial placa entre la variación correspondientedel potencial de rejilla que hay que realizar para mantener la corriente de placa constante. en la separación NPnos encontramos con una acumulación de 10nes positivos en n y de iones negativosen p. aun cuando el ánodo o placa tenga un alto potencia positivo. aumentándose la barrera de potencial.Si la rejilla-de control es suficiente-mente negativa. así. esto se consigue conectando elterminal positivo de la batería al lado p de l unión y el campo creado será desentido opuesto al EO y se reduce l barrera de potencia. y si la unión de P-Nse polariza negativamente. Como la rejilla de control se encuentra muy próxima al cátodo. puede igualar exacta-mente laatracción de la placa o ánodo sobre los electrones. si la unión P-N se polariza positivamente. por lo tanto. por consiguiente. de esta manera se establece una corrienteeléctrica superficial mente grande. pues elcampo exterior creado es del mismo sentido que el campo eléctrico propio produciéndose una corriente prácticamente nula y se denominacorriente inversa de saturación. un pequeñopotencial negativo aplicado a ella puede producir el corte o interrupción de corrienteelectrónica. 7.

Bardeen y W. La configuración de uniones PN. reproductores de audio y video.semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. alarmas. lavadoras. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminantes. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). lámparas fluorescentes. quedando formadas dosuniones NP. tienen diferente contaminación entre ellas por lo general el emisor esta mucho mas contaminado que el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. dos de las cuales son del mismo tipo. fue el primer transistor capaz de obtenerganancia. donde laletra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. El término "transistor" es lacontracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). relojes de cuarzo. reproductores mp3.automóviles. y Transistor de unión bipolar el transistor de unión bipolar. dan como resultado transistores PNP o NPN. actualmente seencuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. o BJT por sus siglas en inglés. y transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. ordenadores. NPN o PNP. Shockley.la zona n con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona p deaceptadores o "huecos" (cargas positivas).Transistor. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantescomo el diamante. Brattain. 1948) debido a su mayor ancho de banda en la actualidad ha desaparecido. teléfonos móviles. se fabrica básicamente sobre unmonocristal de germanio. c. Normalmente se utilizan como elementosaceptadores p al indio (IN). tomógrafos. equipos de rayos x. aluminio (AL) o Galio (GA) y donantes n al arsénico (AS) ofósforo (P).calculadoras. si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. impresoras. transistor de unión unipolar o de efecto de campo. Tipos de transistor. conmutador o rectificador. se contaminan en forma muy controladatres zonas. frágil (un golpe podíadesplazar las puntas) y ruidoso. hornos de microondas. equipos de refrigeración. Sobre el sustrato de cristal. oscilador. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación y del comportamiento cuántico de la unión. . sin embargo convivió con el transistor de unión (W. silicio o arseniuro de gallo. poco conocidos ensu día.televisores. inventado en 1947 por J. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y elcolector.sobre la que se apoyan. Se basa en efectos de superficie. que tienen cualidades desemiconductores. muy juntas.ecógrafos. grabadoras. el transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones deamplificador.de ahí el nombre de "transfer resistor". Consta de una base de germanio. y las otras dos al emisory al colector que. entre otros.

según la disposición de estascapas. fue elprimer transistor de efecto de campo en la práctica. construido mediante una unión PN. lo mismo que un transistor normal. en el que la compuerta seaísla del canal mediante un dieléctrico. ‡ TransistorNPN. donde MOS significa metal-óxido semiconductor. de tipo p ytipo n. cesa la conducción en el canal. Los más utilizados son los transistores NPN. que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plástico. estableceremos una corriente. El transistor de efecto de campo. ‡ Transistor de efecto de campo de unión. en esencia. IGFET. por lo que vamos a centrarnos en el estudio deestetipo de dispositivos. dispuestas de forma alternada. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces decorriente de base. lo forma una barra de materialsemiconductor de silicio de tipo n o p. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando apuerta al surtidor. JFET. ‡ Como fototransistor. d. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo n de la forma másbásica. Con un potencial negativo de puerta al que llamamostensión de estrangulamiento. base y colector. Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metálicoque permitirá conectarlo a un circuito. a uno de estos contactos le llamaremos surtidor y alotro drenador. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de laluz incidente. un fototransistor es. a la que llamaremos corriente dedrenador con polarización cero. Fototransistor los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanasa la de la luz visible. se producirá una puerta. Podemos considerar eltransistor constituido por dos diodos: . eltransistor es un dispositivo de tres terminales. ‡ Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. que recibenlos nombres de emisor. metal. si se difunden dos regiones p en una barra de material n y se conectan externamenteentre sí. podemos tener dos tipos de transistores: ‡ TransistorPNP.)Por tanto. Estructura del transistor. que controla lacorriente en función de una tensión. ‡ Transistor de efecto de campo MOS. tienen alta impedancia de entrada.el transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor. sóloque puede trabajar de 2 maneras diferentes: ‡ Como un transistor normal con la corriente de base (lb) (modo común).en este caso la compuerta es metálica y está separada del canalsemiconductor por una capa de óxido. e. en los terminales de la barra se establece uncontacto óhmico.el transistor de unión unipolar. MOSFET. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). (IP) (Modo de iluminación). Todo el conjunto se recubre con un encapsuladoprotector.

por tanto. En consecuencia. ‡ Otro por la unión base-colector. en consecuencia podemos establecer la siguienterelación: IE=IB+IC Si conocemos dos de las corrientes del transistor. entre los terminales del transistor segeneran las siguientes caídas de tensión: ‡ VCE: tensión colector-emisor ‡ ‡ VBE: tensión base-emisor. en primer lugar. se observa que las corrientes de base y de colector entran. 10. en las décadas de 1950 y1960 se construyeron radios. la expresión anterior nos permitirácalcular la tercera. resulta máseconómico._ defina un circuito integrado y explique sus ventajas: .‡ Uno formado por la unión emisor-base. pues elterminal de base controla el paso de corriente eléctrica entre el colector y el emisor. una vezconectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente elcátodo. el transistor no requiere este calentamiento. por lo queempieza a funcionar inmediatamente después de su conexión. 9. lo cual no ocurre con los tubos al vacío. entre otros que gracias a los transistores fueron de tamaños relativamente pequeños._ escriba las ventajas de los transistores sobre los tubos eléctricos: Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío. Asimismo. aparatos de control industrial.el invento del transistor abrió una nueva era en la civilización moderna. el transistor. y esto se logra pasando una corrientecercana a él. con él se inició la miniaturización de los aparatos electrónicos. el voltaje típico que se requiere para lograr esto es de 250 v. mientras que lacorriente de emisor sale del dispositivo. computadoras electrónicas. Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor. para quefuncione un tubo al vacío su cátodo debe calentarse.Como el tamaño de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vacío. En segundo lugar. portátiles. el uso de untransistor en lugar de tubos al vacío ahorra mucha energía. y por tanto. ya que se le pudoutilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos.con requerimientos de energía muy reducidos y de larga vida. cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona inmediatamentedespués de haberse conectado. la respuesta del transistor a señales de frecuencias muy altas es muyefectiva.

Su uso está muy extendido en la industria. sobre la que sefabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotografía y que está protegida dentro de encapsulado de plástico y cerámica. también conocido como chip o microchip. como los televisores. Republica Bolivariana de Venezuela. los circuitos integrados han hecho posible eldesarrollo de muchos nuevos productos.Circuito integrado Un circuito integrado (ci). el encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre la pastilla y un circuito impreso. relojes digitales y videojuegos. los receptoresde radio y los equipos de alta fidelidad. como computadoras y calculadoraspersonales. Ventajas: en electrónica de consumo. es una pastilla pequeñade material semiconductor. Se han utilizado también para mejorar yrebajar el coste de muchos productos existe. . de algunos milímetros cuadrados de área. control medioambiental y comunicaciones. el control de tráfico (tanto aéreo corno terrestre). lamedicina.

Efecto Termoiónico Integrantes: Vásquez Fabiola # 20 Pacheco Emmanuel # 28 Graterol Priscilla # 29 Meza Rubén # 30 .Ministerio del Poder Popular para la Educación. del Rosario de Fátima. Sra.E Colegio Ntra. U.