TEMA: DIODOS

FORMACIÓN DE UN DIODO DE SILICIO DE UNIÓN "PN"

En el mismo momento que un cristal semiconductor de silicio (Si) de

conducción “tipo-p” (positivo) se pone en contacto con otro cristal
semiconductor también de silicio, pero de conducción “tipo-n” (negativo), se
crea un diodo de empalme o de unión “p-n”.

Representación gráfica de las dos  partes  que  componen un diodo de

silicio de unión p-n: a la izquierda la parte positiva (P) y a la derecha la
negativa (N). En la ilustración, se puede apreciar la “zona de deplexión” que se
forma alrededor del punto donde se unen los dos cristales semiconductores de
diferente polaridad. El punto de unión p-n de los dos cristales se denomina
“barrera de potencial del diodo”.
En el punto de unión p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente
polaridad que forman el diodo, se crea una “barrera de potencial”, cuya misión
es impedir que los electrones libres concentrados en la parte negativa salten a
la parte positiva para unirse con los huecos presentes en esa parte del
semiconductor. Hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energía
necesario que le debe suministrar una fuente
de energía externa conectada a los dos
extremos del diodo, no podrán atravesar esa
barrera.
Por otra parte, a ambos lados de la
barrera de potencial se forma una “zona de
deplexión” (también llamada zona de
agotamiento, de vaciado, de carga espacial o
de despoblación). Esa es una zona o región
aislada, libre de portadores energéticos, que
se origina alrededor del punto de unión de los
dos materiales semiconductores dopados de
diferente forma y que poseen también
polaridades diferentes. La función de la “zona de deplexión” es alejar a los
portadores de carga energética (electrones) del punto de unión p-n cuando el
diodo no se encuentra energizado con la tensión o voltaje suficiente, o cuando
se energiza con una tensión o voltaje inverso.
El efecto que se crea al unir simplemente un cristal semiconductor de
silicio tipo-p con otro de tipo-n, equivale a tener conectada una batería o
fuente de suministro de energía imaginaria en los extremos del diodo. Bajo
esas circunstancias la “zona de deplexión” que se crea a ambos lados de la
unión p-n obliga a los huecos o agujeros de la parte positiva (P) alejarse de
ese punto de empalme o unión, mientras que los electrones en exceso en la
parte negativa (N) reaccionan de igual forma alejándose también del propio
punto, hasta tanto no adquieran la energía suficiente que les permita atravesar
la barrera de potencial.
Para que los electrones en exceso en el semiconductor con polaridad
negativa (N) puedan atravesar la barrera de potencial del diodo y saltar a la
parte positiva y “llenar” los huecos, es necesario energizarlos suministrándoles
una corriente eléctrica o diferencia de potencial en los extremos del diodo, por
medio de una batería o cualquier otra fuente de fuerza electromotriz. Cuando
la tensión aplicada al diodo de silicio alcanza 0,7 volt, el tamaño de la zona de
deplexión se reduce por completo y los electrones en la parte negativa
adquieren la carga energética necesaria que les permite atravesar la barrera
de potencial. A diferencia de los diodos de silicio (Si), los de germanio (Ge)
sólo requieren 0,3 volt de polarización directa para que la zona de deplexión se
reduzca y los electrones adquieran la carga energética que requieren para
poder atravesar la barrera de potencial.

En la parte de arriba de esta

ilustración aparece el símbolo general
utilizado para identificar un diodo
semiconductor común y abajo el.
aspecto físico externo que presentan
la mayoría de los diodos de.silicio.
Como se puede observar en ambas
ilustraciones, el ánodo “A” constituye
la parte positiva y el cátodo “K” la
negativa. En un diodo real, el extremo
correspondiente al cátodo se identifica
por.medio de una marca o anillo color
plata impreso junto al terminal.
negativo de conexión al circuito
eléctrico.
DIODO DE UNIÓN P-N
Se le denomina diodo de unión p-n, al dispositivo constituido mediante
una unión p-n con dos terminales y cuyo objetivo en general, será conducir en
un solo sentido.

UNIÓN P-N POLARIZADA: Se entiende como polarización de una unión p-

n, la aplicación externa de una diferencia de potencial continua o con un
determinado sentido a la unión.

UNIÓN P-N, POLARIZADA DIRECTAMENTE: La unión p-n está polarizada

directamente, cuando a la región p se le aplica un potencial superior al de la
región n.
 Los huecos de la región p y los electrones de la región n, son empujados
hacia la unión, por el campo eléctrico a que da lugar la polarización,
reduciendo la anchura de la zona de transición. El campo eléctrico de la
polarización se opone al de la unión reduciendo este, y también la barrera de
potencial que sin polarización era Vo, con polarización directa es V O-V.
La reducción del campo eléctrico de la unión reduce el efecto de
arrastre. Al ser la zona de transición más estrecha, aumenta el gradiente de
las concentraciones en ella y consecuentemente, aumenta el efecto de
difusión. No se alcanza el equilibrio, produciéndose una circulación neta de
carga por el circuito, de forma que la corriente en la unión es por difusión y
fuera de ella por arrastre.
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la
zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones
a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce
la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que
conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo
al cátodo.

En estas condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n,

con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal
p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-
n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando
la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona
p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el
 electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de
átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se
introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.
 De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y
atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a través del
diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.

LA UNIÓN P-N, POLARIZADA INVERSAMENTE: Una unión p-n está

polarizada inversamente, cuando a la región p se le aplica un potencial inferior
al de la región n. Los portadores mayoritarios (huecos de p y electrones
de n) de ambas regiones tienden a separase de la unión, empujados por
el campo eléctrico a que da lugar la polarización, aumentando la
anchura de la zona de transición. El campo eléctrico en la unión
aumenta reforzado por la el de la polarización del mismo sentido, y la
barrera de potencial pasa a ser Vo+V.

Solo los
portadores

minoritarios generados térmicamente en

ambas regiones son empujados hacia la unión,
así solo los pocos electrones de p, al pasar al lado n formarán con los
mayoritarios de esta región una corriente de arrastre, y de similar manera los
pocos huecos de n al pasar a p formarán otra débil corriente de arrastre que se
sumará a la anterior. Esta pequeña corriente es la corriente inversa de
saturación del diodo y su valor se distingue por Io, presentando una fuerte
dependencia de la temperatura.
Tanto en el Silicio como en el Germanio se ha observado, que la
corriente inversa de saturación crece aproximadamente un 7% por ºC, con lo
que podemos deducir, que la corriente inversa de saturación se duplica de
forma aproximada cada 10ºC de aumento de temperatura. Si Io= Io1 para T =
T1, cuando la temperatura es T, Io, viene dado por:
 En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el
polo positivo a la zona n, como se muestra en la Figura 14, lo que hace
aumentar la zona de transición, W, y la tensión en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a
continuación:
  El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n,
los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del
cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia)
y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos
trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona
p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes
adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,

debido al efecto de la temperatura se formarán, por roturas de enlaces, pares
electrón huecos a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente
(del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación. Además,
existe también una llamada corriente superficial de fugas la cual, como su
propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del
diodo, ya que en la superficie los átomos de silicio no están rodeados de
suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para
obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto
de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que
los electrones circulan sin dificultad a través de ellos.No obstante, al igual que
la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fugas es
despreciable.
 Existe una pequeña corriente en polarización inversa, porque la energía
térmica crea continuamente pares electrón-hueco, lo que hace que haya
pequeñas concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor
parte se recombina con los mayoritarios pero los que están en la zona de
deplexión, pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión y tenemos así una
pequeña corriente. La zona de deplexión empuja a los electrones hacia la
derecha y el hueco a la izquierda, se crea así una la "Corriente Inversa de
Saturación"(IS) que depende de la temperatura.

Además hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por

las impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta
corriente depende de la tensión de la pila (V ó VP).

Entonces la corriente en inversa (I ó I R) será la suma de esas dos

corrientes:

Desde un punto de vista energético, dependiendo de que la polarización

sea directa o inversa, la diferencia de potencial, V, se resta o se adiciona a Vo,
de forma que la barrera de potencial disminuye, e (Vo-V), o aumenta e
(Vo+V), facilitándose o dificultándose, los flujos de difusión de huecos o de
electrones sin que se altere el valor de las corrientes de arrastre de minorita
 En polarización inversa es más difícil la conducción, porque el electrón
libre tiene que subir una barrera de potencial muy grande de n a p al ser
mayor el valor de W. Entonces no hay conducción de electrones libres o
huecos, no hay corriente.
En esta situación tenemos que tener en cuenta la generación térmica de
pares electrón-hueco. Los pocos electrones generados térmicamente pierden
energía y bajan de p a n, es la "Corriente Inversa de Saturación" (I S) que es
muy pequeña.
Esa corriente tiene un sentido, siempre se toma la corriente de p a n.
Entonces sería negativa en este caso.
Además de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que
se denomina "Corriente de Fugas" (If).

CARACTERÍSTICA V-I DEL DIODO

Resulta de representar gráficamente la relación I = f(V), teóricamente se
aproxima por la ecuación de Shockley:

En donde:

 Io= Corriente inversa de saturación.

 q = 1,6 . 10-19 culombios (carga del electrón).
 T = Temperatura absoluta en ºK.
 K = Constante de Boltzman.
 η = 1 para Ge y 2 para Si, en corrientes moderadas
 VT= KT/q = T/11.600, para T = 300 K ⇒ VT= 26 mV.

I=I O ( eV /VT −1)

 Para polarizaciones directas, V > 0, la corriente crece exponencialmente.
La unión PN es conductora. Para polarización inversa, V < 0, la corriente es
muy pequeña, cuasi la de saturación, y la unión PN no es conductora. Todo ello
hace que un diodo PN sea rectificador, solo deja pasar la corriente en un
sentido.

La curva característica del diodo se representa en la Figura

Donde los parámetros representados son:

 Tensión umbral, de codo o de partida (V): La tensión umbral

(también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide
en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial
inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa
supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma
que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes
variaciones de la intensidad.
 Corriente máxima (Imax): Es la intensidad de corriente máxima que
puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es
función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseño del mismo.

  Corriente inversa de saturación (Is): Es la pequeña corriente que se
establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares
electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica
por cada incremento de 10º en la temperatura.
 Corriente superficial de fugas: Es la pequeña corriente que circula
por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es
función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la
tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
 Tensión de ruptura (Vr): Es la tensión inversa máxima que el diodo
puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la

corriente inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado
valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se
debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los
Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados): En polarización inversa se

generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de
saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones
de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión,
chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente
grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores
a 6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados): Cuanto más dopado está el
material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo
eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre la
distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea
pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre
4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede
producir por ambos efectos.

EJEMPLO: Para determinar la corriente inversa de saturación, IS, de un diodo

de unión se montó el circuito que se adjunta. Calcular IS y la resistencia del
diodo si se invierte su polarización.
 Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los
modelos más sencillos), en ocasiones se emplean modelos más simples aún,
que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo mediante tramos rectos;
son los llamados modelos de continua que se muestran en la figura. El más
simple de todos es el diodo ideal.

EL DIODO IDEAL
Existen 3 aproximaciones:

PRIMERA APROXIMACION: DIODO IDEAL

Un diodo rectificador conduce bien en la zona directa y conduce mal en

la zona inversa, un diodo rectificador se comporta como un conductor perfecto
(resistencia cero) cuando tiene polarización directa y lo hace como un aislante
perfecto (resistencia infinita) cuando tiene polarización inversa.
 En la siguiente figura se observa la grafica corriente-tensión de un diodo
ideal, refleja lo que se acaba de decir r=0 con polarización directa y r=∞ con
polarización inversa. Una comparación con un dispositivo real es un
interruptor.
Es decir un diodo actúa como un interruptor que se cierra al tener
polarización directa y se abre con polarización inversa.

SEGUNDA APROXIMACION
 La siguiente figura contiene el grafico de la corriente en función de la
tensión para la segunda aproximación. El dibujo nos indica que no hay
corriente hasta que aparecen 0,7V en el diodo. En este punto el diodo se
activa, de ahí solo aparecerán 0,7V en el diodo independientemente de la
corriente.
 La figura muestra el circuito equivalente para la segunda aproximación,
el diodo se asemeja a un interruptor en serie con una pila o batería de 0,7V. Si
la tensión de la fuente es por lo menos de 0,7V, el interruptor se cerrará, en
este caso la tensión en el dispositivo será de 0,7V. Como la barrera de
potencial esta fija en 0,7V, la caída de tensión total en el diodo se mantendrá
en 0,7V para cualquier valor de corriente con polarización directa.
Si la tensión en la fuente es menor de 0,7V o si la tensión de fuente es
negativa (polaridad invertida) el interruptor se abre entonces y la barrera de
potencial no tiene efecto alguno y el diodo puede considerarse como un
interruptor abierto.

TERCERA APROXIMACION

En esta aproximación en un diodo se incluye la resistencia interna rB. La

figura muestra el efecto que rB tiene sobre la curva del diodo. Después de que
el diodo de Si comienza a conducir, la tensión aumenta lineal o
proporcionalmente con los aumentos de la corriente. Cuanto mayor sea la
corriente, mayor será la tensión, al tener que incluirse la caída de tensión en
rB a la tensión total del diodo. El circuito equivalente para esta aproximación
es un interruptor en serie con una barrera de potencial de 0,7V, el diodo
conduce. La tensión total en el diodo es igual a:

V D=0,7 V +I D ×r B
RESISTENCIA INTERNA

Para tensiones mayores que la tensión umbral, la corriente del diodo aumenta
rápidamente. Esto quiere decir que aumentos pequeños en la tensión del diodo
originaran grandes aumentos en su corriente, la causa de esto es; después de
superada la barrera de potencial, lo único que se opone a la corriente es la
resistencia de las zonas P y N. a la suma de estas resistencias se le llama
resistencia interna del diodo. O sea:

r d =r p +r n
El valor del nivel dopado y del tamaño de las zonas P y N