1. En que consiste el efecto termoiónico: Efecto termoiónico.

En los metales existe cierto número de electrones libres, es decir, electrones que pueden pasar fácilmente de un átomo a otro del metal y están en continuo movimiento. Normalmente estos electrones permanecen dentro del metal de que forman parte y no escapan de su superficie, debido a las fuerzas de atracción electrostática de los núcleos atómicos. A temperaturas elevadas, la energía cinética de los electrones libres aumenta y muchos superan la atracción de los núcleos y atraviesan la superficie del metal pasando al espacio circundante. Este tipo de liberación de electrones de un metal se conoce con elnombre de "emisión termoiónica" o "efecto termoiónico".La cantidad de electrones que se des-prende de la superficie de un metal por emisióntermoiónica, depende de la naturaleza de la superficie emisora y de la temperatura. La mayorparte de los' metales puros emiten electrones sólo a temperaturas muy elevadas. Sinembargo, si los metales están recubiertos con una capa de óxido, pueden emitir electronesatemperaturas relativamente baias. El "efecto termoiónico" fue descubierto por el norteamericano TomásEdison en1883, mientras experimentaba con su lámpara de incandescencia, por lo que el "efectotermoiónico" se llama también «efecto Edison". Para la época en que Edison observó elfenómeno, nada se sabía acerca de los electrones, por lo que este físico no pudo darsecuenta de la importancia de su descubrimiento.el primero en investigar y encontrar una aplicación del "efecto termoiónico" fue elcientífico inglés Fleming en 1905, quien construyó el diodo o tubo de dos electrodos. 2. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Diodo o tubo de dos electrodos: Consiste en una ampolla de vidrio en la cual se ha practicado el que lleva en suinterior dos electrodos: un cátodo, cuya función es emitir electrones por calentamiento(efecto termoiónico) y un ánodo o placa, cuya función-es atraer dichos electrones.el cátodo puede ser de "calentamiento indirecto" o de "calentamiento di-recto". El cátodo de "calentamiento indirecto" consiste en un tubo delgado de níquel, revestido exteriormente con una mezcla de óxido de bario y estroncio, que lleva separadamente en su interior un filamento de tungsteno: si el filamento se calienta haciendo pasar a su través una corriente eléctrica, el cátodo también se calienta y de sus paredes se desprenden electrones. En los cátodos de "calentamiento di-recto" no existe tubo alrededor del filamento, por consiguiente, es el mismo filamento el que emite electrones al calentarse. el ánodo o placa consiste en un cilindro metálico, coaxial con el cátodo, provisto de aletas. Estas últimas aumentan la superficie del ánodo y disipan el calor que se produce por el choque de los electrones contra sus paredes si se aplica una diferencia de potencial entre placa y cátodo mediante una batería, los electrones emitidos por el cátodo pueden ser atraídos o repelidos por la placa, según que ésta sea positiva o negativa.

Ejemplo si agregamos alsilicio o al germanio una cantidad de un elemento que contenga pequeñasimpurezas. .05 diodos utilizados para ello se llaman diodos rectificadores. es decir. Los semi conductoresentre los aisladores y los conductores eléctricos existe una tercera clase de resistividadintermedia que son los semi conductores. La conversión de corriente alterna en continua es de gran utilidad para di-versos fines.5 Volts. Por lo tanto las variaciones: AVP: 60 Volts y AVR: 1. b) semiconductores del tipo P: se llama así a los semi conductores con preponderanciade la conducción por hueco (falta de un electrón). estos no son mas que materiales de estructuracristalina cuya resistencia disminuye rápidamente conforme aumentamos su temperatura. como 40 es a 1. Esta capacidad inestable tratara de capturar un electrón deotro átomo para conformar entonces una capa estable de ocho electrones._ Explique como se caracterizan los conductores. 4. en otra que circula en un solo sentido. este átomo de boro tendrá sieteelectrones ahora en su capa más externa con los cuatro electrones prestados a susvecinos átomos de GE. el factor de amplificación es. su tendencia esrechazar los electrones emitidos por el cátodo. y 1. Entre cátodo y placa aumenta si la rejilla de control se hace negativa. el flujo de electrones.Si la rejilla de control se hace positiva respecto al cátodo. si se aplica 1 volt de corriente alterna a larejilla. Los semiconductores pueden agruparse en: a) semiconductores del tipo n: los semiconductores más importantes y más útiles sonlos que contienen cantidades muy pequeñas de impurezas. transformar una corriente que varía de sentido periódicamente. como el antimonio. galvanización. por consiguiente.3. este es capaz de proporcionar electrones deconducción. de modo que los electrones emitidos por éste puedan pasar a travésdel espacio que queda entre las espiras. aparatos de radio y aparatos de tele-visión. El factor de amplificación u. quedando los electrones en libertad de moverse. en el ejemplo propuesto el factor de amplificación es 40. se obtener 40 volts de corriente alterna en el circuito de placa. llamado rejilla grilla. aisladores. circuitos telefónicos. que permite controlar el paso de electrones entre cátodo y placa. eltríodo o tubo de tres electrodos es un diodo que lleva un tercer electrodo. explique el proceso de rectificación de una corriente alterna por un diodo: El diodo como rectificador de la corriente alterna la aplicación más importante del dio-do es transformar corriente alterna en corriente continua. tales como carga de baterías. que en conclusión se refiere a los electroneslibres. 5. PO: consiguiente. Este proceso se llama rectificación de la corriente. Explique las partes constitutivas de un diodo y su funcionamiento: Tríodo o tubo de tres electrodos. La rejilla de control consiste en un alambre muy delgado arrollado en es-piralalrededor del cátodo. y semi conductores segúnel numero de electrones en su capa periférica. india en qué proporción el tríodo es capa: de amplificarun voltaje aplicado si rejilla. por lo que el flujo de electrones entrecátodo y placa disminuye. Esta mezcla esllamada semi conductores tipo n. En un cristal de GE por átomo deB que contiene 3 electrones en su capa más externa. locual significa que la variación del voltaje de (placaAVP está con la variación del voltaje derejilla AVR.

UniónP-N Hay que recordar que lo típico de un diodo de vacío esque conduce cuando la señal(vs) que le llega es positivo. un pequeñopotencial negativo aplicado a ella puede producir el corte o interrupción de corrienteelectrónica. en la separación NPnos encontramos con una acumulación de 10nes positivos en n y de iones negativosen p._ A que se denomina factor de amplificaciónfactor de amplificación Un concepto muy útil es el llamado factor de amplificación. el proceso de hacer negativala rejillarespectoal cátodo. siendo esto una barrera de potencial. por lo tanto. La falta de electrones o hueco se traslada ahora otra capa externa y así sucesivamente. puede igualar exacta-mente laatracción de la placa o ánodo sobre los electrones. aumentándose la barrera de potencial. con la uniónP-N setiene el mismo efecto. así. contrario al movimiento de los electrones que contemplan la capa se puede por lo tanto decir que los huecos se comportan con cargas positivas móviles. y no conduce cuando vs = o. por consiguiente. aun cuando el ánodo o placa tenga un alto potencia positivo.Si la rejilla-de control es suficiente-mente negativa. defina transistores y sus partes: . y 8. pues elcampo exterior creado es del mismo sentido que el campo eléctrico propio produciéndose una corriente prácticamente nula y se denominacorriente inversa de saturación. Como la rejilla de control se encuentra muy próxima al cátodo. de esta manera se establece una corrienteeléctrica superficial mente grande. esto se consigue conectando elterminal positivo de la batería al lado p de l unión y el campo creado será desentido opuesto al EO y se reduce l barrera de potencia. que depende de lospotenciales de placa y de rejilla. con lo que losportdores mayoritarios p (huecos) y los mayoritarios en n (electrones)cruzaran fácilmente la barrera. y si la unión de P-Nse polariza negativamente. El voltaje que mantiene negativa la rejilla de control se llama voltaje dipolarización de rejilla polarizar la rejilla es._ Define: unión P-N / unión N-P Unión N-P es una unión N-P los iones positivos de n se alejan a los huecos positivos de P y los10nes negativos de p se alejan a los electrones negativos de n. si la unión P-N se polariza positivamente. 6. en cuyo caso no hay paso de electronesentre cátodo y placa el potencial de rejilla que reduce a cero la corriente electrónica se llama potencial de corte. 7. y el negativo de labatería al lado p de la unión.se define como la variación del potencial placa entre la variación correspondientedel potencial de rejilla que hay que realizar para mantener la corriente de placa constante. esto sucede cuando se conectael terminal positivo de la batería al lado n de la unión.

entre otros. frágil (un golpe podíadesplazar las puntas) y ruidoso. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación y del comportamiento cuántico de la unión. tomógrafos. alarmas. reproductores mp3. relojes de cuarzo. y las otras dos al emisory al colector que. Brattain. reproductores de audio y video. o BJT por sus siglas en inglés. Bardeen y W. transistor de unión unipolar o de efecto de campo. y transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto.sobre la que se apoyan. c. muy juntas. teléfonos móviles. equipos de rayos x. dan como resultado transistores PNP o NPN.la zona n con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona p deaceptadores o "huecos" (cargas positivas). donde laletra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. Tipos de transistor. quedando formadas dosuniones NP. oscilador.automóviles. NPN o PNP. lavadoras. tienen diferente contaminación entre ellas por lo general el emisor esta mucho mas contaminado que el colector. equipos de refrigeración. 1948) debido a su mayor ancho de banda en la actualidad ha desaparecido. conmutador o rectificador. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). La configuración de uniones PN. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. ordenadores. sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley. . poco conocidos ensu día. dos de las cuales son del mismo tipo. El término "transistor" es lacontracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). y Transistor de unión bipolar el transistor de unión bipolar. si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. fue el primer transistor capaz de obtenerganancia. Se basa en efectos de superficie. Consta de una base de germanio. se fabrica básicamente sobre unmonocristal de germanio.televisores.calculadoras. hornos de microondas. lámparas fluorescentes. actualmente seencuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. inventado en 1947 por J. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y elcolector.Transistor. que tienen cualidades desemiconductores. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminantes. grabadoras. el transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones deamplificador.semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. aluminio (AL) o Galio (GA) y donantes n al arsénico (AS) ofósforo (P). se contaminan en forma muy controladatres zonas. impresoras. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantescomo el diamante. Sobre el sustrato de cristal. silicio o arseniuro de gallo. Normalmente se utilizan como elementosaceptadores p al indio (IN).de ahí el nombre de "transfer resistor".ecógrafos.

d. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo n de la forma másbásica. que recibenlos nombres de emisor. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando apuerta al surtidor. e. El transistor de efecto de campo. Con un potencial negativo de puerta al que llamamostensión de estrangulamiento. ‡ Transistor de efecto de campo de unión. un fototransistor es. tienen alta impedancia de entrada. en el que la compuerta seaísla del canal mediante un dieléctrico.el transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor. Podemos considerar eltransistor constituido por dos diodos: . Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metálicoque permitirá conectarlo a un circuito. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces decorriente de base. según la disposición de estascapas. lo mismo que un transistor normal. que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plástico. eltransistor es un dispositivo de tres terminales.)Por tanto. estableceremos una corriente. construido mediante una unión PN.en este caso la compuerta es metálica y está separada del canalsemiconductor por una capa de óxido. lo forma una barra de materialsemiconductor de silicio de tipo n o p.el transistor de unión unipolar. donde MOS significa metal-óxido semiconductor. por lo que vamos a centrarnos en el estudio deestetipo de dispositivos. metal. a la que llamaremos corriente dedrenador con polarización cero. a uno de estos contactos le llamaremos surtidor y alotro drenador. Estructura del transistor. base y colector. MOSFET. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de laluz incidente. que controla lacorriente en función de una tensión. ‡ Como fototransistor. Todo el conjunto se recubre con un encapsuladoprotector. sóloque puede trabajar de 2 maneras diferentes: ‡ Como un transistor normal con la corriente de base (lb) (modo común). Fototransistor los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanasa la de la luz visible. JFET. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). se producirá una puerta. en esencia. ‡ Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. en los terminales de la barra se establece uncontacto óhmico. dispuestas de forma alternada. fue elprimer transistor de efecto de campo en la práctica. si se difunden dos regiones p en una barra de material n y se conectan externamenteentre sí. podemos tener dos tipos de transistores: ‡ TransistorPNP. Los más utilizados son los transistores NPN. ‡ TransistorNPN. de tipo p ytipo n. IGFET. cesa la conducción en el canal. ‡ Transistor de efecto de campo MOS. (IP) (Modo de iluminación).

en primer lugar. el uso de untransistor en lugar de tubos al vacío ahorra mucha energía. y por tanto. aparatos de control industrial. el transistor. se observa que las corrientes de base y de colector entran._ escriba las ventajas de los transistores sobre los tubos eléctricos: Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío. Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor. ya que se le pudoutilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos. En consecuencia. En segundo lugar. 10. una vezconectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente elcátodo. el transistor no requiere este calentamiento. resulta máseconómico. Asimismo.‡ Uno formado por la unión emisor-base.Como el tamaño de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vacío. entre otros que gracias a los transistores fueron de tamaños relativamente pequeños. entre los terminales del transistor segeneran las siguientes caídas de tensión: ‡ VCE: tensión colector-emisor ‡ ‡ VBE: tensión base-emisor. en las décadas de 1950 y1960 se construyeron radios. mientras que lacorriente de emisor sale del dispositivo.con requerimientos de energía muy reducidos y de larga vida. para quefuncione un tubo al vacío su cátodo debe calentarse._ defina un circuito integrado y explique sus ventajas: . en consecuencia podemos establecer la siguienterelación: IE=IB+IC Si conocemos dos de las corrientes del transistor. ‡ Otro por la unión base-colector. y esto se logra pasando una corrientecercana a él. la expresión anterior nos permitirácalcular la tercera.el invento del transistor abrió una nueva era en la civilización moderna. la respuesta del transistor a señales de frecuencias muy altas es muyefectiva. pues elterminal de base controla el paso de corriente eléctrica entre el colector y el emisor. computadoras electrónicas. el voltaje típico que se requiere para lograr esto es de 250 v. por lo queempieza a funcionar inmediatamente después de su conexión. cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona inmediatamentedespués de haberse conectado. portátiles. lo cual no ocurre con los tubos al vacío. por tanto. con él se inició la miniaturización de los aparatos electrónicos. 9.

de algunos milímetros cuadrados de área. relojes digitales y videojuegos. el control de tráfico (tanto aéreo corno terrestre). Se han utilizado también para mejorar yrebajar el coste de muchos productos existe. lamedicina.Circuito integrado Un circuito integrado (ci). como los televisores. . los receptoresde radio y los equipos de alta fidelidad. el encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre la pastilla y un circuito impreso. Republica Bolivariana de Venezuela. los circuitos integrados han hecho posible eldesarrollo de muchos nuevos productos. control medioambiental y comunicaciones. también conocido como chip o microchip. sobre la que sefabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotografía y que está protegida dentro de encapsulado de plástico y cerámica. Su uso está muy extendido en la industria. Ventajas: en electrónica de consumo. es una pastilla pequeñade material semiconductor. como computadoras y calculadoraspersonales.

Ministerio del Poder Popular para la Educación.E Colegio Ntra. Efecto Termoiónico Integrantes: Vásquez Fabiola # 20 Pacheco Emmanuel # 28 Graterol Priscilla # 29 Meza Rubén # 30 . del Rosario de Fátima. Sra. U.

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