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Universidad Politcnica de Chiapas Ing.

Biomdica
Fundamentos de Electrnica Ing. Othoniel Hernndez Ovando

Suchiapa, Chiapas a 17 de Enero de 2012

Por s mismo, un cristal semiconductor tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia de carbn; lo que tambin se puede decir de un semiconductor tipo p. Pero ocurre algo nuevo cuando un fabricante dopa un cristal de tal manera que una mitad sea tipo p y la otra mitad sea tipo n.

La separacin o frontera fsica entre un semiconductor tipo n y uno tipo p se llama unin pn. La unin pn tiene propiedades tan tiles que ha propiciado toda clase de inventos, entre los que se encuentran los diodos, los transistores y los circuitos integrados.

Comprender la unin pn permite entender toda clase de dispositivos fabricados con semiconductores.

En el momento que los materiales tipo p y tipo n son unidos, los electrones y los huecos se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin.

A esta regin de iones positivos y negativos se le llama regin de agotamiento o zona de deplexin, debido al agotamiento de portadores en esta regin.

Sin Polarizacin VD = 0V

Polarizacin Inversa VD < 0V

Polarizacin Directa VD > 0V

Debido a una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en electrn de valencia. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexin".

Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta llegar al equilibrio.

El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale:

Silicio = 0.7V

Germanio = 0.3V

En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es cero para un diodo semiconductor.

Un diodo est polarizado inversamente cuando tiene aplicado un potencial de forma que el positivo est conectado con el material tipo N y el negativo al material tipo P.

En estas condiciones, las cargas positivas de la regin P son atradas por el polo negativo y las cargas negativas de la regin N son atradas por el polo positivo. El resultado es que, en la zona de agotamiento, se forma una barrera de potencial de considerable anchura que las cargas no pueden atravesar.

A mayor anchura de la zona de deplexin, mayor diferencia de potencial, la zona de deplexin deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unin. Existe una pequea corriente en polarizacin inversa, porque la energa trmica crea continuamente pares electrn-hueco, lo que hace que halla pequeas concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se recombina con los mayoritarios pero los que estn en la regin de agotamiento pueden vivir lo suficiente para cruzar la unin y tenemos as una pequea corriente. Corriente
Inversa?

La zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda, se crea as una la "Corriente Inversa de Saturacin (IS) que depende de la temperatura.
IS = f(T)

Adems hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente depende de la tensin de la pila (V VP).
If = f(VP)

Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:


I = IS + If

En estas condiciones, las cargas positivas de la regin P son atradas por el polo negativo y las cargas negativas de la regin N son atradas por el polo positivo. El resultado es que, en la zona de agotamiento, se forma una barrera de potencial de considerable anchura que las cargas no pueden atravesar.

Se da la condicin de polarizacin directa cuando el polo positivo de la fuente de alimentacin est conectado al material tipo P y el negativo est conectado al material tipo N.

En estas condiciones, las cargas positivas de la regin P se sienten repelidas por la tensin positiva, acercndose a la regin de agotamiento. Algo similar ocurre con las cargas negativas de la regin N. De esta forma, las cargas positivas y negativas estn lo suficientemente cercanas que son capaces de atravesar la delgada barrera de potencial y combinarse.

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.
Mientras la fuente de alimentacin contine conectada habr una circulacin de corriente.

Escala vertical est en miliamperios La tensin a travs de un diodo con polarizacin directa ser de menos de 1 voltio.

Incremento de la intensidad despus del punto de inflexin de la curva de respuesta.

La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo de silicio.
La intensidad de saturacin inversa IS ser casi igual al doble en magnitud por cada 10 C de incremento de la temperatura. Mientras la temperatura mejora las caractersticas en polarizacin directa, hacindolo ms ideal. En la regin de polarizacin inversa se produce un incremento no deseado en la IS.