CAPITULO IV: ELECTRINICA FISICA DE UN DIODO DE UNION

4.1. INTRODUCCION
Uno de los fenómenos más característicos de los fenómenos de difusión de portadores,
estudiado en capítulos anteriores, lo constituye quizás la unión de semiconductores
cada uno de ellos con portadores mayoritarios de signo opuesto. Este conjunto
denominado diodo representa el elemento más básico entre los dispositivos
semiconductores de estado sólido. Los diodos ofrecen diferentes resistencias al paso de
la corriente según sea la polaridad de la tensión externa aplicada en sus extremos. Este
efecto esta determinado fundamentalmente por la carga espacial que se origina en la
interfase de la unión de los dos semiconductores (unión P-N). la interfase de la unión
tiene un espesor muy pequeño comparado con el resto del diodo. Sin embargo, como
veremos mas adelante, aun siendo pequeña esta región es la que ejerce todo el control
sobre las propiedades del dispositivo. El estudio de los diodos de unión p-n, así como el
de otros dispositivos rectificadores como la unión metal-semiconductor, constituye el
aspecto mas fundamental de este capitulo y el siguiente.

4.2. LA UNION PN
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se
dopa de tal forma de que una mitad sea tipo n y la otra mitad sea de tipo p, esa unión pn
tiene unas propiedades muy útiles y entre otras cosas formas los “diodos”.
La palabra diodo proviene de las palabras DI = dos y ODO = electrodo, es decir, elemento
de dos terminales. Al terminal conectado al lado p del diodo recibe el nombre de ánodo y al
terminal conectado al lado n del diodo recibe el nombre de cátodo y a la unión de los dos
materiales se le denomina juntura.
La unión de dos semiconductores extrínsecos, uno de ellos dopado con impurezas de tipo
dador y otro con impurezas de tipo receptor, constituye lo que se denomina como la unión
pn. Normalmente los semiconductores están formados por el mismo material, en el que se
introducen, mediante procesos de difusión, impurezas de uno y otro signo en dos regiones
del semiconductor adyacentes entre sí. En la figura 4.1 se muestra un esquema de la
sección transversal de una oblea de silicio en la que se ha preparado la unión pn para
formar un diodo. Para conseguir esta unión, se parte de una oblea del material
semiconductor, tipo n por ejemplo, y en una región de la oblea se añade dopaje con
impurezas de tipo opuesto, tipo p en este caso, en concentración suficiente para invertir el
signo de los portadores en esa región. Finalmente, sobre la región dopada y en la parte
inferior de la oblea se deposita una capa conductora con el objeto de hacer los contactos
eléctricos hacía el exterior.

Fig. 4.1 Esquema de un diodo semiconductor formado por la unión de dos

semiconductores de signo opuesto (unión p- n)
 En lo que sigue, haremos una descripción cualitativa del comportamiento de la unión en el
caso ideal, en el cual se supone que cada lado de la unión esta formado por impurezas de un
solo tipo con una distribución completamente homogénea y que el semiconductor en equilibrio
termodinámico.

4.3. LA UNION PN SIN POLARIZACION EXTERNA

Al “unir” el semiconductor P con el N, aparecen diferencias considerables en la concentración
de los portadores entre un lado y otro de la unión. Estas diferencias de concentración de los
portadores ente un lado y otro de la unión dan lugar a que existan corrientes de difusión para
alcanzar el equilibrio termodinámico que intentan igualar las concentraciones de los
portadores en el volumen del semiconductor. En el lado n de la unión tendremos una difusión
de electrones mayoritarios hacia el lado p moviéndose en la banda de conducción, y en el
lado p tendremos una corriente de huecos también mayoritarios, que cruzan en dirección
opuesta hacia el lado n por la banda de valencia.
Producto de la mutua repulsión que sufren los electrones libres del lado n, estos electrones
son repelidos a muchas partes y algunos de estos electrones atraviesan la juntura y se pasan
al lado p uniéndose a un hueco de la banda de valencia para formar así un enlace covalente.
Al saltar el electrón desde el lado n genera un hueco en dicho lugar y por lo tanto se puede
considerar que se produce un movimiento de electrones desde un lado n al lado p y también
se produce movimiento de huecos desde el lado p al lado n, la figura muestra este proceso el
cual se denomina difusión.

Fig 4.2. esquema de la juntura de los diodos

En el semiconductor P asilado, los huecos neutralizan a los iones negativos en

todos los puntos del cristal, puesto que las concentraciones de ambos son iguales.
Al realizar la unión de este semiconductor con uno de tipo N, la disminución de la
concentración de huecos que tiene lugar en el volumen del semiconductor P
próximo a la unión, debida a su difusión, rompe la neutralidad, y aparece en esta
región la carga negativa de los iones aceptadores sin neutralizar. Un proceso
parecido ocurre en el volumen de semiconductor N próximo a la unión: los
electrones han disminuido su concentración por efecto de su difusión hacia la
region P, y dejan tras de sí, sin neutralizar, a los átomos donadores ionizados
positivamente. Aparece, por tanto, un dipolo de carga entre los dos lados de la
unión que, para simplificar los cálculos, lo supondremos de forma rectangular.

4.3.1. Región de empobrecimiento

Cada vez que un electrón del lado N pasa al lado P, deja un ion positivo en el
lado N por la ausencia del electrón y, por el contrario, el lado P dejara un ion
negativo producto de su presencia. Como resultado de este proceso de
recombinación, cerca de la unión pn se acumula un gran numero de iones
positivos y negativos. Así, al formarse las capas iónicas, el área en ambos
 lados de la unión queda completamente desprovista de cualquiera, electrones
o huecos de conducción, por lo que se denomina región de agotamiento, región
de unión, región de carga espacial o espacio capa de carga. A su vez, los iones
en la capa de agotamiento van dejando cada vez más cargada la zona
desierta, el cual actúa como una barrera que impide que nuevos electrones
sigan cruzando la juntura. Cuando se llega a una condición de equilibrio, la
capa de empobrecimiento se ha ampliado hasta un punto en el cual ningún
electrón adicional puede cruzar la unión pn.

Fig. 4.3. formación de la región de agotamiento de los diodos.

La comprensión de la región de agotamiento es clave para explicar el funcionamiento
de los dispositivos semiconductores electrónicos: diodos, transistores de unión
bipolares, transistores de efecto de campo, y los diodos de capacidad variable de
todos estos relacionados con fenómenos de la región de agotamiento.
4.3.2. Barrera de potencial
La existencia de iones positivos y negativos sobre cargas opuestas de la unión crea un
potencial de barrera (VB) a través de la capa de empobrecimiento. La barrera de
potencial genera una diferencia de potencial.
La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta llegar al
equilibrio.
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada
“barrera de potencial” que, a 25°c, cuyo valor es aproximadamente 0.7V si el
semiconductor es a base de cilicio y de 0.3V si el semiconductor es a base de
germanio. Al aumentar la temperatura de la unión el potencial de barrera disminuye y
viceversa. El potencial de barrera es importante por que determina la cantidad de
voltaje externo que es necesario aplicar a través de la unión pn a fin de producir
corriente.
4.4. LA UNION P-N POLARIZADO CON UN VOLTAJE EXERNO
Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se produce un
dispositivo de los terminales, como se muestra en las figuras. Se dispone entonces de
tres opciones: sin polarización, polarización en directa y polarización en inversa. El
termino polarización se refiere a la aplicación de un voltaje externo a través de los dos
terminales del dispositivo para extraer una respuesta.

Fig 4.4 diodo sin polarización.

La condición mostrada en la figura es la situación sin polarización porque no

hay ningún voltaje externo aplicado.
En la figura 4.5 se proporciona el símbolo de un diodo para mostrar su
correspondencia con la unión p-n.

Fig. 4.5 representación de la estructura y símbolo del diodo

La ausencia de voltaje a través de un resistor produce una corriente cero a través de

él. Incluso en este punto inicial del análisis es importante señalar la polaridad del
voltaje a través del diodo en la figura y en la dirección dada a la corriente. Estas
propiedades serán reconocidas como las polaridades definidas del diodo
semiconductor. Si se aplica un voltaje a través del diodo cuya polaridad a través de el
sea la mostrada en la figura 4.5, se considerará que el voltaje es positivo. Ala inversa,
el voltaje es negativo. Los mismos estándares se pueden aplicar en dirección definida
a la corriente en la figura 4.5.
Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo semiconductor, el flujo neto de
carga en una dirección es cero
4.4.1. Polarización directa
Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p y el terminal
negativo de la fuente esta conectado al material tipo n. diremos que estamos en
polarización directa o “encendido”.

Fig. 4.6. Concentración de los portadores en polarización directa del diodo.

La aplicación de un potencial con polarización directa vd “presionara” a los electrones

del material tipo n y a los huecos del material del material tipo p para que recombinen
con los iones cercanos a la frontera y para reducir el ancho de la región de
agotamiento como se muestra en la figura, la reducción en el ancho de la región de
agotamiento provoca un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la unión. A
medida que la magnitud de polarización aplicada se incrementa, la región de
agotamiento continuara disminuyendo su amplitud hasta que un grupo de electrones
pueda atravesar la unión.
 Fig. 4.7 Formación de la barrera de potencial de diodo
Como se puede apreciar en la figura, los electrones libres del lado n del diodo, están
sujetos a dos fuerzas de repulsión. Hacia la izquierda producto del terminal negativo
de la batería y hacia la derecha producto de la barrera de potencial. Esto implica que
el electrón se moverá hacia la izquierda, si y solo si, la fuerza de repulsión del terminal
negativo de la batería sea mayor a la barrera de potencial (esto es, un voltaje de
batería mayor o igual a v= 0.7volt para el silicio). Una situación similar ocurre entre los
huecos del lado p.
En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente
obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los
electrones libres hacia la unión, se crean iones positivos en el extremo derecho de la
unión que atraerá a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.
Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir
hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre
contrario al del electrón.

La secuencia que se produce con los electrones para la polarización directa, con un
voltaje de batería mayor o igual a 0.7 volt para el silicio es la siguiente:

1.- después de salir el electrón desde el terminal negativo de la batería, se introduce

por el extremo derecho del diodo (lado n), para ser ingresado como electrón libre.
2.- viaja a través de la región N como electrón libre en un movimiento hacia la
izquierda o lado P.
3.- cuando el electrón salta la juntura hacia el lado P, se recombina con un hueco de la
banda de valencia, convirtiéndose así en electrón de valencia.
4.- ya en el lado P, el electrón viaja como electrón de valencia (saltando de hueco en
hueco) hacia la izquierda (terminal positivo de la batería).
5.- después de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia la terminal positiva de la
fuente.

En forma análoga se decir sobre el movimiento de huecos en el lado p

La secuencia anterior indicada, refleja muy claramente por que se produce la

conducción de corriente, que no es otra cosa que el movimiento de electrones y/o
huecos por unidad de tiempo. Sin embargo, se deben de aclarar algunos puntos
necesarios sobre dicha secuencia.

a.- El sentido convencional que se da a la corriente, es inverso al movimiento de los

electrones, esto es, el sentido de la corriente convencional para el caso anteriormente
mencionado seria de izquierda a derecha.
b.- El hecho de que el electrón libre en la banda de conducción del lado N, baje como
electrón de valencia en lado P, obliga a que el electrón libere energía (en la mayoría
de los casos, esa energía se libere como calor y por eso, que los diodos se calientan
cuando conducen). En algunos diodos especiales, esta energía se libera como energía
luminosa y estos diodos se denominan diodos LED (diodo emisor de luz).
c.- En la practica no es que el electrón se desplace físicamente desde un terminal a
otro, si no que realiza un pequeño “empujón” al electrón contiguo y así sucesivamente,
cuyo efecto es similar al desplazamiento total del electrón.
d.- Dada que la resistencia macroscópica del semiconductor es baja, la corriente
estará limitada fundamentalmente por la resistencia externa.
e.- El voltaje que queda en el diodo corresponde al potencial de barrera mas la
corriente que circula por el circuito multiplicada por la resistencia macroscópica del
diodo (ley de ohms), es decir:
V D=V + I∗R D =Resistenciadel diodo

f.- La zona desierta que produce la juntura disminuye.

El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al

material tipo n (y de huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud
(puesto que el nivel de conducción es contrario principalmente por el numero limitado
de impurezas en el material), aunque la reducción del ancho de la región de
empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores mayoritarios a través de la
unión.

Fig. 4.8. Corrientes en polarización directa y símbolo del diodo.

4.4.2. Polarización indirecta o inversa

Consiste en aplicar los terminales de la batería, de manera tal que el terminal positivo
de la batería quede conectado al cátodo o terminal n del diodo y el terminal negativo
de la batería quede conectado al ánodo o terminal p del diodo. La figura muestra ese
tipo de polarización.
 Fig. 4.9. concentración de los portadores en polarización inversa del diodo
El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los
electrones libres, esta fuerza eléctrica obliga a los electrones libres del lado n a
trasladarse hacia la derecha y a los huecos del lado p a trasladarse hacia la izquierda
y así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión, esto implica, que la
región de agotamiento se ensancha, y a mayor anchura de la región de agotamiento la
barrera de potencial tendrá cada vez mas iones (mayor diferencia de potencial). A
mayor tensión inversa aplicada mayor será la región de agotamiento.

Fig. 4.10. formación de la región de empobrecimiento con polarización inversa.

En resumen, podemos decir que en la polarización inversa no hay circulación de

corriente apreciable y todo el voltaje de la batería externa caera en el
diodo(específicamente, en la barrera de potencial).
Sin embargo existe una pequeña corriente (normalmente despreciable) de los
portadores minoritarios Por qué la energía térmica crea continuamente pares electrón-
hueco, lo que hace que haya pequeñas concentraciones de portadores minoritarios a
ambos lados, la mayor parte se recombina con los mayoritarios Pero los que están en
la región de agotamiento pueden existir lo suficiente para cruzar la unión Y tenemos
así una pequeña corriente, y que a su vez esta corriente denominada corriente de
saturación inversa es altamente dependiente de la temperatura y está en el orden de
los picos y micro ampere.
La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de
saturación en inversa y está representada por Is.
La corriente de saturación en inversa raras veces es de más de algunos microamperes
excepto en el caso de dispositivos de alta Potencia de hecho en los últimos años su
nivel por lo general se encuentra en el intervalo de los nanoampere en dispositivos de
silicio el término saturación se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con
rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial
de polarización en inversa Cómo se mostrará las características de diodo con V D <0 V .

Las condiciones de polarización. en inversa observe en particular, que la dirección de

is se opone a la flecha del símbolo. observe también que lado negativo del voltaje
aplicado está conectado al material tipo p y El lado positivo al material tipo n, y la
diferencia indicada con las letras subrayadas por cada región revela una condición de
polarización en inversa.

Fig. 4.11. corrientes en polarización inversa y símbolo del diodo.

4.5. CALCULO DE LA CORRIENTE A TRAVES DE LA UNION P-N

En la teoría básica del diodo de unión se supone que toda tensión aplicada se
invierten disminuir la Barrera de potencial de la unión (en polarización directa) o en
aumentarla (en inversa). Esta aproximación es bastante exacta para corrientes
débiles, no tanto cuando estás son intensa. la Barrera de potencial de una unión
polarizada se aproxima, tanto, a V bi−V . en polarización directa se toma la tensión
aplicada V como positiva, y en inversa como negativa; V bi = potencial de difusión. Este
cambio en la Barrera de potencial exige un cambio en el campo eléctrico que la
produce (toda diferencia de potencial es producida por un campo eléctrico) si la
Barrera disminuye, el campo eléctrico debe disminuir y, si aumenta, campo eléctrico
debe aumentar. Esta variación del campo eléctrico en la unión rompe el equilibrio que
se daba entre las corrientes de difusión y de arrastre en la zona de carga espacial sin
polarización. Si el campo eléctrico disminuye, también lo hace la corriente de arrastre,
y domina Por tanto la difusión.
Por tanto, la unión p-n polarizada directamente domina la corriente de difusión sobre la
de arrastre. Esto produce una fuerte inyección de huecos desde la región p hacia la
región n, y otra intensa inyección de electrones desde n hacia p. Estas fuertes
inyecciones de portadores desde las regiones donde son mayoritarios dan lugar a
unas corrientes muy intensas en es en el sentido de p a n. Cuando se aumenta la
tensión de polarización directa, aumenta la corriente, ya que disminuye el campo
eléctrico en la región de transición. Cuando se polariza inversamente la unión aumenta
el campo eléctrico de la región de transición. Este aumento no va acompañado de un
aumento de la corriente en el sentido de n a p, ya que no hay portadoras a los que
arrastrar (no hay huecos en n para ser arrastrados a p, ni electrones p para ser
arrastrados a n) en consecuencia el campo eléctrico se limita a impedir la difusión de
mayoritarios (hueco p a n Y electrones de n a p), y la corriente sigue siendo nula como
en equilibrio. Y el efecto rectificador de la unión p n.
La teoría más compleja de la unión p-n muestra que la corriente de huecos que inyecta
la región p a la región n, y la corriente de electrones que la región n inyecta en la
región p vienen dadas por:

i p= corriente de difusión de huecos.

i n= corriente de difusión de electrones.
k p y k n = constantes que dependen de los tiempos de vida. Y constantes de difusión de
los huecos y electrones en las regiones N y P respectivamente (donde son
minoritarios), asi como de las dimensiones de estas.
N D = concentración de impurezas donadoras.
N A = concentración de impurezas aceptadoras.
ni = concentración intrínseca de un semiconductor depende del material y de la
temperatura.
V = voltaje aplicado.
V T = voltaje térmico.
I sn = corriente inversa de saturación por el material tipo n.
I sp = corriente inversa de saturación por el material tipo p.

La corriente total de la union será:

Esta es la ecuación de modelo exponencial del diodo. Obsérvese que estás

expresiones muestran que las corrientes i p e i n son inversamente proporcionales al
dopado. Controlando el dopado puede controlarse el valor de cada una de ellas. La
región menos dopada es la que domina la corriente inversa de saturación del diodo. La
2
dependencia de I s del diodo con la temperatura es la misma que ni .

En otra referencia es la siguiente:

Se puede demostrar por medio de la física de estado sólido que las características
generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente
ecuación, conocida como la ecuación de shockley, para regiones de polarización en
directa y en inversa:
Donde:
I s = es la corriente de saturación inversa.
V D = es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo.

n = es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y

construcción física; varía entre 1 y 2 según una amplia diversidad de factores (se
supondrá n = 1 en todo este texto a menos que se indique de otra manera) el voltaje
V T en la ecuación se llama voltaje térmico y está determinado por:
kT
VT= (V )
q
Donde:
k = es la constante de Boltzmann = 1.38∗10−23 J /K
T = es la temperatura absoluta en kelvin = 273 + temperatura en °C.

Equivalente en tensión de la temperatura, V T ≅ 26 mV a T =300 K

Con k= 11600/n y n=1 para Ge o n=2 para Si
T =T C + 273.

La ecuación de shockley es una ecuación teórica que puede aproximarse al

comportamiento de un diodo real. Debe tenerse en cuenta que en el desarrollo de esta
ecuación no se tienen en cuenta las resistencias de las regiones neutras (cuerpo del
diodo) y las resistencias del contacto, así como la generación y recombinación de
portadores en la región de carga espacial de la juntura pn por otra parte, la corriente
de polarización inversa en Los diodos Reales Es mayor que IS debido a efectos
secundarios que no tienen cuenta el modelo de shockley, y es que son de difícil
consideración ya que pueden deberse a efectos durante el proceso de fabricación del
dispositivo. Aunque la corriente I s real Es mayor que la determinada por la ecuación
de shockley es lo suficientemente pequeña como para que pueda ser despreciada,
como primera aproximación, la mayoría de los cálculos en circuitos con diodos.

Ejemplo:
A una temperatura de 27 °C (temperatura común para componentes en un sistema de
operación cerrado), determine el voltaje térmico V T .
Solución:
Sustituyendo la ecuación, obtenemos:

El voltaje térmico se convertirá en un parámetro importante en los análisis de este

capítulo y varios siguientes.

4.6. CURVA CARACTERISTICA INTENSIDAD-VOLTAJE DEL DIODO

Con los datos obtenidos de las polarizaciones directa e inversa del diodo, se puede
obtener la curva característica del diodo como se muestra en la figura 4.12,
representado por sus ecuaciones.
De la ecuación de Shockley, para las regiones de polarización directa y en inversa:

Graficando la ecuación tenemos la siguiente curva característica del diodo.

Fig. 4.12. Curva del diodo con sus tipos de polarización.

Al analizar las características de I D −V D de un diodo real polarizado en directa se

observa que la corriente es de muy bajo valor hasta que se alcanza un valor de
tensión V D denominada tensión umbral V γ . El valor de V γ depende del material del
diodo. Para el silicio V γ ≅ 0.7 V figura 4.13.
 Fig. a.13. Tensión umbral del diodo
Ahora es importante compararlo con otros dos materiales de primordial importancia:
GaAs y Ge. En la figura 4.14 aparece una grafica que compara las características de
diodos si, GaAs y Ge comerciales.
De inmediato es obvio que el punto levantamiento vertical de las características es
diferente para cada material, aunque la forma general de cada una es muy semejante.
El germanio es más cercano al eje vertical y el GaAs es el más distante. Cómo se
observa en las curvas, el centro de la rodilla de la curva está Aproximadamente en 0.3
paraje, 0.7 para Sí y uno. 1.2v para GaAs.

Semiconductor V K (V )
Ge 0.3
Si 0.7
GaAs 1.2

Fig. 4.14. Comparación de diodos de Ge, Si y GaAs.

En una juntura pn ideal polarizado en forma inversa, la corriente inversa ( I S) es casi
independiente de la tensión aplicada a partir de una tensión inversa del orden 4VT,
aproximadamente 100 mV a T = 300 k en una juntura pn real la corriente de saturación
is se mantiene prácticamente constante con el aumento de la polarización inversa
hasta que se alcance el valor crítico de tensión (Vz), para lo cual ocurre el fenómeno
de ruptura, corriente inversa Se incrementa en forma abrupta. Diodos que trabajan en
esta zona se denominan diodos de ruptura. En la figura 4.15 se observa que el efecto
de ruptura se denomina en polarización inversa. Para pequeños valores de tensión
inversa se alcanza la corriente de saturación y, de magnitud despreciable a los efectos
prácticos.

Fig. 4.15. Efecto de avalancha del diodo en polarización inversa.

Para un diodo de silicio la corriente de saturación inversa I S aumentara cerca del doble
en magnitud por cada 10°C de incremento de temperatura.

4.7. CLASIFICACION DE DIODOS

4.7.1. Diodos Zener
usando la tensión inversa aplicada a un diodo de juntura pn excede cierto valor
denominado tensión de ruptura, la corriente inversa crece muy rápidamente mientras
que la tensión sobre el diodo permanece casi constante. Los diodos denominados
genéricamente diodos Zener trabaja específicamente en la zona indicada en la figura
4.16, en la cual también se indica el símbolo esquemático y los terminales.
Cómo se analizó en párrafos anteriores en todas las junturas pn se produce el
fenómeno de ruptura. La ruptura obedece los Fenómenos físicos diferentes: Ruptura
Zener y ruptura por avalancha. El factor que determina cuál mecanismo de ruptura
ocurre en una juntura, está determinado por las concentraciones de impurezas en los
materiales que la forman. En la juntura pn la región de carga espacial siempre se
extiende más en el material que tiene mayor resistividad. Una juntura que tiene una
región de carga espacial angosta desarrollará un alto campo eléctrico y romperá por el
mecanismo Zener. Una juntura con una región de carga espacial más ancha romper el
mecanismo de avalancha. en forma comercial los diodos de ruptura, discriminar al
mecanismo físico que la produce, dominan diodos Zener.

Fig. 4.16. característica I D −V D de diodo Zener y símbolo esquemático.

Cualitativamente, el mecanismo de ruptura Zener se produce debido a que la región

de carga espacial es muy estrecha y con la aplicación de una baja polarización inversa
(del orden 5v) el campo eléctrico en la región de carga espacial alcanza un valor
aproximado de 3∗105 V/cm. Este campo ejerce una gran fuerza sobre los electrones
de valencia en los átomos de silicio, de modo que puede romper los enlaces
covalentes generando pares electrón-hueco qué rápidamente incrementan la corriente
inversa. Si en el circuito donde se conecta el diodo no se coloca un resistor qué límite
la corriente en el dispositivo podría destruirse autocalentamiento. En general, los
dispositivos con tensiones de rupturas menores a 5v representan ruptura Zener. Los
dispositivos con tensiones de ruptura mayores que 8v presentan ruptura por efecto de
avalancha. Entre 5 v y 8v ambos mecanismos pueden estar involucrados.
En el proceso de ruptura por avalancha, denominada también ionización por Impacto,
los portadores Libres que forman la corriente inversa de saturación pueden ganar
energía del campo eléctrico y al chocar con la red cristalina, rompe enlaces
covalentes. Como cada portador que choca creados portadores adicionales, un
electrón y un hueco, se produce una rápida multiplicación de portadores en la región
de carga espacial cuando la polarización aplicada tiene el valor suficiente como para
desencadenar este proceso.
Los mecanismos de ruptura Zener y avalancha varían de forma diferente con la
temperatura. El valor de la atención necesaria para producir la ruptura Zener decrece
al aumentar la temperatura, en tanto que la tensión de ruptura aumenta con el
incremento de la temperatura para la ruptura por avalancha. En el caso de la ruptura
Zener, el aumento de la temperatura aumenta la energía de los electrones de valencia.
Esto debilita la fuerza de enlace y se necesita aplicar menos tensión para mover los
electrones de valencia de sus posiciones alrededor del núcleo.
La dependencia con la temperatura de ruptura por avalancha es muy distinta. Como la
región de carga espacial es muy ancha, al aumentar la temperatura, crece la vibración
de los átomos del cristal y aumenta la probabilidad de choques entre los electrones y
huecos con los átomos de la red. Los portadores Libres tienen menos oportunidad de
ganar la energía suficiente como para producir el proceso de avalancha y necesitan
una mayor tensión para iniciar el proceso.
En la región de ruptura la corriente Iz varía entre Izmínima = Izk, denominada
comúnmente corriente de rodilla, que se corresponde con el punto de inflexión en la
característica inversa, y la corriente Izmax = IzM, limitada por la potencia máxima
permisible: IzM = Pzmax/Vz. en el rango Izk ≤ Iz ≤ IzM la tensión se mantiene
aproximadamente constante en Vz. la corriente Izk varía dependiendo de las
características o tipo de diodo y es un dato que da El fabricante en las hojas de datos
del dispositivo. Algunas veces específica la corriente IzT (corriente de prueba) que se
define para una potencia disipada igual a Pzmax/4.

Fig. 4.17. característica I D −V D de un diodo zener.

La inversa de la pendiente de la característica I D −V D se denomina resistencia

incremental o dinámica rz, y es de bajo valor. En algunos casos se especifica V ZO , que
corresponde a la tensión para la cual la pendiente 1/rz intrínseca al eje de tensión. En
la practica V ZO =V ZK . esta consideración permite determinar la tensión V Z como:

V Z =V ZO + rz∗Iz
Usando la expresión anterior se puede construir el modelo eléctrico equivalente para la
región de ruptura, 4.18.
 Fig. 4.18. modelo equivalente en la región de ruptura del diodo zener.

La variación de la tensión de ruptura se tiene en cuenta a través de un coeficiente de

temperatura definido como:

∆ V Z es el cambio en la tensión Zener debido a la variación de la temperatura y puede

ser positivo o negativo.

Fig. 4.19. hoja de datos típica.

Los diodos zener se especifican para trabajar a una potencia máxima,PD y la hoja de
datos. Ejemplo, la figura 4.23 la potencia máxima es de 500 mW. Dado que dado que
PD=Vz*Iz puede calcularse Izmax=PD/Vz.
El régimen térmico está determinado por: TJ (altura de juntura) y TSTG (temperatura
de almacenamiento) que indica el rango de temperaturas permitido para operar el
dispositivo conectado en un circuito en el primer caso (TJ), y en el rango de
temperaturas para las cuales puede ser mantenido sin estar conectado a un circuito.
Para los datos mostrados en la figura 4.19 la temperatura TSTG corresponde al rango
-65°C a 200°C.
La corriente de pérdida o corriente inversa IR es la corriente Por el dispositivo cuando
está en polarización inversa pero no en la región de ruptura para una cierta tensión de
polarización inversa VR.
La impedancia Zener Zz depende del punto de operación. Suele indicarse la
impedancia Zz para la corriente de prueba I ZT .

4.8. DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS

Cuando la energía luminosa en forma de fotones incide sobre un semiconductor, se
pueden generar pares electrón-hueco estos portadores generados se pueden utilizar
para convertir la energía del fotón en energía eléctrica usando dispositivos detectores
ópticos o sensores ópticos. Se puede nombrar las celdas fotoconductoras, celdas
solares, fotodiodos, otros. Cada uno de los dispositivos da lugar aplicaciones
específicas, tanto electrónica analógica como digital y.
Por otra parte, en el proceso de recombinación de un electrón con un hueco puede
generarse radiación luminosa. De esta forma, si se genera un exceso de portadores,
por ejemplo, a través de la tensión aplicada a un dispositivo, puede convertir una señal
eléctrica en una señal óptica. Este tipo de dispositivos actúan como emisores ópticos.
Como ejemplo típico podríamos citar al diodo emisor de luz (LED).
Actualmente, tipo de dispositivos son ampliamente usados en distintos campos de la
electrónica, comunicaciones, control, instrumentación, etc.
4.8.1. Células solares
La celda solar es, básicamente, una juntura pn de Gran área, capaz de convertir la
energía luminosa del Sol en potencia eléctrica con una buena eficiencia de conversión
(alrededor de 15%), bajo costo y sin contaminación respecto a otras fuentes de
energía El material más usado en la fabricación de celdas solares es Si, seguido de
Se, GaAs y SLn. Actualmente, una fuente de energía alternativa, siendo el campo de
aplicación más usado el de las aplicaciones espaciales.
La eficiencia de conversión de una celda solar se halla limitada por tres factores: Sólo
se usa parte del espectro comprendido entre 0.4 y 1.1 μm, los fotones absorbidos
poseen un exceso de energía no empleada y se produce recombinación de portadores
antes de lograr un efectivo proceso de separación de cargas.
En la práctica las celdas solares no se emplean como elementos independientes sino
se usan en agrupaciones denominadas paneles solares o baterías solares, formados
por la combinación serie y paralelo de las celdas individuales en la figura 4.20 se
muestra una representación esquemática de una celda solar.
 Fig. 4.20 esquema de una celda solar
La figura 4.21 muestra esquemáticamente el diagrama de bandas de energía en la
oscuridad (sin energía radiante sobre la celda) como el dispositivo se encuentra en
equilibrio térmico los niveles de fermi de las regiones p y n se deben igualar. Esta
igualación de los niveles de fermi origina un campo eléctrico interno que se opone a la
difusión de portadores y una diferencia de potencial de contacto o de banda (Vbi).

Fig. 4.21. Diagrama de bandas de energía en oscuridad.

Cuando se irradia la fotocelda, se estimularán los electrones internos si el nivel de la
radiación es mayor o igual que el Salto de energía EG se generan pares electrón-
hueco largo de los materiales N y P y en la región de carga espacial. Los portadores
minoritarios en su zona de generación pueden atravesar la región de agotamiento
impulsados por el campo, figura 4.22.

Fig. 4.22. Diagrama de bandas con irradiación

Si la región n es muy estrecha, la mayoría de los fotones serán absorbidos dentro de
la región de agotamiento y la región p, generando pares electrón-hueco regiones. Los
pares generados en la región de agotamiento son separados por el campo interno y se
difunden. los electrones llegan a la región n haciendo esta región negativa.
Del mismo modo, los huecos se difunden y llegan a la región p haciendo esta región
positiva. Se desarrolla así una tensión en circuito abierto (Voc) entre los terminales del
dispositivo con el lado P positivo respecto al lado N. Si se intercala una carga se
establecerá una corriente. Si los terminales de la celda se cortocircuitan circula una
corriente conocida como corriente de cortocircuito (Isc).
Buscar es electrón-hueco fotogenerados para longitudes de onda largas, qué son
absorbidos en la región p, sólo pueden difundirse en esta región donde no hay campo
eléctrico. Aquellos electrones que se encuentran a la distancia de una longitud de
difusión, Ln, de la región de agotamiento, se difundirán y llegarán a esa Región donde
serán barridos por el campo eléctrico hacia la región n. Sólo aquellos pares electrón-
hueco que se encuentren a una longitud de difusión de la región de agotamiento
contribuirán al efecto fotovoltaico.

Fig. 4.23. efectos físicos de la irradiación.

El mismo principio se puede aplicar para los pares electrón-hueco foto generados por
longitudes de onda cortas en la región n. Los huecos foto generados dentro de una
longitud de difusión lp llegar a la región de agotamiento Y ser barridos por el campo
hacia la región de tipo p.
En consecuencia, fotogeneración de pares electrón-hueco qué contribuye al efecto
fotovoltaico ocurre en la región:lp+w+ln como se muestra en la figura 4.23.
En la práctica las celdas solares no se emplean como elementos independientes sino
en agrupaciones denominadas paneles solares. Por ejemplo el panel ET-P67280
comprende 72 celdas solares conectadas en serie y encapsuladas en resina de
silicona. El conjunto se encuentra entre dos placas de vidrio para aumentar la
luminidad frente a la humedad. El vidrio es tratado químicamente para aumentar su
consistencia. El panel se monta en un bastidor de aluminio galvanizado que permite su
uso en distintas posiciones. La figura 4.24. Muestra un esquema típico de un panel
solar.
 Fig. 4.24. panel solar.
4.8.2. Diodos emisores de luz
Un diodo LED, acrónimo ingles de ligth emitting diode (diodo emisor de luz) es un
dispositivo fotónico basado en una Unión pn semiconductora, que emite luz
monocromática (es decir, de un solo color) cuando se polariza en directa y es
atravesado por la corriente eléctrica. El semiconductor es un compuesto III-A(p.e.
GaAs). Como la unión pn polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. El color depende del material semiconductor empleado en la
construcción del diodo puede variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de
luz visible, hasta el infrarrojo, siguiendo estos últimos la denominación de LED IR(infra-
red).
La estructura básica de un LED es una Unión P-N la cual está directamente polarizada
inyectándose electrones y huecos en las zonas p y n respectivamente. La carga
correspondiente a los portadores minoritarios inyectados en cada una de estas zonas
se recombina con la correspondiente a la de los portadores mayoritarios bien en la
zona de agotamiento o bien las zonas neutras.
 Fig. 4.25. Emisión de luz del diodo LED.

El LED es, en esencia, diodo P-N directamente polarizado. Los electrones y los
huecos inyectados como portadores minoritarios atraviesan la unión y se recombinan
bien por recombinación radiante, bien recombinación no radiante, el diodo debe ser
diseñado para que la recombinación radiante sea lo más fuerte posible.
El proceso de luminiscencia es la emisión de radiación óptica (ultravioleta, visible o
infrarroja) resultante de la energía producida durante las transiciones electrónicas
dentro de un material.

Fig. 4.26. partes del diodo LED y la emisión de luz.

Los primeros diodos emisores de luz o ledes utilizaron arseniuro de galio (GaAs), que
emite radiación infrarroja. Mediante incorporación de materiales adicionales se pueden
conseguir longitudes de onda visibles con rendimientos mejorados.

Compuestos usados en construcciones de diodos LED color

Arseniuro de galio (GaAs) infrarrojo
Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) Rojo e infrarrojo
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) Rojo, naranja y
amarillo
Fosfuro de galio(GaP),nitruro de galio (GaN) verde
Seleniuro de zinc(ZnSe), Nitruro de galio e indio(InGaN) y azul
carburo de silicio (SiC)
Diamante (C) ultravioleta
LED azul o ultravioleta recubierto con fosforo fluorescente blanco
 Fig. 4.27. Intensidad luminosa de luz y símbolos de diodo LED.

Los ledes estándar diseñados para potencias del orden de 30 a 60 mW. En torno a
1999 se introdujeron al mercado LEDES capaces de trabajar con potencias de 1W
para uso continuo y en 2002 se comercializaron ledes para potencias de 5W, con
eficiencias en torno a 60lm/W, es decir, el equivalente de una bombilla incandescente
de 50W. hoy en día ya hay leyes con diferencias del orden de 150lm/W, lo que está
posibilitando Incluso el empleo de leds en la iluminación.
Los leds tienen múltiples aplicaciones en sistemas de procesamiento óptico de la
información. Por ejemplo, fletes infrarrojos se emplean en mandos a distancia, para
aplicaciones de control remoto. Los leds de luz visible se emplean compro función en
todo tipo de indicadores de estado(encendido/apagado), en dispositivos de
señalización (de tráfico, de emergencia, etc.), en paneles informativos, en el
alumbrado de pantallas de cristal líquido y en impresoras led. El uso de lámparas LED
en el ámbito de la iluminación (incluyendo la señalización de tráfico) es previsible que
se sigue incrementando en el futuro, ya que presenta indudables ventajas frente a
otros sistemas de iluminación, por su elevado rendimiento y larga vida útil. Los diodos
OLED, por su parte están en las pantallas de televisión y en el futuro pueden estar en
dispositivos portátiles, una vez superados los problemas de degradación de los
materiales orgánicos con los que se fabrican. Los LEDs son también utilizados en
sistema de comunicaciones ópticas para redes locales. Otra importante aplicación de
los LEDs es para proporcionar un aislamiento de tipo óptico, el cual dos circuitos
eléctricos se conectan mediante luz proveniente de un LED (optoacopladores).
Fig. 4.28. ejemplo de aplicaciones de diodos LEDs.