Tarea 4.

López Aranda José Antonio.

Laboratorio de Electrónica, Facultad de Ciencias.
Universidad Nacional Autónoma de México.
2022-1

30/11/21

Ejercicio 1.
Explique:

a Qué son los enlaces:

metálicos: Enlace presente en los metales de transición, donde los núcleos de los átomos se
mantienen unidos por medio de una nube electrónica formada por los electrones de valencia de
dichos átomos.
iónicos: Enlace entre dos átomos cuya diferencia entre sus electronegatividades es grande, el áto-
mo con mayor electronegatividad tiende a arrancar electrones de valencia del átomo con menor
electronegatividad, de esta manera se ionizan ambos átomos y se unen por interaccion electros-
tática.
covalentes: Enlace entre dos dos metales (de transición) donde ambos átomos comparten sus
electrones de valencia para completar sus octetos.

b El modelo de conducción en un sólido metálico.:Dado que los electrones en la nube electrónica están
debilmente ligados a los iones positivos, estos pueden moveerse con mucha facilidad, lo que genera
portadors de carga negativos.

c El modelo de conducción de un semiconductor: En los materiales cuyos átomos están unidos por medio
de enlaces covalentes, la energía térmica del medio donde se encuentra el material es absorbida por
los átomos del mismo hasta llegar al equilibrio termodinámico, ésta energía hace vibrar a los núcleos
y también a las regiones donde la densidad de probabilidad de los electrones es alta, con la suficiente
energía, esto provoca que el electrón ligado a esa densidad se libere, ionizando el núcleo del cual
se desprendió, esto produce dos portadores de carga, uno negativo (el electrón libre) y otro positivo
(el hueco que dejo funciona como una carga positiva). Estos portadores se mueven en direcciones
opuestas.

d Qué son los portadores térmicos o intrínsecos en un semiconductor puro y por qué se producen: Como
se explicó arriba, estos portadores surgen cuando un material se encuentra en presencia de energía
térmica, la cual es absorbida por el material y hace vibrar sus átomos, lo que rompe un enlace entre
dos átomos liberando un electrón y dejando un hueco, siendo el electrón y el hueco los portadores
térmicos.

e Qué son las impurezas trivalentes y las pentavalentes y como afectan el proceso de conducción en
un semiconductor: A los materiales semiconductores se les puede dopar con algunos átomos de otro
elemento para que presenten un exceso de portadores libres de carga negativa o positiva según sea el
caso.

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 Para el caso de las impurezas pentavalentes, éstas consisten en dopar elementos del grupo 4 de la
tabla periódica (como el silicio o el germanio), los cuales tienen 4 electrones de valencia en su orbi-
tal más externo, con elementos del grupo 5, los cuales tienen 5 electrones de valencia, estos átomos
ocupan algunos espacios que corresponderían a átomos del elemnto que compone al material, al tener
un electrón extra de valencia, este electrón no tiene otro átomo con el cual unirse y por tanto queda
libre dentro del material, generando un portador de carga negativo, agregando un átomo de impureza
por cada 108 átomos de material se puede obtener un cambio notable en el número de portadores de
carga negativos. Dado que ahora la cantidad de portadors negativos es mayor a la de los positivos, el
proceso de conducción se deberá mayoritariamente a los electrones.A este tipo de semiconductores se
les conoce como tipo N.
Las impurezas trivalentes siguen el mismo razonamiento, con la diferencia de que se utilizan los ele-
mentos del grupo 3 (que poseen tres electrones de valencia), al haber ahora un electrón menos, se
generan huecos que se comportan como portadores de carga positivos y entonces los portadores ma-
yoritarios del material se vuelven los portadores de carga positivos. A este tipo de semiconductores se
les conoce como tipo P.

f Qué es una junta semiconductora y como se realiza el proceso de conducción en ella. Bosqueje la
gráfica corriente vs. voltaje en una unión semiconductora N – P:Una junta semiconductora es la unión
de dos semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N, al unirse y dado que los portadores de carga en
cada material es diferentes, estos se encuentran en la frontera, provocando que cerca de ella, no existan
portadores de carga de ningún tipo al generarse un campo eléctrico que impide el paso de electrones
entre los cirstales.
Hay dos formas de conectar una junta semiconductora, por polarización directa e indirecta, en el pri-
mer caso se conecta una fuente con los polos conectados con su análogo en la junta, es decir, el polo
positivo de la fuente se conecta al cristal P y el polo negativo se conecta al cristal N, al estar conectado
de esta forma, la diferencia de potencial se opone al campo eléctrico generado en la región de deple-
xión, cuando esta diferencia de potencial ( y por tanto el campo eléctrico asociada a la misma) supera
al campo generado en la región de deplexión, los electrones de ambos lados pueden saltar entre los
cristales, generando así una corriente eléctrica.
Si la junta se conecta en sentido inverso, es decir con la terminal positiva conectada al cristal N y la
terminal negativa al cristal P, el campo eléctrico generado por la fuente ahora va en la misma direc-
ción que el campo en la región donde los cristales se unen, incrementándolo, por lo que la barrera de
potencial que los electrones deben superar es mayor y por tanto no saltan entre los cristales, por lo
que no fluye un corriente debido a los portadores mayoritarios, la única contribución es debido a los
portadores minoritarios que se generan por el cambio en la temperatura del cristal.La figura 1 ilustra
la corriente que pasa con respecto al voltaje.

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 Figura 1: Ejercicio 1.

Ejercicio 2
Para cada uno de los siguientes circuitos encuentre la forma de onda de la señal de salida.

Figura 2: Ejercicio 2.

Solución.
Tomemos el primer circuito a la izquierda en la figura 2, queremos la diferencia de potencial que hay sobre el
diodo 1N4148, para ello notemos que al estar conectado a una fuente senoidal de voltaje, la polarización del
diodo cambiará periódicamente, y por tanto el voltaje que por el pasa, el diodo se encuentra en polarización
directa cuando la señal de la fuente es positiva, durante éste proceso, el campo eléctrico generado por la
fuente se opone al campo que está presente en la junta N-P, reduciendo así la zona de deplexión hasta que
el diodo conduce, comportandose como un alambre, sin embargo, el voltaje no es cero, dado que hablamos
deun diodo real, hay una pequeña diferencia de potencial no nula presente en todas las partes positivas de
la señal. Cuando la señal es negativa, el diodo queda polarizado en sentido inverso, por lo que el campo
eléctrico generado por la fuente es paralelo al generado en la zona de deplexión, incrementando su ancho,
por lo que en este lapso el diodo no conduce má que una pequeña corriente debida a portadores minoritarios,
por lo que la diferencia de potencial en el diodo será la misma que en la fuente. LAs observaciones realizadas
previamente son plasmadas en la figura 3.

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 Figura 3: Gráfica de la señal del primer circuito.

Si ahora tomamos el circuito superior derecho de la figura 2 notamos que es casi el mismo que el anterior,
con la diferencia de que el diodo se encuentra conectado al revés, lo que provoca que ahora en la parte positiva
de la señal, el diodo quede polarizado en sentido inverso y por tanto su diferencia de potencial es la misma
que la de la fuente, mientras que en la parte negativa de la señal, el diodo queda polarizado directamente, por
lo que el voltaje en el diodo es el mismo que para la parte positiva de la señal en el circuito anterior, en otras
palabras, la señal de este diodo está desplazada π respecto a la del circuito anterior.

Figura 4: Gráfica de la señal del segundo circuito.

Consideremos ahora el circuito inferior izquierdo de la figura 2, notemos que ahora se tiene una fuente de
voltaje directa conectada al diodo, lo que va a re-escalar el voltaje cuando la señal sea positiva, es decir, cuan-
do la señal de la fuente alterna sea positiva el diodo quedará polarizado directamente, dado que hablamos
de un diodo ideal, este se comportará como un alambre y entonces la única diferencia de potencial presente
será la de la fuente directa (la batería) de 5V, por otro lado ,cuando la señal sea negativa, el diodo estará
polarizado en sentido inverso, por lo que no conducirá y la diferencia de potencial se deberá únicamente a la
fuente de voltaje alterna, por lo que la gráfica de la señal queda como en la figura 5.

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 Figura 5: Gráfica de la señal del tercer circuito.

Por último tenemos el circuito de la esquina inferior derecha, el cual es parecido al anterior, con la di-
ferencia de que el diodo se encuentra conenctado al revés, por lo que ahora para la señal positiva, el diodo
quedará polarizado a la inversa, por lo que no conducirá y la única diferencia de potencial será la de la fuente
alterna, cuando la señal sea negativa, el diodo quedará polarizado directamente y al ser ideal conducirá como
si fuera alambre, por lo que la única diferencia de potencial se deberá a la pila de 7V, por lo que la gráfica de
la señal queda como en la figura 6.

Figura 6: Gráfica de la señal del cuarto circuito.

Ejercicio 3.
Explique el proceso de rectificación en el circuito de la figura. Dibuje la forma de la onda en cada punto del
circuito.

Figura 7: Ejercicio 3.

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 Primero nombremos a los diodos como se muestra en la figura 8.

Figura 8: Nombramiento de diodos.

Inicialmente se tiene un voltaje senoidal de 120V como se muestra en la figura 9.

Figura 9: Voltajes antes y después de pasar por el transformador.

Posteriormente al pasar por el transformador el voltaje se disminuye debido a la diferencia de vueltas

entre el embobinado primario y el secundario, dependiendo del número de vueltas el voltaje disminuirá, apa-
reciendo del otro lado un voltaje por inducción de menor amplitud como se muestra en la figura 9.
A partir de aquí, el circuito va a conducir en dos caminos dependiendo del signo sel voltaje, para la parte
positiva, la corriente fluirá por el diodo 2 que es el que queda polarizado de forma directa, de ahí llegará al
filtro pasa-bajos que hará la señal menos oscilante, posteriormente la corriente fluirá por el diodo 4, cerrando
así el circuito. Cuando el voltaje es negativo, la corriente fluye por el diodo 3 al filtro pasa-abajos, y depués
pasa por el diodo 1, notese que en ambos caminos la resistencia de carga es recorrida en el mismo sentido, lo
que implica que el voltaje en esa región es siempre positivo, por lo que la señal si solo estuviera la resistencia
se vería como en la figura 10.El voltaje que entrega el filtro es como el de la figura 10.

Figura 10: Voltaje de salida para una señal pulsante y voltaje para un rectificador de onda completa.

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 Ejercicio 4.
Calcule el valor de la resistencia R, en el siguiente circuito regulador.

Figura 11: Ejercicio 4.

Tenemos un circuito rectificador de onda completa con una derivación central, es decir, la señal de salida
será un rizo que oscilará alrededor de un valor constante, para aproximar el valor de R primero debemos
obtener los valores para los voltajes en cada parte derecha del circuito, notemos que tenemos un diodo Zener,
el cual tiene un voltaje de ruptura de 9V, dado que la señal presenta un voltaje mayor, el diodo se comportará
como una batería de 9V con una tolerancia de 2W, que es la potencia máxima que el diodo soporta antes de
dejar de funcionar, por lo que:
Pmax 2W 2
P = V i ⇒ Pmax = Vz imax ⇒ imax = = = A (1)
Vz 9V 9
Dado que la resistencia de carga de 680Ω se encuentra conectada en paralelo con el diodo Zener, a través de
ella cruzará el mismo voltaje y por tanto la corriente en dicho lugar es:
Vz 9V 9
i RL = = = A (2)
RL 680Ω 680
Si al nodo que une al diodo Zener con la resistencia de carga se el aplica la ley de Kirchhoff de corrientes se
tiene que la corriente máxima que puede pasar por R es:
2 9 1441
iRmax = iRL + imax = A + A= A ≈ 0.2354A (3)
9 680 6120
Por otro lado de la ley de Ohm se sigue que:
VRmax
iRmax = (4)
R
Donde Vmax viene dado por la diferencia entre la amplitud máxima de la señal y Vz , es decir Vmax =
12V − 9V = 3V , por lo que igualando (3) y (4):
1441 3V
A= ⇒ Rmin = 12.741Ω (5)
6120 R
Lo que supone una cota inferior para el valor de R, pues de esta forma no se excede la potencia máxima en
el diodo Zener.
Ejercicio 5.
Discuta el funcionamiento del circuito de la figura siguiente e indique que diferencia de potencial aparece en
los extremos de la resistencia de carga.

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 Figura 12: Ejercicio 5.

Notemos que el circuito tiene dos posibles caminos para la corriente dependiendo del signo del voltaje,
recordemos que para señales senoidales se tiene que:
Vp √
VRM S = √ ⇒ Vp = 2VRM S ≈ 16.9705V (6)
2

Figura 13: Comparación de los voltajes en los condensadores.

Cuando la señal es positiva, la corriente fluye por el diodo D1, carga al condensador C1 y cierra el
circuito, cuando la señal es negativa, la corriente fluye hacia el condensador C2 y cierra el circuito a través
de D2, notemos que ambos condensadores se descargan por medio de la resistencia de carga. Como se puede
notar en la figura 7, el voltaje en los condensadores está desfasado por y además el tiempo de descarga de
ambos es mucho mayor que el periodo de la onda senoidal, por lo que ninguno de los dos logra descargarse
completamente, de la misma figura se puede observar que el voltaje máximo en ambos condensadores es el
dado por la ecuación (6), pues es cuando los condensadores igualan la diferencia de potencial de la fuente y a
partir de ahí se empiezan a descargar, dado que a un tiempo t ambos condensadores descargan su voltaje en la
resistencia y su tiempo de descarga es muy grande, la diferencia de potencial en la resistencia es debida a la
suma de las diferencias de potencial en ambos condensadores debido a que ambos se encuentran conectados
a la resistencia en paralelo, por lo que la diferencia de potencial en promedio termina siendo 2 veces el votlaje
máximo proporcionado por la fuente, es decir:

VRL = 2Vp ≈ 33.9411V (7)