El transistor.

El transistor es en terminos generales el corazon o la base sobre la que descansa toda la electronica
moderna, existe diferente tipos de transistores cada uno de los cuales es propio de aplicaciones
especificas en este punto analizaremos el transistor bipolar.

Un transistor bipolar tamien llamado transistor BJT está formado por dos uniones pn en contraposición.
Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector-
siendo la región de base muy delgada (< 1μm). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la
zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se
muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un PNP. En ambos casos se
verifica que

Ebers y Moll desarrollaron el modelo que relaciona las corriente y los voltajes en los terminales del
transistor según este modelo se basa en las siguientes ecuaciones.

Para un transistos NPN

En las ecuaciones anteriores IES y ICS Reprentan las corrientes de saturacion para las uniones de emisor
y colector respectivamente αF Es el Factor de defecto y αR es la fraccion de inyeccion de portadores
minoritarios

las ecuaciones para un transistor PNP

Los cuatro parametros mensionados anteirmente estan relaciondados para un transistor ideal por la
siguiente expresion

Las regiones de operación del BJT son las siguientes.

En general, los transistores bipolares de circuitos analógicos lineales están operando en la región activa
directa. En esta región existe cuatro zonas de operación definidas por el estado de las uniones del
transistor

(Tabla 1.1): saturación, lineal, corte y ruptura; estas zonas se indican claramente en la figura 1.2 que
representa las zonas de operación de un transistor. A continuación se describe las características del
transistor en estos modos de operación considerando el transistor NPN únicamente; similar resultado
puede ser aplicado a transistores PNP.

• Región activa lineal

En la región activa lineal, la unión emisor-base está directamente polarizada y la unión base-colector
inversamente polarizada; la V BE está comprendida entre 0.4 V y 0.8 V (valor típico de 0.7 V) y la
VBC > 100mV.
En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll se pueden aproximar a

Operando con estas ecuaciones, se obtiene una relación entre ambas intensidades de forma que

Donde

Sustituyendo la ecuacion .

En la ecuacion.

Tenemos por lo tanto a.

siendo por lo tanto

ßF , es la ganancia en corriente en continua del transistor que en las hojas de características del
fabricante se representa por hFE. Este parámetro es muy importante en un transistor de unión y define la
relación entre las corrientes de colector y base. Al ser I una corriente muy baja, el segundo término de
la ecuación (1.9) puede CO ser despreciado frente al primero. Como resultado, se obtiene una relación
muy utilizada para analizar transistores que operen en esta región
La ecuación anterior indica que en la región activa lineal la relación entre las corrientes de colector y
base es constante. Sin embargo, en la práctica la hFE de los transistores varía hasta en un 500% debido
principalmente a tres factores:
1) Proceso de fabricación. Los transistores sufren variaciones en el proceso de fabricación que
modifican sus características. El fabricante asigna un valor típico (typ) a ese transistor con un rango de
valores comprendido entre un máximo (max) y un mínimo (min). Por ejemplo, el BC547B tiene, para
una IC =2mA, una hFE(min)=200, hFE(typ)=290 y hFE(max)=450.

2) Corriente de colector. La hFE varía también con la corriente de colector. El fabricante proporciona
curvas de características que permiten obtener la hFE para diferentes IC.

3) Temperatura. La dependencia de la hFE con la temperatura se puede observar en las gráficas que
proporciona el fabricante para tal fin. En la figura siguiente se describe diferentes curvas normalizadas
a 25o C de hFE para temperaturas de -55oC y 175oC.

El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas lineales que son
utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada son amplificadas a la salida y,
por consiguiente, hay un aporte de energía realizado a través de fuentes de tensión externas
denominadas fuentes de alimentación o fuentes de polarización. Las fuentes de alimentación cubren
dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor
opere en la región lineal y suministrar energía al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en
potencia (amplificación). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un
transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).

En transistor del circuito de la siguiente figura está polarizado con dos resistencias y una fuente de
tensión en continua VCC . Y en el se verifica la ecuacion que acompaña el circuito de polarizacion.
Si suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entonces se puede relacionar las
intensidades de base y colector a través de la hFE y asignar una tensión base-emisor típica de 0.7 V. El
cálculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este
circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:

En la figura siguiente se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del transistor,
especificado a través de tres parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de
una recta denominada recta de carga estática: si Q se encuentra en el límite superior de la recta el
transistor estará saturado, en el límite inferior en corte y en los puntos intermedios en la región lineal.
Esta recta se obtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada
en las curvas características del transistor corresponde a una recta. La tercera ecuación de las tres
anteriores define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarización, de forma que

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC ) del transistor se selecciona dos
puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC ; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar
en la figura anterior y representan los cortes de la recta de carga estática con los ejes de coordenadas.
Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor es seleccionar la
situación del punto Q. La selección más práctica es situarle en la mitad de la recta de carga estática para
que la corriente de colector sea la mitad de su valor máximo, condición conocida como excursión
máxima simétrica. Evidentemente esta es una condición de diseño que asegurará el máximo margen del
punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras
condiciones de operación del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En
estos casos la situación del punto Q estará definida por las diferentes restricciones.
Transistor Fet, o de efecto de campo

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes
encircuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y
transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por
tensión con una alta impedancia de entrada (101 2Ω). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos
digitales y analógicos como amplificador o como conmutador. Sus caracterísitcas eléctricas son
similares aunque su tecnología y estructura física son totalmente diferentes.

Ventajas del FET:

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (10 7 a 101
2Ω).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más
dispositivos en un C1.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión
drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir
su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas de los Fets

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

1.7.- Características eléctricas del JFET

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos
regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales
se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En las siguientes figuras se describe un
esquema de un JFET de canal n, el símbolo de este dispositivo y el símbolo de un JFET de canal P.

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En un JFET de
canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de
corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para
que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura
siguiente
Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores
bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a diferencia de los bipolares
que son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID
(intensidad drain o drenador a source o fuente), V (tensión gate o puerta a source o fuente) y V (tensión
drain o drenador a GS DSsource o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte,
lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas
regiones para el caso de un NJFET en los demas tipos de fets a ecepcion de los mosfet los valores y
comportamiento son similares.

• Región de corte
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensión entre puerta
yfuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y estrangulan el canal
cortando la corrienteentre drenador y fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como de
estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una
VGS(off)=-2V.

• Región lineal
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas
aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensión. El fabricante proporciona
curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes valores de VGS tal como se muestra en la
siguiente figura En esta región el transistor JFET verifica las ecuaciones que la acomopañan:

• Región de saturación
En esta región, de similares características que un BJT en la región lineal, el JFET tiene unas
características lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta como una fuente de intensidad
controlado por la tensión VGS cuya ID es prácticamente independiente de la tensión VDS. La ecuación
que relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuación cuadrática o ecuación de Schockley que viene
dada por
donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación. Esta corriente se
define como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta característica es utilizada con frecuencia para
obtener una fuente de corriente de valor constante (IDSS ). La ecuación que se indica a continuacion en
el plano ID y VGS representa una parábola desplazada en Vp. Esta relación junto a las características del
JFET de la figura que se indica a continuacion permiten obtener gráficamente el punto de trabajo Q del
transistor en la región de saturación. La figura 1.13 muestra la representación gráfica de este punto Q y
la relación existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarización de un
transistor utilizando métodos gráficos.

• Región de ruptura

Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través de la unión
de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y fuente
con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa por BVDSS y su valor está
comprendido entra 20 y 50 V. Las tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para
evitar que el dispositivo se deteriore.
Por último, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas
anteriormente para el JFET son válidas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en
la tabla siguiente
1.8. Transistores MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo

que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son dispositivos más importantes
que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología
MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o
PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion);
en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los
MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento.
En la figura indicada a continuacion se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con sus
cuatro terminales:
puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La
puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico (Si02) formando una
estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce
cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un camino de conducción
entre los terminales drenador y fuente. La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina
tensión umbral o tensión de threshold (VT ) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS<VT,
la corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son de de 0.5 V a 3 V.

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus ecuaciones
analíticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de
operación: corte, lineal, saturación y ruptura. En la figura que aparece despues de las ecuaciones se
muestran las curvas de características eléctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de
operación que son descritas brevemente a continuación.

• Región de corte

Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula.

• Región lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensión. Verifica las
siguientes ecuaciones:

0
es un parámetro característico del MOS que depende de la tecnología a través de la constante k y del
tamaño de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).
Aqui las cuvas de operación mensionadas anteriormente

• Región saturación

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS. Verifica las
siguientes ecuaciones:

siendo ß el parámetro descrito en la ecuación 1.24. En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID
se representa en la gráfica anteriormente mostrada a la izquierda de la linea ID, y de una manera similar
a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por métodos gráficos el punto de
polarización de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos.

• Región de ruptura

Un transistor MOS puede verse afectado por fenómenos de avalancha en los terminales drenador y
fuente, y roturas en la capa de óxido fino de la puerta que pueden dañar irreversiblemente al
dispositivo.
Por último, señalar que en la tabla siguiente se indican las diferencias en el signo y sentido de las
corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.
1.9. Polarización de los FET
Los circuitos básicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL
JFET tiene el inconveniente de que la tensión VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva en un
PJFET) que exige unos circuitos de polarización característicos para este tipo de dispositivos. En este
apartado únicamente se presentan dos de los circuitos más utilizados: polarización simple en las figuras
a continuacion , se utiliza una fuente de tensión externa para generar una VGS<0, y autopolarización, la
caída de tensión en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.
Dispisitivos fotonicos. (Cristales)

Los Cristales fotónicos son estructuras periódicas artificiales de múltiples dimensiones con un período
del orden de longitudes de onda ópticas. Estos materiales están estructurados para tener una
modulación periódica del índice de refracción.

Es posible fabricar fibras ópticas mediante el uso de cristales fotónicos. En estas fibras, tanto el núcleo
como el revestimiento utilizan el mismo material, por lo general sílice. Una de las regiones de la fibra,
el núcleo o el revestimiento, presenta agujeros de aire, mientras que la otra región es totalmente sólida.
La presencia de los agujeros de aire en una región, por ejemplo en el revestimiento, da como
resultado un índice de refracción efectivo que es menor que la región del núcleo sólido.
Por otra parte, es posible suprimir la emisión espontánea mediante el uso de cristales fotónicos.

La Optoelectronica, antecedentes

La Optoelectrónica es una parte de la fotónica relacionada con el estudio y aplicación de dispositivos

electrónicos que interactúan con la luz, sistemas en los que los electrones y los fotones coexisten. Los
dispositivos optoelectrónicos operan como transductores eléctrico- ópticos o ópticos-eléctricos.

Algunos aspectos destacados de la historia de la optoelectrónica son los siguientes:

• Primera observación de electroluminiscencia de cristales de SiC en el año 1907 por el capitán Henry
Joseph Round (Inglaterra).
• Algunas décadas más tarde, en 1927, Oleg Vladimirovich Losev (Rusia imperial) observó la emisión
de luz a partir de óxido de zinc y diodos rectificadores de cristal de carburo de silicio utilizado en
receptores de radio cuando eran atravesados por una corriente eléctrica [1].
• En 1961 Ali Javan (Bell Labs) inventó el primer láser de gas de neón o helio. Un año más tarde,
Robert Hall inventó el láser de inyección de semiconductores.
• Nick Holonyak (USA) inventó el primer LED (light emission diode) visible en 1962.
•Primera transmisión utilizando fibras de vidrio inventada por Corning glass e instalada por AT&T en
1983, desde New York a Washington, D. C., a 45 megabits por segundo.

Hoy en día la Optoelectrónica se ha convertido en una nueva tecnología emergente. El mercado de la

optoelectrónica está creciendo cada año en todo el mundo, con un crecimiento del 30% anual desde
1992. La Optoelectrónica permite generar, transportar y manipular datos a muy alta velocidad. Las
principales aplicaciones de la optoelectrónica se centran en el campo de las comunicaciones,
incluyendo comunicaciones de fibra óptica y sistemas láser. Sin embargo, las aplicaciones de la
optoelectrónica se extienden a nuestra vida cotidiana, incluyendo los campos de la informática, la
comunicación, el entretenimiento, los sistemas de información óptica, la educación, el comercio
electrónico, la vigilancia del medio ambiente, la salud y el transporte. Los dispositivos optoelectrónicos
también son importantes en aplicaciones de defensa que incluyen el tratamiento de imágenes de
infrarrojos, radar, sensores de aviación y armas guiadas ópticamente.

Fotoconductividad
En temas anteriores se establecio cuales son los parámetros que influyen en la conductividad de un
material llegamos a la parte interesante que es como aprovechar esta característica para medir la
cantidad de luz incidente sobre él, lo estudiaremos sobre los semiconductores ya que tanto sobre
disoluciones como sobre metales los efectos son despreciables. Supongamos que tenemos un
semiconductor tipo n (dopado con impurezas donadoras), la conductividad como hemos deducido
anteriormente será.

aunque la movilidad no sea una constante la vamos a considerar en un principio como tal, la carga del
electrón es constante así que sólo nos queda la densidad de portadores, en este caso electrones en el
semiconductor. Esta densidad es fija para una determinada temperatura si consideramos que ésta es la
única fuente de energía que permite a los portadores saltar a la banda de conducción. Aquí es donde
aparece la energía de los fotones incidentes, un fotos por tanto va creando un pare lectrón-hueco, su
energía ha de ser igual o superior a la energía de la banda prohibida, el electrón sobre el que ha incidido
el fotón saltará a la banda de conducción creando un hueco en la banda de valencia, ambos portadores
de carga participarán ahora en la conducción aumentando la conductividad del material y por tanto con
una misma diferencia de potencial en los extremos del semiconductor la corriente será mayor debido a
la disminución de la resistencia. ¿Que longitudes de onda seran las que incementen la
fotoconductividad? La respuesta parece evidente, aquellas longitudes cuya energía sea mayor que Eg.

Antes de introducirnos en el analisis de dispositivos semiconducteres cuya teoria de funcionamiento es

un tanto mas compleja vamos a estudiar el priincipio de funcionameniento de un dispositivo mucho
mas sencillo y nos permitira entender elprincipio de funcoionamiento de los fotoconductores, este
dispositivo e la foto resistencia

Teoría de funcionamiento
Las fotorresistencias son fotorreceptores con un tiempo de respuesta lento, antes hemos visto la ventaja
que esto suponía, ahora vamos a intentar cuantificarlo definiendo la ganancia (G) que se obtiene gracias
a su respuesta lenta. Supongamos un semiconductor con forma de paralelepípedo como la figura
siguiente la ganancia vendrá definida por cuantos electrones (huecos) vamos a poder contar por cada
par que se genere.

cuando un electón es generado y contribuye a la conducción este viaja en dirección al electrodo

con potencial positivo, cuando llega allí la carga abandona el semiconductor pero como la carga tiene
que mantenerse otro electrón es suministrado desde el electrodo contrario generándose algo similar a
una cinta sinfín, la carga desaparecerá cuando se recombine con lo que la carga que sigue en el
semiconductor pero ya no participa en la conducción La ganancia vendrá pues determinada por
cuantas veces atraviese este electrón (hueco) el paralelepípedo
Fotodiodo

Ya hemos visto como son las fotorresistencias y sus principales características, el motivo que las difer-
enciaba era que el tiempo de recombinación de los portadores era alto, vamos ahora a analizar como
trabajar con tiempos de respuesta bajos. Cuando el tiempo de recombinación es muy bajo la distancia
recorrida por los portadores fotogenerados será corta (ya que la velocidad máxima está limitada por el
decaimiento de la movilidad) y sólo vamos a poder detectar un portador si llega hasta el electrodo ya
que la corriente es carga por unidad de tiempo y si el par electrón-hueco se recombina durante el
trayecto se perdió la carga, esto implica que tenemos que o bien aumentar el tiempo de vida (y
estropeamos la principal ventaja), incrementar la velocidad de los portadores, pero ya hemos visto que
no se puede incrementar mucho o disminuimos la distancia que hayan de recorrer los portadores. Aquí
es donde entra la idea del fotodiodo, pero para entenderla vallamos al fotodiodo de unión pn.

Fotodiodos PN
En la zona de carga de espacio (donde hay campo eléctrico) hay portadores de ambos tipos,
mientras que en el resto del diodo (por ejemplo en la zona n) hay muchos electrones y pocos
huecos n >> p un electrón en exceso en la zona n tiene pocas probabilidades de encontrarse con un
hueco con quien recombinarse por lo que el tiempo de vida será alto, sin embargo en la zona de carga
de espacio será bajo, lo mismo puede decirse para los huecos en el lado p. Supongamos un diodo pn sin
polarización y sobre el que incida radiación electromagnética como lo muestra la figura siguiente, los
pares electrón-hueco que incidan sobre la zona n o p desaparecerán rápidamente ya que el hueco
generado en la zona n encontrará un electrón con quien recombinarse e igualmente con el electrón
generado en la zona p, pero los pares generados en la zona de carga de espacio aunque tienen alta
probabilidad de recombinarse también tienen un fuerte campo eléctrico que les aparta de la zona y
separa al electrón y al hueco enviando a cada uno a la zona en que son mayoritarios y por tanto tienen
pocas probabilidades de recombinarse y velocidad para llegar al electrodo, en ese momento si el
electrón llega antes que el hueco y para mantener la neutralidad de carga un electrón se generará en el
otro electrodo recombinándose rápidamente con un hueco con lo que desaparece el par (lo mismo si
hubiese llegado antes el hueco). Acabamos de describir la gran ventajadel fotodiodo, hay una zona muy
estrecha y de alto campo eléctrico (zona de carga de espacio) en que se separan con facilidad los pares
electrón-hueco y con un tiempo de vida corto pero inmediatamente llegana una zona en la que tienen
tiempo de vida largo por lo que son capaces de llegar al electrodo, este seráun dispositivo rápido en
contraposición a las fotorresistencias.
Fototransistores
El fototransistor sigue el mismo principio de funcionamiento de la fotorresistencia o del fotodiodo, su
peculiaridad consiste en su amplificación de señal debido al efecto transistor, la fotogeneración de por-
tadores se realiza en la base, los símbolos con los que nos podemos encontrar un fototransistor
podemos verlos en la figura siguiente Hay dos símbolos (en este caso para dispositivos npn, que son los
normales)uno con terminal de base y el otro sin él, en el primer caso la corriente que entra por la base
es la suma de la señal electrónica y la fotogenerada mientras que en el segundo caso sólo podemos
tener señal fotogenerada.
Si nos olvidamos por un momento de la señal fotogenerada el comportamiento del dispositivo es
exactamente igual que el del transistor convencional.

El uso del fototransistor se puede dividir en dos grupos dependiendo de si el dispositivo tiene dos o tres
terminales.
En el caso de que tenga tres terminales su uso será idéntico al de un transitor normal, con la única
diferencia de que la señal en lugar de venir dada de forma electrónica nos llega de forma fotónica.

Si comparamos los circuitos de la figura siguiente vemos que el primero tiene una corriente de base
en pequeña

mientras que en el segundo ib viene dada por la fotocorriente, es decir por la irradiancia, si asumimos
esto todos las configuraciones que conocemos para el transistor pueden extrapolarse para el
fototransistor de tres terminales.

Si sólo disponemos de dos terminales la polarización del transistor viene forzada y entonces IBQ=0,
esto nos puede incitar a pensar que no vamos a poder usar el transistor como amplificador, y de
hecho para una alimentación antisimétrica no podríamos tener corrientes de pequeña señal negativas ya
que el transistor estará cortado. Si nos fijamos un poco mejor veremos que esto no puede suceder, las
fotocorrientes son siempre positivas, no podemos tener una señal senoidal alrededor de la de
polarización ya que podemos tener mas o menos iluminacion pero nunca iluminacion negativa, lo que
si podremos tener es señales senoidales sobre un nivel de continua (ambos fotonicos) y entonces la IBQ
vendra dada por la iluminacion media del sistema
Características técnicas
En este apartado vamos a describir y explicar los detalles específicos del fototransistor (respecto al
tran-sistor) con los que nos encontraremos en una hoja de características. Por ejemplo cogeremos el
fototransistor PT481F de Sharp

Máxima potencia disipada El transitor no debe superar una potencia máxima para evitar dañarse, el
dañado se produce al superarse una máxima temperatura en las uniones, siendo la dañada en este caso
la tensión colectro-base ya que es la que más potencia soporta (su tensión es mayor que la de emisor-
base). La temperatura máxima se compone de dos términos, la temperatura ambiente y el incremento
de temperatura producida por la disipación, como nosotros no podemos medir la temperatura interna
del dispositivo fijamos unos máximos de disipación, que como es lógico dependerán de la temperatura
ambiente, ya que será necesario una elevación menor de temperatura debida a la disipación cuanto más
alta sea la temperatura externa.

Corriente de colector de oscuridad. En todo dispositivo sensor hay una cantidad de señal que no es
generada por fotones sino que aparece por efectos electrónicos internos del dispositivo, pero es impor-
tante conocer su magnitud para poder saber la fiabilidad de la señal final que se obtenga. La curva de la
corriente de colector de oscuridad frente a la temperatura, estamos hablando de corrientes del orden
entre picoamperios y miliamperios dependiendo de la temperatura.

Variación de la corriente de colector con la temperatura ambiente La corriente fotogenerada depende de

la temperatura principalmente cuando la irradiancia es baja. Debemos recordar que la generación de
portadores espontánea depende de la temperatura y que no depende de la temperatura, por ello debemos
tener principal cuidado cuando trabajemos con bajos niveles de señal ya que la señal puede variar
mucho dependiendo de la temperatura ambiente

Corriente de colector frente a la irradiancia. El dato interesante será que corriente generara el
dispositivo cuando una determinada cantidad de luz incida sobre él, este dato lo tenemos en la
figura que sigue, si vemos el grafico podemos ver que para una irradiancia de 0.04 mW/cm2la señal
sugiere ser del orden de la magnitud la corriente de oscuridad para una temperatura de 100 o C lo cual
nos indica que no serían válidas las medidas tomadas.
Sensibilidad espectral Como en todo sensor fotónico un parámetro fundamental es la respuesta relativa
del dispositivo a distintas longitudes de onda, en este caso podemos ver en la figura 1.30b que la
máxima sensibilidad se produce a los 860nm (esta cifra también las da el fabricante de forma numérica)
y el rango útil se extiende desde los 700 hasta los 1100nm

Diagrama de sensibilidad angular Otro parámetro importante es la sensibilidad angular, esta

característica nos da información acerca de respuesta a frente a excitaciones dependiendo de la
dirección de la que llega la escitación, se puede demostrar que la máxima respuesta se da para
iluminación frontal y que la respuesta se reduce a la mitad para un ángulo de 12o y a tan sólo un 10%
para un ángulo de 20o. Este sería un fototransistor de ángulo de aceptación estrecho, por contraposición
podemos encontrarlos que tengan una respuesta del 50% para un ángulo de recepción de 60%.

Señal relativa frente a distancia Por último los fabricantes suelen ofrecer para cada detector un emisor
que es el más conveniente, de forma que para determinadas aplicaciones el uso del uno implica usar
también el otro, en este caso podemos ver para esta pareja de dispositivos cual sería la respuesta
relativa frente a la distancia para nuestro fototransistor para una excitación fija del emisor. Podemos ver
en la figura de abajo que el incremento de distancia baja mucho la respuesta y que para una distncia de
50mm tenemos ya tan sólo un 1% de la respuesta para los dos dispositivos pegados.

Diodos electroluminiscentes (LED’s)

La emisión de un fotón en un semiconductor se produce cuando un electrón se recombina con un

hueco, el fotón emitido tendrá la energía resultante de la diferencia entre los niveles inicial y final del
electrón lo mustra la figura siguiente. Este proceso es el inverso que ocurre cuando se produce la
absorción de un fotón en un fotodiodo, donde la energía de un fotón se utiliza para generar un par
electrón-hueco se ve en la otra parte de la misma figura. Para que un electrón se encuentre con un
hueco deberemos tener electrones en la banda de conducción y huecos en la banda de valencia cuando
la situación en reposo es que los electrones estén en la banda de valencia y los huecos en la de
conducción (mínima energía). Para tener electrones en abundancia en la banda de conducción
deberemos tener un material n, pero en este caso la banda de valencia estará también repleta de
electrones y por tanto no hay huecos para recombinarse, igualmente si encontramos un número
apreciable de huecos en la banda de valencia es que tenemos un material p y por tanto la banda de
conducción estará llena de huecos y tampoco habrá un gran número de recombinaciones. Por ello
parece lógico que la forma de conseguir recombinaciones de manera fácil es inyectar electrones en
un material p o huecos en un material n. La única forma de conseguir ambas cosas es mediante una
unión pn.

Lo anterior permite construir un dispositivo com¿nocido como LEDs (Light-emitting diodes/diodos

emisores de luz) son diodos semiconductores que emiten luz incoherente de espectro reducido cuando
la unión pn está polarizada.

La CB (banda de conducción), normalmente vacía, de los semiconductores está poblada por los
electrones inyectados en ella por la corriente hacia a través de la unión. Como vimos en el capítulo 4,
cuando un electrón se encuentra con un hueco (se recombina), cae a un nivel de energía más bajo, y
libera energía en forma de un fotón. Esta emisión de fotones es el mecanismo por el cual la luz es
emitida desde los LEDs. Cuando el electrón puede someterse a la transición a un nivel de energía
inferior por sí mismo, el proceso de emisión de fotones se llama emisión espontánea.
La luz se genera cuando los electrones se recombinan con los huecos y la longitud de onda de la luz
depende de la banda prohibida del material semiconductor. La siguiente tabla muestra los colores
asociados a las longitudes de onda de la luz emitida por los LEDs fabricados por diferentes materiales
semiconductores. Los leds fabricados con semiconductores que presentan un gap directo emiten más
luz que los fabricados a partir de semiconductores de gap indirecto.

Los LEDs se aplican en muchos campos, tales como pantallas, iluminación de estado sólido, control
remoto y sistemas de comunicación óptica. Los LEDs son comúnmente utilizados también en la
iluminación general como muchas lámparas LED integradas y luminarias LED. Diferentes paquetes de
LED se pueden encontrar en el mercado en función de las aplicaciones. Algunos tipos de lentes se
incluyen normalmente en el envasado de LEDs para controlar el ángulo de salida de la luz. Esta es una
de las características que normalmente dan los fabricantes en los datasheets, así como la intensidad de
luz (mcd), flux (lm), longitud de onda dominante (nm) y el color. Valores específicos (umbrales típicos)
de parámetros eléctricos como Vf (forward voltage), If (forward current) también son
suministrados por los fabricantes. La eficiencia energética de un LED, η, se caracteriza en base a la
relación de potencia eléctrica a la entrada respecto a la potencia de luz a la salida—o más
técnicamente: Flux emitidos (lumens) dividido de la potencia de alimentación (W). Los LEDs
comerciales presentan eficiencias entre el 50–70 %.
Lds o diodos Laser

Láser: La amplificación de luz por emisión estimulada. La energía de un fotón entrante, E = h ,

estimula el proceso de emisión mediante la inducción de un electrón para pasar a un nivel de energía
inferior. Este proceso permite obtener la amplificación de fotones: Un fotón entrante resulta en dos
fotones salientes que tienen la misma dirección, longitud de onda y fase.

Los LEDs presentados en el capítulo anterior se basan en el mecanismo de emisión espontánea,

mientras que los LDs (diodos laser) se basan en el principio de emisión estimulada. A fin de lograr una
amplificación de la luz por emisión estimulada, la probabilidad de una emisión de fotones debe ser
superior a la de la absorción para el rango espectral de que se trate. Cuando la emisión estimulada es
dominante, la luz es amplificada, y se produce efecto láser. La emisión estimulada es el mecanismo
dominante cuando la probabilidad de encontrar un electrón en CB es mayor que la probabilidad de
encontrar un electrón en la VB. Esto sucede en presencia de una inversión de población. La inversión
de población se consigue cuando la diferencia entre la energía de Fermi de los electrones, EFN, y la
energía de Fermi de huecos, EFN, es mayor que la banda prohibida, Eg. Con el fin de separar estos
niveles de energía de Fermi es necesario bombear energía en forma de corriente eléctrica en
el semiconductor. Entonces, mediante el bombeo láser, cuando se inyecta una corriente umbral, el
semiconductor se desplaza a un estado de inversión de población.

Las cavidades ópticas, como las FP (Fabry-Perot) o espejos dieléctricos DBRs (distributed Bragg
reflectors), contienen un láser entre dos superficies reflectoras y se usan como resonadores ópticos. En
régimen estacionario, hay oscilaciones estacionarias EM (electromagnetic) en la cavidad óptica. Estas
oscilaciones se reflejan en las superficies de la cavidad óptica. La cavidad óptica presenta ejes
perpendiculares al flujo de corriente. En cada reflexión, la onda se transmite parcialmente a través de
las caras reflectoras. La oscilación láser comienza cuando la cantidad de amplificación se hace igual a
la cantidad total perdida a través de los lados del resonador, a lo largo de propagación en el medio y por
medio de la absorción por el cristal.
Hay dos tipos principales de LDs: Edge Emitting y LDs de superficie emisora. Los Edge emitting LDs
tienen emisiones de mayor anchura y astigmática, mientras que los LDs de superficie emisora
presentan un haz más estrecho de emisión. Las VCSELs (vertical cavity surface emitting lasers) son
láseres con una región activa muy corta que presenta el eje de la cavidad óptica a lo largo de la
dirección del flujo de corriente.
En estos láseres, la emisión de luz ocurre en una dirección perpendicular a la región activa. Las
VCSELs permiten comunicaciones de datos hasta 10 Gbps.

Los LDs son el tipo más común de láser y se usan en un amplio rango de aplicaciones. Estos
dispositivos son de pequeño tamaño, relativo bajo coste y larga vida, lo que los hace una buena
elección para múltiples aplicaciones, que incluyen : Comunicaciones ópticas, lectores de códigos de
barras, punteros láser, lectores y grabadores de discos CD/DVD/Blu-ray, escáneres láser e impresoras o
fuentes de luz direccional.
Circuitos Optoelectronicos integrados

Los OPIC Acrónimo de Circuito Integrado Óptico (Optical Integrated Circuit). Integra un
fotodiodo, un circuito de procesado de señal y un regulador de tensión. La salida es una
señal digital dependiente de la iluminación recibida la siguiente imagen muestra un
dispositivi tipico

El guiado de la luz mediante materiales dieléctricos, demostrado experimentalmenteen la

década de los sesenta, estimuló el crecimiento de una nueva clase de componentespasivos y
activos, que guían la luz utilizando capas finas depositadas sobre un sustrato.Debido a sus
pequeñas dimensiones y bajo consumo se proyectó que estos componentespodrían
reemplazar a los circuitos electrónicos integrados. Adicionalmente, loscomponentes ópticos
ofrecerían las ventajas de presentar mayor inmunidad a lasinterferencias electromagnéticas y
un mayor ancho de banda. En este contexto surgió elconcepto de óptica integrada,
introducido en 1969 por Miller [Mrl]. Un sistema ópticointegrado es una combinación de
componentes individuales, que generalmente incluye:fuentes para generar las señales
ópticas, guías de onda para conducir estas señales,acopladores para conectar los diversos
componentes, detectores para capturar lasseñales ópticas, y elementos de control
(moduladores, interruptores, etc.) para modificarestas señales. Los tres primeros
componentes (fuente, guía de onda y acoplador) sepueden realizar utilizando
exclusivamente elementos ópticos. Sin embargo, el detector ylos componentes de control
son más fácilmente realizables utilizando señales de entradaeléctricas o acústicas de baja
frecuencia en combinación con los efectos electro-óptico,foto-eléctrico, acusto-óptico, etc.
Por tanto, se entiende que la óptica integrada tambiéncomprende la utilización de
componentes que usan entradas eléctricas o acústicas conpropósitos de control. Por otra
parte, la utilización de dispositivos electrónicos encombinación con dispositivos ópticos
añade funcionalidad a los circuitos ópticosintegrados. Esta tecnología recibe el nombre de
optoelectrónica integrada,
Los transmisores y receptores ópticos se cuentan entre los primeros dispositivos
queutilizaron la tecnología óptica integrada. También se demostraron una gran variedad
decircuitos ópticos integrados, que realizan diversas funciones, como por
ejemplo,interconexionado óptico, conmutación, multiplexación, modulación, demodulación
y conversión analógica-digital. Paralelamente, la tecnología optoelectrónica integrada seha
ido introduciendo en muchas áreas. Citemos, por ejemplo, las siguientes:comunicaciones;
medicina; computación; sensores de magnitudes físicas, químicas obiológicas; procesado de
señales ópticas; almacenamiento óptico de información;control óptico de sistemas.

Los principales materiales utilizados para fabricar los dispositivos ópticos integradosson (1)
el LiNbÛB, que es un cristal ferroeléctrico, con un elevado coeficiente electro-óptico y
acusto-óptico; (2) los sistemas de materiales basados en los elementosquímicos ÜI-V
(InGaAs/InP y GaAlAs/GaAs), que corresponden a semiconductoresdirectos, y son los
únicos que permiten la integración monolítica de láseres, fotodiodosy componentes ópticos
pasivos; (3) los polímeros; (4) los materiales basados en elsilicio. Durante mucho tiempo
pareció que la tecnología III-V se impondría a suscompetidores, i.e., la tecnología del
silicio, polímeros y LiNbOs. Sin embargo, lacomplejidad de fabricación, los problemas de
rendimiento y coste de esta tecnología, asícomo la baja eficiencia de acoplamiento fibra-
chip, y las pérdidas elevadas de las guíasde onda, mantienen abierta la competencia entre
las diferentes tecnologías.Actualmente hay un gran interés en el uso del silicio como
material base de la ópticaintegrada, debido principalmente a que posibilita la compatibilidad
con la tecnología de fabricación de circuitos electrónicos integrados. Otras características
importantes son: el buen comportamiento mecánico del silicio, su disponibilidad, el bajo
coste de la sobleas, y la posibilidad de obtener un acoplamiento eficiente entre las fibras
ópticas ylas guías de onda usando esta tecnología. La principal limitación actual de la
tecnología óptica integrada basada en el silicio es la falta de dispositivos emisores de luz de
silicio(LEDs y láseres) eficientes [Sil]. Sin embargo, se están realizando numerosos
esfuerzos para superar esta limitación, entre los que cabe destacar los encaminados a
mejorar la eficiencia de luminiscencia a temperatura ambiente del silicio dopado con erbio

Dispositivos ópticos de acoplamiento

Aseguran un buen aislamiento galvánico entre circuitos cuya diferencia
de potencial es elevada y evitan bucles de tierra indeseados.
• Acopladores ópticos u optoacopladores
• Optointerruptores
• Relés de estado sólido

Optoacopladores
Es una combinación integrada de un emisor y un detector de luz. La señal de transfiere de
forma radiante, manteniendo la entrada y la salida aisladas eléctricamente.
Características técnicas (optoacopladores)
• Relación de transferencia de corriente CTR (Current Transfer Ratio)
• Aislamiento entrada-salida
Tensión de aislamiento
Resistencia de aislamiento
Capacidad de aislamiento
• Velocidad de respuesta tpHL tpLH
• Rechazo del modo común CMRR (Common Mode Rejection Ratio)

Optointerruptores
El optointerruptor o fotointerruptor es unna combinación de emisor y receptor de luz
diseñado para detectar la presencia o posición de un objeto que se interponga en el camino
óptico fijado por los dos elementos internos.
Tipos:
• Transmisivo
• Reflexivo (con o sin elemento reflector)
En la imagen siguiente se aprecia n optointerruptor tipo