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(SILICIO Y GERMANIO)
EXPERIMENTO 3
1. Objetivos:
2. Introduccin terica:
DIODO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica
direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequea
resistencia elctrica. Debido a este comportamiento, se les suele denominar
rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en
corriente continua.
Diodo PN o unin PN:
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n,
por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno
de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero
de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales,
tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). Al unir ambos cristales, se
manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin
embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con
una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y
terminar detenindolos. Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V
en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo as obtenido se le
denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a
una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le
denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se
representa por la letra C.
A (p)
C (n)
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose
en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n,
los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor
es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede
expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo
est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del
orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.
MODELOS MATEMTICOS:
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial
es:
qV
I I S e nKT / 1
Dnde:
IS es la corriente de saturacin
k es la constante de Boltzmann
Diodo avalancha
Fotodiodo
Diodo Gunn
Diodo lser
Diodo LED
Diodo p-i-n
Diodo Schottky
Diodo tnel
Diodo Varactor
Diodo Zener
3. Materiales y equipos:
Un Multmetro digital.
Los multmetros digitales se identifican principalmente por un panel numrico para leer
los valores medidos, la ausencia de la escala que es comn en los analgicos.
Multmetro Digital:
Marca: Fluke
N de serie: 64680428
Cables y conectores.
Resistores.
Un Voltmetro de c.c.
4. Procedimiento experimental:
1. Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar
los datos en la Tabla 1
2. Armar el circuito de la figura 1.
R inversa(M)
> 40 M
Tabla 2
Vcc
Id(mA)
Vd(v)
0.50
0.1
0.471
Vcc(v)
Vd(v)
Id(uA
)
0.0
0.0
0.0
0.57
0.2
0.501
0.59
0.4
0.531
2.0
1.972
0.0
0.65
0.8
0.566
0.75
1.6
0.600
4.0
3.973
0.0
6.0
5.96
0.0
0.84
2.5
0.623
1.15
5.0
0.657
8.0
7.91
0.0
1.46
8.0
0.679
10.0
9.97
0.0
1.64
10.0
0.689
12.0
11.92
0.0
1.83
12.0
0.698
2.15
15.0
0.708
15.0
14.14
0.0
2.63
20.0
0.720
20.0
19.85
0.0
Tabla 3
3.- Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los
datos en la Tabla 4
Tabla 4 (Ge)
R directa()
313.9
R inversa(M)
0.059 M
Vcc(v)
Id(mA)
Vd(v)
0.15
0.1
0.151
0.20
0.2
0.188
0.24
0.4
0.212
Vcc(v)
Vd(v)
Id(uA)
Tabla 6
0.0
0
0
1.0
0.985
0.4
0.31
0.8
0.239
2.0
1.972
0.6
0.41
1.6
0.270
4.0
3.975
0.8
0.52
2.5
0.292
6.0
5.91
1.0
0.82
5.0
0.332
8.0
7.90
1.15
1.15
8.0
0.363
10.0
9.94
1.5
1.32
10.0
0.377
12.0
11.96
1.9
1.52
12.0
0.390
1.83
15.0
0.406
2.23
20.0
0.429
15.0
14.76
4.4
18.0
17.74
15.2
20.0
19.61
32
5. Cuestionario final:
Vd
I d=f ) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si)
1. Construir el grafico
V d V d
( i+1)
I d I d
( i+1)
i=1,2,3. .
Para la tabla 2 :
Vcc
0.50
0.57
0.59
0.65
0.75
0.84
1.15
1.46
1.64
1.83
2.15
2.63
Id(mA)
0.1
0.2
0.4
0.8
1.6
2.5
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
Vd(v)
0.471
0.501
0.531
0.566
0.600
0.623
0.657
0.679
0.689
0.698
0.708
0.720
rd
10
11
0.300
0.150
0.087
0.043
0.026
0.014
0.007
0.005
0.005
0.003
0.002
()
Para la tabla 3:
Vcc(v)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
Vd(v)
0.0
1.972
3.973
5.96
7.91
9.97
11.92
14.14
19.85
Id(uA)
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
i
rd
()
Aplicando la formula tendremos las resistencias directas en el siguiente cuadro:
Vd
I d=f ) con los datos de las tablas 2 y 3. (Ge)
2. Construir el grafico
0.15
0.20
0.24
0.31
0.41
0.52
0.82
1.15
1.32
1.52
1.83
2.23
0.1
0.2
0.4
0.8
1.6
2.5
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
0.15
1
0.18
8
0.21
2
0.23
9
0.27
0
0.29
2
0.33
2
0.36
3
0.37 0.390
7
0.40
6
0.429
rd
10
11
0.37
0
0.120
0.068
0.039
0.024
0.016
0.010
0.007
0.007
0.005
0.005
()
Para la tabla 6:
Vcc(v)
0.0
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
20.0
Vd(v)
0.985
1.972
3.975
5.91
7.90
9.94
11.96
14.76
17.74
19.61
Id(uA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.15
1.5
1.9
4.4
15.2
32
()
10
11
2.46
3
4.935
10.015
9.675
13.267
5.829
5.050
1.120
0.276
0.111
0.613
6. Conclusiones:
7. Bibliografa:
http://www.unicrom.com
http://es.wikipedia.org
https://espanol.answers.yahoo.com/question/index?
qid=20100228181015AAF0KqC
http://html.rincondelvago.com/diodo-semiconductor.html