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En que consiste el efecto termoiónico

En que consiste el efecto termoiónico

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1. En que consiste el efecto termoiónico: Efecto termoiónico.

En los metales existe cierto número de electrones libres, es decir, electrones que pueden pasar fácilmente de un átomo a otro del metal y están en continuo movimiento. Normalmente estos electrones permanecen dentro del metal de que forman parte y no escapan de su superficie, debido a las fuerzas de atracción electrostática de los núcleos atómicos. A temperaturas elevadas, la energía cinética de los electrones libres aumenta y muchos superan la atracción de los núcleos y atraviesan la superficie del metal pasando al espacio circundante. Este tipo de liberación de electrones de un metal se conoce con elnombre de "emisión termoiónica" o "efecto termoiónico".La cantidad de electrones que se des-prende de la superficie de un metal por emisióntermoiónica, depende de la naturaleza de la superficie emisora y de la temperatura. La mayorparte de los' metales puros emiten electrones sólo a temperaturas muy elevadas. Sinembargo, si los metales están recubiertos con una capa de óxido, pueden emitir electronesatemperaturas relativamente baias. El "efecto termoiónico" fue descubierto por el norteamericano TomásEdison en1883, mientras experimentaba con su lámpara de incandescencia, por lo que el "efectotermoiónico" se llama también «efecto Edison". Para la época en que Edison observó elfenómeno, nada se sabía acerca de los electrones, por lo que este físico no pudo darsecuenta de la importancia de su descubrimiento.el primero en investigar y encontrar una aplicación del "efecto termoiónico" fue elcientífico inglés Fleming en 1905, quien construyó el diodo o tubo de dos electrodos. 2. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Diodo o tubo de dos electrodos: Consiste en una ampolla de vidrio en la cual se ha practicado el que lleva en suinterior dos electrodos: un cátodo, cuya función es emitir electrones por calentamiento(efecto termoiónico) y un ánodo o placa, cuya función-es atraer dichos electrones.el cátodo puede ser de "calentamiento indirecto" o de "calentamiento di-recto". El cátodo de "calentamiento indirecto" consiste en un tubo delgado de níquel, revestido exteriormente con una mezcla de óxido de bario y estroncio, que lleva separadamente en su interior un filamento de tungsteno: si el filamento se calienta haciendo pasar a su través una corriente eléctrica, el cátodo también se calienta y de sus paredes se desprenden electrones. En los cátodos de "calentamiento di-recto" no existe tubo alrededor del filamento, por consiguiente, es el mismo filamento el que emite electrones al calentarse. el ánodo o placa consiste en un cilindro metálico, coaxial con el cátodo, provisto de aletas. Estas últimas aumentan la superficie del ánodo y disipan el calor que se produce por el choque de los electrones contra sus paredes si se aplica una diferencia de potencial entre placa y cátodo mediante una batería, los electrones emitidos por el cátodo pueden ser atraídos o repelidos por la placa, según que ésta sea positiva o negativa.

eltríodo o tubo de tres electrodos es un diodo que lleva un tercer electrodo. tales como carga de baterías. 5. Los semi conductoresentre los aisladores y los conductores eléctricos existe una tercera clase de resistividadintermedia que son los semi conductores. por consiguiente. por lo que el flujo de electrones entrecátodo y placa disminuye. este átomo de boro tendrá sieteelectrones ahora en su capa más externa con los cuatro electrones prestados a susvecinos átomos de GE. aparatos de radio y aparatos de tele-visión. como el antimonio. locual significa que la variación del voltaje de (placaAVP está con la variación del voltaje derejilla AVR. que en conclusión se refiere a los electroneslibres. estos no son mas que materiales de estructuracristalina cuya resistencia disminuye rápidamente conforme aumentamos su temperatura. de modo que los electrones emitidos por éste puedan pasar a travésdel espacio que queda entre las espiras. en el ejemplo propuesto el factor de amplificación es 40. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Tríodo o tubo de tres electrodos. como 40 es a 1. es decir. galvanización. explique el proceso de rectificación de una corriente alterna por un diodo: El diodo como rectificador de la corriente alterna la aplicación más importante del dio-do es transformar corriente alterna en corriente continua._ Explique como se caracterizan los conductores. india en qué proporción el tríodo es capa: de amplificarun voltaje aplicado si rejilla. se obtener 40 volts de corriente alterna en el circuito de placa. quedando los electrones en libertad de moverse.Si la rejilla de control se hace positiva respecto al cátodo.05 diodos utilizados para ello se llaman diodos rectificadores. aisladores. y semi conductores segúnel numero de electrones en su capa periférica. Este proceso se llama rectificación de la corriente.3. y 1.5 Volts. Ejemplo si agregamos alsilicio o al germanio una cantidad de un elemento que contenga pequeñasimpurezas. circuitos telefónicos. transformar una corriente que varía de sentido periódicamente. que permite controlar el paso de electrones entre cátodo y placa. este es capaz de proporcionar electrones deconducción. Esta mezcla esllamada semi conductores tipo n. La conversión de corriente alterna en continua es de gran utilidad para di-versos fines. Entre cátodo y placa aumenta si la rejilla de control se hace negativa. La rejilla de control consiste en un alambre muy delgado arrollado en es-piralalrededor del cátodo. el flujo de electrones. si se aplica 1 volt de corriente alterna a larejilla. Los semiconductores pueden agruparse en: a) semiconductores del tipo n: los semiconductores más importantes y más útiles sonlos que contienen cantidades muy pequeñas de impurezas. b) semiconductores del tipo P: se llama así a los semi conductores con preponderanciade la conducción por hueco (falta de un electrón). En un cristal de GE por átomo deB que contiene 3 electrones en su capa más externa. Por lo tanto las variaciones: AVP: 60 Volts y AVR: 1. su tendencia esrechazar los electrones emitidos por el cátodo. en otra que circula en un solo sentido. . 4. el factor de amplificación es. El factor de amplificación u. Esta capacidad inestable tratara de capturar un electrón deotro átomo para conformar entonces una capa estable de ocho electrones. PO: consiguiente. llamado rejilla grilla.

por consiguiente. en la separación NPnos encontramos con una acumulación de 10nes positivos en n y de iones negativosen p. UniónP-N Hay que recordar que lo típico de un diodo de vacío esque conduce cuando la señal(vs) que le llega es positivo. y 8. 7. con la uniónP-N setiene el mismo efecto. si la unión P-N se polariza positivamente. aumentándose la barrera de potencial. y el negativo de labatería al lado p de la unión. Como la rejilla de control se encuentra muy próxima al cátodo. así. el proceso de hacer negativala rejillarespectoal cátodo. puede igualar exacta-mente laatracción de la placa o ánodo sobre los electrones. El voltaje que mantiene negativa la rejilla de control se llama voltaje dipolarización de rejilla polarizar la rejilla es. siendo esto una barrera de potencial. esto sucede cuando se conectael terminal positivo de la batería al lado n de la unión.se define como la variación del potencial placa entre la variación correspondientedel potencial de rejilla que hay que realizar para mantener la corriente de placa constante. contrario al movimiento de los electrones que contemplan la capa se puede por lo tanto decir que los huecos se comportan con cargas positivas móviles. en cuyo caso no hay paso de electronesentre cátodo y placa el potencial de rejilla que reduce a cero la corriente electrónica se llama potencial de corte. que depende de lospotenciales de placa y de rejilla. por lo tanto. de esta manera se establece una corrienteeléctrica superficial mente grande. 6.Si la rejilla-de control es suficiente-mente negativa. aun cuando el ánodo o placa tenga un alto potencia positivo._ A que se denomina factor de amplificaciónfactor de amplificación Un concepto muy útil es el llamado factor de amplificación. y si la unión de P-Nse polariza negativamente. con lo que losportdores mayoritarios p (huecos) y los mayoritarios en n (electrones)cruzaran fácilmente la barrera. esto se consigue conectando elterminal positivo de la batería al lado p de l unión y el campo creado será desentido opuesto al EO y se reduce l barrera de potencia._ Define: unión P-N / unión N-P Unión N-P es una unión N-P los iones positivos de n se alejan a los huecos positivos de P y los10nes negativos de p se alejan a los electrones negativos de n. La falta de electrones o hueco se traslada ahora otra capa externa y así sucesivamente. defina transistores y sus partes: . pues elcampo exterior creado es del mismo sentido que el campo eléctrico propio produciéndose una corriente prácticamente nula y se denominacorriente inversa de saturación. un pequeñopotencial negativo aplicado a ella puede producir el corte o interrupción de corrienteelectrónica. y no conduce cuando vs = o.

conmutador o rectificador. Se basa en efectos de superficie.televisores. . 1948) debido a su mayor ancho de banda en la actualidad ha desaparecido. NPN o PNP. equipos de refrigeración. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y elcolector. silicio o arseniuro de gallo.sobre la que se apoyan. grabadoras. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.de ahí el nombre de "transfer resistor". reproductores mp3. que tienen cualidades desemiconductores.la zona n con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona p deaceptadores o "huecos" (cargas positivas). El término "transistor" es lacontracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. impresoras. o BJT por sus siglas en inglés. c. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantescomo el diamante. donde laletra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. Shockley. y las otras dos al emisory al colector que. inventado en 1947 por J. tienen diferente contaminación entre ellas por lo general el emisor esta mucho mas contaminado que el colector.automóviles. Bardeen y W. tomógrafos.calculadoras. y Transistor de unión bipolar el transistor de unión bipolar. reproductores de audio y video. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). Brattain. dos de las cuales son del mismo tipo. el transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones deamplificador.Transistor. hornos de microondas. se contaminan en forma muy controladatres zonas.ecógrafos. lámparas fluorescentes. entre otros. equipos de rayos x. muy juntas. Sobre el sustrato de cristal. dan como resultado transistores PNP o NPN. transistor de unión unipolar o de efecto de campo. sin embargo convivió con el transistor de unión (W. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación y del comportamiento cuántico de la unión. oscilador. teléfonos móviles. lavadoras. ordenadores. fue el primer transistor capaz de obtenerganancia. se fabrica básicamente sobre unmonocristal de germanio. y transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. actualmente seencuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. frágil (un golpe podíadesplazar las puntas) y ruidoso. La configuración de uniones PN. aluminio (AL) o Galio (GA) y donantes n al arsénico (AS) ofósforo (P). relojes de cuarzo. Normalmente se utilizan como elementosaceptadores p al indio (IN). alarmas. si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. Tipos de transistor. quedando formadas dosuniones NP. poco conocidos ensu día. Consta de una base de germanio. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminantes.

MOSFET. lo mismo que un transistor normal. Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metálicoque permitirá conectarlo a un circuito. Podemos considerar eltransistor constituido por dos diodos: . construido mediante una unión PN. lo forma una barra de materialsemiconductor de silicio de tipo n o p. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de laluz incidente. eltransistor es un dispositivo de tres terminales. ‡ TransistorNPN. sóloque puede trabajar de 2 maneras diferentes: ‡ Como un transistor normal con la corriente de base (lb) (modo común). e. El transistor de efecto de campo. d. dispuestas de forma alternada. según la disposición de estascapas.el transistor de unión unipolar. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo n de la forma másbásica. tienen alta impedancia de entrada. fue elprimer transistor de efecto de campo en la práctica. Fototransistor los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanasa la de la luz visible. IGFET. ‡ Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces decorriente de base. a la que llamaremos corriente dedrenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamostensión de estrangulamiento.en este caso la compuerta es metálica y está separada del canalsemiconductor por una capa de óxido. donde MOS significa metal-óxido semiconductor. en los terminales de la barra se establece uncontacto óhmico. de tipo p ytipo n. en esencia. a uno de estos contactos le llamaremos surtidor y alotro drenador. ‡ Transistor de efecto de campo MOS. en el que la compuerta seaísla del canal mediante un dieléctrico.)Por tanto. Todo el conjunto se recubre con un encapsuladoprotector. que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plástico. Estructura del transistor. podemos tener dos tipos de transistores: ‡ TransistorPNP. si se difunden dos regiones p en una barra de material n y se conectan externamenteentre sí. (IP) (Modo de iluminación). que recibenlos nombres de emisor. Los más utilizados son los transistores NPN. por lo que vamos a centrarnos en el estudio deestetipo de dispositivos.el transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor. base y colector. estableceremos una corriente. JFET. ‡ Como fototransistor. metal. se producirá una puerta. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando apuerta al surtidor. un fototransistor es. ‡ Transistor de efecto de campo de unión. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). cesa la conducción en el canal. que controla lacorriente en función de una tensión.

ya que se le pudoutilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos. por tanto. por lo queempieza a funcionar inmediatamente después de su conexión. lo cual no ocurre con los tubos al vacío. en primer lugar. el uso de untransistor en lugar de tubos al vacío ahorra mucha energía. con él se inició la miniaturización de los aparatos electrónicos. una vezconectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente elcátodo. y esto se logra pasando una corrientecercana a él. la respuesta del transistor a señales de frecuencias muy altas es muyefectiva. el transistor. en consecuencia podemos establecer la siguienterelación: IE=IB+IC Si conocemos dos de las corrientes del transistor.con requerimientos de energía muy reducidos y de larga vida.‡ Uno formado por la unión emisor-base. resulta máseconómico. Asimismo. el voltaje típico que se requiere para lograr esto es de 250 v. en las décadas de 1950 y1960 se construyeron radios. computadoras electrónicas. el transistor no requiere este calentamiento.el invento del transistor abrió una nueva era en la civilización moderna. portátiles. Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor. cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona inmediatamentedespués de haberse conectado. para quefuncione un tubo al vacío su cátodo debe calentarse. la expresión anterior nos permitirácalcular la tercera. se observa que las corrientes de base y de colector entran. pues elterminal de base controla el paso de corriente eléctrica entre el colector y el emisor. En consecuencia._ defina un circuito integrado y explique sus ventajas: . ‡ Otro por la unión base-colector. mientras que lacorriente de emisor sale del dispositivo. En segundo lugar. y por tanto. entre otros que gracias a los transistores fueron de tamaños relativamente pequeños. 9. 10._ escriba las ventajas de los transistores sobre los tubos eléctricos: Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío.Como el tamaño de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vacío. entre los terminales del transistor segeneran las siguientes caídas de tensión: ‡ VCE: tensión colector-emisor ‡ ‡ VBE: tensión base-emisor. aparatos de control industrial.

el encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre la pastilla y un circuito impreso. el control de tráfico (tanto aéreo corno terrestre). sobre la que sefabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotografía y que está protegida dentro de encapsulado de plástico y cerámica. relojes digitales y videojuegos.Circuito integrado Un circuito integrado (ci). como los televisores. los receptoresde radio y los equipos de alta fidelidad. Se han utilizado también para mejorar yrebajar el coste de muchos productos existe. como computadoras y calculadoraspersonales. Republica Bolivariana de Venezuela. . de algunos milímetros cuadrados de área. los circuitos integrados han hecho posible eldesarrollo de muchos nuevos productos. lamedicina. también conocido como chip o microchip. Su uso está muy extendido en la industria. Ventajas: en electrónica de consumo. control medioambiental y comunicaciones. es una pastilla pequeñade material semiconductor.

Efecto Termoiónico Integrantes: Vásquez Fabiola # 20 Pacheco Emmanuel # 28 Graterol Priscilla # 29 Meza Rubén # 30 . U.E Colegio Ntra. del Rosario de Fátima.Ministerio del Poder Popular para la Educación. Sra.

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