1. En que consiste el efecto termoiónico: Efecto termoiónico.

En los metales existe cierto número de electrones libres, es decir, electrones que pueden pasar fácilmente de un átomo a otro del metal y están en continuo movimiento. Normalmente estos electrones permanecen dentro del metal de que forman parte y no escapan de su superficie, debido a las fuerzas de atracción electrostática de los núcleos atómicos. A temperaturas elevadas, la energía cinética de los electrones libres aumenta y muchos superan la atracción de los núcleos y atraviesan la superficie del metal pasando al espacio circundante. Este tipo de liberación de electrones de un metal se conoce con elnombre de "emisión termoiónica" o "efecto termoiónico".La cantidad de electrones que se des-prende de la superficie de un metal por emisióntermoiónica, depende de la naturaleza de la superficie emisora y de la temperatura. La mayorparte de los' metales puros emiten electrones sólo a temperaturas muy elevadas. Sinembargo, si los metales están recubiertos con una capa de óxido, pueden emitir electronesatemperaturas relativamente baias. El "efecto termoiónico" fue descubierto por el norteamericano TomásEdison en1883, mientras experimentaba con su lámpara de incandescencia, por lo que el "efectotermoiónico" se llama también «efecto Edison". Para la época en que Edison observó elfenómeno, nada se sabía acerca de los electrones, por lo que este físico no pudo darsecuenta de la importancia de su descubrimiento.el primero en investigar y encontrar una aplicación del "efecto termoiónico" fue elcientífico inglés Fleming en 1905, quien construyó el diodo o tubo de dos electrodos. 2. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Diodo o tubo de dos electrodos: Consiste en una ampolla de vidrio en la cual se ha practicado el que lleva en suinterior dos electrodos: un cátodo, cuya función es emitir electrones por calentamiento(efecto termoiónico) y un ánodo o placa, cuya función-es atraer dichos electrones.el cátodo puede ser de "calentamiento indirecto" o de "calentamiento di-recto". El cátodo de "calentamiento indirecto" consiste en un tubo delgado de níquel, revestido exteriormente con una mezcla de óxido de bario y estroncio, que lleva separadamente en su interior un filamento de tungsteno: si el filamento se calienta haciendo pasar a su través una corriente eléctrica, el cátodo también se calienta y de sus paredes se desprenden electrones. En los cátodos de "calentamiento di-recto" no existe tubo alrededor del filamento, por consiguiente, es el mismo filamento el que emite electrones al calentarse. el ánodo o placa consiste en un cilindro metálico, coaxial con el cátodo, provisto de aletas. Estas últimas aumentan la superficie del ánodo y disipan el calor que se produce por el choque de los electrones contra sus paredes si se aplica una diferencia de potencial entre placa y cátodo mediante una batería, los electrones emitidos por el cátodo pueden ser atraídos o repelidos por la placa, según que ésta sea positiva o negativa.

este es capaz de proporcionar electrones deconducción. quedando los electrones en libertad de moverse. de modo que los electrones emitidos por éste puedan pasar a travésdel espacio que queda entre las espiras. llamado rejilla grilla. este átomo de boro tendrá sieteelectrones ahora en su capa más externa con los cuatro electrones prestados a susvecinos átomos de GE. explique el proceso de rectificación de una corriente alterna por un diodo: El diodo como rectificador de la corriente alterna la aplicación más importante del dio-do es transformar corriente alterna en corriente continua. galvanización. Este proceso se llama rectificación de la corriente. en otra que circula en un solo sentido. Ejemplo si agregamos alsilicio o al germanio una cantidad de un elemento que contenga pequeñasimpurezas. Por lo tanto las variaciones: AVP: 60 Volts y AVR: 1._ Explique como se caracterizan los conductores. y 1. eltríodo o tubo de tres electrodos es un diodo que lleva un tercer electrodo. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Tríodo o tubo de tres electrodos.3. transformar una corriente que varía de sentido periódicamente. 4. tales como carga de baterías. es decir. La conversión de corriente alterna en continua es de gran utilidad para di-versos fines. aparatos de radio y aparatos de tele-visión. locual significa que la variación del voltaje de (placaAVP está con la variación del voltaje derejilla AVR. b) semiconductores del tipo P: se llama así a los semi conductores con preponderanciade la conducción por hueco (falta de un electrón). En un cristal de GE por átomo deB que contiene 3 electrones en su capa más externa. el factor de amplificación es. estos no son mas que materiales de estructuracristalina cuya resistencia disminuye rápidamente conforme aumentamos su temperatura.5 Volts. india en qué proporción el tríodo es capa: de amplificarun voltaje aplicado si rejilla.Si la rejilla de control se hace positiva respecto al cátodo. el flujo de electrones. y semi conductores segúnel numero de electrones en su capa periférica. circuitos telefónicos. si se aplica 1 volt de corriente alterna a larejilla. 5. PO: consiguiente. La rejilla de control consiste en un alambre muy delgado arrollado en es-piralalrededor del cátodo. por lo que el flujo de electrones entrecátodo y placa disminuye. Los semiconductores pueden agruparse en: a) semiconductores del tipo n: los semiconductores más importantes y más útiles sonlos que contienen cantidades muy pequeñas de impurezas. que permite controlar el paso de electrones entre cátodo y placa. Entre cátodo y placa aumenta si la rejilla de control se hace negativa. como el antimonio. su tendencia esrechazar los electrones emitidos por el cátodo. aisladores.05 diodos utilizados para ello se llaman diodos rectificadores. en el ejemplo propuesto el factor de amplificación es 40. Esta mezcla esllamada semi conductores tipo n. por consiguiente. Esta capacidad inestable tratara de capturar un electrón deotro átomo para conformar entonces una capa estable de ocho electrones. . que en conclusión se refiere a los electroneslibres. se obtener 40 volts de corriente alterna en el circuito de placa. como 40 es a 1. El factor de amplificación u. Los semi conductoresentre los aisladores y los conductores eléctricos existe una tercera clase de resistividadintermedia que son los semi conductores.

por lo tanto. en cuyo caso no hay paso de electronesentre cátodo y placa el potencial de rejilla que reduce a cero la corriente electrónica se llama potencial de corte. y el negativo de labatería al lado p de la unión. UniónP-N Hay que recordar que lo típico de un diodo de vacío esque conduce cuando la señal(vs) que le llega es positivo. defina transistores y sus partes: . 6. pues elcampo exterior creado es del mismo sentido que el campo eléctrico propio produciéndose una corriente prácticamente nula y se denominacorriente inversa de saturación. si la unión P-N se polariza positivamente.Si la rejilla-de control es suficiente-mente negativa. en la separación NPnos encontramos con una acumulación de 10nes positivos en n y de iones negativosen p. esto sucede cuando se conectael terminal positivo de la batería al lado n de la unión. La falta de electrones o hueco se traslada ahora otra capa externa y así sucesivamente. que depende de lospotenciales de placa y de rejilla. y si la unión de P-Nse polariza negativamente. siendo esto una barrera de potencial.se define como la variación del potencial placa entre la variación correspondientedel potencial de rejilla que hay que realizar para mantener la corriente de placa constante. 7. por consiguiente. El voltaje que mantiene negativa la rejilla de control se llama voltaje dipolarización de rejilla polarizar la rejilla es. puede igualar exacta-mente laatracción de la placa o ánodo sobre los electrones. y no conduce cuando vs = o. el proceso de hacer negativala rejillarespectoal cátodo. un pequeñopotencial negativo aplicado a ella puede producir el corte o interrupción de corrienteelectrónica. esto se consigue conectando elterminal positivo de la batería al lado p de l unión y el campo creado será desentido opuesto al EO y se reduce l barrera de potencia. aun cuando el ánodo o placa tenga un alto potencia positivo. Como la rejilla de control se encuentra muy próxima al cátodo. de esta manera se establece una corrienteeléctrica superficial mente grande. aumentándose la barrera de potencial. contrario al movimiento de los electrones que contemplan la capa se puede por lo tanto decir que los huecos se comportan con cargas positivas móviles. así. con la uniónP-N setiene el mismo efecto._ Define: unión P-N / unión N-P Unión N-P es una unión N-P los iones positivos de n se alejan a los huecos positivos de P y los10nes negativos de p se alejan a los electrones negativos de n._ A que se denomina factor de amplificaciónfactor de amplificación Un concepto muy útil es el llamado factor de amplificación. con lo que losportdores mayoritarios p (huecos) y los mayoritarios en n (electrones)cruzaran fácilmente la barrera. y 8.

Transistor. inventado en 1947 por J. grabadoras. dos de las cuales son del mismo tipo. ordenadores. y las otras dos al emisory al colector que. frágil (un golpe podíadesplazar las puntas) y ruidoso. Se basa en efectos de superficie. lámparas fluorescentes. equipos de rayos x. teléfonos móviles.automóviles. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. se contaminan en forma muy controladatres zonas. conmutador o rectificador. La configuración de uniones PN. impresoras. si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. donde laletra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. lavadoras. el transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones deamplificador. Normalmente se utilizan como elementosaceptadores p al indio (IN). Brattain. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantescomo el diamante. muy juntas. poco conocidos ensu día. relojes de cuarzo. actualmente seencuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. o BJT por sus siglas en inglés. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminantes.semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. reproductores mp3. 1948) debido a su mayor ancho de banda en la actualidad ha desaparecido. transistor de unión unipolar o de efecto de campo. silicio o arseniuro de gallo. fue el primer transistor capaz de obtenerganancia.sobre la que se apoyan. El término "transistor" es lacontracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Shockley.de ahí el nombre de "transfer resistor". Consta de una base de germanio. sin embargo convivió con el transistor de unión (W. reproductores de audio y video. equipos de refrigeración. tomógrafos. y Transistor de unión bipolar el transistor de unión bipolar. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y elcolector.la zona n con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona p deaceptadores o "huecos" (cargas positivas). NPN o PNP. oscilador. y transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. Bardeen y W. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación y del comportamiento cuántico de la unión. quedando formadas dosuniones NP.calculadoras. aluminio (AL) o Galio (GA) y donantes n al arsénico (AS) ofósforo (P). entre otros. hornos de microondas.ecógrafos. . Tipos de transistor. c. que tienen cualidades desemiconductores. se fabrica básicamente sobre unmonocristal de germanio. Sobre el sustrato de cristal. dan como resultado transistores PNP o NPN.televisores. tienen diferente contaminación entre ellas por lo general el emisor esta mucho mas contaminado que el colector. alarmas.

d.)Por tanto. en esencia. un fototransistor es. Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metálicoque permitirá conectarlo a un circuito. en el que la compuerta seaísla del canal mediante un dieléctrico. Fototransistor los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanasa la de la luz visible. según la disposición de estascapas. a uno de estos contactos le llamaremos surtidor y alotro drenador. cesa la conducción en el canal. construido mediante una unión PN. Los más utilizados son los transistores NPN. dispuestas de forma alternada. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de laluz incidente. MOSFET. de tipo p ytipo n. donde MOS significa metal-óxido semiconductor. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando apuerta al surtidor. IGFET. a la que llamaremos corriente dedrenador con polarización cero. por lo que vamos a centrarnos en el estudio deestetipo de dispositivos. fue elprimer transistor de efecto de campo en la práctica. ‡ Como fototransistor. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces decorriente de base. (IP) (Modo de iluminación). base y colector. lo forma una barra de materialsemiconductor de silicio de tipo n o p. e. se producirá una puerta. El transistor de efecto de campo. metal. JFET. tienen alta impedancia de entrada. ‡ TransistorNPN. estableceremos una corriente. podemos tener dos tipos de transistores: ‡ TransistorPNP. Estructura del transistor. Podemos considerar eltransistor constituido por dos diodos: . sóloque puede trabajar de 2 maneras diferentes: ‡ Como un transistor normal con la corriente de base (lb) (modo común). ‡ Transistor de efecto de campo de unión. en los terminales de la barra se establece uncontacto óhmico. ‡ Transistor de efecto de campo MOS. lo mismo que un transistor normal. que controla lacorriente en función de una tensión. que recibenlos nombres de emisor.el transistor de unión unipolar. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo n de la forma másbásica. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). eltransistor es un dispositivo de tres terminales. Todo el conjunto se recubre con un encapsuladoprotector. ‡ Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plástico. si se difunden dos regiones p en una barra de material n y se conectan externamenteentre sí. Con un potencial negativo de puerta al que llamamostensión de estrangulamiento.en este caso la compuerta es metálica y está separada del canalsemiconductor por una capa de óxido.el transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor.

con requerimientos de energía muy reducidos y de larga vida. en consecuencia podemos establecer la siguienterelación: IE=IB+IC Si conocemos dos de las corrientes del transistor. para quefuncione un tubo al vacío su cátodo debe calentarse. en primer lugar. y por tanto. En consecuencia. y esto se logra pasando una corrientecercana a él. portátiles. mientras que lacorriente de emisor sale del dispositivo. el voltaje típico que se requiere para lograr esto es de 250 v. la expresión anterior nos permitirácalcular la tercera.‡ Uno formado por la unión emisor-base. ya que se le pudoutilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos. por tanto. aparatos de control industrial. el uso de untransistor en lugar de tubos al vacío ahorra mucha energía. Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor. resulta máseconómico. el transistor. se observa que las corrientes de base y de colector entran. con él se inició la miniaturización de los aparatos electrónicos. el transistor no requiere este calentamiento._ escriba las ventajas de los transistores sobre los tubos eléctricos: Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío. lo cual no ocurre con los tubos al vacío. 9. entre los terminales del transistor segeneran las siguientes caídas de tensión: ‡ VCE: tensión colector-emisor ‡ ‡ VBE: tensión base-emisor. pues elterminal de base controla el paso de corriente eléctrica entre el colector y el emisor. computadoras electrónicas. la respuesta del transistor a señales de frecuencias muy altas es muyefectiva. por lo queempieza a funcionar inmediatamente después de su conexión. Asimismo.el invento del transistor abrió una nueva era en la civilización moderna. entre otros que gracias a los transistores fueron de tamaños relativamente pequeños. En segundo lugar._ defina un circuito integrado y explique sus ventajas: . cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona inmediatamentedespués de haberse conectado.Como el tamaño de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vacío. 10. en las décadas de 1950 y1960 se construyeron radios. una vezconectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente elcátodo. ‡ Otro por la unión base-colector.

es una pastilla pequeñade material semiconductor. relojes digitales y videojuegos. control medioambiental y comunicaciones. sobre la que sefabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotografía y que está protegida dentro de encapsulado de plástico y cerámica. el encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre la pastilla y un circuito impreso. Republica Bolivariana de Venezuela. como computadoras y calculadoraspersonales. Su uso está muy extendido en la industria. Se han utilizado también para mejorar yrebajar el coste de muchos productos existe. los receptoresde radio y los equipos de alta fidelidad. lamedicina. como los televisores. de algunos milímetros cuadrados de área. . Ventajas: en electrónica de consumo. también conocido como chip o microchip. los circuitos integrados han hecho posible eldesarrollo de muchos nuevos productos. el control de tráfico (tanto aéreo corno terrestre).Circuito integrado Un circuito integrado (ci).

Ministerio del Poder Popular para la Educación. U. del Rosario de Fátima. Efecto Termoiónico Integrantes: Vásquez Fabiola # 20 Pacheco Emmanuel # 28 Graterol Priscilla # 29 Meza Rubén # 30 .E Colegio Ntra. Sra.

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