Electrónica Aplicada 2011 TEMA 1 Diodos. Prof.

Javier Mardones D’Appollonio

Unidad 1 EL DIODO SEMICONDUCTOR

Si se junta un cristal dopado con material tipo P, en conjunto a un material tipo N, se presenta un dispositivo
denominado Diodo como se muestra en la figura #1.

Figura #1: Diodo semiconductor

La palabra Diodo proviene de las palabras: DI = dos y ODO = Electrodo, es decir, elemento de dos
terminales. Al terminal conectado al lado P del diodo recibe el nombre de Ánodo y al terminal conectado al
lado N del diodo recibe el nombre de Cátodo y a la unión de los dos materiales se denomina Juntura.

Producto de la mutua repulsión que sufren los electrones libres del lado N, estos electrones son repelidos a
muchas partes y algunos de estos electrones atraviesan la juntura y se pasan al lado P, el cual se unirá a un
hueco de la banda de valencia para formar así un enlace covalente.
La figura #2 muestra este proceso el cual se denomina Difusión.

Figura #2: Proceso de Difusión

Se podría pensar que el proceso de difusión duraría por mucho tiempo, sin embargo, cada vez que un
electrón del lado N pasa al lado P, deja un ion positivo en el lado N por la ausencia del electrón y por el
contrario, en el lado P dejará un ion negativo producto de su presencia. Esto es, cada vez que un electrón del
lado N se difunde (hacia el lado P) deja un par de iones cercano a la juntura.
Como los primeros electrones que se difunden se encuentran cerca de la juntura, van dejando esta
área sin electrones y de huecos en el lado P, razón por la cual se denomina zona de agotamiento o zona
desierta. A su vez, los iones en la capa de agotamiento van dejando cada vez más cargada la zona desierta, el
cual actúa como una barrera que impide que nuevos electrones sigan cruzando la juntura. La figura #3
muestra este efecto, considerando que los signos ( + ) y ( - ) corresponden a los electrones y huecos
respectivamente, mientras que los mismos signos encerrados con un circulo corresponden a los iones
positivos y negativos,

Figura #3: Barrea de potencial

En efecto, para que un electrón del lado N pueda sobrepasar la juntura, deberá primero saltar la
barrera de iones negativos que se encuentran en el lado P que tiende a repeler dicho electrón y dejarlo
nuevamente en su posición original en el lado N.
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La barrera de potencial genera una diferencia de potencial cuyo valor es V =0,7Volt si el

semiconductor es de Silicio y de V =0,3 Volt si el semiconductor es de Germanio (valores aproximado). La
figura #4 muestra el símbolo esquemático del Diodo.

Figura #4: Simbología esquemática del diodo

Polarización del Diodo

Polarizar un dispositivo electrónico, implica conectar una batería o Fuente de alimentación continua
para su funcionamiento. Para el caso del diodo, se puede realizar dos tipos de polarización, llamadas
Polarización Directa y Polarización Inversa.

Polarización Directa:

Consiste en aplicar los terminales de la batería, de manera tal el terminal Positivo de la batería quede
conectado al Anodo o terminal P del diodo y el terminal Negativo de la batería quede conectado al Cátodo o
terminal N del diodo. La figura #5 muestra este tipo de conexión.

Como se puede apreciar en al figura 5 b, los

electrones libres del lado N del diodo, están sujetos a
dos fuerzas de repulsión. Hacia la izquierda
producto del terminal negativo de la batería y hacia
la derecha producto de la barrea de potencial. Esto
implica que el electrón se moverá hacia la izquierda,
si y solo si, la fuerza de repulsión del terminal
negativo de la batería sea mayor a la barrera de
potencial (esto es, un voltaje de la batería mayor o
igual a V=0,7Volt para el Silicio). Una situación
similar ocurre con los huecos del lado P.

La secuencia que se produce con los electrones

para una polarización directa, con un voltaje de
batería mayor o igual a V =0,7Volt para el Silicio
es la siguiente:

Figura #5: Polarización Directa del diodo

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1.- Después de salir el electrón desde el terminal negativo de la batería, se introduce por el extremo derecho
del diodo (lado N), para ser ingresado como electrón libre.
2.- Viaja a través de la región N como electrón libre en un movimiento hacia la izquierda o lado P.
3.- Cuando el electrón salta la juntura hacia el lado P, se recombina con un hueco de la banda de valencia,
convirtiéndose así en electrón de valencia.
4.- Ya en lado P, el electrón viaja como electrón de valencia (saltando de hueco en hueco) hacia la izquierda
(terminal positivo de la batería).
5.- Después de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo de la fuente.

En forma análoga se puede decir sobre el movimiento de huecos en el lado P.

La secuencia anteriormente indicada, refleja muy claramente por que se produce la conducción de corriente,
que no es otra cosa que el movimiento de electrones y/o huecos por unidad de tiempo. Sin embargo, se deben
aclarar algunos puntos necesarios sobre dicha secuencia.

a.- El sentido convencional que se da a la corriente, es inverso al movimiento de los electrones, esto es, el
sentido de la corriente convencional para el caso anteriormente mencionado sería de izquierda a derecha.
b.- El hecho que el electrón libre en la banda de conducción del lado N, baje como electrón de valencia en el
lado P, obliga a que este electrón libere energía (en la mayoría de los casos, esta energía se libera como
calor y es por eso es que los diodos se calientan cuando conducen). En algunos diodos especiales, esta
energía se libera como energía luminosa y a estos diodos se denominan diodos LED (Diodo Emisor de
Luz).
c.- En la práctica, no es que el electrón se desplace físicamente desde un terminal a otro, si no que realiza un
pequeño empujón al electrón contiguo y así sucesivamente, cuyo efecto es similar al desplazamiento total
del electrón.
d.- Dada que la resistencia macroscópica del semiconductor es baja, la corriente estará limitada
fundamentalmente por la resistencia externa.
e.- El voltaje que queda en el diodo, corresponde al potencial de Barrera más la corriente que circula por el
circuito multiplicada por la resistencia macroscópica del diodo (ley de Ohms), es decir:
Vd = V+ I*Rd con Rd = Resistencia del diodo.

Polarización inversa:

Consiste en aplicar los terminales de la batería, de manera tal el terminal Positivo de la batería quede
conectado al Cátodo o terminal N del diodo y el terminal Negativo de la batería quede conectado al Anodo o
terminal P del diodo. La figura #6 muestra este tipo de polarización.
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Como se puede observar en la figura 6. La fuerza

eléctrica obliga a los electrones libres del lado N a
trasladarse hacia la derecha o terminal positivo de la
batería, esto implica, que en la juntura estará cada
vez más ausente de electrones, es decir, la zona
desierta se ensancha y la barrera de potencial tendrá
cada vez mas iones, es decir esta barrera aumentará.
Una situación similar ocurrirá con los huecos del
lado P.
Esta situación conlleva varias interrogantes:

Figura #6: Polarización inversa

a) ¿Hasta donde se desplazará el electrón?

R) Si observamos la figura #6b. Nos damos cuenta que la fuerza eléctrica de la batería permite desplazar al
electrón hacia la derecha, sin embargo, este desplazamiento genera un aumento de la barrera de potencial
que a su vez tenderá a desplazar al mismo electrón hacia la juntura (efecto similar al de una cuerda que es
jalada de ambos extremos). Por lo tanto, el electrón se desplazará hasta tal punto en que la fuerza
eléctrica de la batería sea de igual valor a la fuerza eléctrica de la barrera de potencial. Esto es, cuando la
barrera de potencial tenga el mismo valor que el voltaje de la batería.

b) ¿Esto significa que no hay corriente circulando por el diodo?.

R) Deberíamos decir que efectivamente no hay corriente apreciable circulando por el diodo, sin embargo, si
observamos la figura #1 nos damos cuenta que en cada lado del diodo hay portadores minoritarios, esto
es, huecos de valencia en el lado N y electrones libres en el lado P. Luego, una polarización inversa
implica polarización directa para estos portadores minoritarios. Por tanto la respuesta correcta será que
no hay circulación de corriente apreciable producto de los portadores mayoritarios, sin embargo, existe
una pequeña corriente (normalmente despreciable) producto de los portadores minoritarios y que a su
vez, esta corriente denominada corriente inversa de saturación Is que es altamente dependiente de la
temperatura (ya que se produce un aumento en el rompimiento de los enlaces covalentes y generación de
pares hueco-electrón). Se puede demostrar que esta pequeña corriente (del orden de los peak Amperes)
se duplica con el aumento por cada 10ºC de temperatura y es independiente del voltaje inverso aplicado.
También existe otra corriente denominada corriente superficial de fuga ISL, que se produce
principalmente por las impurezas que quedan en las superficies del cristal que forman trayectorias
Ohmicas para las corrientes, es decir, actúa de acuerdo a la ley de Ohm. Sin embargo, esta corriente
también es del orden de los peak Amperes.
Los manuales técnicos normalmente llaman a estas dos corrientes como una sola denominada corriente
inversa IR, comúnmente esta corriente es especificada para un voltaje inverso VR específico y para una
temperatura específica. De manera tal que al aumentar el voltaje inverso y/o la temperatura, aumentará la
corriente inversa.
En resumen, podemos decir que en polarización directa no hay circulación de corriente apreciable y todo
el voltaje de la batería externa caerá en el diodo (específicamente, en la barrera de potencial).
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c) ¿Qué ocurre si el voltaje inverso es muy grande?.

R) En este caso el electrón libre del lado P (portador minoritario), se desplazará con energía cinética que al
chocar con un enlace covalente, lo romperá y habrá dos electrones libres. Estos dos electrones chocaran
con dos enlaces covalentes dejando cuatro electrones libres y así sucesivamente, es decir, se produce un
efecto llamado efecto de avalancha y se producirá un aumento brusco de la corriente denominada
corriente de avalancha, sin embargo, el voltaje del diodo se mantendrá en su mismo valor al momento de
producir el efecto de avalancha.
Sin embargo, en los diodos rectificadores el voltaje inverso de avalancha es muy grande (del orden
de los cientos de volt) y al producir un aumento brusco de corriente, también se producirá un aumento
brusco de la potencia de disipación que terminará por “quemar” al diodo. Por este motivo, al voltaje
inverso de avalancha se denomina voltaje de ruptura VB y es un valor que no debe de sobrepasarse al
momento de diseñar algún circuito con este tipo de diodos llamados comúnmente como diodos
rectificadores.
Existe una clase de diodos llamados Diodos Zener cuyo voltaje de avalancha es bajo (del orden de
los volts), y por tanto, si se limita la corriente de avalancha se puede tener corriente con polarización
inversa sin necesidad de “quemar” a este diodo. La particularidad es que el voltaje del diodo es muy
estable y su uso principal es de utilizarce como reguladores referenciales de voltajes. Por tal motivo, al
voltaje inverso de avalancha se denomina voltaje zener.
La figura #7 muestra el símbolo esquemático para representar al diodo zener.

Figura #7: Diodo Zener

Con los datos obtenidos de las polarizaciones directa e inversa del diodo, se puede obtener la curva
característica del diodo como se muestra en la figura #8.

Figura #8: Curvas características del diodo

La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente ecuación:

Con: K = 11,600/n y n=1 para Ge o n=2 para Si y TK = TC° + 273°

Para un diodo de silicio la corriente de saturación inversa IS aumentará cerca del doble en magnitud
por cada 10° C de incremento en la temperatura.
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ANÁLISIS POR RECTA DE CARGA

La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendrá un efecto importante sobre el punto
de región de operación de un dispositivo (en este caso el diodo). Ejemplo: Considere el circuito de la figura 9
y curva característica de la figura 10.

Figura #9: Circuito básico con diodo

Si se4 aplica la ley de voltajes de Kirchoff: - V+ VD + VL = 0 o bien

V = VD + ID*RL
Si se realiza un análisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una línea recta sobre la curva
características del diodo, entonces la intersección de éstas representará el punto de operación de la red o punto
Q.

a) Considere el punto 1, para la cual se hace

VD=0, es decir

Luego: Pto1. ID = V / RL y VD = 0

b) Considere el punto 2, para la cual se hace ID=0, es decir:

Luego pto2: V = VD e ID=0

Con estos dos puntos se grafican sobre la curva del diodo (Fig. #10) y se unen los puntos mediante una recta
denominada recta de carga, como se observa precisamente en la figura #10.
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Figura #10: Curva del diodo y recta de carga.

Nótese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de tal manera que representa
las características de la red. Si se modifica el valor de V o de RL o de ambos, entonces la recta de carga
cambiará también.
Como se mostró anteriormente, una línea recta trazada entre estos dos puntos define la recta de carga que
corresponde al conjunto de puntos que satisface la ecuación de malla. La intersección entre la recta de carga
y la curva del diodo, corresponde al punto de trabajo o punto Q, es decir, si proyectamos el punto Q
Sobre los respectivos ejes, nos encontraremos con la corriente que estará circulando por el diodo ( IDQ) y el
voltaje que tiene el diodo (VDQ), para las condiciones dadas en el circuito.

Ejercicios resueltos:

En los diversos circuitos que se muestran a continuación, determine VD, ID y VR.

Considere segunda aproximación.

1.- Con V = 12 volts

Realizando la malla:

-V + VT + VR = 0

-12+ 0.7 + I*R = 0

Despejando I de la ecuación anterior:

I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA

2.- Si en el ejemplo anterior se invierte el diodo:

Con el diodo invertido la corriente por el

diodo será cero

(si se utiliza el modelo simplificado) y

entonces

I = 0.

-12 - VD + VR = 0, donde VR = I*R = 0

VD = -12 volts

I = ID = 0 A

3.- Considere el mismo circuito inicial pero con V = 0,4 volts.

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En este caso, aunque la polaridad del voltaje

de la fuente es adecuada para polarizar el
diodo en forma directa, sin embargo, el
nivel de voltaje es insuficiente para activar
al diodo de silicio y ponerlo en el estado de
conducción como se muestra en el siguiente
gráfico.

Luego, de acuerdo con la gráfica se tiene ID

=0

-0.4 + 0.4 + VR = 0

-0.4 + 0.4 + ID*R = 0; I = 0 VR = 0

4.- Para el circuito de la figura, considere que un diodo es de Silicio y el otro es de Germanio. Determine el
voltaje en cada diodo, ID y VR. Considere segunda aproximación
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-12+ VTSi + VTGe+ I*R = 0 , si ID = I

-12+ 0.7+ 0.3 + I* (5.6k) = 0

I = 11V / 5.6k = 1.96 mA

VR = (1.96 mA)*(5.6 k) = 11

Vo = VR = 11V

5.- Para el circuito siguiente, calcule el voltaje en la resistencia (Vo) y la corriente que pasa por el circuito.

En este caso un diodo conduce pero el otro

diodo está polarizado inversamente, por lo
tanto I=0 y Vo=0 como lo demuestra el
circuito equivalente de la figura adjunta.

6.- Para el circuito siguiente, calcule el voltaje en la resistencia R2 o Vo y la corriente que pasa por el circuito.
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Si consideramos una malla por el circuito,

se tiene:

-V1 + VR1 + VD + VR2 - V2 = 0

-10 + IR1 +0.7 + IR2 - 5 = 0

-14.3 + I*(R1 + R2) = 0

I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA

Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v

VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v

7.- Para el circuito siguiente, calcule el voltaje en la resistencia (Vo) y la corriente que pasa por la resistencia.

-10 + VR + 0.7 = 0

-10 + (I)*(R) + 0.7 = 0

I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA

VR = (I)*(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v

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Aplicaciones de Diodos

1. Rectificadores

a) Rectificador de media onda.

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b) Rectificador de onda completa

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2. Limitadores

a) Limitador de tensión

La Fig. 3(a) muestra la característica tensión-de-salida frente a tensión-de-entrada

para el circuito de la Fig.1 (a). Es inmediato comprobar que la característica
complementaria, mostrada en la Fig.3 (b), se obtiene simplemente intercambiando los
terminales del diodo; esta característica permitiría eliminar los semiciclos positivos de la
señal de AC de entrada, dejando únicamente los negativos. Al integrar la señal así
rectificada se obtendría, un número negativo.
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c) Limitador de Intensidad
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d) Ejemplos de Limitadores

Limitador negativo

La diferencia con el limitador positivo radica en el cambio de dirección del diodo.

Para explicar el comportamiento del limitador

negativo vamos a analizar un limitador doble,
que esta compuesto por un limitador polarizado
positivo y otro limitador polarizado negativo

Ejemplo 1:

Esto era para RL >> R. Si no se cumpliera esto no sería una senoidal cuando no conducen
los diodos.

Es un circuito recortador (limitador), es un circuito limitador positivo polarizado y

limitador negativo polarizado.
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Aplicación: Si se mete una onda de peek

muy grande a la entrada, aparece una onda
prácticamente cuadrada a la salida, que
aunque no sea tan parecida se toma como si
fuese una onda cuadrada (es imposible hacer
una onda cuadrada perfecta).

Primera aplicación: "Transformar una

Senoidal a Cuadrada".

Si recorto en + 5 V y en 0 V.

Puedo aprovechar esto para electrónica

digital

3. Fijadores de Nivel

a) Fijador de nivel positivo

Lo veremos con un ejemplo:

NOTA: La carga no tiene porque ser solo una resistencia, puede ser el equivalente de
Thévenin de otro circuito, etc...

Truco: Se empieza por el semiciclo en el que conduce un diodo y se carga un condensador.

Seguimos con el ejemplo. Semiciclo negativo.

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Suponemos el diodo ideal. El condensador se carga en el semiciclo negativo. Una vez

cargado, el condensador se descarga en el semiciclo positivo:

Interesa que el condensador se descargue lo menos posible. Para que sea la descarga sea
prácticamente una horizontal se tiene que cumplir:

Si suponemos que el condensador se descarga muy poco, suponemos siempre cargado a 10

V el condensador.

Hemos subido 10 V el nivel de continua.

OFFSET = Nivel de continua

Este es el cambiador de nivel positivo. Si quisiera cambiar hacia abajo sería el cambiador
de nivel negativo que es igual cambiando el diodo de sentido.
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b) Fijador de nivel negativo

Como antes, el condensador siempre a 10 V. Se le resta 10 a la entrada. Es un "OFFSET

Negativo".

Todo esto es considerando el diodo ideal. Si usamos 2ª aproximación, diodo a 0.7 V.

Algunos Tipos de Diodos

a) Diodo Led

Es un diodo emisor de luz. Símbolo:

Se basa en:
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El negativo de la pila repele a los electrones que pasan de n a p, se encuentran en p con un

hueco, se recombina con él y ya no es electrón libre, al bajar de BC a BV pierde una
energía E que se desprende en forma de luz (fotón de luz).

Diferencias entre un diodo normal y un LED:

 Diodo normal, E en forma de calor.

Diodo LED, E en forma de fotón.(E = h*f, h = cte de Planck, f = frecuencia que da
color a esa luz).
 Diodo normal hecho de silicio.
Diodo LED hecho de As, P, Ga y aleaciones entre ellas. Para cada material de estos
la distancia de BC y BV es distinta y así hay distintos colores, y mezclándolos se
consiguen todos, hasta de luz invisible al ojo humano.

Aplicación:

 Lámparas de señalización.
 Alarmas (fotones no visibles).
 Etc...

El diodo LED siempre polarizado en directa, y emitirá luz.

La intensidad del LED: Normalmente para el valor de 10 mA se suelen encender (ver en el

catálogo). La tensión en el LED:
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EJEMPLO: TIL 222 LED verde, VLED = 1,8 : 3 V

Hay que ver que luz da, si funciona bien en ese rango de valores. Se sacan las intensidades
para los 2 extremos:

La corriente varía muy poco, lo que implica que la iluminación varía muy poco, está muy
bien diseñado.

EJEMPLO:

No es muy buen diseño porque la intensidad varía bastante, y la iluminación varía mucho.

Conclusión: Los circuitos con tensiones grandes y resistencias grandes funcionan bien, por
lo tanto, si se pueden tomar valores grandes.

b) El fotodiodo

Cuando se coloca una pila en inversa, el negativo atrae a los huecos y los saca de la unión
con el ión ( lo mismo con el positivo y los electrones). Pero se llega a un equilibrio, un
equilibrio con una W (anchura de z.c.e.) concreta.
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Y no tenemos ni huecos ni electrones en la z.c.e. (W) y esa unión la aportan los portadores
(h y e) (solo quedan los iones en la W).

Hay una pequeña generación térmica y los

pares h-e que se crean se recombinan antes
de llegar a W... No sirve para nada, se
recombinan pero los que se generan cerca
de la unión pueden cruzar y los minoritarios
sirven para cruzar y tenemos e hacia la
izquierda y h hacia la derecha. Tenemos así
una corriente inversa de saturación que es
muy pequeña. Otra corriente que tenemos es
la If que es también pequeña.

Se suele elegir la corriente de p hacia

n, en la realidad es al revés, por eso I =
-IS - If, es negativa.

En un fotodiodo además de la
generación térmica se le suma la Y la corriente es mayor:
"Generación por energía luminosa",
que la crean los fotones que atacan
cerca de la unión formando más pares
h-e y por lo tanto más corriente.
Entonces tenemos:
Aumenta en valor absoluto. Es para
convertir energía luminosa en energía
eléctrica.

c) El optoacoplador

Es un encapsulado con 4 patillas, también de negro, para que no salga luz de dentro hacia
fuera.
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Si se varia la pila varía ILED, varía la iluminación que recibe el fotodiodo, varía su corriente
I. Esta variación de V afecta a la I y esta a la tensión en R L. En realidad ese circuito es
como:

Pero el fotodiodo sirve para aislar, puede dar problemas conectar directamente a la carga.

EJEMPLO: Conectar un torno, se le debe enviar información digital.

Le mando información en 5 V y 0 V y como es un ambiente malo puede haber información

que varía, peak problemas (es decir peca se señales). Hay que aislar un circuito de control
(CNC) de la máquina que se va a controlar.

El optoacoplador suele quitar los peaks, amortigua las señales parásitas, no reacciona tan
bruscamente a la luz y se reducen los peaks problemáticos.

DIODO ZENER
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:

En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensión continua (tensión de codo).
En la zona de ruptura, entre la tensión de codo y la tensión zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito
abierto.
Cuando trabaja en la zona de ruptura se puede considerar como un generador de tensión de valor Vf = -Vz.

El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensión trabajando en la zona de disrupción. Podemos

distinguir:

1. Vz nom,Vz: Tensión nominal del zener (tensión en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener).
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2. Iz min: Mínima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de la cual se garantiza el adecuado
funcionamiento en la zona de disrupción (Vz min).

3. Iz max: Máxima corriente inversa inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se
destruye (Vz max).
4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el
producto de Vz nom y Iz max.

Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir
de las hojas de características suministradas por el fabricante):

1. Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min.

2. La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que I z max.

3. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la máxima
que este va a soportar en el circuito.

La aplicación de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensión y actúa como

dispositivo de tensión constante (como una pila).

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" ó "Efecto Zener", esto es, la

corriente aumenta bruscamente.

EJEMPLO: 1N759 VZ = 12 V IZT = 20 mA

El fabricante suele dar un valor intermedio de VZ y IZT.(corriente de prueba, valor al que el

fabricante a hecho esa prueba).
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Al ser una curva, su pendiente varía y su RZ también, entonces el fabricante suele dar el
valor en ese punto:

RZ = ZZT = 30 W a IZT = 20 mA

IZmáx = 30 ÷ 35 mA (esta variación entre diodos iguales es debida a la tolerancia).

Haciendo algunos cálculos:

PZ = VZ·IZ = 12·30 = 360 mW

= 12·35 = 420 mW

Tolerancia: En cuanto a la tensión zener (VZ):

Serie 1N746 (1N746 al 1N759) ± 10 %

Serie 1N746A (1N746A al 1N759A) ± 5 %

EJEMPLO: 1N759 VZ = 12 V ± 10 % (13,2 V y 10,8 V)

1N759A VZ = 12 V ± 5 % (12,6 V y 11,4 V)

Regulador con Zener

Anteriormente habíamos visto este circuito:
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Primeramente supondremos que están conectados directamente, por lo tanto vC = vL

entonces:

Problemas que podemos tener:

 RL variable (variaciones de carga).

 Variaciones de tensión de red (variaciones de red).

Debido a estos dos problemas la onda de salida de ese circuito puede variar entre dos
valores y como nuestro objetivo es obtener una tensión constante a la salida tendremos que
hacer algo. Para resolver este problema ponemos un regulador de tensión basado en el
diodo zener.

Ahora vamos a analizar este regulador de tensión.

Regulador de tensión en vacío (sin carga)

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vS estará entre un mínimo y un máximo, y el

regulador tiene que funcionar bien entre esos
2 valores (vSmáx y vSmín).En este caso vS lo
pondremos como una pila variable.

Además para que funcione correctamente el zener tiene que trabajar en la zona de ruptura.

Para que esté en ruptura se tiene que cumplir:

EJEMPLO: Comprobar si funciona bien el siguiente circuito:

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Hay que ver si en la característica los valores se encuentran entre I Zmín y IZmáx para
comprobar si funciona bien.

Funciona bien porque se encuentra entre los dos valores (máximo y mínimo). La salida es
constante, lo que absorbe la tensión que sobra es la R (que es la resistencia limitadora).

EJEMPLO:1N961 VZ = 10 V RZ = 8,5 V VRentr. = 2 V

Electrónica Aplicada 2011 TEMA 1 Diodos. Prof. Javier Mardones D’Appollonio

Problema 1.

Queremos construir un circuito estabilizador (Regulador) que entregue a la salida una

tensión de 5,1 V, sabiendo que la carga consume una ILmáx = 100 mA, siendo ILmín = 0 y
que dispone de una alimentación que varía entre 9 V y 10 V. Los diodos zener de que
se dispone son:

Elegir el componente que corresponda y diseñar el circuito.

Solución:

Si elegimos el Z1:

Si se abre la carga por el zener irían 105 mA y como I Zmáx = 78 mA no podría funcionar, se
quemaría y se estropearía no la resistiría. Si probamos con Z2:
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Veamos si es suficiente esa corriente, la peor suposición es I Lmáx = 100 mA.

Si abrimos la carga los 150 mA van por el zener y como soporta hasta 294 mA si valdría, el
Z2 es el adecuado. Ahora elegiremos la resistencia (R).

Tenemos dos puntos importantes para analizarlos:

 Peligro de que el zener se quede sin corriente

Suposiciones críticas para ese punto:

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El peor caso para que el zener se quede sin corriente es que vaya el máximo valor por R L o
que vaya el mínimo de tensión por RL (9 V).

Si varío esa R por ejemplo a 30 :

Disminuye la IZ al aumentar la R. Por lo tanto no puedo poner resistencias mayores que 26

. Si ponemos resistencias menores que 26  la intensidad zener aumenta y por lo tanto si
se pueden poner.

Peligro de que el zener se queme

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Entonces la resistencia esta entre estos dos valores:

Cualquier valor entre estos dos valores valdría, tomamos por ejemplo: R = 22 . Vemos
que ocurre en los 2 casos extremos:

Ahora que sabemos en que zona trabaja el zener tenemos que calcular de que potencia
elegimos esa resistencia.

Peor caso: IZ = 222 mA P = (10-5,1)·222·10-3 = 1,08 W

Se elige una valor normalizado de 2 W.

Ahora vamos a ver el rango de valores por el que mueve la resistencia de carga (RL):
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Problema.2.

a) Un diodo zener que disipa una Pmáx = 0.2 W, regula a 5 V desde una IZmín = 5 mA.
Se pretende construir un regulador de 5 V que regule desde I L = 0 hasta el valor
máximo de IL. Suponiendo una vi = 20 V. Determinar el valor de la Resistencia, su
potencia y la ILmáx.

Solución:

Primeramente calcularemos los puntos límite de ruptura del diodo zener:

Si la RL está en vacío, por la R va el máximo valor de la intensidad por el zener (I Zmáx = 40

mA). Para calcular el valor máximo de la intensidad por la carga, vemos que por el zener la
ILmín = 5 mA y como hemos dicho que el valor máximo por R son 40 mA, entonces por la
carga el máximo valor que irá será: I Lmáx = 35 mA. Ahora calcularemos los valores de la
resistencia (R), la tensión por la resistencia (VR) y la potencia por la resistencia (PR).
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b) Suponiendo que se mantiene la R del apartado a) y que la RL es cte y de valor 200

, hallar el valor máximo y mínimo de la tensión de entrada para que el circuito
regule bien.

Solución:

Para calcular los valores máximo y mínimo de la tensión de entrada tengo que estar en los
puntos límite del circuito.

Con lo que tenemos un rizado a la entrada entre esos 2 valores.