Historia

Principales caractersticas Efecto tnel Diodo tnel y su curva V.I caracterstica Operacin del diodo tnel Circuito con diodo tnel

En junio de 1958 Leo Esaki un japons de la firma Sony hace el reporte sobre el invento de un nuevo dispositivo semiconductor. En este elemento se observa en un comportamiento atpico. Al aumentar el valor de la tensin se encuentra que en cierta regin la corriente disminuye en vez de aumentar es como si se tuviera un resistencia negativa . Ya en 1973 trabajando para IBM. Esaki gana un premio Nobel de fsica por sus trabajos en el estudio del fenmeno de tunelamiento en la mecnica cuantica.

 El diodo tnel es bsicamente una unin tipo PN con alto

dopaje de material semiconductor tipo P y tipo N. En la practica el diodo tnel tiene un dopaje 1000 veces mas fuerte que el de un diodo convencional. Se funcionamiento en conduccin produce el llamado efecto tnel que origina una conductancia diferencial negativa en un intrnalo de su curva caracterstica corriente tensin. Debido a la presencia del tramo de resistencia negativa tiene aplicacin como elemento amplificador o como oscilador esencialmente. Este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones en microondas y que estn libres de los efectos de radiacin.

En la grafica se puede observar una juntura de semiconductores antes y despus de hacer contacto. En la parte derecha se observa que se crea una barrera de potencial representaba como un escaln.

Hablando desde el punto de vista de la mecnica clsica una partcula no puede atravesar la barrera de potencial porque no tiene suficiente energa para hacerlo. Sin embargo si se aplica los conceptos de la mecnica cuntica existe la posibilidad de que las partculas atraviesen la barrera ya que se tiene un comportamiento dual partcula- onda y se conoce como Efecto de tunelamiento. La mecnica cuntica es el modelo adecuado para describir la mecnica de partculas muy pequeas como los electrones.

Cuando la region PN es altamente dopada, la region de agotamiento se vuelve muy delgada (10nm). Si la barrera se vuelve muy pequea existe una probabilidad finita de que los electrones pasen de la banda de conduccin N a la banda de valencia en P.

El diodo tnel es un dispositivo semiconductor que consta de dos regi0nees de carga s opuestas separadas por una regin neutra muy angosta

La corriente en este dispositivo se da bsicamente por loa electrones que traspasan la barrera
neutra, esta corriente se puede controlar sobre un amplio rango variando la tensin de conduccin, el cual cambia el nivel de la barrera.

Al no existir tensin, no se produce corriente en el dispositivo.

Si se aplica una pequea polarizacin en directo la barrera de potencial es muy alta, sin embargo algunos de los electrones de la banda de conduccin N pasaran por el efecto tnel a la banda de valencia de la regin P, se creara una corriente de polarizacin tnel

Al incrementar la tensin se llega a un nivel donde los electrones de la banda de conduccin N llenan todos los hueco de la banda e valencia P, se tiene la corriente de tunelamiento mximo se llega al punto pico de la curva.

Al aumentar mas la tensin en directo, el numero de electrones que pasan de N a P empieza a disminuir por incremento de la barrera de potencial de nuevo, es as que se da una disminucin en la corriente y se esta en la regin de resistencia negativa hasta llegar a

un punto valle en la curva

superado el punto valle se sigue incrementando la tensin y el diodo tnel adquiere el comportamiento tpico de un diodo convencional. Los electrones saltan la barrera de potencial y empiezan a fluir del lado N al lado P.

Al incrementar aun mas la tensin el numero de electrones que saltan la barrera de potencial aumenta, es as que la corriente aumenta rpidamente.

En el caso de polarizar el diodo en inversa el comportamiento es similar al del diodo zener.

La curva V-I del diodo tnel presenta dos particularidades importantes, la primera es que muestra una fuerte no linealidad es decir no ajusta a la ley de Ohm y por otro lado aparece un tramo de curva donde se observa un valor de resistencia negativo.

Segn la teora fsica de los semiconductores la corriente de unin PN esta dada por :

La corriente de tunelamiento:

La corriente de exceso es una corriente de efecto tnel que se da debido a las impurezas del material se calcula mediante las siguientes expresiones:

En caso de polarizar el diodo tnel en inversa el comportamiento que adquiere es similar al del diodo zener

La curva V-I del diodo tnel presenta dos particularidades importantes, la primera es que
muestra una fuerte no linealidad es decir no se ajusta a la ley de ohm y por otro lado aparece un tramo de curva donde se observa un valor de resistividad negativo.

Segn la teora fsica de los semiconductores la corriente de unin PN esta dada por :

La corriente de tunelamiento:

La corriente de exceso es una corriente de efecto tnel que se da debido a las impurezas del material se calcula mediante las siguientes expresiones:

Para hacer el anlisis ya en circuito se puede realizar observando la recta de carga tradicional del diodo.