TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN El primer transistor el 23 de Dic. De 1947 Desarrollado por Walter H.

Brattain y Joseph Barden Es un dispositivo semiconductor formado por dos capas de material tipo n ( p) y una capa entre ellas de material tipo p ( n).

Existen transistores npn pnp

Dispositivos de 3 terminales (emisor, base y colector)

La capa del emisor est fuertemente dopada La del colector ligeramente dopada Y la de la base muy poco dopada, adems ms delgada.

B Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base Tiene 3 modos de operacin: Corte, Saturacin y Activo.
Modo Corte Activo Saturacin Unin E-B Inverso Directo Directo Unin C-B Inverso Inverso Directo

Transistores BJT en modo activo

E n

p B

IC=IS(eVBE/VT) IB=IC/ IE=IC+IB=IC/

En este modo la corriente de colector es determinada por la ecuacin anterior. La corriente de base es una fraccin de la corriente de colector El valor de es tpico de 100 a 200, y en dispositivos especiales hasta de 1000. La corriente del emisor es la suma de las corrientes

Considere un transistor npn con VBE=0.7 cuando Ic=1mA. Encuentre VBE cuando la corriente del colector es 0.1mA y 10mA. (VT=25mV a temperatura ambiente)

Los transistores de cierto tipo se especifican para tener valores de en el intervalo de 50 a 100, encuentre el intervalo de valores de .

Considere un transistor npn con VE=-0.7 , una =50 . Encuentre las corrientes de emisor, base y colector, adems el voltaje de colector.

n C

p
B

n E

C B Smbolo

Transistor BJT npn

C
B +
VBE
IE IB

+
VBE

Modelos de primer orden en modo activo

p C

n
B

p E

C B Smbolo

Transistor BJT pnp E

E +
VBE

+
B
VEB

IB

IE

Modelos de primer orden en modo activo

Configuracin de BASE comn

La corriente de colector es constante, por tanto el colector se comporta como una fuente de corriente constante en la regin activa.

Caractersticas de salida del transistor en configuracin de base comn.

Configuracin de EMISOR comn

A diferencia de la configuracin anterior, el voltaje CE si tiene influencia sobre la magnitud de la corriente de colector.

Caractersticas de salida del transistor en configuracin de emisor comn.

Configuracin de COLECTOR comn

Esta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de impedancias. Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al contrario de las otras dos configuraciones.

Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta configuracin son las mismas que se usan para EMISOR comn.

Punto de Operacin 1.
2. 3. 4. 5.

El anlisis de circuitos a transistores, requiere de conocimiento de la operacin del mismo tanto en DC como en AC
El teorema de la superposicin puede ser aplicado al circuito Una vez definidos los niveles de DC se debe establecer el punto de operacin deseado. Cada diseo determinar la estabilidad del sistema El punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas del transistor que definen una regin para la amplificacin de la seal aplicada.

Circuito de polarizacin fija.

Variando RB
Ic/Rc

Recta de carga

Variando RC

Vcc

Ic/Rc

Vcc

Polarizacin fija, y con RE

Polarizacin por divisor de voltaje

VE=(1/10)Vcc

Ri=(+1)RE

R2(1/10)RE Icq=(1/2)ICSat

Saturacin: Mximos niveles de operacin

VCE=0 RCE=0

ICSat=Vcc/Rc
ICSat=Vcc/(Rc+ RE)

Polarizacin por retroalimentacin de voltaje

10V

4V

4.7k

=100
3.3k

10V

6V

4.7k

=100
3.3k

10V

4.7k

=100
3.3k

10V

2k

=100
1k -10V

10V

5V

2k

=100
100k

Anlisis en AC de transistores BJT

Modelos del transistor:

Ic= Ie

Modelo re

Ic= Ib Ic= Ie

Configuracin de base comn

Configuracin de emisor comn

Modelo Hbrido Equivalente

Configuracin de emisor comn hie=re hfe= hoe=1/r0

Configuracin de base comn hib=re hfb= -