EL TRANSISTOR

BIPOLAR Y EL
TRANSISTOR
EFECTO DE CAMPO
Fernando Josué Ureña Navarro
20300187 2°H
Electronica analógica 18/05/21
TRANSISTOR BIPOLAR

Definición

El transistor de unión bipolar es

un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí,
que permite aumentar la corriente
y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales.
Símbolo
 Tipos
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP
Estos nombres proceden de la descripción de su estructura física.
En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la
base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física del
transistor PNP es dual a la anterior cambiando las regiones P por
regiones N, y las N por P.
•Elemisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación
p+). Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de
portadores podrá aportar a la corriente.
•La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga
lugar poca recombinación en la misma, y prácticamente toda la
corriente que proviene de emisor pase a colector. Además, si la
base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como
un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se
tratase.
•Elcolector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las
características de esta región tienen que ver con la
recombinación de los portadores que provienen del emisor
Características

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un

solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De
esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor
Polarización

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones

continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente
decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en
corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba
Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus
terminales. Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se
encuentra en corte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última
condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que
llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta
con no polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con
que VBE=0.
 Polarización

Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor.
Existen corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unión
base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-base en
inversa.

Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor
como la base-colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir
las relaciones de activa, y se verifica sólo lo siguiente:
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación
suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en
saturación circula también corriente por sus tres terminales, pero ya
no se cumple la relación: II CB = ⋅ β
 Funcionamiento básico

Entre los terminales de colector (C) y

emisor (E) se aplica la potencia a regular, y
en el terminal de base (B) se aplica la señal
de control gracias a la que se controla la
potencia. Con pequeñas variaciones de
corriente a través del terminal de base, se
consiguen grandes variaciones a través de
los terminales de colector y emisor. Si se
coloca una resistencia se puede convertir
esta variación de corriente en variaciones
de tensión según sea necesario
Nombre de
sus
terminales
Es un dispositivo de
tres terminales denominados
emisor, base y colector.
Configuraciones básicas

Montaje en Base Común

Es usado normalmente como un
buffer de corriente o amplificador de
voltaje. En esta configuración la
entrada se aplica al terminal emisor
del transistor bipolar o BJT y la
salida se obtiene del
terminal colector
En base común de entrada VBE,
IE y VCB, de salida IC, VCB e IE
 Configuraciones básicas

Emisor común
En estos tipos de montajes en los que la entrada
de señal a amplificar y la salida amplificada se
toma con respecto a un punto común, en este caso
el negativo, conectado con el emisor del transistor.
Este circuito nos ayudará a comprender el
funcionamiento de un transistor tipo NPN.
En emisor común de entrada VBE, IB y VCE de
salida IC, VCE e IB
 Configuraciones básicas

Colector común
Es otro tipo de configuración de transistor de
unión bipolar (BJT) donde la señal de entrada
se aplica al terminal base y la señal de salida se
toma del terminal emisor. Por lo tanto, el
terminal colector es común a los circuitos de
entrada y salida
En colector común de entrada VBE, IB y VCE
de salida IC, VCE e IB
Circuitos de las configuraciones
 Zonas de trabajo
Se denominará punto de trabajo o punto Q
del transistor, a aquel par de valores IC, VCE
de la recta de carga, que el transistor tiene en
unas condiciones de trabajo determinadas
por el circuito en el que se encuentra.
Para determinar el punto Q, de manera
gráfica, dibujamos la recta de carga en la
gráfica IC, VCE de las curvas de salida que
da el fabricante, y en el punto de intersección
de esta recta con la curva característica cuya
IB coincida con la IBQ calculada
anteriormente, será el punto de trabajo.
Graficas de las zonas de
trabajo explicadas

La recta de carga se dibuja

igualmente mediante dos puntos, que
son los de corte con los ejes, es decir
cuando IC=0 y cuando VCE=0.
Según la posición del punto Q en la
recta de carga, se establecen las tres
zonas de funcionamiento
del transistor, con unas
características diferenciadas.
Estas zonas o regiones de acuerdo a
lo anterior son
 Imágenes
del transistor físicamente de
acuerdo a sus potencias,
 Aplicaciones

•Estos son los tipos de transistores bipolares preferidos en los circuitos lógicos.
•Se utiliza en los circuitos de amplificación.
•Se prefieren en los circuitos de oscilación.
•Estos son los preferidos en los circuitos multivibradores.
•En los circuitos de recorte, estos son los preferidos para los circuitos de conformación de onda.
•Se utiliza en los circuitos del temporizador y los circuitos del tiempo de retardo.
•Estos se utilizan en los circuitos de conmutación.
•Utilizado en los circuitos de detector o como demodulación.
Estos tipos de transistores de bipolares se construyen de una manera más simple. Estos se
consideran como la clasificación básica de los transistores. La aplicación básica de este transistor
es evidente con frecuencia como los interruptores. La razón detrás de esto es que su diseño es
menos complejo en comparación con otros transistores.
¿Qué es hfe?

H es para Hybrid (parámetro), F

significa Forward hacia adelante
(amplificación actual) y E es para
la configuración de mitter común
E . En términos sencillos, ejecuta
una pequeña corriente desde la
base hasta el emisor y mide
cuántas veces mayor es el colector
resultante a la corriente del
emisor.
Cómo se obtiene el punto Q

Para obtener el punto de funcionamiento (punto Q) se puede proceder

como sigue, siempre teniendo en cuenta que se cumple (definidas las
corrientes con el criterio de este libro): IE = IB + IC ; VCE = VBE -
VBC. Por tanto para obtener el punto Q solamente es necesario obtener
IBQ, ICQ ; VCEQ y VBEQ
 El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solución,
el punto Q, también llamado "punto de trabajo" o "punto de
¿Qué es el punto Q? funcionamiento". Este punto Q se controla variando VS y RS. Al punto de
corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se le
llama "Saturación
 ¿Cómo
se calcula la ganancia del transistor
bipolar?

La ganancia de
voltaje se calcula
simplemente:
TRANSISTOR EFECTO
DE CAMPO

Definición

El transistor de efecto campo es

un transistor que usa el campo
eléctrico para controlar la forma y,
por lo tanto, la conductividad de
un canal que transporta un solo
tipo de portador de carga, por lo
que también suele ser conocido
como transistor unipolar
Símbolo
 Tipos
El MOSFET (FET metal-óxido-semiconductor) usa un aislante (normalmente SiO 2).
El JFET (FET de unión) usa una unión PN.
El MESFET (FET metálico semiconductor) sustituye la unión PN del JFET con una barrera schottky.
En el HEMT (transistor de alta movilidad de electrones), también denominado HFET (FET de
estructura heterogénea), la banda de material dopada con huecos forma el aislante entre la puerta y el
cuerpo del transistor.
Los MODFET (FET de modulación dopada)
Los IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo para control de potencia. Son
comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenador-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así
los power mosfet todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenador-fuente
de 1 a 200 de voltaje(V).
Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del
transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada
de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.
Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino
 características

Field Effect Transistor El transistor de efecto de campo es un

dispositivo de tres terminales controlado por voltaje, es decir que
se basa en el campo eléctrico para controlar la conductividad de
un canal, o en otras palabras, la corriente se controla mediante un
voltaje, mientras que el transistor bjt es un dispositivo controlado
por corriente
 polarizaciones

POLARIZACIÓN FIJA
Es la peor forma de polarizar al transistor JFET
puesto que depende mucho del transistor
empleado la cual es una de las pocas
configuraciones a FET que pueden resolverse
tanto por un método matemático como por uno
grafico
POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE
VOLTAJE Es la forma más segura de saber que
el punto de funcionamiento Q va a estar en el
punto que se estabilice. La forma de calcular es
exactamente igual que los transistores que se le
aplica Thevening
 Funcionamiento básico,

Por otro lado, un transistor de efecto de campo

de unión es un dispositivo controlado por
voltaje, y solo los operadores mayoritarios
participan en la operación.
Aquí canal de cualquiera de tipo p o tipo nEl
semiconductor se crea entre el tipo opuesto de
semiconductor. Eso significa que si el canal es de
tipo p, el entorno sería de tipo n y si el canal es
de tipo n, el entorno sería de tipo p. Dependiendo
del tipo de semiconductor utilizado en el canal
 Nombre de sus
terminales

FUENTE (Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que

trabajan controlando la corriente entre drenaje y fuente a través
del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada
al terminal de puerta.
 Configuraciones básicas

Para ambas configuraciones JFET. la “canal”

semiconductor transistor de efecto de campo de unión es una vía de
resistencia a través del cual un voltaje VDS Se hace un flujo de
corriente CARNÉ DE IDENTIDAD por lo que el JFET puede
conducir corriente igual de bien en ambas direcciones
El resultado es que la unión PN tiene por lo tanto una alta polarización
inversa en el terminal D y una polarización inversa más bajo en el
terminal S. Esta distorsión provoca la formación de una “capa de
agotamiento” el interior del canal y la anchura de lo que aumenta con
el sesgo.
Circuitos de las
configuraciones
 zonas de trabajo y graficos

Zona de corte o de no conducción. Se corresponde con

el eje horizontal de la gráfica. En esta zona la corriente ID = 0
con independencia del valor VDS. Esto se da para valores de
VGS  VGSoff, donde el canal está completamente cerrado.

Zona óhmica o de no saturación. Se da para valores

de VDS inferiores al de saturación, es decir, cuando VDS 
VGS - VGSoff . Para estos valores de tensión el canal se va
estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta
llegar al estrangulamiento completo para VDSsat. En esta
zona el transistor se comporta aproximadamente como una
resistencia variable controlada por la tensión de puerta, sobre
todo para valores pequeños de VDS, ya que a medida que nos
aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS
se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del
canal que se aproxima al cierre.
 Zona de trabajo y graficas

Zona de saturación o de corriente constante. Esta zona

se da para valores VDS > VDSsat . Ahora la corriente ID permanece
invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la hipótesis de
canal largo) y sólo depende de la tensión VGS aplicada. En esta zona
el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por
la tensión de puerta VGS. La relación entre la tensión VGS aplicada
y la corriente ID que circula por el canal en esta zona viene dada por
la siguiente ecuación

Zona de ruptura. En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n

polarizadas en inversa, tanto más cuanto menor sea el valor de VGS.
Tal y como vimos al abordar el estudio de la unión p-n en el tema 2
cuando una unión p-n la polarizamos en inversa, la zona de carga de
espacio aumenta. Sin embargo, esta tensión inversa no se puede
aumentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor
(tensión de ruptura, característico de cada unión y que suele ser
proporcionado por el fabricante en sus hojas de características) la
unión se perfora, produciéndose la ruptura del dispositivo
 imágenes
del transistor físicamente
de acuerdo a sus potencias