Instituto Tecnológico de Hermosillo

Ing. Electrónica
3er semestre

Física de semiconductores

Reactivos ll de semiconductores

Alumn. Sombra Álvarez José Ángel

Hermosillo, sonora 14/11/23

1) Explique la estructuración y funcionamiento del transistor PNP.
Un transistor PNP es uno de los tipos de transistores bipolares, que son dispositivos
semiconductores utilizados para amplificar o cambiar señales electrónicas. La estructura
básica de un transistor PNP consta de tres capas semiconductoras: una capa de material
tipo P (positivo), una capa de material tipo N (negativo) y otra capa de material tipo P. Estas
capas forman dos uniones PN, y el transistor PNP se utiliza típicamente en configuración de
unión bipolar.
El transistor PNP está diseñado de manera que la corriente de colector es amplificada en
comparación con la corriente de base. Por lo tanto, pequeñas corrientes en la base pueden
controlar corrientes mucho mayores en el colector. La amplificación de corriente es la base
del funcionamiento de los transistores bipolares y se utiliza en aplicaciones como
amplificadores de señales y en circuitos de conmutación.
2) ¿Cuál es la causa que la zona del Emisor, este mas fuertemente dopada?
La zona del emisor de un transistor bipolar, ya sea PNP o NPN, está más fuertemente
dopada que las otras regiones (base y colector) por razones relacionadas con el
funcionamiento y la eficiencia del dispositivo.
- Al dopar más fuertemente el emisor, se asegura una mayor concentración de huecos
disponibles para ser inyectados en la base cuando se aplica un voltaje.
- La dopación más fuerte reduce la resistencia eléctrica en la región del emisor. Esto ayuda a
facilitar el flujo de corriente desde el emisor hacia la base, permitiendo una respuesta más
rápida del transistor.
3) ¿Cuál es la función de la zona del Colector?
En un transistor PNP, la zona del colector está dopada de manera opuesta a la del emisor, lo
que significa que transporta electrones (en lugar de huecos). Cuando se aplica un voltaje
adecuado, los electrones del emisor son atraídos hacia la región del colector. La principal
función del colector es capturar estos portadores de carga (electrones) que provienen del
emisor.
4) Explique porque se le llama:
4.1) Zona activa
la zona activa se encuentra en la región formada por el emisor y la base. En esta región, la
pequeña corriente de la base controla una corriente mucho mayor del emisor al colector. La
acción de amplificación tiene lugar principalmente en la zona activa.

4.2) Zona de saturación

El transistor está saturado con portadores de carga y no puede amplificar la señal de
entrada de manera significativa.
4.3) Zona de Corte
El transistor corta o interrumpe el flujo de corriente entre el emisor y el colector
4.4) Zona Inversa

Por los portadores de carga que son repelidos, creando una barrera de carga que evita el
flujo de corriente significativo a través de la unión. Esto se asocia con la "polarización
inversa" porque el voltaje aplicado tiene un signo opuesto al de la polaridad natural de la
unión PN.

5) Explique con detalle que sucede cuando la unión del emisor está polarizada en directa y
que la unión de colector está sin polarizar.
Se crea una configuración que permite el funcionamiento del transistor en su región activa.
Emisor:

Los portadores de carga (huecos) fluyen desde el emisor hacia la base debido a la
polarización directa de la unión emisor-base.
La polarización directa reduce la barrera de potencial en la unión, permitiendo que los
huecos se muevan más fácilmente.
Base:

Al llegar a la base, algunos de los huecos se recombinan con los electrones libres en la base.
Otros huecos atraviesan la base y llegan a la unión colector-base.
Colector:
En la unión colector-base, la falta de polarización significativa (o la polarización inversa)
dificulta el flujo de portadores de carga desde la base hacia el colector.
Como resultado, los huecos que llegan a la base continúan hacia el colector, creando una
corriente de colector.
Consecuencias

La configuración permite que pequeñas corrientes en la base controlen corrientes mucho

mayores en el colector, lo que es esencial para el funcionamiento del transistor como un
amplificador.

6) Explique con detalle que sucede cuando la unión de colector está polarizada en inversa
y que la unión de emisor está en circuito abierto, y Determine la corriente Ico.
El transistor se encuentra en la región de corte. Esto significa que no hay flujo significativo
de corriente a través del transistor.
Unión Emisor-Base:

Sin conexión externa, no hay corriente significativa en la unión.

Puede haber una pequeña corriente de fuga debido a imperfecciones en el material, pero en
general, esta corriente es despreciable.

Unión Colector-Base:
Debido a la polarización inversa de la unión, se crea una barrera de potencial que evita que
los portadores de carga fluyan desde la base hacia el colector.
No hay corriente significativa de colector a base.

Circuito Abierto:
Si no hay una carga externa conectada al colector, no hay corriente de colector y, por lo
tanto, el transistor opera en un estado de corte.
Corriente Ico

La corriente de colector de saturación (Ico) en esta configuración es la corriente de fuga que

atraviesa la unión C-B en polarización inversa. Esta corriente suele ser muy pequeña, del
orden de los nano amperios (nA) o incluso picofaradios (pA).
7) Explique que sucede con los “huecos” que no logran superar la barrera de la base.
Los huecos que no logran superar la barrera de la base pueden experimentar diferentes
destinos, como recombinación en la base, difusión y recirculación, contribución a la
corriente de base y, en algunos casos, contribución a una pequeña corriente de colector.
Estos fenómenos son parte del complejo comportamiento de los transistores y suelen
depender de la estructura específica del dispositivo y de las condiciones operativas.

8) Deducir:

α: es la ganancia de corriente, también conocida como el factor de amplificación de

corriente.
Ic: es la corriente de colector.

Ico: es la corriente de colector de saturación (la corriente de colector cuando el transistor

está en corte, es decir, sin ninguna corriente de entrada significativa).
Ie: es la corriente de emisor.
La deducción puede hacerse a partir de la ecuación de corriente en un transistor bipolar,
que es:
9) Explique y/o demuestre, como se ha determinado que el factor ganancia α es
aproximadamente 0,9 y 0,998, en los transistores comerciales.

El factor de ganancia en los transistores, representado por α obtiene a través de

experimentos en el laboratorio. Este factor es esencial porque muestra la relación entre la
corriente que sale del transistor (IC, corriente de colector) y la corriente que entra (IB,
corriente de base). En otras palabras, indica cuánto se amplifica la corriente de base para
producir la corriente de colector.
Para obtener el valor de α, los fabricantes de transistores llevan a cabo mediciones en
grupos de dispositivos utilizando herramientas especializadas en el laboratorio. Estas
mediciones incluyen la aplicación de distintos niveles de corriente de base (IB) y la medición
de la correspondiente corriente de colector (IC). El factor de ganancia se calcula mediante la
fórmula
α= IC/IB
Este proceso experimental proporciona información esencial sobre cómo el transistor
amplifica la corriente de entrada para producir la corriente de salida, y estos resultados se
utilizan en la documentación técnica del transistor para guiar su uso en diversas aplicaciones
electrónicas.
10) Explique y deduzca cada una de las corriente, y el funcionamiento del siguiente
esquema.

Corriente de Emisor (IE):

La corriente de emisor es la corriente total que fluye hacia el emisor del transistor PNP. En
un transistor bipolar, esta corriente es la suma de la corriente de base (IB) y la corriente de
colector (IC): IE=IB+IC.
Corriente de Emisor a Base (IPE):
La corriente de emisor a base es la parte de la corriente total (IE) que fluye desde el emisor
hasta la base del transistor. La relación exacta depende de la ganancia del transistor (β):
IPE= IB/β

.
Corriente de Colector a Base (IPC):

La corriente de colector a base es la parte de la corriente total (IE) que fluye desde el
colector hasta la base del transistor. En un transistor bipolar en configuración común, la
corriente de colector a base es aproximadamente igual a la corriente de emisor a base:
IPC≈IPE.

Corriente de Colector (IC):

La corriente de colector es la corriente que fluye desde el colector hasta la fuente de
alimentación. En un transistor bipolar en configuración común, la relación entre la corriente
de base (IB) y la corriente de colector (IC) está determinada por el factor de ganancia (β):
IC=β∗IB.

Corriente de Base (IB):

La corriente de base es la corriente que fluye hacia la base del transistor. Es la corriente que
controla la corriente de colector. En este circuito, IB se puede calcular como la diferencia
entre las corrientes de emisor y colector: IB=IPE−IPC.