PROCESOS ESTRUCTURALES

INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE CALKINI EN EL

ESTADO DE CAMPECHE

ELECTRONICA DE POTENCIA APLICADA

EXPOSICION BJT

PROFESOR:
M.M OMAR ALEJANDRO PEREZ MARTINES

ALUMNO:

MIGUEL ANGEL DAMAS CASIQUE 5270

INGENIERIA MECATRONICA 5ªA

PRIMER PARCIAL

CICLO ESCOLAR
2017-2018N

FECHA DE ENTREGA: 12/09/2017

MIGUEL ANGEL DAMAS CASIQUE IMCT 5° “A”

 INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el
emisor, la base y el colector.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará
por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación.

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 DESARROLLO DEL TEMA

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los
transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica
digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo

cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:

Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector: de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores,
y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado
de corte, estado de saturación y estado de actividad. Un transistor de unión bipolar
consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región
de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo
N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región

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del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B)
o colector (C), según corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN en el

cual se aprecia como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-
emisor. La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está
compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El
colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones
inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el
valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al
transistor una gran β.

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es

usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y
el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a
funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está
usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con
el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más
pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor
de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido
a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado,
mientras que el colector está ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser
aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta
colapse. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación
normal. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la
eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados
por el emisor en relación con aquellos inyectados por la base. Para una gran
ganancia de corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-
emisor deben provenir del emisor.

El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces

utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente, lo
que significa que no hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo

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inverso. Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor
genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie
significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o
corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensión, pero son caracterizados más simplemente como fuentes
de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la
baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de
germanio, pero la mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio.
Actualmente, una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de hetero
juntura) están hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en
aplicaciones de alta velocidad.

GRAFICA CARACTERISTICA

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

REGIÓN ACTIVA DIRECTA: Corresponde a una polarización directa de la

unión emisor - base y a una polarización inversa de la unión colector - base.
Esta es la región de operación normal del transistor para amplificación.
REGIÓN ACTIVA INVERSA: Corresponde a una polarización inversa de la
unión emisor - base y a una polarización directa de la unión colector - base.
Esta región es usada raramente.
REGIÓN DE CORTE: Corresponde a una polarización inversa de ambas
uniones. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de

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 conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como un
interruptor abierto (IC = 0).
REGIÓN DE SATURACIÓN: Corresponde a una polarización directa de
ambas uniones. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE = 0).

Circuito BJT

Curva característica
de entrada de un
transistor BJT

Curva característica
de salida de un
transistor BJT

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APLICACIONES COMUNES

Interruptor de transistor: se utiliza un transistor como interruptor para

controlar los estados de encendido y apagado de un foco situado en una
extensión del colector de la red.
El amplificador de señales alternas: El mundo está lleno de pequeñas
señales que necesitan amplificarse para procesar la información que
contienen. Por ejemplo: una guitarra eléctrica. El movimiento de una cuerda
metálica en el interior de un campo magnético (creado por los captadores o
pastillas) provoca una pequeña variación de tensión entre dos terminales de
una bobina. Para que esa débil señal pueda llegar a los oídos de todo un
auditorio, es evidente que se necesita una amplificación. La señal producida
por la pastilla de la guitarra viaja por un par de terminales hasta el
amplificador. Aquí se produce la transformación de la pequeña señal, que es
capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la potencia que se
desee.
Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de
impulsos PWM)
Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales
llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que
tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

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CONCLUSIÓN

En conclusión es de destacar que el interés actual del BJT es muy limitado,

ya que existen dispositivos de potencia con características muy superiores. Sin
embargo, es necesario comprender sus limitaciones para poder comprender el
funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia en la
actualidad dentro del campo de la Electrónica de Potencia.

También es importante agregar que la diferencia más notable entre un

transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el
terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base
para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace
mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia viene
determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son
sustancialmente distintas. Es una característica común, sin embargo, el hecho de
que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más
pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.

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BIBLIOGRAFIA

Boylestad, R. y Nashelsky L. (2009). Electrónica, Teoría de circuitos (8ª Ed.).

México. Pearson Educación.

Malvino, A. (2007). Principios de electrónica (7ª Ed.). México. Mc Graw HillBoylestad

Robert L., Nashelsky Louis (2009) Electrónica Teoría de Circuitos y Dispositivos

Electrónicos, México, Décima edición, Editorial Prentice Hall.

Electrónica de potencia, circuitos, dispositivos y aplicaciones, M. H. Rashid 2nd

ed.,Prentice Hall, 1995.

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ANEXOS

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