1. En que consiste el efecto termoiónico: Efecto termoiónico.

En los metales existe cierto número de electrones libres, es decir, electrones que pueden pasar fácilmente de un átomo a otro del metal y están en continuo movimiento. Normalmente estos electrones permanecen dentro del metal de que forman parte y no escapan de su superficie, debido a las fuerzas de atracción electrostática de los núcleos atómicos. A temperaturas elevadas, la energía cinética de los electrones libres aumenta y muchos superan la atracción de los núcleos y atraviesan la superficie del metal pasando al espacio circundante. Este tipo de liberación de electrones de un metal se conoce con elnombre de "emisión termoiónica" o "efecto termoiónico".La cantidad de electrones que se des-prende de la superficie de un metal por emisióntermoiónica, depende de la naturaleza de la superficie emisora y de la temperatura. La mayorparte de los' metales puros emiten electrones sólo a temperaturas muy elevadas. Sinembargo, si los metales están recubiertos con una capa de óxido, pueden emitir electronesatemperaturas relativamente baias. El "efecto termoiónico" fue descubierto por el norteamericano TomásEdison en1883, mientras experimentaba con su lámpara de incandescencia, por lo que el "efectotermoiónico" se llama también «efecto Edison". Para la época en que Edison observó elfenómeno, nada se sabía acerca de los electrones, por lo que este físico no pudo darsecuenta de la importancia de su descubrimiento.el primero en investigar y encontrar una aplicación del "efecto termoiónico" fue elcientífico inglés Fleming en 1905, quien construyó el diodo o tubo de dos electrodos. 2. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Diodo o tubo de dos electrodos: Consiste en una ampolla de vidrio en la cual se ha practicado el que lleva en suinterior dos electrodos: un cátodo, cuya función es emitir electrones por calentamiento(efecto termoiónico) y un ánodo o placa, cuya función-es atraer dichos electrones.el cátodo puede ser de "calentamiento indirecto" o de "calentamiento di-recto". El cátodo de "calentamiento indirecto" consiste en un tubo delgado de níquel, revestido exteriormente con una mezcla de óxido de bario y estroncio, que lleva separadamente en su interior un filamento de tungsteno: si el filamento se calienta haciendo pasar a su través una corriente eléctrica, el cátodo también se calienta y de sus paredes se desprenden electrones. En los cátodos de "calentamiento di-recto" no existe tubo alrededor del filamento, por consiguiente, es el mismo filamento el que emite electrones al calentarse. el ánodo o placa consiste en un cilindro metálico, coaxial con el cátodo, provisto de aletas. Estas últimas aumentan la superficie del ánodo y disipan el calor que se produce por el choque de los electrones contra sus paredes si se aplica una diferencia de potencial entre placa y cátodo mediante una batería, los electrones emitidos por el cátodo pueden ser atraídos o repelidos por la placa, según que ésta sea positiva o negativa.

Por lo tanto las variaciones: AVP: 60 Volts y AVR: 1. locual significa que la variación del voltaje de (placaAVP está con la variación del voltaje derejilla AVR. en otra que circula en un solo sentido. circuitos telefónicos. tales como carga de baterías. el flujo de electrones. Ejemplo si agregamos alsilicio o al germanio una cantidad de un elemento que contenga pequeñasimpurezas. b) semiconductores del tipo P: se llama así a los semi conductores con preponderanciade la conducción por hueco (falta de un electrón). PO: consiguiente. y 1. que en conclusión se refiere a los electroneslibres. estos no son mas que materiales de estructuracristalina cuya resistencia disminuye rápidamente conforme aumentamos su temperatura. 4. india en qué proporción el tríodo es capa: de amplificarun voltaje aplicado si rejilla. se obtener 40 volts de corriente alterna en el circuito de placa.05 diodos utilizados para ello se llaman diodos rectificadores. el factor de amplificación es. 5. llamado rejilla grilla. es decir. transformar una corriente que varía de sentido periódicamente. Este proceso se llama rectificación de la corriente.5 Volts.Si la rejilla de control se hace positiva respecto al cátodo. de modo que los electrones emitidos por éste puedan pasar a travésdel espacio que queda entre las espiras. Entre cátodo y placa aumenta si la rejilla de control se hace negativa. La rejilla de control consiste en un alambre muy delgado arrollado en es-piralalrededor del cátodo. La conversión de corriente alterna en continua es de gran utilidad para di-versos fines._ Explique como se caracterizan los conductores. explique el proceso de rectificación de una corriente alterna por un diodo: El diodo como rectificador de la corriente alterna la aplicación más importante del dio-do es transformar corriente alterna en corriente continua. Esta capacidad inestable tratara de capturar un electrón deotro átomo para conformar entonces una capa estable de ocho electrones. aparatos de radio y aparatos de tele-visión. por consiguiente. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Tríodo o tubo de tres electrodos. galvanización. por lo que el flujo de electrones entrecátodo y placa disminuye. eltríodo o tubo de tres electrodos es un diodo que lleva un tercer electrodo. que permite controlar el paso de electrones entre cátodo y placa. este átomo de boro tendrá sieteelectrones ahora en su capa más externa con los cuatro electrones prestados a susvecinos átomos de GE. El factor de amplificación u. su tendencia esrechazar los electrones emitidos por el cátodo.3. Esta mezcla esllamada semi conductores tipo n. En un cristal de GE por átomo deB que contiene 3 electrones en su capa más externa. Los semiconductores pueden agruparse en: a) semiconductores del tipo n: los semiconductores más importantes y más útiles sonlos que contienen cantidades muy pequeñas de impurezas. . aisladores. si se aplica 1 volt de corriente alterna a larejilla. Los semi conductoresentre los aisladores y los conductores eléctricos existe una tercera clase de resistividadintermedia que son los semi conductores. este es capaz de proporcionar electrones deconducción. como el antimonio. y semi conductores segúnel numero de electrones en su capa periférica. como 40 es a 1. en el ejemplo propuesto el factor de amplificación es 40. quedando los electrones en libertad de moverse.

con lo que losportdores mayoritarios p (huecos) y los mayoritarios en n (electrones)cruzaran fácilmente la barrera. aumentándose la barrera de potencial.Si la rejilla-de control es suficiente-mente negativa. puede igualar exacta-mente laatracción de la placa o ánodo sobre los electrones. así. aun cuando el ánodo o placa tenga un alto potencia positivo. contrario al movimiento de los electrones que contemplan la capa se puede por lo tanto decir que los huecos se comportan con cargas positivas móviles. 7. y si la unión de P-Nse polariza negativamente. esto se consigue conectando elterminal positivo de la batería al lado p de l unión y el campo creado será desentido opuesto al EO y se reduce l barrera de potencia. el proceso de hacer negativala rejillarespectoal cátodo. El voltaje que mantiene negativa la rejilla de control se llama voltaje dipolarización de rejilla polarizar la rejilla es. y no conduce cuando vs = o.se define como la variación del potencial placa entre la variación correspondientedel potencial de rejilla que hay que realizar para mantener la corriente de placa constante. si la unión P-N se polariza positivamente._ Define: unión P-N / unión N-P Unión N-P es una unión N-P los iones positivos de n se alejan a los huecos positivos de P y los10nes negativos de p se alejan a los electrones negativos de n. 6. pues elcampo exterior creado es del mismo sentido que el campo eléctrico propio produciéndose una corriente prácticamente nula y se denominacorriente inversa de saturación. UniónP-N Hay que recordar que lo típico de un diodo de vacío esque conduce cuando la señal(vs) que le llega es positivo. por lo tanto._ A que se denomina factor de amplificaciónfactor de amplificación Un concepto muy útil es el llamado factor de amplificación. esto sucede cuando se conectael terminal positivo de la batería al lado n de la unión. La falta de electrones o hueco se traslada ahora otra capa externa y así sucesivamente. siendo esto una barrera de potencial. defina transistores y sus partes: . en la separación NPnos encontramos con una acumulación de 10nes positivos en n y de iones negativosen p. con la uniónP-N setiene el mismo efecto. y el negativo de labatería al lado p de la unión. que depende de lospotenciales de placa y de rejilla. por consiguiente. un pequeñopotencial negativo aplicado a ella puede producir el corte o interrupción de corrienteelectrónica. de esta manera se establece una corrienteeléctrica superficial mente grande. y 8. Como la rejilla de control se encuentra muy próxima al cátodo. en cuyo caso no hay paso de electronesentre cátodo y placa el potencial de rejilla que reduce a cero la corriente electrónica se llama potencial de corte.

se fabrica básicamente sobre unmonocristal de germanio. sin embargo convivió con el transistor de unión (W. y transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. Tipos de transistor. . equipos de rayos x. transistor de unión unipolar o de efecto de campo. lámparas fluorescentes. Consta de una base de germanio. poco conocidos ensu día. grabadoras. hornos de microondas. ordenadores. reproductores de audio y video. fue el primer transistor capaz de obtenerganancia. inventado en 1947 por J. c. muy juntas. dan como resultado transistores PNP o NPN. El término "transistor" es lacontracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). impresoras.Transistor. o BJT por sus siglas en inglés. Normalmente se utilizan como elementosaceptadores p al indio (IN). frágil (un golpe podíadesplazar las puntas) y ruidoso. entre otros. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y elcolector. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. equipos de refrigeración. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantescomo el diamante. aluminio (AL) o Galio (GA) y donantes n al arsénico (AS) ofósforo (P). teléfonos móviles.la zona n con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona p deaceptadores o "huecos" (cargas positivas).ecógrafos. 1948) debido a su mayor ancho de banda en la actualidad ha desaparecido. donde laletra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. silicio o arseniuro de gallo. quedando formadas dosuniones NP.sobre la que se apoyan. Bardeen y W. el transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones deamplificador. y Transistor de unión bipolar el transistor de unión bipolar. oscilador. Shockley.televisores. tomógrafos. conmutador o rectificador. Brattain. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminantes. Sobre el sustrato de cristal. actualmente seencuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación y del comportamiento cuántico de la unión. dos de las cuales son del mismo tipo. relojes de cuarzo. NPN o PNP.de ahí el nombre de "transfer resistor".semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. tienen diferente contaminación entre ellas por lo general el emisor esta mucho mas contaminado que el colector.automóviles. se contaminan en forma muy controladatres zonas. alarmas. reproductores mp3. que tienen cualidades desemiconductores. La configuración de uniones PN.calculadoras. y las otras dos al emisory al colector que. Se basa en efectos de superficie. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. lavadoras.

podemos tener dos tipos de transistores: ‡ TransistorPNP. Todo el conjunto se recubre con un encapsuladoprotector. en esencia. ‡ TransistorNPN. un fototransistor es. JFET. construido mediante una unión PN. eltransistor es un dispositivo de tres terminales. fue elprimer transistor de efecto de campo en la práctica. ‡ Transistor de efecto de campo MOS. en los terminales de la barra se establece uncontacto óhmico. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando apuerta al surtidor. estableceremos una corriente. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). dispuestas de forma alternada. Fototransistor los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanasa la de la luz visible. de tipo p ytipo n. lo mismo que un transistor normal. por lo que vamos a centrarnos en el estudio deestetipo de dispositivos.en este caso la compuerta es metálica y está separada del canalsemiconductor por una capa de óxido. base y colector. IGFET. se producirá una puerta.el transistor de unión unipolar. El transistor de efecto de campo. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de laluz incidente. que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plástico.)Por tanto. ‡ Como fototransistor. ‡ Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. a uno de estos contactos le llamaremos surtidor y alotro drenador. cesa la conducción en el canal. Los más utilizados son los transistores NPN. en el que la compuerta seaísla del canal mediante un dieléctrico. Con un potencial negativo de puerta al que llamamostensión de estrangulamiento. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces decorriente de base.el transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor. e. (IP) (Modo de iluminación). sóloque puede trabajar de 2 maneras diferentes: ‡ Como un transistor normal con la corriente de base (lb) (modo común). lo forma una barra de materialsemiconductor de silicio de tipo n o p. metal. d. MOSFET. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo n de la forma másbásica. donde MOS significa metal-óxido semiconductor. Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metálicoque permitirá conectarlo a un circuito. si se difunden dos regiones p en una barra de material n y se conectan externamenteentre sí. tienen alta impedancia de entrada. ‡ Transistor de efecto de campo de unión. Estructura del transistor. Podemos considerar eltransistor constituido por dos diodos: . según la disposición de estascapas. a la que llamaremos corriente dedrenador con polarización cero. que recibenlos nombres de emisor. que controla lacorriente en función de una tensión.

entre los terminales del transistor segeneran las siguientes caídas de tensión: ‡ VCE: tensión colector-emisor ‡ ‡ VBE: tensión base-emisor. En segundo lugar. y esto se logra pasando una corrientecercana a él. una vezconectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente elcátodo. pues elterminal de base controla el paso de corriente eléctrica entre el colector y el emisor. mientras que lacorriente de emisor sale del dispositivo. se observa que las corrientes de base y de colector entran. en consecuencia podemos establecer la siguienterelación: IE=IB+IC Si conocemos dos de las corrientes del transistor. el transistor no requiere este calentamiento. en las décadas de 1950 y1960 se construyeron radios.Como el tamaño de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vacío. Asimismo. el uso de untransistor en lugar de tubos al vacío ahorra mucha energía. Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor. portátiles. ya que se le pudoutilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos. 10.‡ Uno formado por la unión emisor-base. entre otros que gracias a los transistores fueron de tamaños relativamente pequeños. y por tanto._ defina un circuito integrado y explique sus ventajas: . En consecuencia. en primer lugar. para quefuncione un tubo al vacío su cátodo debe calentarse. por lo queempieza a funcionar inmediatamente después de su conexión. por tanto. 9. computadoras electrónicas._ escriba las ventajas de los transistores sobre los tubos eléctricos: Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío. el transistor. la expresión anterior nos permitirácalcular la tercera. el voltaje típico que se requiere para lograr esto es de 250 v. ‡ Otro por la unión base-colector.con requerimientos de energía muy reducidos y de larga vida. con él se inició la miniaturización de los aparatos electrónicos. resulta máseconómico. la respuesta del transistor a señales de frecuencias muy altas es muyefectiva. aparatos de control industrial. cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona inmediatamentedespués de haberse conectado. lo cual no ocurre con los tubos al vacío.el invento del transistor abrió una nueva era en la civilización moderna.

relojes digitales y videojuegos. control medioambiental y comunicaciones. sobre la que sefabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotografía y que está protegida dentro de encapsulado de plástico y cerámica. los circuitos integrados han hecho posible eldesarrollo de muchos nuevos productos. el control de tráfico (tanto aéreo corno terrestre). Ventajas: en electrónica de consumo. Su uso está muy extendido en la industria. Republica Bolivariana de Venezuela. como los televisores. Se han utilizado también para mejorar yrebajar el coste de muchos productos existe.Circuito integrado Un circuito integrado (ci). es una pastilla pequeñade material semiconductor. lamedicina. el encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre la pastilla y un circuito impreso. de algunos milímetros cuadrados de área. los receptoresde radio y los equipos de alta fidelidad. también conocido como chip o microchip. . como computadoras y calculadoraspersonales.

del Rosario de Fátima.E Colegio Ntra. Efecto Termoiónico Integrantes: Vásquez Fabiola # 20 Pacheco Emmanuel # 28 Graterol Priscilla # 29 Meza Rubén # 30 . Sra. U.Ministerio del Poder Popular para la Educación.

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