UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

ESTUDIANTE: Fernando Gonzalez Cedillo

ELECTRONICA
SEMICONDUCTORES.

La electrónica moderna tiene componentes semiconductores, es una rama abundante.

ESTRUCTURA ATOMICA:

Todo material tiene un numero atónico que provee información de cómo es la estructura de átomo, es
decir cantidad de electrones y protones.

Cada átomo tiene capas de valencia, donde giran electrones, en el núcleo están los protones, cargas de
signos opuestos se atraen.

Un electrón en la última capa de valencia sería fácil sacarle de su órbita, para llamarse electrones libres.

Los electrones nunca chocan, el número máximo está dado por 𝑁𝑎 = 2𝑛2

Conductores son de cobre debido al costo, a pesar que el oro y plata son mejores conductores.

SEMICONDUCTORES:

Cuando cada capa se valencia se junta, comparten electrones, llamado enlace covalente.

Aislante es contrario de conductor.

Cristal de silicio puro es semiconductor intrínseco, el cual no da lugar a hueco ni electrones libres, es un
aislante, contrario el extrínseco incrementa conductividad en el semiconductor es decir hay electrones
libres.

Pentavalente: 5 electrones en la última capa de valencia. Semiconductor tipo n (negativo)

Semiconductor altamente dopado, presenta resistencia baja.

Trivalentes: 3 electrones en la última capa de valencia, semiconductor tipo P (positivo)

UNION N-P

El tipo N, extrínseco de germanio o silicio dopado por arsénico o fosforo, dona un electrón por cada
átomo (pentavalente) , resistencia baja al tener electrones libres.

En flujo eléctrico los libres van al positivo y los huecos al terminal negativo. Luego donde existen
huecos llenan electrones y posterior es un alto aislante que no permite el flujo libre de electrones.

Tipo P, (trivalente) de germanio o silicio, dopado boro o aluminio donan un hueco por cada átomo.
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ELECTRONICA
Tiene muchos huecos, atraídos por placa negativa, combinando huecos, convirtiéndose en conductor,
permitiendo el flujo de electrones.

UNION P-N

Se crea una línea de unión, los electrones que pasan de tipo n por la línea tienen poco tiempo de ser
electrones libres, cuando el hueco se combina con el electrón, el electrón se convierte en electrón de
valencia, y forman una zona de pares de carga( zonas de deplexion) y a los costado es zona de
agotamiento(empobrecimiento).

Zona de deplexion es una barrera para electrones de lado n.

Zona N queda positivamente y P negativamente, El potencial de barrera es la zona de deplexion,

depende del material N y P, depende de la temperatura del material y del tipo de material.

DIODO, basado en la Unión P-N, es no lineal, polarizar en directa(lado tipo N tiene placa negativa, lado
tipo P se coloca placa positiva)

0.7 V  Si 0.3 V  Ge

Según la fuente (voltaje que le pongamos) pasara o no el potencial de barrera.

El diodo polarizado directo va desde el polo negativo (dirección de flujo de electrones), mientras el
voltaje sea mayor a 0.7 o 0.3

Unión P-N polarizado en inversa es voltear la fuente de tensión.

Si crece la magnitud de fuerza de tensión de la fuente, aumenta Corriente de transición, la zona de

deplexion crece dentro del semiconductor, y cada vez quedan menos huecos en la zona P.

Efecto de avalancha, rompe el enlace covalente y multiplica electrones y genera corriente en sentido
inverso.

Diodo en inversa, delimitado por una resistencia adecuada.

Para tensiones menores a 10V se llama Diodo Zener y al efecto avalancha a menor tensión de le llama
voltaje Zener.